JPS58127325A - 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 - Google Patents
電子ビ−ム露光用位置合わせ装置Info
- Publication number
- JPS58127325A JPS58127325A JP57010591A JP1059182A JPS58127325A JP S58127325 A JPS58127325 A JP S58127325A JP 57010591 A JP57010591 A JP 57010591A JP 1059182 A JP1059182 A JP 1059182A JP S58127325 A JPS58127325 A JP S58127325A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cassette
- wafer
- alignment
- electron beam
- beam exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光用位置合わせ装置に関する。
近時、ＩＣのノリーン微細化とチップ面積の増大とに直
面して、製造的に光露光技術はその適用限界に達してい
るとｉわれ、電子ビーム霧光やイオンビーム露光岬によ
るウェハへの直接描画が有望視されてｉる。そして、こ
の種の荷電ビーム露光では、そのスルーグツドの低さか
ら各種の改良が行なわれ、スループット向上への努力が
試みられて−る。
面して、製造的に光露光技術はその適用限界に達してい
るとｉわれ、電子ビーム霧光やイオンビーム露光岬によ
るウェハへの直接描画が有望視されてｉる。そして、こ
の種の荷電ビーム露光では、そのスルーグツドの低さか
ら各種の改良が行なわれ、スループット向上への努力が
試みられて−る。
スルーグツト向上の一方策としてはアライメント時間の
短縮がある。電子ビームによる直接描画では、レーデ干
渉計によりて正確に求められたテーブル位置情報と、ウ
ニＩ・上に設けられたウェハ用整合基準に電子ビームを
照射し、その反射電子を例えば半導体検出器で検出し得
られた位置情報とからウェハの位置を求め、ＩＣ各層の
）４ターンの重ね合せを行なっている。その際、アライ
メント時間を短縮す；ｈ九めに、ウェハ用整合基準とテ
ーブルとの相対位置の再現性を向上させる。テーブルの
移動時間を短くする。電気回路系の処理時間を短くする
等の改良がなされている。
短縮がある。電子ビームによる直接描画では、レーデ干
渉計によりて正確に求められたテーブル位置情報と、ウ
ニＩ・上に設けられたウェハ用整合基準に電子ビームを
照射し、その反射電子を例えば半導体検出器で検出し得
られた位置情報とからウェハの位置を求め、ＩＣ各層の
）４ターンの重ね合せを行なっている。その際、アライ
メント時間を短縮す；ｈ九めに、ウェハ用整合基準とテ
ーブルとの相対位置の再現性を向上させる。テーブルの
移動時間を短くする。電気回路系の処理時間を短くする
等の改良がなされている。
しかしながら、この種の手法にあっては次のような問題
がまだ未解決であった。す々わち、ウェハ用整合基準と
テーブルとの相対位置の再現性を高めるなめに、テーブ
ル上には位置の規制をする制御体を設け、カセットの対
テーブルへの位置決めを行なってｉるが、この方法では
ウェハのカセットへの位置決めが行なわれておらず、ア
ライメント時間の向上の妨げとなっていた。
がまだ未解決であった。す々わち、ウェハ用整合基準と
テーブルとの相対位置の再現性を高めるなめに、テーブ
ル上には位置の規制をする制御体を設け、カセットの対
テーブルへの位置決めを行なってｉるが、この方法では
ウェハのカセットへの位置決めが行なわれておらず、ア
ライメント時間の向上の妨げとなっていた。
〔発明の目的〕゛
本発明の目的とするところは、ウェハ用整合基準とカセ
ットの所定位置とを予め位置合わせすることができ、ア
ライメント時間の短縮化をはかシ得る電子ビーム露光用
位置合わせ装置を提供することにある。
ットの所定位置とを予め位置合わせすることができ、ア
ライメント時間の短縮化をはかシ得る電子ビーム露光用
位置合わせ装置を提供することにある。
本発明は、ウェハに通常のフォトリソグ／フイで用ｉら
れるウェハ用の整合基準を設けると共に、ウェハを固定
保持するカセットにも整合基準を設け、上記ウェハ用シ
よびカセット用の各整合基準の相対位置を光学的手法で
検出し、上記ウェハ用整合基準とカセット用整合基準と
の位置合わせが行えるようにしたものである。
れるウェハ用の整合基準を設けると共に、ウェハを固定
保持するカセットにも整合基準を設け、上記ウェハ用シ
よびカセット用の各整合基準の相対位置を光学的手法で
検出し、上記ウェハ用整合基準とカセット用整合基準と
の位置合わせが行えるようにしたものである。
本発明によれば、力ｔットとウェハとを予め！リアフィ
ンすることによって、テーブル上で正確な位置決めがで
き、アライメント時間を大幅に短縮することができる。
ンすることによって、テーブル上で正確な位置決めがで
き、アライメント時間を大幅に短縮することができる。
第１図は本発明の一実施例における各整合基準の配置例
を示す斜視図、第２図は同実施例に係わる電子ビーム露
光用位置合わせ装置の基本構成を示す斜視図である。第
１図中１＃′ｉクエハで、このウェハ１はカセット２内
に固定保持されている。そして、ウェハ１上にはウェハ
用整合基準１ａが設けられ、カセット２上にはカセット
用整合基準２鳳が設けられてｉる。ま九、Ｊはウェハｌ
を保持固定したウェハ固定板であシ、カセット２に対し
てＸ、Ｙ、θ方向に調整可能な構造となって鱒る。
を示す斜視図、第２図は同実施例に係わる電子ビーム露
光用位置合わせ装置の基本構成を示す斜視図である。第
１図中１＃′ｉクエハで、このウェハ１はカセット２内
に固定保持されている。そして、ウェハ１上にはウェハ
用整合基準１ａが設けられ、カセット２上にはカセット
用整合基準２鳳が設けられてｉる。ま九、Ｊはウェハｌ
を保持固定したウェハ固定板であシ、カセット２に対し
てＸ、Ｙ、θ方向に調整可能な構造となって鱒る。
一方、第２図中４はカセット固定台であシ、ｘ、ｙ、θ
方向に移動可能表構造となってｉる。
方向に移動可能表構造となってｉる。
５はペースであ〕、このペースｉに整合基準検出用の検
出光学系σが設置されて−る。この検出光学系σは第３
図に示す如くリレーレンズｒ。
出光学系σが設置されて−る。この検出光学系σは第３
図に示す如くリレーレンズｒ。
バー７ミ′：）−＃、反射建２−＃２分割グリズム１０
、対物レンズ１１．＠眼レンズ１２および電球１３等か
ら成シ、予めウェハ１およびカセット２の整合基準間隔
に合わせて配置されている。そして、各整合基準１ａは
スジリットイメージとして観察される。すなわち、電球
１３からの照明光はハーフ１７−１を通して入れられ、
各整合基準Ｊａｌｉ照明する。そして、整合基準１ａか
らの反射光がハーフ４９−Ｊ、反射建２−９２分割プリ
ズム１０および対物レンズ１１等を介して検出されるも
のとｔｋ−）てｉる。なお、第２図中１４はカセット２
の位置を規制するための制御体を示して−る。
、対物レンズ１１．＠眼レンズ１２および電球１３等か
ら成シ、予めウェハ１およびカセット２の整合基準間隔
に合わせて配置されている。そして、各整合基準１ａは
スジリットイメージとして観察される。すなわち、電球
１３からの照明光はハーフ１７−１を通して入れられ、
各整合基準Ｊａｌｉ照明する。そして、整合基準１ａか
らの反射光がハーフ４９−Ｊ、反射建２−９２分割プリ
ズム１０および対物レンズ１１等を介して検出されるも
のとｔｋ−）てｉる。なお、第２図中１４はカセット２
の位置を規制するための制御体を示して−る。
このように構成され九本装置では、まずカセット１にウ
ェハ１を固定保持させる。このカセッ）Ｊｔ−カセット
固定台４上に載置し、検出光学系−を用いてカセット固
定台４１Ｘ、Ｙ、＃方向に移動調整し、カセット用整合
基準２１を所定位置に固定する。次に、同様に検出光学
系Ｃを用ｉて前記ウェハ固定板１をＸ、Ｙ、＃方向に調
整し、ウェハ用整合基準１ａを所定位置に移動させ、ウ
ェハ用整合基準１ａとカセット用整合基準１ｈとのアラ
イメントを行なう。なお、この際のアライメント精度は
検出光学系−のレンズ倍率とウェハ固定板８とカセット
固定台４の性能によって決まるものであり、実施時に要
求される精度に従ってそれらの倍率、性能を決定すれば
よ埴。
ェハ１を固定保持させる。このカセッ）Ｊｔ−カセット
固定台４上に載置し、検出光学系−を用いてカセット固
定台４１Ｘ、Ｙ、＃方向に移動調整し、カセット用整合
基準２１を所定位置に固定する。次に、同様に検出光学
系Ｃを用ｉて前記ウェハ固定板１をＸ、Ｙ、＃方向に調
整し、ウェハ用整合基準１ａを所定位置に移動させ、ウ
ェハ用整合基準１ａとカセット用整合基準１ｈとのアラ
イメントを行なう。なお、この際のアライメント精度は
検出光学系−のレンズ倍率とウェハ固定板８とカセット
固定台４の性能によって決まるものであり、実施時に要
求される精度に従ってそれらの倍率、性能を決定すれば
よ埴。
このようにウェハ用整合基準１ａとカセット用整合基準
２ａとを予めアライメントしてカセット２をテーブル上
に送ることによって、前述したようなＩＣＩやターン各
層の７２イメント時間を短縮ができ、電子ビーム露光装
置のスループットの向上を図ることができる。ｔた、カ
セット２に設けられたカセット用整合基準２ａを検出す
ることによって、ウェハ１上のウェハ用整合基準１ａの
座標を知ることができ、ウェハ用整合基準１畠の探索に
よる電子ビームによる露光面積を小さくすることができ
る。
２ａとを予めアライメントしてカセット２をテーブル上
に送ることによって、前述したようなＩＣＩやターン各
層の７２イメント時間を短縮ができ、電子ビーム露光装
置のスループットの向上を図ることができる。ｔた、カ
セット２に設けられたカセット用整合基準２ａを検出す
ることによって、ウェハ１上のウェハ用整合基準１ａの
座標を知ることができ、ウェハ用整合基準１畠の探索に
よる電子ビームによる露光面積を小さくすることができ
る。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しなめ範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、カセット上に設けるカセット
用整合基準の形状は十字型の他１ｉｃＬ字型であっても
よいのは勿論のことである。またカセット用整合基準の
形成手段としては、機械加工中蝕刻等を用−ればよい。
く、その要旨を逸脱しなめ範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、カセット上に設けるカセット
用整合基準の形状は十字型の他１ｉｃＬ字型であっても
よいのは勿論のことである。またカセット用整合基準の
形成手段としては、機械加工中蝕刻等を用−ればよい。
さらに、シリーン基板上に設は大整合基準をカセット上
に貼付するようにしてもよい。また、検出光学系の構造
は仕様に応じて適宜変更することができる。
に貼付するようにしてもよい。また、検出光学系の構造
は仕様に応じて適宜変更することができる。
第１図は本発明の一実施例における各整合基準の配置例
を示す斜視図、第２図は上記実施例に係わる電子ビーム
露光用位愛合わせ装置の基本構成を示す斜視図、第３図
は検出光学系の構成例を示す模式図である。 １−ウェハ、１龜・・・ウェハ用整合基準、２・−カセ
ット、２畠・−・カセット用整合基準、Ｊ−クエハ固定
板、４・−カセット固定台、ト・・ベース、Ｇ・−検出
光学系、ｙ−・リレーレンズ、８・−バー７ミ？−１ｙ
−・反射（２−１ｌｅ−分割！リズム、ＪＪ一対物レン
ズ、ＩＪ・−接眼レンズ、ＩＳ−・電球、１４・−・制
御体。
を示す斜視図、第２図は上記実施例に係わる電子ビーム
露光用位愛合わせ装置の基本構成を示す斜視図、第３図
は検出光学系の構成例を示す模式図である。 １−ウェハ、１龜・・・ウェハ用整合基準、２・−カセ
ット、２畠・−・カセット用整合基準、Ｊ−クエハ固定
板、４・−カセット固定台、ト・・ベース、Ｇ・−検出
光学系、ｙ−・リレーレンズ、８・−バー７ミ？−１ｙ
−・反射（２−１ｌｅ−分割！リズム、ＪＪ一対物レン
ズ、ＩＪ・−接眼レンズ、ＩＳ−・電球、１４・−・制
御体。
Claims (3)
- （１） ウェハ用整合基準が設けられたウェハを固定
保持するカセットと、このカセットの所定部位に設けら
れたカセット用整合基準と、上記ウェハ用整合基準およ
びカセット用整合基準の相対位置を検出する検出光学系
と、この検出光学系によυ検出された相対位置情報に基
づｉて前記各整合基準を位置合わせする手段とを具備し
てなることを％黴とする電子ビーム露光用位置合わせ装
置。 - （２）前記カセット用整合基準は、シリコン基板上に設
けた整合基準を前記カセットに貼付してなるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビー
ム露光用位置合わせ装置。 - （３）前記カセット用整合基準は、機械加工或いは蝕刻
により形成されたものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電子ビーム露光用位置合わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010591A JPS58127325A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57010591A JPS58127325A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58127325A true JPS58127325A (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=11754481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57010591A Pending JPS58127325A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 電子ビ−ム露光用位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58127325A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077422A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
| US4843563A (en) * | 1985-03-25 | 1989-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Step-and-repeat alignment and exposure method and apparatus |
| US7078848B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-07-18 | Baldor Electric Company | Multi-axes, sub-micron positioner |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP57010591A patent/JPS58127325A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6077422A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | 電子ビ−ム露光による描画位置決め方法および電子ビ−ム露光装置の試料ホルダ− |
| JPH0578167B2 (ja) * | 1983-10-04 | 1993-10-28 | Nippon Electric Co | |
| US4843563A (en) * | 1985-03-25 | 1989-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Step-and-repeat alignment and exposure method and apparatus |
| US4910679A (en) * | 1985-03-25 | 1990-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Step-and-repeat alignment and exposure method and apparatus |
| US7078848B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-07-18 | Baldor Electric Company | Multi-axes, sub-micron positioner |
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