JPS5846636A - パタ−ンの欠陥検査装置 - Google Patents

パタ−ンの欠陥検査装置

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JPS5846636A
JPS5846636A JP56144740A JP14474081A JPS5846636A JP S5846636 A JPS5846636 A JP S5846636A JP 56144740 A JP56144740 A JP 56144740A JP 14474081 A JP14474081 A JP 14474081A JP S5846636 A JPS5846636 A JP S5846636A
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JP
Japan
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video signal
image
defects
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Application number
JP56144740A
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English (en)
Inventor
Yasushi Uchiyama
内山 康
Daikichi Awamura
粟村 大吉
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NIPPON JIDO SEIGYO KK
NIPPON JIDOSEIGYO Ltd
Original Assignee
NIPPON JIDO SEIGYO KK
NIPPON JIDOSEIGYO Ltd
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Publication date
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターンの欠陥検査装置、特に半導体集積回路
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査装置に関
するものである。
現在集積回路を製造する工程の一つに、シリコンウエハ
ーをホトエツチングする工程がある。すなわち、シリコ
ンウニ・・−上にマスクを密着させて置き、上方から可
視光線ま九は紫外線を照射しホトエツチングしている。
このパターンを焼付けたマスクに欠陥があると、集積回
路製造の奏上りが大きな悪影譬を受ける。このマスクは
充分な平面度に磨かれたガラス板にクロム等の金属膜を
蒸着(また後、所定のパターンを焼付けて形成【2てい
るが、金属蒸着膜にピンホールがあるとバタ〜/を焼付
けた場合に欠陥が発生する可能性がある。
ま九、金属蒸着膜にピンホールがなくてもパターンを焼
付けた後のマスクに欠陥がある場合がある。
第1図は上述したような集積回路製造用マスクを示す図
である。第1図中マスク/iCは、縦および横方向に延
在する多数のスクライプラインコによって区画された多
数のチップパターン3が形成されている。これらのパタ
ーン3の模様は同一に作られている。
第2図は、パターンを焼付けたマスクlのパターンの一
部分を顕微鏡で観察した像を示す図である。このマスク
部分には欠陥はなく、完全なものとする。マスク/のパ
ターンは透明部参と不透明部jから構成されている。第
3図は欠陥を有するーじパターン部分の顕微鏡観察儂を
示す図である。
図中部分ム、Bは蒸着膜が残っている状態を示している
0部分ムにおいては、本来離間していなければならない
ランド間が継ってしまっている。一方、部分BKおける
残存蒸着膜は空間にあるので、場合によっては集積回路
の不良の原因にはならないかも知れない。部分Oにおい
てはランドの一部が欠けている。しかしながら、ランド
が切れるところまではいっていないので、集積回路の不
良の原因にならないかも知れない。部分りにおいてはラ
ンドは完全に切れてしまっており、不良の原因となる。
従来、上述したようなマスクパターンの欠陥を検査する
方法としては次のようなものがある。
(1)  l1lll#IAの目視により欠陥を見付け
る。一般にパターンは直角な輪郭で画かれているが、欠
陥は第3図にも示すように不規則な形状を1.ている場
合が多いので、欠陥を発見することができる。1゜かじ
、この方法は多大の時間と労力を要し、誤りが多く、マ
スクにある多数のチップのパターンを検査する方法とし
てはきわめて不適当である。
(2)第弘図に示すように、検査すべきマスク乙の他に
完全なパターンを有する見本マスク7を準備し、これら
λつのマスクtおよび7の像を顕微鏡lにより重畳して
観察する。この際、被検査マスク乙の像は赤色像とし、
見本マスク7の儂はこれと補色関係にある緑色像とする
。このために、赤色光源りを設けそれから放射される赤
色光線で被検査マスクぶを照射(2、このマスクを透過
1−九光を、対物レンズIQ、ミラーll、ハーフミラ
−lコおよび接眼レンズ13を介して観察眼/参に入射
させる。このような装置で、例えば第一2図に示すよう
な欠陥のない見本マスク7と、第3図に示すような欠陥
のある被検査マスクtとを肉眼により観察すると、部分
AおよびBにおいては見本マスク7からの緑色光しか来
ないので緑色に見える。一方、部分OおよびDにおいて
は被検査マスク6からの赤色光しかこないので赤色に見
える。また、これらの部分A、B、C,D以外の透明部
参では見本マスク7からの緑色光と、被検査マスクtか
らの赤色光との双方が来るので白色に見え、不透明部!
では当然黒く見える。すなわち、欠陥部分は緑色着たけ
赤色に見え、欠陥のない部分は白または黒く見えるので
比較的欠陥を簡単に見付けることができる。第7図に示
すように集積回路製造用マスクには多数の同一パターン
が形成されており、これらを順次に検査するためKは、
被検査マスク1と見本マスク7とを同一の移動台lりに
載せ、この移動台lりを微動させながら順次に検査して
行く必要がある。このように見本マスク7を用い、その
儂と被検査マスク乙の像とを重ね合わせて観察する場合
には、一つの儂の重ね合わせをきわめて精密に行なう必
要があり、この重ね合わせに誤差があると正確な検査を
行なうことは不可能となる。特に、2つのマスク6およ
び7を1つの移動台/fに載せるとき、これらマスクt
および7を移動台lりのXおよびYの移動方向に精密に
整列させる必要があね、この整列に誤差があると移動台
l?の移動と共に2つのマスクの偉の重ね合わせに誤差
が生ずることに々る。また移動台lりのガタも重ね合わ
せ誤差に大きく影響することになる。また、この方法で
は目視であるため観察者の疲労は避けられず人的誤差も
混入されると共に検査に長時間を要する欠点がある。
(5)本発明者は上述した(1) * (2)の欠点を
除去I7、簡単な構成によってパターンの欠陥を正確か
つ高速に検査することができる装置を提供している。
このパターンの欠陥検査装置は、走査光スポットを発生
する装置と、この走査光スポットを互いに比較すべきλ
つの同一模様のパターンの同一部分に同時に照射する光
学系と、これらλつのパターンの透過光または反射光を
各別に受光するλつの受光装置と、これらλつの受光装
置の一方からの出力信号の位相を反転する回路と、この
位相を反転した一方の出力信号と、他方の受光装置から
の位相を反転しない出力信号とを混合する回路とを具え
るものである。かかる装置によれば、第1図に示す集積
回路製造用のマスクlに形成された隣接するパターンJ
を同時に観察比較することにより欠陥を高精度で検出す
ることができる。一方、2つの互いに比較すべきパター
ンの位置が僅かにずれた場合、または両パターンに極く
僅か表差異がある場合にも欠陥として検出されてしまい
、必要以上にリジェクトしてしまう欠点がある。
(4)本発明者は、このように本来欠陥として判定され
てはならない擬似欠陥を有効に除去し得るパターンの欠
陥判定装置を既に開発している(特公昭j411−31
3弘7号公報参照)。この欠陥判定装置は、互いに比較
すべき2つの同一模様のパターンの同一部分を走査して
映像信号を発生させるパターン走査装置と、このパター
ン走査装置から供給される2つの映像信号の差を求める
減算回路と、この減算回路の差出力信号または前記パタ
ーン走査装置から供給される2つの映像信号の内、後に
減算回路において減算される方の映像信号を遅延させて
輪郭部分を予しめ決めた大きさだけ削り取る回路とを具
え、擬似欠陥を除去し得るように1−たものである。こ
のようなパターンの欠陥判別装置においてパターンの輪
郭部分について考えれば輪郭を削り取ったパターンを比
較することになるので、λつのパターンの重なり合いの
僅かなずれや輪郭における擬似欠陥を有効に除去するこ
とができる。1−かE2、輪郭部分以外についても削り
取られるため微小な欠陥も除去されて(2まう。すなわ
ちこのような装置では、装置が本来有している感度を犠
牲にして擬似欠陥を除去するものである。
すなわち光学系、電気回路系を含めた装置全体の分解能
が、例えば1μmであるとき、上述した擬似欠陥を除去
するために輪郭を7μmだけ削り取って欠陥を検出する
場合には2μm以上の大きさの欠陥のみが検出され、こ
れ以下の欠陥は検出されなくなるので、装置の実質的な
分解能は2μmとなってしまう。
(5)上述した欠点を解消するため、本発明者は特公昭
j弘−374476号公報において擬似欠陥を除去する
更に有効な方法を開示している。すなわち、実際に擬似
欠陥が発生するのけパターンの輪郭部分だけであるので
、大きさの感度を減少させるのはパターンの輪郭部分の
みでよく、輪郭から離れた場所においては大きさの感度
を減少させる必要がなく、装置が本来有している高い感
度を利用して真の欠陥を高精度で検出することができる
。この装置においては、見本マスクを使用せず被検査マ
スク中の2つのパターンを比較している。その理由ハ、
マスクにtit同一模様の多数のパターンがあり、これ
らパターンに全く同じ欠陥が存在する確率はきわめて少
ないため、見本マスクを用いなくとも十分正確に欠陥を
検出することができるという事実に基〈ものである、し
かしながら、このような方法では、最近のIO、LSI
等の高密度化したパターンの欠陥を検査するのに十分な
精度は得られなかった。
以上詳mK説明したように、最近の技術進歩によるIO
、LSI等の高密度化したレチクルパターンを、従来技
術のパターンの欠陥検査装置で欠陥を検査すると十分な
精度が得られなくなってきた。
また、欠陥検査部とデータ処理部、モニター等を一体化
して、欠陥検査と同時にモニターしながらデータ処理を
リアルタイムで実行する必要性も高くなっている。
さらに1最近ではマスク原版を作成するのにコンピュー
タを採入れ、デジタル情報によってパターンの描写を行
なう方式が広く用いられるようになつ九。このようなC
A D (Computer AidedDesign
 ) システムではPG (Pattern Qene
ration)テープを作成し7ているが、このPGテ
ーグに記憶された情報と、このテープに基づいて製作さ
れた実際のパターンとを比較することによって非常に信
頼度の高い欠陥検査を行なうことができる可能性がある
このようなフォトマスク検査装置の可能性は、例えば特
公昭# −14722号公報に記載されているが、この
公報でも全体の装置の具体的構成は何も示されておらず
、記憶されている長方形パターンデータから合成された
長方形パターン信号を発生する回路が示されている産け
である。この上うに合成したパターン信号を実際のフォ
トマスクを光電的に走査して得られる映像信号と比較し
て欠陥を検出すれば良いのであるが、実際にはフォトマ
スクを載置したXYテーブルの移動に伴ないずれが生じ
、パターン信号と映倫信号とは必らずしも一致しないこ
とになり、ミクロンオーダーの精度は得られない。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、X−Yステー
ジ部、ビ、デオ信号変換部及びコントロール部を具え、
PCテープに記録されたパターン情報の内容と被検体の
パターンをリアルタイムで比較、照合し、特にx−Yス
テージのガタを補正することKより欠陥を高精度で検出
するパターンの欠陥検査装置を提供しようとするもので
ある。
本発明は被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回路
の製造に用いるマスクのパターンの欠陥を自動的に検知
する欠陥検査装置において、X方向、Y方向の位置補正
手段を有し被検体を固定するx−Yテーブルと、被検体
を走査して映像信号を得るための走査光学系とを具える
ステージユニットと、 前記被検体のパターンに対応し九デジタル情報を蓄積し
た記録媒体から前記走査位置に対応するデジタル情報を
読出す情報続出部と、この読出したデジタル情報を基準
映倫信号に変換する映倫信号変換部とを具えるビデオ信
号変換ユニットと、前記ステージユニットから供給され
る映像信号と前記ビデオ信号変換ユニットから供給され
る基準映像信号とを比較する比較回路を具え、両映倫信
号から欠陥を検知する制御ユニット、とを具え、パター
ンの欠陥検査を自動的に行なうことを特徴とするもので
ある。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第3図は、本発明のパターンの欠陥検査装置で使用する
レチクルパターンとPCテープを作成する前処理を示す
ブロック図である。ディスク上にデータベース等の状態
で記憶されたデータソース21からのデータは、テクト
ロニクスを使用して精密な回路の設計等が可能なCA 
D (comput8rAided Design )
システムココに供給され、PG(pattern ge
neration )テープコ3の作成に使用される。
0ムDシステムを使用すると、作成したい高精度、高密
度のパターンをグラフィックディスプレイとかプロッタ
ーで作図させ、確認しながらパターンを作成可能で、ま
た操作が非常に簡単となる利点がある。上述したよう々
方法で作成したPGテープλ3のデータよりパターン作
成部λjにおいてマスクを作成し、実用上使用可能なレ
チクルマスク等のマスク26を作成する。このようにし
て0ムDシステム等により作成されたPCテープは独自
のフォーマットを持つ場合が多いので本発明で使用する
検査用レチクルテープを作成するときはフォーマットの
変換が必要である。例えば本実施例で検査用レチクルテ
ープとして使用されるテープのフォーマットは、MAN
N 3000/ 3600用のPGテープから変換され
たものである。この検査用レチクルテープを作成する方
法としては、まずPGテープを作ると同時にソフトウェ
アの制御によって検査用レチクルテープを作成する方法
と、一度PGテープを作成した後検査用レチクルテープ
にフォーマット変換して作成する方法のコ方法がありど
ちらを使用しても良い。
第を図は本発明のパターンの欠陥検査装置の全体の構成
を示すブロック図である。全体の構成は、大きく分類す
るとステージユニットJO、ビデオ(1<号変換ユニッ
トjO9と制御ユニット6Qの3つのユニットに分類可
能である。以下、上述(〜た順に各部の動作を説明する
1ずステージ二二ツ) 30においては、被検体である
パターン(例えばレチクルマスク等)を光源3/よりの
光で照射し、その透過光をビットアレイに入射し走査デ
ータを得て制御部へ出力している。マーキュリ−ランプ
31からの光は、被検体である例えばレチクルマスク3
1を固定しであるX−Yステージへ入射する。その透過
光をそのままイメージセンサ−弘3のビットアレイに入
射するとビットアレイの物理的大きさのため走査データ
を得る精度の面で問題がある。その丸め、本発明におい
ては自動焦点機構3参を具えた対物レンズ37で透過光
を例えば、2j倍に拡大して、イメージセンサ−4c3
のビットアレイに投影している。
本例で使用する自動焦点の機構ね、本願人による特公昭
j参−31301号公報で提案されている機構と同一で
ある。光受光用ビットアレイの構造は第7図(b)K示
されたような構造であり、受光1.た光を1000点で
の走査データにするtめの/ 000個の素子より成る
ビットアレイと左端と右端に予備のための/−個ずつの
素子よ抄成るビットアレイより構成され、合計で/ 0
211個の光受光素子より成るビットアレイを具えてい
る。その画面左上端における走査方法を第7図(a)に
示す。ビットアレイはX方向に光を受光するように設置
され幅は被検体上/IIIK相当するように約2jlL
mに、ビットアレイのピッチはxt 11mに設定され
ていて、図示のようにY方向へステップ状にX−Yステ
ージを駆動することにより走査を行なっている。そのた
め、全画面のX方向を一度の走査で走査しきれないので
、上述の操作を繰返し実行することになる。また、上遮
a人き怠艮設瓢へへへ挟、〜この場合実際のレチクル郷
のパターンの測定単位を1μmに設定しているが、勿論
他の値としても良い。なお本装置の検査速度はo、ii
4秒/−1検査時間はコ1分/100鵡角となっている
さて、この走査を行なううえで一番問題に々るのは、X
方向、Y方向の補正である。まず、第6図において例え
ばレチクルマスク31をx−Yステージに取り付けると
きは、その外周にそって設けられている/aの帯状基準
パターンを光学系で観察しながら光の透過面とマスク面
が平行になるように取り付ける。上述したように、走査
はXテーブル34.Yテーブル3jをステップモーター
33、 JJによって駆動することで実行しているので
、まずその各方向の制御はそれぞれリニアエンコーダ3
り、 poによって行なっている。すなわち、X、Yテ
ーブル# 、 JJの動きをリニアエンコーダ3り、参
〇の監視によりステージポジションコレクター参lに供
給する。ここで、x、Y方向のずれが比較され補正信号
が各ステップモータ/J 。
lコに供給されて補正が行なわれる。また、この補正だ
けではff&の面で問題があるため、特にX方向に対し
ては、ステージポジションコレクター44/からのX方
向のずれ量に対する補正信号をイメージセンサ−ドライ
バーlコに供給してイメージ+ンサー参J中のビットア
レイに入射する光のうち、第7図中)K示されているよ
うに左端、右端の余りのl−個のビットを使用して、誤
差に対してずらして即ち第7図(〜よりも左あるいは右
にかたよった位置で、1ooo点での走査データを得る
ようにする。第1図は上述したX方向の補正回路の一実
施例であり、この回路は第を図中のイメージセンサ−参
J内に設置されている。まず、直前の走査でリニアエン
コーダ3りより得られたX方向の補正をすべきずれ量)
dは、ステージポジションコレクター1 、イメージセ
ンサ−ドライバー参コを介して第1図の補正回路中の計
算部73へ供給される。計算部7Jでは実際のずれ量ノ
dがビットアレイ71上で何個のビットアレイに対応す
るかを比例計算によって求めている。その出力Δd′は
予め比較回路7参に供給され、ビットアレイ71の駆動
パルスカウンター7コによるカウント数と(lコーjd
’)の値が一致したときフリッグフロツプ76ヘセット
パルスを出力するトリガーとなる。また、それと同時に
パルス発生器7j中のカウンターが動作し始め、セット
パルスが発生したビットアレイ数からtooo個目にリ
セットパルスを7リツプフロツプ76へ供給している。
第2図は、その説明を行なう信号波形図である。第2図
において、(a)はlOコ弘個のビットアレイに光が入
射している状態を示す図、(b)は比較回路71から出
力されるセットパルスを示す図、(C)はパルス発生器
7jから出力されるリセットパルスを示す図である。以
上のようにセットパルス、リセットパルスを設定したた
め、フリップフロップ7乙の出力は第2図<(1)のよ
うな波形を示し、高状態の部分がちょうどビットアレイ
ノ000個に対応している。このフリップフロップ76
の出力はビットアレイの出力と共にANDゲート77に
供給され、その各信号即ち第2図(a) 、 (d)の
、A N Dがとられて(e)に示す出力信号が制御ユ
ニツ) 60へ出力される。
本発明においては、以上のような方法で左端、右端の余
りの12個のビットアレイを使用してX方向の補正を実
行している。また、他の補正例としては透過光軸上にt
F(図示せず)を設置し、鏡の回転によ抄補正して光受
光用ビットアレイに入射させる方法もある。さらに本発
明においては、X方向の/1iii素の被検体上での大
きさを/ Jimと設定しているので、当然Y方向も7
μmの精度が必要となる。しかしながら、ステップモー
タで1prn毎に駆動するのは非常に困難であり、本発
明ではステップモータのY方向への駆動中にイメージセ
ンサ−中のビットアレイの側で何回か連続してサンプリ
ングしている。例えば第10図のように2゜μm/ステ
ップの幅でY方向に駆動するものと仮定すると、lステ
ップ中に20回サンプリングするととKなる。つまり、
図中のlステップに和尚する三角形中の縦線のタイミン
グでピッドアレイによりサンプリングをすることとなる
。なお、このステップモータの駆動はステージポジショ
ンコレクターの制御信号とともに第を図中でも明らかな
ように制御部からの制御を受けている。このようにして
得られたイメージセンサ−からの映像データは、lサン
プリング毎に制御部のビデオアンプへ供給され比較デー
タとなる。また本装置におけるX−Yステージの移動距
離は最大で/31 Mである。
次に第を図中のビデオ変換ユニットj0について説明す
る。CADシステム等により作成されたPGテープは、
本システムのフォーマットを持つ検査用レチクルテープ
j/ JC変換され、ビデオ変換ユニットに供給される
。このレチクルテープj/は、テープユニツ)j−に取
り層けられた後、制御ユニットtθ中のCPHの制御に
より磁気テープ制御部stを介してステージ部30で検
査されているレチクルマスク3tに対応する場所のファ
イルをレチクルテープj/から読み出し、2つ設けであ
る磁気テープメモリーのうちの一方(図では磁気テープ
メモリー/ ; !tJ )へ配憶する。この磁気テー
プメモリーに記憶されたレチクルテープ!lよりの点の
座標群より、磁気テープ制御部j6からの同期信号の制
御のもとにビデオ信号変換器jjにより画像に変換され
た後、コつ設けであるビデオメモリーのうちの一方(図
ではビデオメモリーコ;jl)に配憶される。iij儂
としてビデオメモリーに記憶されたデータは、磁気テー
プ制御部74の制御によりステージ部3oのイメージセ
ンサ−参3で走査された部分に対応してビデオ信号出方
制御部j5’より読み出され、制御ユニツ) AOの比
較器4jに入力される。なお、磁気テープメモリーとと
デオテープメモリーが−F述のように2ユニツトずつ設
けられているのは、制御ユニツ) 40での比較操作が
遅いため出方する同期が合致せずあき時間の生じるのを
防ぐためで、第を図に示す例で説明するとレチクルテー
プziがらのデータが磁気テープメモリー33に記憶さ
れると同時に磁気テープメモリーHにすてに記憶されて
いたデータがビデオ信号変換器より画像に変換されビデ
オメモリーjlK記憶され、それと同時にビデオテープ
メモリーj7にすでに記憶されてい友画儂はビデオ信号
出力制御部jりを介して制御ユニットtoへ出力される
上述のようにして作成されたステージユニット30、ビ
デオ変換ユニットjOからの両出力は、制御ユニット6
0に供給される。制御ユニツ) tOにおいては、その
欠陥部分を検知するために両川力信号を比較器6jlC
より比較している。
比較器6!を介して比較操作の終了した信号は、データ
処理部67に供給され各種の処理が行なわれる。データ
処理部t7は各種I10インターフェース、RAM、R
OM、CPU 、表示部から構成され、処理されたデー
タはプリンター61より出力される。そのデータ処理機
能には以下のようなものがある。
(1)  欠陥数タイプアウト:ソフトウェアプログラ
ムよね欠陥の数を数えてその総数をプリンター6tより
表示する。
(2)欠陥数オーバーフロー表示:あらかじめ設定した
欠陥数よりも多数の欠屹が検出されたとき、2このチッ
プは「オーバーフロー」としてプリンター61より出力
する。   〜 (3)不良チップのスキップ走査:上述(7たように、
1個のチップ内に設定値以上の欠陥が検出されるときは
オーバーフローとして処理されるが、このチップの検査
中にオーバーフローとなったときはこのチップに関して
はそれ以上検査する必要がないから、次のチップの検査
ヘスキツプする。このスキップ走査によって検査時間の
短縮が計れる。
(4)  目視判定二検出終了後、欠陥部を呼び出しモ
ニター上に表示することにより目視判定ができる。
(5)出力−目視判定により最終的に欠陥と判定された
個所について、欠陥の位置、大きさ1種別などを磁気カ
ード等の記録媒体に出力できる。
磁気カードのフォーマットについては、2MDI。
5MD2Gシリーズと互換性がある。
(6)モニター二マスク内での欠陥の分布の様子を知る
丸め、検査実行中にステージの移動に伴ってX−Yプロ
ッタまたはX−Yレコーダのペンを走査させ、欠陥を検
出した際には打点することができる。
(7)その他のデータ処理:上述のようにデータ処理部
にはCPU、ROM、RAMが備わっているので、各糧
プログラム(例えば統計処理等)をソフトウェアで供給
して種々のデータ処理を実行することも可能である。
以上詳細に説明したように本発明によるノくターンの欠
陥検査装置によれば、従来のパターンの欠陥装置では解
像度、精度の面で最近の技術進歩によるIO,LSI等
の高密度化したレチクル/(ターンの欠陥を検査するの
が不可能であったのが、PGテープに記録され九パター
ン情報の内容と被検体のパターンを自動的にリアルタイ
ムで比較、照合し、欠陥を高精度で検出できるので、解
像度、精度の面でも十分なパターンの欠陥検査装置を得
ることが可能となる。管た、データ処理部においてCP
U、ROM、RAMを具えていてプログラム可能である
ので、ソフトウェアを作ることにより使用者の望む各種
のデータ処理が可能となる効果もある。
本発明は上述した例にのみ限定されるもので社なく、幾
多の変形、変更を加えることができる。
例えば、比較回路μjにおいて輪郭を前後左右において
7μ講ずつとって検出したり、Ooj、&l111.λ
μm111適当な長さだけとって検出することも可能で
ある。また、上述した例ではマスク3tの透過光を受光
するようにしたが、反射光を受光することもできる〇
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明パターンの欠陥検査装置によって検査す
るのが好適な集積回路製造用レチクルマスクの一構成を
示す平面図、第一図は欠陥のないパターンの一部分の顕
微鏡観察像を示す図、第3図は欠陥のあるパターンの同
一部分の顕微鏡観察像な示す図、@ダ図は従来のパター
ンの欠陥検査装置の一例の構成を示す41図、Isj図
は本発明のパターンの欠陥検査装置で使用するレチクル
パターンとPGテープを作成する前処理を示すプロ向の
補正方法を示す回路図、第9図はX方向の補正方法を示
す信号波形図、第70図はステップモータの動きとデー
タのサンプリング位置の関係を示す図である。 3θ・・・ステージユニット、31・・・マーキュリ−
ランプ、3S・・・Yテーブル、36・・・Xテーブル
、Q・・・イメージセンサ−1j0・・・ビデオ信号変
換ユニット、j/・・・PGテープ、SS・・・ビデオ
信号変換回路、♂・・・制御ユニット、5・・・比較器
、67・・・データ処理部O特許出願人 日本自動制御
株式会社 第1図 第7図 <a> ())) 第8図 第9図 第1O図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回路の製
    造に用いるマスクのパターンの欠陥を自動的に検知する
    欠陥検査装置において、X方向、Y方向の位置補正手段
    を有し被検体を固定するX−Yテーブルと、被検体を走
    査[7て映像信号を得るための走査光学系とを具えるス
    テージユニットと、 前記被検体のパターンに対応1〜たデジタル情報を蓄積
    した記録媒体から前記走査位置に対応するデジタル情報
    を胱出す情@読出部と、この読出したデジタル情報を基
    準映像信号に変換する映像信号変換部とを具えるビデオ
    信号変換ユニットと、 前記ステージユニットから供給される映像48号と前記
    ビデオ信号変換ユニットから供給される基準映像信号と
    を比較する比較回路を其え、両映像信号から欠陥を検知
    する制御ユニット、 とを具え、パターンの欠陥検査を自動的に行なうことを
    特徴とするパターンの欠陥検査装置。 2、前記ステージユニットに設けた走査光学系にイメー
    ジセンサ−アレイを設け、その上に被検体パターンの像
    を投影するようにし、正常状態においてはこのイメージ
    センサ−アレイの両端の複数素子を除いた素子に投影さ
    れるパターン像の映倫信号を取込むようにし、イメージ
    センサ−アレイの長手方向にパターン像の位置ずれがあ
    るときには映イ象信号として取込むべき素子の位置を対
    応してシフトするように構成したことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載のパターンの欠陥検査装置。
JP56144740A 1981-09-16 1981-09-16 パタ−ンの欠陥検査装置 Pending JPS5846636A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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