JPH03210483A - メモリ試験装置 - Google Patents

メモリ試験装置

Info

Publication number
JPH03210483A
JPH03210483A JP2004788A JP478890A JPH03210483A JP H03210483 A JPH03210483 A JP H03210483A JP 2004788 A JP2004788 A JP 2004788A JP 478890 A JP478890 A JP 478890A JP H03210483 A JPH03210483 A JP H03210483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polarity
address
memory
signal
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004788A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2915945B2 (ja
Inventor
Toshimi Osawa
大沢 俊美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP2004788A priority Critical patent/JP2915945B2/ja
Priority to DE69120301T priority patent/DE69120301T2/de
Priority to EP91100111A priority patent/EP0437217B1/en
Priority to US07/637,201 priority patent/US5214654A/en
Priority to KR1019910000138A priority patent/KR950000343B1/ko
Publication of JPH03210483A publication Critical patent/JPH03210483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2915945B2 publication Critical patent/JP2915945B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は半導体によって作られたメモリを試験するメ
モリ試験装置に関し、特に記憶容量が大きいメモリを試
験するに適した機能を付加したメモリ試験装置を捉供し
ようとするものである。
「従来の技術」 半導体によって作られるメモリの記憶容量は増加の一途
をたどり、今や1Mピント、4Mビット、16Mビット
に達する趨性にある。
記憶容量の増大に伴なって各種の障害が発生する。その
一つとして書込及び続出データの形態に応じて電力使用
量の変動があげられる。つまり書込、読出データが全て
「1」論理データで、「1」論理データを全ての記憶領
域に書込むとすると、そのとき電流の使用量が増加し、
最大値となる。
また全てのメモリセルに「0」を書込むとすると、この
ときは電力使用量は最小となる。
このように書込まれるデータの形態によって電力使用量
が変動することはits側に対して好ましいことではな
い。特に多量のメモリ素子を使用する場合にはその弊害
は大きい。
このため従来よりメモリの内部を複数の領域に分割し、
各領域毎に記憶する論理を本来の論理とは逆の論理に反
転させて記憶し、続出時は元の論理に戻して出力させ、
データの論理が片寄らないようにして使用電力を平均化
できるようにしたメモリが作られている。
このような機能をここでは極性反転機能と称し、この極
性反転機能を持つメモリを極性反転機能付メモリと称す
ることにする。
極性反転機能付メモリを試験する場合、従来と同様に単
に試験パターン信号を被試験メモリに書込んでこれを続
出し、その続出されたパターンが期待値と一致するか否
かを試験することの外にメモリの内部で極性が反転され
て書込が行なわれる記憶領域に対しては試験パターン信
号の極性を試験装置側で予め反転させて与え、この極性
反転によって極性反転領域に対して他の記憶領域と同等
の極性で書込、続出を行なって被試験メモリを厳しい条
件下で動作させ、試験を行なうことが要求される。
このような試験を行なうには試験パターンを発生するパ
ターン発生器のパターン発生プログラムを作り替えれば
実行できるが、プログラムの作り替は人手が掛り面倒で
ある。また被試験メモリの規格が一様でなく、極性反転
領域と非反転領域が一定していないため、各規格に合致
するようにプログラムを作り替えることは得策ではない
このため従来より被試験メモリの極性反転領域を試験装
置に認識させ、極性反転領域をアクセスする際に試験パ
ターン信号の極性を「反転させる」「反転しない」を自
由に制御できるように構成した試験装置が作られている
第2図はその一例を示す。図中10はパターン発生器を
示す。パターン発生器IOにはアドレス発生部11と、
試験パターンを発生するパターン発生部12とを具備し
、アドレス発生部11から出力されるアドレス信号が被
試験メモリ20のアドレス入力端子に与えられて被試験
メモリ20がアクセスされると共に、そのアクセスされ
たアドレスにパターン発生部12から試験パターン信号
を与え、書込読出を行なう。
