JPS60143704A - パタ−ンの欠陥検査方法 - Google Patents
パタ−ンの欠陥検査方法Info
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- JPS60143704A JPS60143704A JP58252059A JP25205983A JPS60143704A JP S60143704 A JPS60143704 A JP S60143704A JP 58252059 A JP58252059 A JP 58252059A JP 25205983 A JP25205983 A JP 25205983A JP S60143704 A JPS60143704 A JP S60143704A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパターンの欠陥検査方法、特に半導体集積回路
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査方法に関
するものである。
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査方法に関
するものである。
現在集積回路を製造する工程の一つに、シリコンウェハ
ーをホトエツチングする工程がある。すなわら、シリコ
ンウェハー上にマスクを密着させて首き、上方から可視
光線または紫外線を照射しホトエツチングしている。こ
のパターンを焼付けたマスクに欠陥があると、集積回路
製造の小止りが大きな悪影響を受ける。このマスクは充
分な平面度に磨かれたガラス板にクロム等の金属膜を蒸
着した後、所定のパターンを焼付けて形成しているが、
金属蒸着膜にピンホールがあるとパターンを焼付けた場
合に欠陥が発生ずる可能性がある。
ーをホトエツチングする工程がある。すなわら、シリコ
ンウェハー上にマスクを密着させて首き、上方から可視
光線または紫外線を照射しホトエツチングしている。こ
のパターンを焼付けたマスクに欠陥があると、集積回路
製造の小止りが大きな悪影響を受ける。このマスクは充
分な平面度に磨かれたガラス板にクロム等の金属膜を蒸
着した後、所定のパターンを焼付けて形成しているが、
金属蒸着膜にピンホールがあるとパターンを焼付けた場
合に欠陥が発生ずる可能性がある。
また、金ｍ蒸肴膜にピンホールがなくてもパターンを焼
付けた後のマスクに欠陥がある場合がある。
付けた後のマスクに欠陥がある場合がある。
第１図（Ｊ上述したような集積回路製造用マスクを示す
図Ｃ′ある。第１図中マスク１には、縦および横方向に
延Ｙ１する多数のスクライブライン２によって区画され
た多数のチップパターン３が形成されＣいる。これらの
パターン３の模様は同一に作られている。
図Ｃ′ある。第１図中マスク１には、縦および横方向に
延Ｙ１する多数のスクライブライン２によって区画され
た多数のチップパターン３が形成されＣいる。これらの
パターン３の模様は同一に作られている。
第２図は、パターンを焼付（〕ｌごマスク１のパターン
の一部分を顕ｉｐ！Ｉ鏡で観寮した像を示す図である。
の一部分を顕ｉｐ！Ｉ鏡で観寮した像を示す図である。
このマスク部分には欠陥はなく、完全なものとづる。マ
スク１のパターンは透明部４と不透明部５からＩＭ成さ
れている。第、３図は欠陥を右Ｊる同じパターン部分の
顕微鏡観察像を示す図である□。
スク１のパターンは透明部４と不透明部５からＩＭ成さ
れている。第、３図は欠陥を右Ｊる同じパターン部分の
顕微鏡観察像を示す図である□。
図中部分△、Ｂは蒸着膜が残っている状態を示している
。部分△においては、本来離間していなければなら４丁
いランド間が継ってしまっている。一方、部分ＢにＪ３
ける残存蒸着膜は空間にあるので場合によっては集積回
路の不良の原因にはならないかも知れない。部分Ｃにお
いてはランドの一部が欠けている。しかしながら、ラン
ドが切れるところまＣはいっていないので、集積回路の
不良の原因にな１：）ないかも知れない。部分りにおい
てはランドは完全に切れてしまっており、不良の原因ど
なる。
。部分△においては、本来離間していなければなら４丁
いランド間が継ってしまっている。一方、部分ＢにＪ３
ける残存蒸着膜は空間にあるので場合によっては集積回
路の不良の原因にはならないかも知れない。部分Ｃにお
いてはランドの一部が欠けている。しかしながら、ラン
ドが切れるところまＣはいっていないので、集積回路の
