JPS6077422A - 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− - Google Patents
電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ−Info
- Publication number
- JPS6077422A JPS6077422A JP18540483A JP18540483A JPS6077422A JP S6077422 A JPS6077422 A JP S6077422A JP 18540483 A JP18540483 A JP 18540483A JP 18540483 A JP18540483 A JP 18540483A JP S6077422 A JPS6077422 A JP S6077422A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- wafer
- sample
- mark
- beam exposure
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子ビーム露光装置に係シ、電子ビーするいわ
ゆるマスク描画用の電子ビームによる描画位置決め方法
および電子ビーム露光装置の試料ホルダーに関するもの
である。
ゆるマスク描画用の電子ビームによる描画位置決め方法
および電子ビーム露光装置の試料ホルダーに関するもの
である。
電子ビーム露光装置において、電子ビームを照射して試
料に所望のマスクパターンを描画する場合、従来以下の
手順で行なってきた。すなわち、まず、駆動系を構成す
るステージの外部に設置された描画位置の基準マーク上
を電子ビームで走査し、反射電子による信号からマーク
の位置を算定し、既知となったマークの位置を基準にし
て試料上の所望の位置にパターンを描画するものである
。
料に所望のマスクパターンを描画する場合、従来以下の
手順で行なってきた。すなわち、まず、駆動系を構成す
るステージの外部に設置された描画位置の基準マーク上
を電子ビームで走査し、反射電子による信号からマーク
の位置を算定し、既知となったマークの位置を基準にし
て試料上の所望の位置にパターンを描画するものである
。
ところが、電子ビームによる描画中に、露光装置の電子
光学系における電子ビームのドリフトの影響によって、
描画パターンの位置にずれが生じてくる。このずれを補
正するため、従来は描画中における電子ビームのドリフ
ト分が小さくなるような時間間隔をおいて、ステージ外
に設置された基準マークを電子ビームで走査することに
よってドリフト成分を補正していた。第１図に従来の露
光準マーク４０位餡を示す。試料１は試料ホルダー２に
固定されてステージ３に装填される。また、基準マーク
４はステージ３の外部で、試料１と同じ平面上に設置さ
れている。しかしながら、このように基準マーク４がス
テージ３の外部に設置された構造では以下のような問題
点がある。第一にステージでは電子ビームの照射による
熱が発生したり、ステージの移動に伴う摩擦熱が発生し
たりするので、ステージが体積的に膨張する結果、基準
マーク４からの描画位置にずれが生じる。更に加えてス
テージ３を軽量化するため、ステージ３の素材どして用
いられる熱膨張係数の大きいへ４等が熱の発生による影
響を大きく受ける。第二に試料としてＳｉウェハを描画
する場合等においては、Ｓｉの熱膨張係部が大きいので
電子ビームの照射による熱の発生および前記ステージか
らの熱伝導によってＳｉウェハの体積増加が生じ、その
結果、基準マークからの描画位置のずれに対しては、ス
テージ外部に設置されたわずか１個の基準マークを適当
な時間間隔おきに電子ビームで走査してマ〜り位置を算
定し、これにより所定の描画位置からのずれを補正し、
また、このときステージや試料の熱発生による基準マー
クからの描画位置のずれの影響をも電子ビームのドリフ
トによるものとみなすことによってビームを偏光して補
正しているにすぎない。この結果、補正がどうしても不
十分となり、従来の描画方法では所望の描画位置からの
ずれの小さい満足すべきマスクパターンを得ることはで
きなかった。
光学系における電子ビームのドリフトの影響によって、
描画パターンの位置にずれが生じてくる。このずれを補
正するため、従来は描画中における電子ビームのドリフ
ト分が小さくなるような時間間隔をおいて、ステージ外
に設置された基準マークを電子ビームで走査することに
よってドリフト成分を補正していた。第１図に従来の露
光準マーク４０位餡を示す。試料１は試料ホルダー２に
固定されてステージ３に装填される。また、基準マーク
４はステージ３の外部で、試料１と同じ平面上に設置さ
れている。しかしながら、このように基準マーク４がス
テージ３の外部に設置された構造では以下のような問題
点がある。第一にステージでは電子ビームの照射による
熱が発生したり、ステージの移動に伴う摩擦熱が発生し
たりするので、ステージが体積的に膨張する結果、基準
マーク４からの描画位置にずれが生じる。更に加えてス
テージ３を軽量化するため、ステージ３の素材どして用
いられる熱膨張係数の大きいへ４等が熱の発生による影
響を大きく受ける。第二に試料としてＳｉウェハを描画
する場合等においては、Ｓｉの熱膨張係部が大きいので
電子ビームの照射による熱の発生および前記ステージか
らの熱伝導によってＳｉウェハの体積増加が生じ、その
結果、基準マークからの描画位置のずれに対しては、ス
テージ外部に設置されたわずか１個の基準マークを適当
な時間間隔おきに電子ビームで走査してマ〜り位置を算
定し、これにより所定の描画位置からのずれを補正し、
また、このときステージや試料の熱発生による基準マー
クからの描画位置のずれの影響をも電子ビームのドリフ
トによるものとみなすことによってビームを偏光して補
正しているにすぎない。この結果、補正がどうしても不
十分となり、従来の描画方法では所望の描画位置からの
ずれの小さい満足すべきマスクパターンを得ることはで
きなかった。
本発明の目的はこのような従来の欠点を除去して試料上
に所望の描画位置からのずれの小さいマスクパターンを
形成しうる電子ビーム露光による描画位置決め方法およ
び電子ビーム露光装置の試料ホルダーを提供することＫ
ある。
に所望の描画位置からのずれの小さいマスクパターンを
形成しうる電子ビーム露光による描画位置決め方法およ
び電子ビーム露光装置の試料ホルダーを提供することＫ
ある。
すなわち、本発明は電子ビームによって試料上にマスク
パターンを描画するだめの電子ビーム露光装置において
、試料と同一素材よりなり、がっ同一中心位置を有する
環状部材上に描画位置の基 。
パターンを描画するだめの電子ビーム露光装置において
、試料と同一素材よりなり、がっ同一中心位置を有する
環状部材上に描画位置の基 。
準マークを設置し、仁の基準マークの位置を電子ビーム
で検出することにより試料上の描画位置を決定する描画
方法及び仁の方法に用いる試料ホルダーである。
で検出することにより試料上の描画位置を決定する描画
方法及び仁の方法に用いる試料ホルダーである。
以下に本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
る。
第２図は中央に試料のウェハ１を固定し、その外側に、
試料１と同一素材よりなる環状ウェハ５を試料１と同心
上に固定した試料ホルダー２である。この環状ウェハ５
にパターン描画のだめの基準位置を示すマーク６を付す
。実施例でＬこの環状ウェハ５上の中心を通る直交軸上
に各１細針４個設けた例を示している。この４個のマー
ク６を電子ビームで走介し、反射電子による信号を検出
してそれぞれのマークの位置を算定し、その信号に基づ
いてウェハの伸縮や回転変位を補正する。
試料１と同一素材よりなる環状ウェハ５を試料１と同心
上に固定した試料ホルダー２である。この環状ウェハ５
にパターン描画のだめの基準位置を示すマーク６を付す
。実施例でＬこの環状ウェハ５上の中心を通る直交軸上
に各１細針４個設けた例を示している。この４個のマー
ク６を電子ビームで走介し、反射電子による信号を検出
してそれぞれのマークの位置を算定し、その信号に基づ
いてウェハの伸縮や回転変位を補正する。
本発明において、基準位置を示すマークが試料ウェハと
同一素材上に設定されているので、試料室内の温度上昇
に伴う試料ウェハの形状変化がそのままマークの位置変
化に対応、することになり、したがってマーク位置を基
準にとれば、試料室内の温度にかかわりなく描画位置を
決定できる。またマークを試料上ではなく、環状ウェハ
上に設定しているので、これを試料の交換に対して半固
定的に用いれば、マークを再設定する工程が省略できる
。
同一素材上に設定されているので、試料室内の温度上昇
に伴う試料ウェハの形状変化がそのままマークの位置変
化に対応、することになり、したがってマーク位置を基
準にとれば、試料室内の温度にかかわりなく描画位置を
決定できる。またマークを試料上ではなく、環状ウェハ
上に設定しているので、これを試料の交換に対して半固
定的に用いれば、マークを再設定する工程が省略できる
。
上記実施例では試料としてウェハを用いる場合について
説明しだが、これに限るものではなく、例えばガラス板
や石英板を用いた場合にも上記と同様の効果が得られる
。
説明しだが、これに限るものではなく、例えばガラス板
や石英板を用いた場合にも上記と同様の効果が得られる
。
以上のように本発明によるときには、パターン描画中の
描画位置のずれを小さくして高才々度のマスクパターン
を得ることができ、また、試料のみを交換して能率よく
作業を行うことができる効果を有するものでちる。
描画位置のずれを小さくして高才々度のマスクパターン
を得ることができ、また、試料のみを交換して能率よく
作業を行うことができる効果を有するものでちる。
第１図は従来のステージの平面図、第２図は本発明によ
る試料ホルダーの一実施例を示す平面図である。 ｌ・・−ウェハ、２・・・試料ホルダー、３・・・ステ
ージ、４・・・マーク、５・・・ウェハ、６・・・マー
ク帛１図 も２図
る試料ホルダーの一実施例を示す平面図である。 ｌ・・−ウェハ、２・・・試料ホルダー、３・・・ステ
ージ、４・・・マーク、５・・・ウェハ、６・・・マー
ク帛１図 も２図
Claims (2)
- （１）電子ビームによって試料上にマスクパターンを描
画する電子ビーム露光装置におして、周囲温度の変動に
したがって形状などが変化する試料と同一の条件の下で
変化をするマークを基準として試料上の描画位置を決定
することを特徴とする電子ビーム露光による描画位置決
め方法。 - （２）電子ビームによって試料上にマスクパターンを描
画する電子ビーム露光装置において、試料ホルダーに試
料と同−累月よりなる環状部材を試料周囲の同心円上の
位置に設置し、該環状部羽に描画位置の基準マークを標
記してなる電子ビーム露光装置の試料ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18540483A JPS6077422A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18540483A JPS6077422A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077422A true JPS6077422A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0578167B2 JPH0578167B2 (ja) | 1993-10-28 |
Family
ID=16170196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18540483A Granted JPS6077422A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077422A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018395A (en) * | 1989-09-26 | 2000-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system |
| US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575330A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Toshiba Corp | Specimen cassette for microminiature machining apparatus |
| JPS5821326A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 |
| JPS58127325A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18540483A patent/JPS6077422A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575330A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-12 | Toshiba Corp | Specimen cassette for microminiature machining apparatus |
| JPS5821326A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム描画装置のカセツト位置合わせ方法 |
| JPS58127325A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-29 | Toshiba Corp | 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018395A (en) * | 1989-09-26 | 2000-01-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment system |
| US6212252B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | X-ray mask provided with an alignment mark and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578167B2 (ja) | 1993-10-28 |
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