試験メモリ20から読出された応答出力は論理比較器3
0に与えられ、論理比較器30においてパターン発生部
12から出力される1III待値パターンと比較され、
不一致が検出されたとき、その被試験メモリ20は不良
であるとする判定信号を出力する。
パターン発生部12から被試験メモリ20に与える試験
パターン信号の通路13と、パターン発生部12から論
理比較器30に期待値パターン信号を与える通路14に
極性切替器15と16が設けられる。
この極性切替器15と16が極性制御器40から出力さ
れる損性切替信号によって切替制御され、アドレス領域
毎に被試験メモリ20に書込む試験パターン信号の極性
を選定できるように構成される。
極性制御器40は被試験メモリ20の極性反転領域を認
識するために設けられた反転領域メモリ41.42.4
3と、極性反転領域に印加する試験パターン信号及び期
待値パターン信号の極性を反転させるか否かを決める反
転データを記憶する反転データ記憶レジスタ44と、こ
の反転データ記憶レジスタ44に記憶した反転データを
選択して出力する反転データ選択器45とによって構成
される。
反転領域メモ1,141,42.43には被試験メモリ
20の極性反転領域に対応するアドレスデータを記憶さ
せる。
つまりこの例ではアドレス信号をXアドレス信号とYア
ドレス信号と、Zアドレス信号とし、これらXアドレス
信号と、Yアドレス信号と、Zアドレス信号をそれぞれ
三つの反転領域メモリ41゜42.43に振り分けて与
え、各反転領域メモリ41.42.43をXアドレス信
号と、Yアドレス信号及びZアドレス信号によってアク
セスするように構成した場合を示す。
反転領域メモリ41,42.43の被試験メモリ20の
極性反転すべき領域内のアドレスには予め例えばrl」
論理を書込んでおく。従ってアドレス発生部11から被
試験メモリ20の極性反転領域内のアドレスが出力され
ると、各反転領域メモリ41,42.43のそれぞれか
ら「1」論理が続出される。
各反転領域メモリ41,42.43から読出されるデー
タは3ビツトの選択信号として反転データ選択器45に
入力される。
反転データ選択器45は三つの反転領域メモリ41.4
2.43から読出されるデータに従って反転データ記憶
レジスタ44に記憶した試験パターン信号を反転させる
か否かを決める反転データを選択して取出す。
反転データ記憶レジスタ44は例えば8ビツトのレジス
タによって構成することができ、8ビツトのレジスタに
第3図に示すように例えば「00.0.O,O,O,O
,IJを書込む。三つの反転領域メモリ41.42.4
3から読出されるデータx、y、zが000〜011の
とき、反転データ選択器45は反転データ記憶レジスタ
44の第1ビットB、〜第7ビツトB7を選択する。
つまりx=o、y=o、z=oのときは第1ビットB、
の反転データ「0」を選択して取出し、この反転データ
を極性切替器15及び16に与える。
またX=1.Y=1.Z=1が読出されたときは反転デ
ータ選択器45は第8ビツトBeの反転データ「1」を
選択し、このrl、論理の反転データを極性切替器15
及び16に与えるゆ極性切替器15と16はこの例では
排他的論理和回路によって構成した場合を示し、反転デ
ータ選択器45から「0」論理の反転データが与えられ
たときはパターン発生部12から出力される試験パター
ン信号及び期待値パターン信号は極性反転されることな
くそのままの極性で被試験メモリ20と比較器30に与
えられる。
これに対し極性切替器15及び16に[1」論理の反転
データが入力されると、この場合はパターン発生部12
から被試験メモリ20に与えられる試験パターン信号及
び期待値パターン信号は極性切替器15と16において
極性が反転されて被試験メモリ20と比較器30に与え
られる。従って反転データレジスタ44に書込む反転デ
ータを適宜変更することによって例えばX−1,Y=1
Z=00ときも[1」論理を出力するように設定し、こ
の場合も極性を反転させるように設定することができる
このようにして被試験メモリ20が極性反転機能を持つ
場合、メモリの内部でデータの極性を反転させて書込、
続出を行なう極性反転領域を反転領域メモリ41,42
.43に予め記憶させておくことによってその反転領域
に対するデータの書込を極性反転させて書込んだり、ま
た極性を反転させずに書込を行なうことを自由に選択す
ることができる。
「発明が解決しようとする課題」 第2図に示したメモリ試験装置において、極性を反転さ
せるアドレスの論理式がXアドレスの中の演算と、Yア
ドレス内の演算と、Zアドレス内の演算と、それぞれの
演算結果の演算という形に展開できるアドレスについて
だけ反転信号を発生することが可能である。
つまり特定のアドレスをi□とすると、1Nv−f a
(f+(Xo +χ+ 、 、’= XI )+ fz
(Yo、 Y+・・・Y−)、[3(ZO、Zl  、
・・・ Z、l))と展開できるアドレスについて極性
反転信号の発生が可能となる。
これに対し、x、y、zアドレス間の演算が復数項有り
、さらにその間の演算を行なうと云う論理式にしか展開
できないアドレス、つまり1Nv= f 4(fl(X
I、Yi 、 Zl )l fz(L +YII。
Z、 ’) 、−fl(X、 、Y、 、 Z、 ))
の様な論理式で表わされるアドレスについては反転信号
を発生することができない不都合がある。
また第2図に示したメモリ試験装置において、極性制御