不良の原因にな１：）ないかも知れない。部分りにおい
てはランドは完全に切れてしまっており、不良の原因ど
なる。
従来、上述したマスクパターンの欠陥を検査するために
、本願人は特願昭５６−１４４７４０号において、マス
ク原版を作成するどきに使用づるＰＧ （Ｐａｔｔｅｒ
ｎ Ｑｅｎｅｒａｔｉｏｎ ）テープに記憶された情報
と、このテープに基づいて製作された実際のパターンと
を比較することによって信頼度の高い欠陥検査をできる
装置を開発している。しかしながら、この装置において
はＰＧテープのパターンがあまりに正確な像を表示する
ため、実際のパターンと比較判定する場合特にパターン
の角の部分で擬似欠陥を欠陥ど判定する場合があった。
、本願人は特願昭５６−１４４７４０号において、マス
ク原版を作成するどきに使用づるＰＧ （Ｐａｔｔｅｒ
ｎ Ｑｅｎｅｒａｔｉｏｎ ）テープに記憶された情報
と、このテープに基づいて製作された実際のパターンと
を比較することによって信頼度の高い欠陥検査をできる
装置を開発している。しかしながら、この装置において
はＰＧテープのパターンがあまりに正確な像を表示する
ため、実際のパターンと比較判定する場合特にパターン
の角の部分で擬似欠陥を欠陥ど判定する場合があった。
Ｊなわも、パターンを作成づる場合、パターンの角の部
分ではエツチングが十分正確に行なわれず角が丸くなる
のが誘過であり、このため角の部分で擬似欠陥が発生し
易くなる欠点があった。上述した擬似欠陥の発生を防止
するため、本願人は特開昭５８−１４７１１４号におい
て、基準パターンとして使用されるＰＧテープからのパ
ターン信号の角部を丸めて擬似欠陥を少なくする方法を
提案している。上述した方法では、パターンの角部で発
生する擬似欠陥に対しては有効であるが、その他の欠陥
、づなわち第３図ＥおよびＦに示ずような欠陥や、基準
パターンと実際のパターンの泣面の微妙なずれによって
発生する輪郭状の擬似欠陥を有効に防１１−することは
できなかった。
分ではエツチングが十分正確に行なわれず角が丸くなる
のが誘過であり、このため角の部分で擬似欠陥が発生し
易くなる欠点があった。上述した擬似欠陥の発生を防止
するため、本願人は特開昭５８−１４７１１４号におい
て、基準パターンとして使用されるＰＧテープからのパ
ターン信号の角部を丸めて擬似欠陥を少なくする方法を
提案している。上述した方法では、パターンの角部で発
生する擬似欠陥に対しては有効であるが、その他の欠陥
、づなわち第３図ＥおよびＦに示ずような欠陥や、基準
パターンと実際のパターンの泣面の微妙なずれによって
発生する輪郭状の擬似欠陥を有効に防１１−することは
できなかった。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、擬似欠陥の発
生をさらに減少させることによって、高精度の欠陥検出
が可能なパターンの欠陥検査方法を提供しようとするも
のである。
生をさらに減少させることによって、高精度の欠陥検出
が可能なパターンの欠陥検査方法を提供しようとするも
のである。
本発明のパターンの欠陥検査方法は、被検体のパターン
の欠陥、特に半導体集積回路の製造に用いるマスクのパ
ターンの欠陥を、前記被検体のパターンに対応した基準
情報を蓄積した記録媒体から読み出した基準情報と前記
被検体のパターンを実際に走査して得た走査情報とを比
較して自動的に検知する欠陥検査方法において、前記比
較前に、前記基準情ｉおよび走査情報によって表わされ
るパターンに対して多数決の原理によって前処理を行い
、前記比較時に前記前処理を行った基準情報と走査情報
どを比較することにより、擬似欠陥を除去して高精度の
欠陥検査を行ない得るよう構成したことを特徴どづるも
のである。
の欠陥、特に半導体集積回路の製造に用いるマスクのパ
ターンの欠陥を、前記被検体のパターンに対応した基準
情報を蓄積した記録媒体から読み出した基準情報と前記
被検体のパターンを実際に走査して得た走査情報とを比
較して自動的に検知する欠陥検査方法において、前記比
較前に、前記基準情ｉおよび走査情報によって表わされ
るパターンに対して多数決の原理によって前処理を行い
、前記比較時に前記前処理を行った基準情報と走査情報
どを比較することにより、擬似欠陥を除去して高精度の
欠陥検査を行ない得るよう構成したことを特徴どづるも
のである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第４図は本発明のパターンの欠陥検査方法を実施するパ
ターンの欠陥検査装置の全体の構成を示リブロック図で
ある。全体の構成は大きく分類し゛Ｃステージュニツ１
−１０．ビデオ信号変換ユニット３０、制御ユニット４
０の３つのユニットから成っている。以下上述した順に
各部の動作を簡単に説明する。
ターンの欠陥検査装置の全体の構成を示リブロック図で
ある。全体の構成は大きく分類し゛Ｃステージュニツ１
−１０．ビデオ信号変換ユニット３０、制御ユニット４
０の３つのユニットから成っている。以下上述した順に
各部の動作を簡単に説明する。
まずステージユニット１０においては、被検体１８のパ
ターン（例えばレチクルパターン等）に光源１１よりの
光を黒用し、その透過光をビットアレイよりなるイメー
ジセンサ−２３に入射して１ライン分の走査データを得
た後、その走査データをビデオ信号出力制御部２４へ供
給している。ビデオ信号出力制御部２４は、７ライン分
のメモリーを有し、３ Ｘ ３ 、５ Ｘ ５ 、７
Ｘ ７のウィンドウによる処理を後述する本発明の方法
により実行している。この処理はプログラムによ、るソ
フトで行なっても良いし、ハード的な回路によって行な
っても良い。
ターン（例えばレチクルパターン等）に光源１１よりの
光を黒用し、その透過光をビットアレイよりなるイメー
ジセンサ−２３に入射して１ライン分の走査データを得
た後、その走査データをビデオ信号出力制御部２４へ供
給している。ビデオ信号出力制御部２４は、７ライン分
のメモリーを有し、３ Ｘ ３ 、５ Ｘ ５ 、７
Ｘ ７のウィンドウによる処理を後述する本発明の方法
により実行している。この処理はプログラムによ、るソ
フトで行なっても良いし、ハード的な回路によって行な
っても良い。
自動焦点ＩＦＩＩ１１’＋を具えた対物レンズ１７は透
過光を例えば２５倍に拡大して、イメージセンサ−２３
０ビツトアレイに投影７るのに使用されている。本例で
使用づる自動焦点の機構は、本願人による特公昭５４−
３１３／！８号公報で提案されＣいる機構と同一である
。走査領域の選択および走査はＸテーブル１５．Ｙテー
ブル１６を駆動機ＭＰＪ１３．１２によって駆動するこ
とで実行している。Ｘ、Ｙテーブル１５、 ｉ６の制御
は、それらの動きをリニアエンコーダ１９．２０により
検知してステージポジションコレクター２１に供給する
ことによって行なわれる。ここで、Ｘ、Ｙ方向のずれが
検知され、そのずれより得られる補正信号を各駆動機構
１３．１２に供給してＸ、Ｙ方向の補正が行なわれる。
過光を例えば２５倍に拡大して、イメージセンサ−２３
０ビツトアレイに投影７るのに使用されている。本例で
使用づる自動焦点の機構は、本願人による特公昭５４−
３１３／！８号公報で提案されＣいる機構と同一である
。走査領域の選択および走査はＸテーブル１５．Ｙテー
ブル１６を駆動機ＭＰＪ１３．１２によって駆動するこ
とで実行している。Ｘ、Ｙテーブル１５、 ｉ６の制御
は、それらの動きをリニアエンコーダ１９．２０により
検知してステージポジションコレクター２１に供給する
ことによって行なわれる。ここで、Ｘ、Ｙ方向のずれが
検知され、そのずれより得られる補正信号を各駆動機構
１３．１２に供給してＸ、Ｙ方向の補正が行なわれる。
また、この補正だけでは精度の面で問題があるため、特
にＸ方向に対しＣは、ステージポジションコレクター２
１からのＸ方向のずれ最に対する補正信号をイメージセ
ンサ−ドライバー２２に供給してイメージセンサ−２３
中のピットアレイに入射づる光のうち、左端、右端の余
りの１２個のビットを使用して、誤差に対してずらして
１０００点での走査データを得るようにする。
にＸ方向に対しＣは、ステージポジションコレクター２
１からのＸ方向のずれ最に対する補正信号をイメージセ
ンサ−ドライバー２２に供給してイメージセンサ−２３
中のピットアレイに入射づる光のうち、左端、右端の余
りの１２個のビットを使用して、誤差に対してずらして
１０００点での走査データを得るようにする。
次に第４図中のビデオ変換ユニット３０について説明づ
−る。ＣＡＤシステム等により作成されたＰＧテープは
、本システムのフォーマツ１〜を持つ検査用し、チクル
テープ３１に変換され、ビデオ変換ユニツ１〜に供給さ
れる。このレチクルテープ３１は、チーツユニット３２
に収り付（）られた後、制御ユニット４０中のＣＰＵの
制御により磁気テープ制御部３６を介してステージ部１
０で検査されているレチクルマスク１８に対応覆る場所
のファイルをレチクルテープ３１から読み出し、２つ設
（プである磁気テープメモリーのうちの一方へ記憶する
。この磁気テープメモリーに記憶されたレチクルテープ
３１よりの点の座標群より、磁気テープ制御部３６から
の同期信号の制御のもとにビデオ信号変換器３５により
画像に変換された後、２つ設けであるビデオメモリーの
うちの一方に記憶される。画像としてビデオメモリーに
記憶されたデータは、磁気テープ制御部３６の制御によ
りステージ部１０のイメージセンサ−２３で７し査され
た部分に対応してビデオ信号出力制御部３９より読み出
され、制御ユニツ１−４０の比較器４５に出）ｊされる
。このビデオ信号出力制御部３９では、上述したビデオ
信号出力制御部２４と同様に、ビデオメモリー３７また
は３８中の画素に対して３Ｘ３．５Ｘ５，７Ｘ７のウィ
ンドウによる処理を後述りる方法によって行っている。
−る。ＣＡＤシステム等により作成されたＰＧテープは
、本システムのフォーマツ１〜を持つ検査用し、チクル
テープ３１に変換され、ビデオ変換ユニツ１〜に供給さ
れる。このレチクルテープ３１は、チーツユニット３２
に収り付（）られた後、制御ユニット４０中のＣＰＵの
制御により磁気テープ制御部３６を介してステージ部１
０で検査されているレチクルマスク１８に対応覆る場所
のファイルをレチクルテープ３１から読み出し、２つ設
（プである磁気テープメモリーのうちの一方へ記憶する
。この磁気テープメモリーに記憶されたレチクルテープ
３１よりの点の座標群より、磁気テープ制御部３６から
の同期信号の制御のもとにビデオ信号変換器３５により
画像に変換された後、２つ設けであるビデオメモリーの
うちの一方に記憶される。画像としてビデオメモリーに
記憶されたデータは、磁気テープ制御部３６の制御によ
りステージ部１０のイメージセンサ−２３で７し査され
た部分に対応してビデオ信号出力制御部３９より読み出
され、制御ユニツ１−４０の比較器４５に出）ｊされる
。このビデオ信号出力制御部３９では、上述したビデオ
信号出力制御部２４と同様に、ビデオメモリー３７また
は３８中の画素に対して３Ｘ３．５Ｘ５，７Ｘ７のウィ
ンドウによる処理を後述りる方法によって行っている。
上述のようにして作成されたステージユニット１０、ビ
デオ変換ユニット３０からの両出力は、制御ユニッＩ〜
４０に供給される。制御ユニツ１へ４０においては、そ
の欠陥部分を検知するために両川力信号を比較器４５に
より比較している。比較器４５を介して比較操作の終了
した信号は、データ処理部４７に供給され各種の処理が
行なわれる。データ処理部４１は各種Ｉ１０インターフ
ェース、ＲＡＭ。
デオ変換ユニット３０からの両出力は、制御ユニッＩ〜
４０に供給される。制御ユニツ１へ４０においては、そ
の欠陥部分を検知するために両川力信号を比較器４５に
より比較している。比較器４５を介して比較操作の終了
した信号は、データ処理部４７に供給され各種の処理が
行なわれる。データ処理部４１は各種Ｉ１０インターフ
ェース、ＲＡＭ。
Ｆ？（”１４．ｒ、ｒ−）ＩＩ 裏云顛ｈ＼ら湛膚Ａｔ
） 帆押六ねたデータはプリンター４８より出力される
。さらに、モニター４１〜４４によって各画像を映出し
、その処理を確認できる。
） 帆押六ねたデータはプリンター４８より出力される
。さらに、モニター４１〜４４によって各画像を映出し
、その処理を確認できる。
第５図（△）〜（Ｃ）は、本発明のパターンの欠陥検査
方法にｄ３りる前処理で使用する３×３゜５Ｘ５．７Ｘ
７のウィンドウを有するフィルタを示す線図である。図
中、斜線を施した画素の和を黒を１白をＯとしてそれぞ
れ訂算し、その和が斜線を施した全画素の半分以上であ
るときは黒、半数以下のとぎは白と中心の画素の判断を
行なう。
方法にｄ３りる前処理で使用する３×３゜５Ｘ５．７Ｘ
７のウィンドウを有するフィルタを示す線図である。図
中、斜線を施した画素の和を黒を１白をＯとしてそれぞ
れ訂算し、その和が斜線を施した全画素の半分以上であ
るときは黒、半数以下のとぎは白と中心の画素の判断を
行なう。
この判断を全画素に対して行なうが、画像の周辺３画素
に対してはこの判断を実行できないため、それらの画素
に対しては原画素の値を用いて基準情報および走査情報
を得る。
に対してはこの判断を実行できないため、それらの画素
に対しては原画素の値を用いて基準情報および走査情報
を得る。
次に、各フィルタの動作を図面により説明する。
第６図（Ａ）〜（Ｃ）および第７図（Ａ）〜（Ｃ）はパ
ターン中に図示のような突起があった場合の各フィルタ
の判定結果を示し、第６図（Ｄ）および第７図（Ｄ）は
各処理の結果を示した図である。
ターン中に図示のような突起があった場合の各フィルタ
の判定結果を示し、第６図（Ｄ）および第７図（Ｄ）は
各処理の結果を示した図である。
図中斜線で示した部分はパターンが存在する黒の部分を
、その仙の部分はパターンが存在しｔ【い白の部分を表
わしている。第５図（Ａ）〜（Ｃ）に示した各フィルタ
のパターンかられかるように、各フィルタの多数決を黒
を１白をＯと仮定して行なった場合、３×３のフィルタ
では４以」−９５Ｘ５では８以上、７×７では１２以上
のとき黒と、それ以下のときは白と判定している。最終
的な各画素の判定は、３つのフィルタの判定結果中１つ
ぐも白と判定覆るフィルタがあったら白、全結果が黒の
ときのみ黒と判定することによって行なった。すなわち
、黒を１白を０とした場合は３出力の論理１（ＡＮＤ＞
を、白を１黒をＯとした場合は３出力の論理和（ＯＲ）
をとることによって判定を実行することができる。また
、３×３゜５Ｘ５，７ｘ７の３種類のフィルタを使用し
たのは、上述した突起等の相対的大きさが変化するため
その変化に対応させるためである。さらに上述した処理
はコンピュータのソフトプログラムで簡単に達成できる
が、処理速度の関係でもつと高速度が要求される場合は
、１画素遅延および１ライン遅延回路を適当に組み合わ
せてハード的な回路を使用することもできる。
、その仙の部分はパターンが存在しｔ【い白の部分を表
わしている。第５図（Ａ）〜（Ｃ）に示した各フィルタ
のパターンかられかるように、各フィルタの多数決を黒
を１白をＯと仮定して行なった場合、３×３のフィルタ
では４以」−９５Ｘ５では８以上、７×７では１２以上
のとき黒と、それ以下のときは白と判定している。最終
的な各画素の判定は、３つのフィルタの判定結果中１つ
ぐも白と判定覆るフィルタがあったら白、全結果が黒の
ときのみ黒と判定することによって行なった。すなわち
、黒を１白を０とした場合は３出力の論理１（ＡＮＤ＞
を、白を１黒をＯとした場合は３出力の論理和（ＯＲ）
をとることによって判定を実行することができる。また
、３×３゜５Ｘ５，７ｘ７の３種類のフィルタを使用し
たのは、上述した突起等の相対的大きさが変化するため
その変化に対応させるためである。さらに上述した処理
はコンピュータのソフトプログラムで簡単に達成できる
が、処理速度の関係でもつと高速度が要求される場合は
、１画素遅延および１ライン遅延回路を適当に組み合わ
せてハード的な回路を使用することもできる。
上述した前処理をそれぞれビデオ信号出力制御部３９お
よび２４で行なった基準情報および走査情報中の各画素
は、制御ユニット４０中の比較器４５で順次比較されて
、以下に示す方法で欠陥かどうかを判定する。すなわち
、対象とする画素の基準情報（１−３よび走査情報が、
上述した前処理によって黒から白あるいは白から黒へ変
化したかどうかをめ、対象画素の基準情報は変化せず走
査情報が変化した場合だけ対象画素を欠陥と判定して、
他の場合は欠陥と判定しない。上述した判定を画像中の
全画素に対して行なって、本発明の欠陥検査を行なって
いる。
よび２４で行なった基準情報および走査情報中の各画素
は、制御ユニット４０中の比較器４５で順次比較されて
、以下に示す方法で欠陥かどうかを判定する。すなわち
、対象とする画素の基準情報（１−３よび走査情報が、
上述した前処理によって黒から白あるいは白から黒へ変
化したかどうかをめ、対象画素の基準情報は変化せず走
査情報が変化した場合だけ対象画素を欠陥と判定して、
他の場合は欠陥と判定しない。上述した判定を画像中の
全画素に対して行なって、本発明の欠陥検査を行なって
いる。
以下、実際の例について第８図（Ａ）、（Ｂ）と第９図
（△＞、（Ｂ）を参照して説明する。第８図には直線パ
ターン上に１画素に対応する突起がある例を示す。第８
図（Ａ）に示す基準情報中の突起に対応づ゛る画素は、
前処理の前後とも白であり変化しない。これに対し、第
８図（Ｂ）に示す走査情報中の突起に対応する画素は、
前処理前は黒で処理後は白となり変化する。そのため、
この対象画素は欠陥であると判定される。第９図に示す
例は、従来の欠陥検査一方法では欠陥だと判定された基
準パターンと実際のパターンの位置の微妙なずれによっ
て発生づる輪郭状の擬似欠陥を示している。この場合、
基準情報中の対応画素は前処理の前後とも白であり変化
せず、同様に走査情報中の対応画素は前処理の前後とも
黒であり変化しないため、この対応画素は欠陥とは判定
されない。
（△＞、（Ｂ）を参照して説明する。第８図には直線パ
ターン上に１画素に対応する突起がある例を示す。第８
図（Ａ）に示す基準情報中の突起に対応づ゛る画素は、
前処理の前後とも白であり変化しない。これに対し、第
８図（Ｂ）に示す走査情報中の突起に対応する画素は、
前処理前は黒で処理後は白となり変化する。そのため、
この対象画素は欠陥であると判定される。第９図に示す
例は、従来の欠陥検査一方法では欠陥だと判定された基
準パターンと実際のパターンの位置の微妙なずれによっ
て発生づる輪郭状の擬似欠陥を示している。この場合、
基準情報中の対応画素は前処理の前後とも白であり変化
せず、同様に走査情報中の対応画素は前処理の前後とも
黒であり変化しないため、この対応画素は欠陥とは判定
されない。
以上詳細に説明したように本発明によれば、フィルタに
より前処理を行った走査情報と基準情報とを比較器に供
給して従来欠陥と判断されていた例えば基準情報と走査
情報の位置ずれにより発生する輪郭状の擬似欠陥等の発
生を抑１．ｔ： ？ｌることができ、高精度の欠陥検出
が可能となる。
より前処理を行った走査情報と基準情報とを比較器に供
給して従来欠陥と判断されていた例えば基準情報と走査
情報の位置ずれにより発生する輪郭状の擬似欠陥等の発
生を抑１．ｔ： ？ｌることができ、高精度の欠陥検出
が可能となる。
第１図はパターンの欠陥検査装置によって検査オノ、の
１６ ｂ７稿か焦粘回蕗製造１１１１ノ手今ルマスウの
構成を示す平面図、 第２図は欠陥のないパターンの一部分の顕微鏡観察像を
示す図、 第３図は欠陥のあるパターンの同一部分の顕微鏡観察像
を示ザ図、 第４図（Ｊ本発明めパターンの欠陥検査方法を実施する
パターンの欠陥検査装置の全体の構成を示り１１７９図
、 第５図（△）〜（Ｃ）は本発明のパターンの欠陥検査方
法において使用する３Ｘ３．５Ｘ５゜７×７のウィンド
ウを有するフィルタを示７−線図、第６図（Ａ）〜（Ｄ
）および第７図（△）〜（Ｄ）はそれぞれ各フィルタの
動作を説明するための線図、 第８図＜Ａ）’、（Ｂ）および第９図（Ａ）。 （Ｂ）はそれぞれ本発明の欠陥検査方法を説明するだめ
の線図である。 １０・・・ステージユニット ３０・・・ビデオ信号変換ユニット ４０・・・制御ユニット。 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
１６ ｂ７稿か焦粘回蕗製造１１１１ノ手今ルマスウの
構成を示す平面図、 第２図は欠陥のないパターンの一部分の顕微鏡観察像を
示す図、 第３図は欠陥のあるパターンの同一部分の顕微鏡観察像
を示ザ図、 第４図（Ｊ本発明めパターンの欠陥検査方法を実施する
パターンの欠陥検査装置の全体の構成を示り１１７９図
、 第５図（△）〜（Ｃ）は本発明のパターンの欠陥検査方
法において使用する３Ｘ３．５Ｘ５゜７×７のウィンド
ウを有するフィルタを示７−線図、第６図（Ａ）〜（Ｄ
）および第７図（△）〜（Ｄ）はそれぞれ各フィルタの
動作を説明するための線図、 第８図＜Ａ）’、（Ｂ）および第９図（Ａ）。 （Ｂ）はそれぞれ本発明の欠陥検査方法を説明するだめ
の線図である。 １０・・・ステージユニット ３０・・・ビデオ信号変換ユニット ４０・・・制御ユニット。 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回路の製
造に用いるマスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパ
ターンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読み
出した基準情報と前記被検体のパターンを実際に走査し
て得た走査情報とを比較して自動的に検知Ｊる欠陥検査
方法において、前記比較前に、前記基準情報および走査
情報によって表わされるパターンに対して多数決の原理
によって耐処理を行い、前記比較時に前記前処理を行っ
た基準情報と走査情報とを比較することにより、擬似欠
陥を除去して高精度の欠陥検査を行ない得るよう構成し
たことを特徴とするパターンの欠陥検査方法。 ２、前記Ｎ準情報および走査情報に対する多数決の原理
を、３Ｘ３．５Ｘ５．７Ｘ７画素のウィンドウを使用し
てそれらの出力の論理積をとることにより実行すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターンの欠
陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58252059A JPS60143704A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | パタ−ンの欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58252059A JPS60143704A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | パタ−ンの欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60143704A true JPS60143704A (ja) | 1985-07-30 |
| JPH041846B2 JPH041846B2 (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=17231988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58252059A Granted JPS60143704A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | パタ−ンの欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60143704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031519A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54143168A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-08 | Fuji Electric Co Ltd | Appearance tester |
| JPS582844A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | フオトマスクの検査方法 |
| JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
| JPS5861629A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | ビツトパタ−ン発生装置 |
| JPS58147114A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査方法 |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58252059A patent/JPS60143704A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54143168A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-08 | Fuji Electric Co Ltd | Appearance tester |
| JPS582844A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | Fujitsu Ltd | フオトマスクの検査方法 |
| JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
| JPS5861629A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | ビツトパタ−ン発生装置 |
| JPS58147114A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000031519A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041846B2 (ja) | 1992-01-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |