JPH01110730A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents

電子ビーム露光方法

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JPH01110730A
JPH01110730A JP62268528A JP26852887A JPH01110730A JP H01110730 A JPH01110730 A JP H01110730A JP 62268528 A JP62268528 A JP 62268528A JP 26852887 A JP26852887 A JP 26852887A JP H01110730 A JPH01110730 A JP H01110730A
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chip
exposure
row
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electron beam
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浩 安田
Satoshi Niihara
新井原　聡
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （概　要〕 電子露光における露光単位であるフィールド内の電子露
光方法の改良に関し、 電子ビーム露光のスキャンニング方向の変更により、従
来と同じ比較検査法により検査を行っても、不良品を誤
って良品と判定する誤判定の発生防止を可能にする電子
ビーム露光方法の提供を目的とし、 基板上の複数のチップ領域を順次電子ビーム露光する際
に、チップ領域列又は行毎に、該チ・７ブ領域内におけ
る電子ビームのスキャニング方向を変更するよう構成す
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子ビーム露光方法（以下、ＥＢ露光方法と
略称する）に係り、特に露光単位であるフィールド内の
ＥＢ露光方法の改良に関するものである。
現在のＥＢ露光方法は、マスクの上に設ける数十乃至数
百のチップ内の露光単位であるフィールド内でのＥＢ露
光方向を一定の方向に固定して行っており、露光後のこ
のマスクの検査は、隣接するチップ同士を比較する比較
検査法により行い、比較したチップのパターンが同一で
あるかどうかによって良否を判定している。
ＥＢ露先の条件設定は、偏向器の補正係数等の数値を設
定し、それによって露光を行うのである。
従ってチップの一番始めに露光を行うフィールド内での
ＥＢ露光を、偏向器の補正係数等の数値の設定を誤って
行い、その後のＥＢｎ光の方向を一定の方向に固定して
行った場合には、それ以降に行うすべてのＥＢ露光が上
記の一番始めに露光を行ったチップのフィールド内での
ＥＢ露光と同一になるので、露光後のマスクの検査を隣
接するチップ同士を比較する比較検査法により行うと、
比較するチップのパターンが同一になっているので、設
定に誤りがあった場合でも良品と誤って判定してしまう
ことになる。
以上のような状況から隣接するチップ同士を比較する比
較検査法により検査を行った場合に発生する、不良品を
誤って良品と判定してしまう誤判定の防止が可能なＥＢ
露先方法が要望されている。
〔従来の技術〕
従来のＥＢ露光方法を第４図〜第６図により説明する。
第４図に示すように、マスクｌｌ上にチップ１２を描画
してゆく場合には、点線にて図示する方向に端から順次
描画してゆく。
第５図は上記のチップ１２を拡大したものであり、ＥＢ
露光はこのチップ１２を更に分割した露光単位であるフ
ィールド１３毎にＥＢ露光をスキャンニングして行って
いる。
ＥＢ露光を行うには、先ずＥＢ露光の条件に適合した偏
向器の補正係数等の数値を設定し、マスク１１上に描画
する一番端のチップ１２の露光単位であるフィールド１
３内を一定方向にＥＢ露光をスキャンニングしパターン
を描画している。
このフィールド１３内のＥＢ露光のスキャンニング方向
は一定方向に固定しており、すべてのフィールド１３内
を同し左右の方向にスキャンニングしている場合には、
第６図に示すように、描画したフィールド１３と設計上
のフィールドの位置とのズレはいずれの場合も図示の左
右方向に生じている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上説明の従来のＥＢ露光方法で問題となるのは、フィ
ールド内のＥＢ露光のスキャンニング方向を一定方向に
固定し、すべてのフィールド内を同じ方向にスキャンニ
ングしていることである。
即ち、このようなＥＢ露先方法で描画したフィールドか
らなるチップを検査する場合に、隣接するチップ同士を
比較する比較検査法により検査を行うと、最初の設定後
にフィールド内のＥＢ露光状態に変化が生じなければ、
最初に描画したフィールドのＥＢ露光のスキャンニング
が誤っていても、比較検査法により検査を行っているか
ら、相互に相違がなければ不良品を誤って良品と判定し
てしまうことになるのである。
本発明は以上のような状況から、容易に実施し得るＥＢ
露先のスキャンニング方向の変更により、従来と同じ比
較検査法により検査を行っても、不良品を誤って良品と
判定する誤判定の発生防止を可能にするＥＢ露先方法の
提供を目的としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、基板上の複数のチップ領域を順次電子ビ
ーム露光する際に、チップ領域列又は行毎に、該チップ
領域内における電子ビームのスキャニング方向を変更す
る本発明による電子ビーム露光方法によって解決される
。
〔作用〕
即ち本発明においては、マスク上に設けるチップ内の露
光単位であるフィールド内でＥＢ露光を行う場合に、Ｅ
Ｂ露光のスキャンニング方向を、チップの配列毎に変更
して行うので、最初に描画したフィールドのＥＢ露光の
スキャンニングが誤っていた場合でもその列内では同一
フィールドを描画するので良品と判定するが、配列が変
わると電子ビームのスキャンニング方向を変更するので
、描画したフィールドと設計上のフィールドの位置との
ズレの生じる方向が異なるので、フィールドの相互間に
最初のＥＢ露光の設定後の変化が生じなくても、最初に
偏向器の補正係数等の数値の設定に誤りがあった場合に
は、従来の比較検査法によりこの誤りを発見し得るので
、不良品を誤って良品と判定する誤判定を防止すること
が可能となる。
〔実施例〕
以下第１図〜第３図について本発明の一実施例を説明す
る。
第１図に示すように、マスクｌ上にチップ２を描画して
ゆく場合には、点線にて図示する方向に端から順次描画
してゆく。
第２図は上記のチップ２を拡大したものであり、第２図
＋ａｌは第１図のＡ列を、第２図（′ｂ）は第１図のＢ
列を示している。
ＥＢ露光はこのチップ２を更に分割した露光単位である
フィールド３内を電子ビーム（以下、ＥＢと略称する。
）をスキャンニングして行っている。
ＥＢ露光を行うには、先ずＥＢ露光の条件に適合した偏
向器の補正係数等の数値を設定し、マスク１上に設ける
一番端のチップ２から露光単位であるフィールド３内を
ＥＢをスキャンニングしパターンを描画している。
このＥＢのスキャンニングの方向を例えば第１図に示す
Ａ列のチップ２についてはＸ方向、Ｂ列のチップ２につ
いてはＸ方向にし、以下同様に０列はＸ方向、０列はＸ
方向と配列が変わる毎にスキャンニングの方向を変更し
て行うのが本発明の特徴である。
このようにＥＢのスキャンニング方向を配列が変わる毎
にＸ方向からＸ方向に９０＠変更して行うと、もし偏向
器の補正係数等の数値の設定に誤りがあると、上記のよ
うに第１図のＡ列のＥＢのスキャンニング方向をＸ方向
、Ｂ列のＥＢのスキャンニング方向をＸ方向にした場合
には、第３図に示すように、実際に描画されるフィール
ド３と設計上のフィールドとの位置ズレがＡ列及びＢ列
にそれぞれ生じるので、フィールド３間に偏向器の補正
係数等の数値の設定に誤りがある場合には、ＥＢｎ光中
に設定条件の変化がなくても、比較検査法により検査を
行うとＡ列とＢ列とを比較した場合にその相違が明らか
になり、偏向器の補正係数等の数値の設定の誤りを発見
することが可能となる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて
簡単なＥＢのスキャンニング方向の変更により、従来の
比較検査法では発見できなかったＥＢ露光の条件設定の
誤りを、異なった方向に生じる実際に描画したフィール
ドと設計上のフィールドの位置とのズレを従来の比較検
査法により発見することが可能となる利点があり、比較
検査法の信頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて
有用なものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図（ａ）
はＡ列、（ｂ）はＢ列のチップ内のフィールドのズレを
示す図、 第３図（ａ）はＡ列、（ｂ）はＢ列の配列毎のフィール
ドのズレを示す詳細図、 第４図は従来のＥＢ露光方法を示す図、第５図は従来の
チップ内のフィールドのズレを示す図、 第６図は従来のフィールドのズレを示す詳細図、である
。 図において、 ｌはマスク、 ２はチップ、 ３はフィールド、 ｆａｌ　　Ａ列　　　　　　　　　　（ｂｌ　　８列チ
ップ内のフィールドのズレを示す図 第２図 ｆａｔ　　Ａ列　　　　　　　　　　　山）　Ｂ列配列
毎のフィールドのズレを示す詳細図第３図 従来のＥＢｔＸ光方法を示す図 第４図 従来のチップ内のフィールドのズレを示す図案５図 従来のフィールドのズレを示す詳細図 第６図　　−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　基板上の複数のチップ領域を順次電子ビーム露光する
    際に、チップ領域列又は行毎に、該チップ領域内におけ
    る電子ビームのスキャニング方向を変更することを特徴
    とする電子ビーム露光方法。
JP62268528A 1987-10-23 1987-10-23 電子ビーム露光方法 Pending JPH01110730A (ja)

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JP62268528A JPH01110730A (ja) 1987-10-23 1987-10-23 電子ビーム露光方法

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JP62268528A JPH01110730A (ja) 1987-10-23 1987-10-23 電子ビーム露光方法

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