器40は一つの領域を規定するだけで、複数の領域を反
転領域に指定するには極性制御器40を極性反転させる
べき領域の数だけ必要となり、ハード量が太き(なる欠
点がある。
また反転領域メモリ41.42.43はX、Y。
Zの各アドレス分について容量が必要となるので大きい
容量のメモリが必要となる0例えばアドレス信号が16
ビツトの場合、64にビットのメモリが必要となる。更
にこの様な大容量のメモリを用いて高速試験を行なうに
はさらにハード量が大きくなる欠点がある。
この発明の目的は極性反転機能を内蔵したメモリを試験
するメモリ試験装置において、少ない八−ド量で複数の
領域を反転領域として指定することができる。メモリ試
験装置を提供しようとするものである。
「課題を解決するための手段」 この発明においては、 被試験メモリに与えるアドレス信号を発生するアドレス
発生器と、 このアドレス発生器が出力するアドレス信号に同期して
被試験メモリに与える試験パターン信号及び期待値パタ
ーン信号を発生するパターン発生器と、 このパターン発生器から被試験メモリに印加する試験パ
ターン信号を被試験メモリ内の極性反転領域に合致させ
て極性反転させる極性反転器と、この極性反転器に極性
反転のための制御信号を与える極性制御器とを具備した
メモリ試験装置において、 極性制御器をアドレス発生器が出力するアドレス信号の
中の極性を反転すべき領域を選択するためのピントを記
憶するビットレジスタと、このビットレジスタに設定さ
れたビットデータによってアドレス発生器から出力され
るアドレス信号の中の所定のピントのアドレス信号を摘
出するアドレス選択器と、 このアドレス選択器によって選択されたアドレス信号に
よってアクセスされ、被試験メモリに極性反転される領
域内のアドレス信号が印加されたことを検出して極性反
転器に極性反転信号を与える領域反転メモリと、 によって構成した点を特徴とするものである。
この発明の構成によれば被試験メモリの形式に応じて極
性反転される領域を規定するアドレス信号のピッI・位
置をビットレジスタに設定する。この設定されたビット
データがアドレス選択器に与えられ、このアドレス選択
器によってピントレジスタに設定されたピントのアドレ
ス信号が摘出され、このアドレス信号が頭載反転メモリ
に与えられる。
領域反転メモリには被試験メモリ内において極性が反転
されて書込が行なわれる領域に対応したアドレスに極性
反転信号を書込む。
従ってこの発明によれば被試験メモリがその極性が反転
されて書込及び続出が行なわれるアドレス領域がアクセ
スされると、そのとき領域反転メモリから極性反転信号
が読出される。この極性反転信号が極性反転器に印加さ
れてパターン発生器から被試験メモリに与えられるパタ
ーン信号の極性が反転され、パターン信号の極性を反転
して書込を行なう。
このようにこの発明によれば被試験メモリの極性反転領
域を規定するために必要最小限のビット数のアドレス信
号を使って領域反転メモリをアクセスする構成としたか
ら、 領域反転メモリは小容量のメモリで済せることができる
然もこの領域反転メモリの任意のアドレスに極性反転信
号を書込んでお(ことによって、どのアドレス領域に対
しても極性反転信号を発生させることができる。
また従来のように大容量のメモリを使用しなくてよいか
らハード量を少なくすることができる。
よって安価に作ることができることと、高速処理が可能
となる利点が得られる。
「実施例」 第1図にこの発明の一実施例を示す。
第1図において、第2図と対応する部分には同一符号を
付して示す。
この発明においてはパターン発生器lOと、極性制御器
40と、極性反転器15.16と、比較器30とによっ
て構成される極性反転機能を持つメモリを試験するメモ
リ試験装置において、極性制御器40をビットレジスタ
46と、アドレス選択器47と、領域反転メモリ48と
によって構成する。
ビットレジスタ46にはアドレス発生器11から出力さ
れるアドレス信号X、Y、Zの中の極性反転領域を指定
するに必要なビット情報を設定する。つまり例えばx、
y、zアドレス信号がそれぞれ8ビツトの信号であった
場合、被試験メモリ20内の極性反転されて書込読出が
行なわれる領域を指定するために必要なピントが例えば
全て上位2ビツトのアドレス信号を必要とする場合には
ビットレジスタ46にはXアドレスの各ビットX0〜X
7に関しては上位ビットX、、Lに「1」を設定し、Y
アドレスの各ビットY0〜Y7に関しては上位2ビツト
のY6.Y7に「1」を設定し、Zアドレスに関しては
上位2ビツトの2..27に「1」を設定する。
この設定信号をアドレス選択器47に与え、アドレス選
択器47において、アドレス発生器11から出力される
各8ビツトのアドレス信号X0〜X?、Y、〜Yff、
Z、〜Z、の中のビットレジスタ46に設定したビット
のアドレス信号X6Xv、Y*、Y?、Zb、Z?を摘
出する。
従って全アドレス信号のこの例では1/4のビット数の
アドレス信号がアドレス選択器47から出力され、この
アドレス信号によって領域反転メモIJ48をアクセス
する。
領域反転メモリ48には被試験メモリ20内において極
性反転されて書込続出が行なわれる反転領域を宇旨示す
るアドレスに例えば「1」論理を記憶させておく、従っ
てこのアドレスがアクセスされることによって領域反転
メモリ48から「1」論理が出力され、この「l」論理
が極性反転器15及び16に与えられることによってパ
ターン発生部12から被試験メモリ20に与えられる試
験パターン信号及び比較器30に与えられる期待値パタ
ーン信号は極性反転されて被試験メモリ20と比較器3
0に印加される。
「発明の効果」 以正説明したようにこの発明によれば極性制御器40を
ビットレジスタ46と、アドレス選択器47と、領域反
転メモリ48によって構成したから極性制御器40のハ
ード量を小さくすることができる。特に従来のように各
アドレス信号X、YZに関して領域反転メモリ41.4
2.43 (第2図参照)を設けなくて済むから、コス
トを大幅に低減することができる。
また容量の大きい領域反転メモリ41.4243を用い
なくて済み、然もこの発明で用いる領域反転メモリ48
は容量の小さいメモリでよいから動作速度を高速化する
ことができる利点が得られる。
また橋性反転信号は領域反転メモリ48から読出す構成
としたから、複数の領域を反転領域として設定すること
ができる大きな特徴が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第2図
は従来の技術を説明するためのブロック図、第3図は従
来の技術の動作を説明するための図である。 10:パターン発生器、15,16:極性反転器、20
;被試験メモリ、30:比較器、40:極性反転制御器
、46二ビツトレジスタ、47:アドレス選択器、48
:領域反転メモリ。 ヤ 3 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)A、被試験メモリに与えるアドレス信号を発生す
    るアドレス発生部と、 B、このアドレス発生部が出力するアドレス信号に同期
    して被試験メモリに与える試験 パターン信号及び期待値パターン信号を発 生するパターン発生部と、 C、このパターン発生部から被試験メモリに印加する試
    験パターン信号を被試験メモリ 内の極性反転領域に合致させて極性反転さ せる極性反転器と、 D、この極性反転器に極性反転のための制御信号を与え
    る極性反転器に極性反転のため の制御信号を与える極性制御器とを具備し、極性反転機
    能を持つメモリを試験するメモ リ試験装置において、 E、上記極性制御器をアドレス発生器が出力するアドレ
    ス信号の中の極性を反転すべき 領域を選択するためのビットを記憶するビ ットレジスタと、 F、このビットレジスタに設定されたビットデータによ
    って上記アドレス発生器から出 力されるアドレス信号の中の所定のビット のアドレス信号を摘出するアドレス選択器 と、 G、このアドレス選択器によって選択されたアドレス信
    号によってアクセスされ、被試 験メモリに極性反転される領域内のアドレ ス信号が印加されたことを検出して上記極 性反転器に極性反転信号を与える領域反転 メモリと、 によって構成したことを特徴とするメモリ試験装置。
JP2004788A 1990-01-12 1990-01-12 メモリ試験装置 Expired - Fee Related JP2915945B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004788A JP2915945B2 (ja) 1990-01-12 1990-01-12 メモリ試験装置
DE69120301T DE69120301T2 (de) 1990-01-12 1991-01-02 Speicherprüfgerät
EP91100111A EP0437217B1 (en) 1990-01-12 1991-01-02 Memory tester
US07/637,201 US5214654A (en) 1990-01-12 1991-01-03 Memory tester
KR1019910000138A KR950000343B1 (ko) 1990-01-12 1991-01-08 메모리 시험장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004788A JP2915945B2 (ja) 1990-01-12 1990-01-12 メモリ試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03210483A true JPH03210483A (ja) 1991-09-13
JP2915945B2 JP2915945B2 (ja) 1999-07-05

Family

ID=11593527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004788A Expired - Fee Related JP2915945B2 (ja) 1990-01-12 1990-01-12 メモリ試験装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5214654A (ja)
EP (1) EP0437217B1 (ja)
JP (1) JP2915945B2 (ja)
KR (1) KR950000343B1 (ja)
DE (1) DE69120301T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7251766B2 (en) 1999-02-02 2007-07-31 Fujitsu Limited Test method and test circuit for electronic device
JP2007522590A (ja) * 2004-02-27 2007-08-09 インテル・コーポレーション ブロック・アドレスの可能な大容量ストレージ・システムのためのインターフェイス
JP2013077342A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Advantest Corp 試験装置および試験方法
JP2015056191A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 Bist回路

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2577120Y2 (ja) * 1993-04-15 1998-07-23 株式会社アドバンテスト 過剰パルス印加の禁止回路
JP3186359B2 (ja) * 1993-07-28 2001-07-11 安藤電気株式会社 物理アドレス変換回路
US5712999A (en) * 1993-11-30 1998-01-27 Texas Instruments Address generator employing selective merge of two independent addresses
US5506959A (en) * 1994-08-04 1996-04-09 Telecommunication Research Laboratories Method and apparatus for testing electronic memories for the presence of multiple cell coupling faults
WO2004097840A1 (ja) * 1995-09-06 2004-11-11 Osamu Yamada Sdram用テストパターン発生装置及び方法
US6463081B1 (en) * 1998-04-07 2002-10-08 United Microelectronics Corp. Method and apparatus for fast rotation
US6389525B1 (en) 1999-01-08 2002-05-14 Teradyne, Inc. Pattern generator for a packet-based memory tester
US6434503B1 (en) * 1999-12-30 2002-08-13 Infineon Technologies Richmond, Lp Automated creation of specific test programs from complex test programs
US6608779B1 (en) 2000-06-02 2003-08-19 Intel Corporation Method and apparatus for low power memory
US6671844B1 (en) * 2000-10-02 2003-12-30 Agilent Technologies, Inc. Memory tester tests multiple DUT's per test site
KR100379542B1 (ko) * 2000-11-23 2003-04-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리소자의 테스트장치
US20030167428A1 (en) * 2001-04-13 2003-09-04 Sun Microsystems, Inc ROM based BIST memory address translation
US7656893B2 (en) * 2002-08-07 2010-02-02 Broadcom Corporation System and method for implementing auto-configurable default polarity
US6925588B2 (en) * 2002-12-23 2005-08-02 Lsi Logic Corporation Methods and apparatus for testing data lines
KR101196492B1 (ko) * 2008-05-21 2012-11-01 가부시키가이샤 어드밴티스트 패턴 발생기

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4414665A (en) * 1979-11-21 1983-11-08 Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. Semiconductor memory device test apparatus
JP2527935B2 (ja) * 1986-05-19 1996-08-28 株式会社 アドバンテスト 半導体メモリ試験装置
DE3773773D1 (de) * 1986-06-25 1991-11-21 Nec Corp Pruefschaltung fuer eine speichereinrichtung mit willkuerlichem zugriff.
JPH01184700A (ja) * 1988-01-11 1989-07-24 Advantest Corp メモリ試験装置
US4866676A (en) * 1988-03-24 1989-09-12 Motorola, Inc. Testing arrangement for a DRAM with redundancy
JP2719684B2 (ja) * 1988-05-23 1998-02-25 株式会社アドバンテスト 遅延発生装置
JP2779538B2 (ja) * 1989-04-13 1998-07-23 三菱電機株式会社 半導体集積回路メモリのためのテスト信号発生器およびテスト方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7251766B2 (en) 1999-02-02 2007-07-31 Fujitsu Limited Test method and test circuit for electronic device
JP2007522590A (ja) * 2004-02-27 2007-08-09 インテル・コーポレーション ブロック・アドレスの可能な大容量ストレージ・システムのためのインターフェイス
JP2013077342A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Advantest Corp 試験装置および試験方法
JP2015056191A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 株式会社東芝 Bist回路

Also Published As

Publication number Publication date
KR910014951A (ko) 1991-08-31
KR950000343B1 (ko) 1995-01-13
JP2915945B2 (ja) 1999-07-05
EP0437217B1 (en) 1996-06-19
DE69120301T2 (de) 1996-12-05
EP0437217A2 (en) 1991-07-17
DE69120301D1 (de) 1996-07-25
EP0437217A3 (en) 1992-04-08
US5214654A (en) 1993-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03210483A (ja) メモリ試験装置
US5946246A (en) Semiconductor memory device with built-in self test circuit
KR100327136B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 병렬 비트 테스트 방법
JPH04229499A (ja) 半導体集積回路
US5170398A (en) Pattern generating apparatus for memory having a logical operation function
JPH0312573A (ja) テストデータ変更回路を有する論理回路テスト装置
JPS62266638A (ja) デイジタルデ−タを記憶するための複数個のメモリ場所の各々の機能性をテストする方法
JPH01184700A (ja) メモリ試験装置
KR970051415A (ko) 반도체 메모리 장치의 병합 데이타 출력 모드 선택 방법
US6611929B1 (en) Test circuit for memory
US6032281A (en) Test pattern generator for memories having a block write function
KR0170210B1 (ko) 메모리 장치의 테스트 회로
KR19990067519A (ko) 메모리테스트회로
US6034880A (en) Embedded memory device and method of performing a burn-in process on the embedded memory device
JPS63108747A (ja) ゲ−トアレイ集積回路
JP2524529B2 (ja) パタ―ン発生装置
JPH0341374A (ja) パターン発生装置
JPH0535392B2 (ja)
KR100455373B1 (ko) 다중 입력 부호 레지스터를 이용한 자동 셀프 테스트 회로
JPH0668539B2 (ja) 半導体メモリ試験装置
JPH05314786A (ja) 半導体記憶装置
JP2629785B2 (ja) 半導体記憶回路装置の検査装置
JP3099774B2 (ja) 半導体集積回路
KR0143131B1 (ko) 램 테스트를 위한 최적 데이타 발생기
JP2877505B2 (ja) Lsi実装ボード及びデータ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees