JPS61206584A - 基板加工装置 - Google Patents
基板加工装置Info
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- JPS61206584A JPS61206584A JP60044900A JP4490085A JPS61206584A JP S61206584 A JPS61206584 A JP S61206584A JP 60044900 A JP60044900 A JP 60044900A JP 4490085 A JP4490085 A JP 4490085A JP S61206584 A JPS61206584 A JP S61206584A
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- Japan
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- processing
- mark
- wafer
- alignment
- energy beam
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はウェハ上に形成されたパターンの一部をエネル
ギービームを利用して加工する装置に関するものである
。
ギービームを利用して加工する装置に関するものである
。
一般に半導体装置特に集積回路においては、配線の切断
または接続のためエネルギービーム（例えばレーザビー
ム）を集束してウェハ上に投影する方法が行なわれてい
る。
または接続のためエネルギービーム（例えばレーザビー
ム）を集束してウェハ上に投影する方法が行なわれてい
る。
第５図はエネルギービーム加工装置！ｆ（レーザ加工装
置）の−例を示す構成図で、（１）はステージ、（２）
はステージ（１）上にａｌｔされた被加工物のウェハ、
（３）は加工用レーザ光源、（４）、（５）はミラー、
（６）は開口、（７）は投影レンズ、（８）はアライメ
ント用光源、（９）、 ｅｌＧ、 （１３，０４ハ”
７ ミｙ−１ａυはＸ方向顕微鏡、α謙はθ方向顕微
鏡、ａωはＹ゛方向顕微鏡、αｅ°は基準マーク、αη
、αｌはステージ（１）の夫々Ｘ方向。
置）の−例を示す構成図で、（１）はステージ、（２）
はステージ（１）上にａｌｔされた被加工物のウェハ、
（３）は加工用レーザ光源、（４）、（５）はミラー、
（６）は開口、（７）は投影レンズ、（８）はアライメ
ント用光源、（９）、 ｅｌＧ、 （１３，０４ハ”
７ ミｙ−１ａυはＸ方向顕微鏡、α謙はθ方向顕微
鏡、ａωはＹ゛方向顕微鏡、αｅ°は基準マーク、αη
、αｌはステージ（１）の夫々Ｘ方向。
Ｙ方向の位置検出のための干渉計、（至）、ａｎ、（イ
）は前記顕微鏡αυ、α３．（１！９の光電検出器であ
る。
）は前記顕微鏡αυ、α３．（１！９の光電検出器であ
る。
加工用ＹＡＧレーザビームは、その光源（３）を出てミ
ラー（４）、 ＋５）で反射し、開口（６）を経て投影
レンズ（７）で集束され、ウェハ（２）上に矩形状に結
像して切断加工を行なう。ステージ（１）は被加工物で
あるウェハ（２）を載置して、駆動装置（図示せず）に
よりＸ方向、Ｙ方向に移動するが、その位置はレーザ干
渉計ａ７）、ｕｓの測長手段により正確に計測され制御
される。
ラー（４）、 ＋５）で反射し、開口（６）を経て投影
レンズ（７）で集束され、ウェハ（２）上に矩形状に結
像して切断加工を行なう。ステージ（１）は被加工物で
あるウェハ（２）を載置して、駆動装置（図示せず）に
よりＸ方向、Ｙ方向に移動するが、その位置はレーザ干
渉計ａ７）、ｕｓの測長手段により正確に計測され制御
される。
加工用ビームによる加工に当っては、先づアライメント
装置を利用して加工個所を正確に検出する必要がめる。
装置を利用して加工個所を正確に検出する必要がめる。
そのため第６図に示すようにウェハ（２）上には集檀回
路パターン（以下チップと略称する）（至）がマトリッ
クス状に形成され、各チップ（ハ）の一部に予めアライ
メントマーク（３０Ｘ）、（３０Ｙ）及び（３０θ）を
形成しておき、アライメント光源（８）より出力された
レーザビームを、ハーフミラ−＋９１．１１３により６
方向に分け、Ｘ方向顕微鏡ｕυ、Ｙ方向顕ｄｄｔ、 娩
ｔｌｓ ＋θ方向ｍ ｆｆ＆ ｍ ＋１３）により上記
アライメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）、 （３
０９） ｔｔ照射１．、該マークより発生する回折光を
検出′ａ（至）ｔｆ２Ｌ圀で検出する。またステージ（
１）上にはアライメントマークと同一パターンを持つ基
準マーク（ＩＦ５が形成されているので、該基準マーク
αｅをアライメント顕微鋳１１１） 、 （ｉ３） 、
（１５）で夫々検出することにより、前記６つのアラ
イメント顕微鏡の相対間隔を知ることができべ。−万端
７図で示す上記アテイメント顕１１υ、住り、 （１９
と加工用投影レンズ（力との距離Ｘｄ、Ｙｄは既知であ
るから、アライメント顕微鏡により求めたアライメント
マークの位置とＸｄ。
路パターン（以下チップと略称する）（至）がマトリッ
クス状に形成され、各チップ（ハ）の一部に予めアライ
メントマーク（３０Ｘ）、（３０Ｙ）及び（３０θ）を
形成しておき、アライメント光源（８）より出力された
レーザビームを、ハーフミラ−＋９１．１１３により６
方向に分け、Ｘ方向顕微鏡ｕυ、Ｙ方向顕ｄｄｔ、 娩
ｔｌｓ ＋θ方向ｍ ｆｆ＆ ｍ ＋１３）により上記
アライメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）、 （３
０９） ｔｔ照射１．、該マークより発生する回折光を
検出′ａ（至）ｔｆ２Ｌ圀で検出する。またステージ（
１）上にはアライメントマークと同一パターンを持つ基
準マーク（ＩＦ５が形成されているので、該基準マーク
αｅをアライメント顕微鋳１１１） 、 （ｉ３） 、
（１５）で夫々検出することにより、前記６つのアラ
イメント顕微鏡の相対間隔を知ることができべ。−万端
７図で示す上記アテイメント顕１１υ、住り、 （１９
と加工用投影レンズ（力との距離Ｘｄ、Ｙｄは既知であ
るから、アライメント顕微鏡により求めたアライメント
マークの位置とＸｄ。
Ｙｄとより、加工用投影レンズ（力の加工すべきチップ
四までの距離を求め、その距離だけステージ（１）を移
動してやれば、加工用の投影レンズ（力は加工すべきチ
ップ（ハ）上に導かれることとなる。投影レンズ（力の
位置は、例えば加工用レーザビームの強度を減衰器（検
出方法については図示せず）を利用して小さくして照射
しその赦乱光を検出するか、あるいは開口（６）を別光
源で照明し、その反射光を検出するなどの方法で測定さ
れる。
四までの距離を求め、その距離だけステージ（１）を移
動してやれば、加工用の投影レンズ（力は加工すべきチ
ップ（ハ）上に導かれることとなる。投影レンズ（力の
位置は、例えば加工用レーザビームの強度を減衰器（検
出方法については図示せず）を利用して小さくして照射
しその赦乱光を検出するか、あるいは開口（６）を別光
源で照明し、その反射光を検出するなどの方法で測定さ
れる。
なおウェハ（２）の各チップに形成されたアライメント
マーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）、 （３０θ）は微少
な矩形セグメントを直線上に配列した回折格子で第６図
に示すように一組になって配列され、Ｘアライメン）
（３０Ｘ）はウェハ（２）上のＹ軸に平行に、Ｙ −θ
アライメン） （３０Ｙ）、 （３０θ）はＸ軸に平行
に配列されている。また第８図は基準マーク住ｅの拡大
図である。
マーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）、 （３０θ）は微少
な矩形セグメントを直線上に配列した回折格子で第６図
に示すように一組になって配列され、Ｘアライメン）
（３０Ｘ）はウェハ（２）上のＹ軸に平行に、Ｙ −θ
アライメン） （３０Ｙ）、 （３０θ）はＸ軸に平行
に配列されている。また第８図は基準マーク住ｅの拡大
図である。
ところでこのレーザ加工装置は、長期間使用しているう
ちに装置の部品が経時変化を起し、以下に述べるように
アライメント装置により検出した加工位置と、投影レン
ズ（力による実際の加工位置とがずれてくるいわゆるド
リフトと称される現象を呈してくるのである。
ちに装置の部品が経時変化を起し、以下に述べるように
アライメント装置により検出した加工位置と、投影レン
ズ（力による実際の加工位置とがずれてくるいわゆるド
リフトと称される現象を呈してくるのである。
すなわち第７図に示される投影レンズ（力と各アライメ
ント顕釦ｉ１！Ｑｌ）、 ０３． ｕｓ１との相対間隔
Ｘｄ。
ント顕釦ｉ１！Ｑｌ）、 ０３． ｕｓ１との相対間隔
Ｘｄ。
Ｙｄは、本来一定で変動のないものであり、その前提で
ウェハ（２）の加工位置の検出を行なっているの゛であ
るが、上述のように部品の経時変化によって）（ｄ、
Ｙｄの値も当初の値と異なってくる。又レーザ光源（３
）より出力された加工用レーザビームは、ミラーｆ４）
、＋５）で反射し開口（６）を経て投影レンズ（７）に
達するが、ミラー（４１１５）の取付は角度は長期間の
使用中に変化し、該ビームが投影レンズ（力を通過する
際、該ビームの光軸が投影レンズ（７）の構造的中心軸
と一致しなくなる。さらに投影レンズ（７）も経時変化
でその取付位置が傾いてくることもある。
ウェハ（２）の加工位置の検出を行なっているの゛であ
るが、上述のように部品の経時変化によって）（ｄ、
Ｙｄの値も当初の値と異なってくる。又レーザ光源（３
）より出力された加工用レーザビームは、ミラーｆ４）
、＋５）で反射し開口（６）を経て投影レンズ（７）に
達するが、ミラー（４１１５）の取付は角度は長期間の
使用中に変化し、該ビームが投影レンズ（力を通過する
際、該ビームの光軸が投影レンズ（７）の構造的中心軸
と一致しなくなる。さらに投影レンズ（７）も経時変化
でその取付位置が傾いてくることもある。
かくしてレーザ加工装置は、長期間使用を重ねているう
ちに、上記いくつかの原因によるドリフトのため、顕微
ｖＲ（１１） 、 （１３） 、 ｕ！１９により検出
したウェハ（２）の加工位置に投影レンズ（力を導き、
加工用レーザビームを投射して加工を行なっても、レー
ザビームの加工中心がアライメントｍｅｎｕ、αＪ。
ちに、上記いくつかの原因によるドリフトのため、顕微
ｖＲ（１１） 、 （１３） 、 ｕ！１９により検出
したウェハ（２）の加工位置に投影レンズ（力を導き、
加工用レーザビームを投射して加工を行なっても、レー
ザビームの加工中心がアライメントｍｅｎｕ、αＪ。
ｕ！９により検出した中心位置と一致せず、目的とする
位置と異なった位置を加工してしまうといった問題があ
った。
位置と異なった位置を加工してしまうといった問題があ
った。
本発明はエネルギービームによる加工装置において、こ
のドリフト要因に伴なう加工位置のずれを解消し、簡単
に安定かつ高精度の加工位置を検出する装置を提供しよ
うとするものである。
のドリフト要因に伴なう加工位置のずれを解消し、簡単
に安定かつ高精度の加工位置を検出する装置を提供しよ
うとするものである。
本発明はエネルギービームによる加工装置において、被
加工物（ウェハ）上に予め形成された位置合わせ用のア
ライメントマークを検出するためのアライメントマーク
検出手段（１１，１３，１５，２０゜２１．２２．５３
） と、前記ウエノ１の所定位置に上記アライメン
トマークから所定間隔をあけて上記アライメントマーク
と同一形状のパターンを有するダミーマークを前記エネ
ルギービームにより形成する制御手段（１，３，４，５
，６，７，４０）と、該ダミーマークの位置を検出して
前記エネルギービームの中心と前記マーク検出手段の検
出中心との相対的な配置数差を検出する誤差検出手段顛
とを設けること、すなわち、本来加工、修正に使われる
エネルギービームを、マーク検出手段によって検出可能
なマークの形成手段として兼用することを技術的要点と
している。
加工物（ウェハ）上に予め形成された位置合わせ用のア
ライメントマークを検出するためのアライメントマーク
検出手段（１１，１３，１５，２０゜２１．２２．５３
） と、前記ウエノ１の所定位置に上記アライメン
トマークから所定間隔をあけて上記アライメントマーク
と同一形状のパターンを有するダミーマークを前記エネ
ルギービームにより形成する制御手段（１，３，４，５
，６，７，４０）と、該ダミーマークの位置を検出して
前記エネルギービームの中心と前記マーク検出手段の検
出中心との相対的な配置数差を検出する誤差検出手段顛
とを設けること、すなわち、本来加工、修正に使われる
エネルギービームを、マーク検出手段によって検出可能
なマークの形成手段として兼用することを技術的要点と
している。
第１図は本発明の一実施例を示すダミーマーク形成の拡
大説明図、第２図は７Ｃｘ−チャートである。第６図は
第５図のレーザ加工装置を制御するための制御系の回路
ブロック図である。尚、第１図において図中（ハ）はウ
ェハ（２）上のチップ、（ハ）はウェハストリート、（
３０Ｘ）、 （３０Ｙ）はアライメントマーク、（３１
Ｍ）、 （３１Ｙ）はダミーマーク、ｄＸ。
大説明図、第２図は７Ｃｘ−チャートである。第６図は
第５図のレーザ加工装置を制御するための制御系の回路
ブロック図である。尚、第１図において図中（ハ）はウ
ェハ（２）上のチップ、（ハ）はウェハストリート、（
３０Ｘ）、 （３０Ｙ）はアライメントマーク、（３１
Ｍ）、 （３１Ｙ）はダミーマーク、ｄＸ。
ｄＹはアライメントマークとダミーマークとの距離であ
る。
る。
また第６図において、（３）は加工レーザ光源、α力。
（１檜はステージｔｌ）のＸ方向、Ｙ方向の位置検出の
ための干渉計、＋２ＩＪｒ ’２］）＊（イ）はＸ方向
、Ｙ方向、θ方向のアライメント顕微鏡の光電検出器、
（４１は制御装置、Ｑυは記憶装ａ、＋４３．＋４３は
夫々Ｘ方向、Ｙ方向のステージ駆動装置である。
ための干渉計、＋２ＩＪｒ ’２］）＊（イ）はＸ方向
、Ｙ方向、θ方向のアライメント顕微鏡の光電検出器、
（４１は制御装置、Ｑυは記憶装ａ、＋４３．＋４３は
夫々Ｘ方向、Ｙ方向のステージ駆動装置である。
以下第２図の７０−チャートに従って動作を説明する。
第５図に示すレーザ加工装置において、レーザ加工に際
しては、先づアライメントマーク検出１１！置であるＸ
方向量ｇ’ｔｉｕｎ、 ｙ方向顕微鏡ｕＱθ方向ｍ ｍ
ｍ （１３）を利用してウェハ（２）のグローバルア
ライメント（ステップ１００）を行なった後、ウェハ（
２）上のアライメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）
の位置を検出し、（３０Ｘ）のＸ座標ＸＷ、 （３０
Ｙ）のｙ座標ｙｗを求める。（ステップ１０１，１０２
）次にウェハ（２）のウェハストリート（有効なパター
ンの存在しない領域）（７）上に、加工用レーザビーム
を使用して第１図に示すようにダミーマーク（３１Ｘ）
、 （３１Ｙ）を形成する。（ステップ１０３）ダミー
マーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）のパターンは前記アラ
イメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）と同一である
。
しては、先づアライメントマーク検出１１！置であるＸ
方向量ｇ’ｔｉｕｎ、 ｙ方向顕微鏡ｕＱθ方向ｍ ｍ
ｍ （１３）を利用してウェハ（２）のグローバルア
ライメント（ステップ１００）を行なった後、ウェハ（
２）上のアライメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）
の位置を検出し、（３０Ｘ）のＸ座標ＸＷ、 （３０
Ｙ）のｙ座標ｙｗを求める。（ステップ１０１，１０２
）次にウェハ（２）のウェハストリート（有効なパター
ンの存在しない領域）（７）上に、加工用レーザビーム
を使用して第１図に示すようにダミーマーク（３１Ｘ）
、 （３１Ｙ）を形成する。（ステップ１０３）ダミー
マーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）のパターンは前記アラ
イメントマーク（３０Ｘ）、 （３０Ｙ）と同一である
。
またダミーマーク（３１Ｘ）の位置は、アライメントマ
ーク（３０Ｘ）とＸ方向にＸＴ、 （３１Ｙ）は（３
０Ｙ）とＸ方向にＹＴの距離をおいた位置とする。なお
この位置は前述のように投影レンズ（力の構造的中心を
基準に、該中心と前記アライメント類１１υ。
ーク（３０Ｘ）とＸ方向にＸＴ、 （３１Ｙ）は（３
０Ｙ）とＸ方向にＹＴの距離をおいた位置とする。なお
この位置は前述のように投影レンズ（力の構造的中心を
基準に、該中心と前記アライメント類１１υ。
ＱｃＪの中心との距離Ｘｄ、Ｙｄに基づいて、ステージ
（１）を干渉計αη（ｌυを用いて位置決めすることに
よって達成される。
（１）を干渉計αη（ｌυを用いて位置決めすることに
よって達成される。
結いて前記Ｘ方向、Ｙ方向顕微鏡ｕυ、 （ｉｓにより
、上記ダミーマーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）の位置を
検出し、そのＸ座標、ｙ座標を干渉計ａ’ｎ ｕｓで検
出してＸＷ′。
、上記ダミーマーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）の位置を
検出し、そのＸ座標、ｙ座標を干渉計ａ’ｎ ｕｓで検
出してＸＷ′。
ＹＷ′とじて計測する（ステップ１０４，１０５）。
ダミーマーク（３１Ｘ）とアライメントマーク（３０Ｘ
）との距１１１ｄＸ、同じ＜ （３１Ｙ）と（３０Ｙ）
との距離ｄＹは次の（１）式で示され、制御装置（４Ｇ
はその距離ｄＸ、ｄＹを算出する（ステップ１０６）。
）との距１１１ｄＸ、同じ＜ （３１Ｙ）と（３０Ｙ）
との距離ｄＹは次の（１）式で示され、制御装置（４Ｇ
はその距離ｄＸ、ｄＹを算出する（ステップ１０６）。
ところでダミーマーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）を形成
する際、その位置の決定は前述のように投影レンズ（力
の構造的中心を基準にＸｄ、Ｙｄを一定のものとして求
めたものであるから、前述のようにＸｄ。
する際、その位置の決定は前述のように投影レンズ（力
の構造的中心を基準にＸｄ、Ｙｄを一定のものとして求
めたものであるから、前述のようにＸｄ。
Ｙｄが変化したり、投影レンズ（７）の構造的中心と投
影レンズ（力を通る加工用レーザビームの光軸の中心と
がずれるなどのドリフトを生じている場合は、上記ダミ
ーマーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）とアライメントマー
ク（３１Ｘ）、 （３０Ｘ）との距離ＸＴ、ＹＴは上記
ｄ）（、ｄ’１’とは当然異なってくる。すなわち次の
（２）式 で示されるΔＸ、ΔＹが前記ドリフト要因にょる原着と
なる。そこで制御装ｖｔ（４１は、その原着ΔＸ。
影レンズ（力を通る加工用レーザビームの光軸の中心と
がずれるなどのドリフトを生じている場合は、上記ダミ
ーマーク（３１Ｘ）、 （３１Ｙ）とアライメントマー
ク（３１Ｘ）、 （３０Ｘ）との距離ＸＴ、ＹＴは上記
ｄ）（、ｄ’１’とは当然異なってくる。すなわち次の
（２）式 で示されるΔＸ、ΔＹが前記ドリフト要因にょる原着と
なる。そこで制御装ｖｔ（４１は、その原着ΔＸ。
ｄＹを算出する（ステップ１０７）。
従ってステージｔｌ）を移動して投影レンズ（力をウェ
ハ上の加工位置へ移す際、ΔＸ、ΔＹだけ移動量を補正
してやれば、投影レンズ（７）から射出した加工用レー
ザビームの中心は正確に加工位置に位置させることがで
きる。
ハ上の加工位置へ移す際、ΔＸ、ΔＹだけ移動量を補正
してやれば、投影レンズ（７）から射出した加工用レー
ザビームの中心は正確に加工位置に位置させることがで
きる。
そこで制御装置！ｔ４υは、ウェハ（２）上の修正すべ
きチップ内の加工位置に関するステージの位置決めデー
タ（ｅ計上子め定まったアドレス）を読み込み（ステッ
プ１０８）、そのアドレスデータについて、先に求めた
誤肩ΔＸ、ΔＹ分だけ補正したアドレスデータを、位置
決め用のマツプとして作成する（ステップ１０９）。次
に制御装置ｔ（４１は誤差ΔＸ、ΔＹだけ補正された修
正位置のマツプに従ってステージをアドレッシング（位
置決め）しくステップ１１０）、そこで加工用レーザビ
ームを照射して、配線パターンの切断、又はアニール等
の修正を行なう（ステップ１１１）。そして制御装置（
４１１１は修正位置のマツプに基づき、全ての加工が終
了したか否かを判断しくステップ１１２）、終了してい
ないときは再びステップ１１０から同様に繰り返し動作
を行ない、ウェハ（２）上の全ての１％Ｓ正部分を加工
する。
きチップ内の加工位置に関するステージの位置決めデー
タ（ｅ計上子め定まったアドレス）を読み込み（ステッ
プ１０８）、そのアドレスデータについて、先に求めた
誤肩ΔＸ、ΔＹ分だけ補正したアドレスデータを、位置
決め用のマツプとして作成する（ステップ１０９）。次
に制御装置ｔ（４１は誤差ΔＸ、ΔＹだけ補正された修
正位置のマツプに従ってステージをアドレッシング（位
置決め）しくステップ１１０）、そこで加工用レーザビ
ームを照射して、配線パターンの切断、又はアニール等
の修正を行なう（ステップ１１１）。そして制御装置（
４１１１は修正位置のマツプに基づき、全ての加工が終
了したか否かを判断しくステップ１１２）、終了してい
ないときは再びステップ１１０から同様に繰り返し動作
を行ない、ウェハ（２）上の全ての１％Ｓ正部分を加工
する。
さて第４図は他の実施例で、ダイクロイックミラーを利
用するレーザ加工装置を示す構成図である。図中（２）
、ｆ５）、（６）、（７）、は先の実施例の装置と同一
部品である。（ト）は加工用レーザビーム、（５１）は
マーク検出用のプローブ光、（５２）はダイクロイック
ミラー、（５３）はマーク検出手段としての散乱光検出
器である。
用するレーザ加工装置を示す構成図である。図中（２）
、ｆ５）、（６）、（７）、は先の実施例の装置と同一
部品である。（ト）は加工用レーザビーム、（５１）は
マーク検出用のプローブ光、（５２）はダイクロイック
ミラー、（５３）はマーク検出手段としての散乱光検出
器である。
プローブ光（５１）を開口（６）を介してウェハ（２）
上に照射し、ウェハ（２）上のマークやパターンエツジ
からの散乱光又は回折光を、散乱光検出器（５６）で検
出することにより、被加工位置を検出するのであるが、
加工用ビーム■とプローブ光（５１）との光軸が図のよ
うにずれている場合、その加工位置はΔＤだけずれ、ビ
ーム団による加工位置はプローブ光（５１）による検出
位置よりΔＤだけの誤差を生ずることになる。
上に照射し、ウェハ（２）上のマークやパターンエツジ
からの散乱光又は回折光を、散乱光検出器（５６）で検
出することにより、被加工位置を検出するのであるが、
加工用ビーム■とプローブ光（５１）との光軸が図のよ
うにずれている場合、その加工位置はΔＤだけずれ、ビ
ーム団による加工位置はプローブ光（５１）による検出
位置よりΔＤだけの誤差を生ずることになる。
この場合プローブ光（５１）と散乱光検出器（５３）で
ウェハ（２）上のマークを検出した後、前述した実施例
と同様に、例えばウェハストリート部分に加工ビーム■
で上記マークと所定距離隔ててダミーマーりを形成し、
プローブ光（５１）を利用して該ダミーマークの位置を
検出し、前記ビームωとプローブ光（５１）との光軸の
ずれによるｗＡ差ΔＤを求め、この誤差だけ被加工位置
の位置決めに際し補償すれば、正確な加工位置を得るこ
ととなる。
ウェハ（２）上のマークを検出した後、前述した実施例
と同様に、例えばウェハストリート部分に加工ビーム■
で上記マークと所定距離隔ててダミーマーりを形成し、
プローブ光（５１）を利用して該ダミーマークの位置を
検出し、前記ビームωとプローブ光（５１）との光軸の
ずれによるｗＡ差ΔＤを求め、この誤差だけ被加工位置
の位置決めに際し補償すれば、正確な加工位置を得るこ
ととなる。
以上の実施例は、エネルギービームとしてＹＡＧレーザ
ビームを使用した例であるが、ＹＡＧレーザビームの他
にエキシマレーザ等のパルスレーザあるいは電子ビーム
、イオンビーム等を使用した加工装置の場合にも、上記
実施例と同様にして正確な加工位置の検出が可能である
。
ビームを使用した例であるが、ＹＡＧレーザビームの他
にエキシマレーザ等のパルスレーザあるいは電子ビーム
、イオンビーム等を使用した加工装置の場合にも、上記
実施例と同様にして正確な加工位置の検出が可能である
。
本発明は上述のようにレーザ加工装置において、加工用
レーザビームにより被加工物のウェハ上にダミーマーク
を形成し、該ダミーマークを利用してドリフトによる加
工位置の誤差を検出したので、高精度の加工位置の決定
が可能となった。また加工に使用するレーザビームとは
異なるレーザビーム又はプローブ光を利用して被加工物
の位置検出を行なうので、被加工物のパターン部を損傷
する恐れがない。
レーザビームにより被加工物のウェハ上にダミーマーク
を形成し、該ダミーマークを利用してドリフトによる加
工位置の誤差を検出したので、高精度の加工位置の決定
が可能となった。また加工に使用するレーザビームとは
異なるレーザビーム又はプローブ光を利用して被加工物
の位置検出を行なうので、被加工物のパターン部を損傷
する恐れがない。
第１図は本発明の実施例を示すダミーマーク形成の拡大
説明図、第２図はフローケヤート図、第６図は回路ブロ
ック図、第４図は他の実施例の構成図、第５図はレーザ
加工装置の構成図、第６図はウェハの拡大図、第７図は
アライメントマーク検出の顕微鏡と投影レンズとの関係
位置を示す平面図、第８図は基準マークの拡大図である
。 図中（１）はステージ、（２）はウェハ、（３）は加工
用光源、（７）は投影レンズ、（８）はアライメント用
光源、ａυハｘ方向ｗａｍｔｉｔ、、＋１３ ハθ方向
ｍｆｊＩｋｇｌＳｕ５１Ｇ；ｔＹ方向顕Ｗｋｗ１１（ハ
）はチップ、（ホ）はウェハストリート、（３０Ｘ）、
（３０Ｙ）はアライメントマーク、（３１Ｘ）。 （３１Ｙ）はダミーマーク、ｄＸ、ｄ７はダミーマーク
とアライメントマークとの距離、Ｘｄ、 ＹｄはＸ方向
顕微鏡、Ｙ方向ｍ微鏡と投影レンズとの距離である。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第２図 区 寸 纜 第７図 Ｙ Ｍ３図 イ χ
説明図、第２図はフローケヤート図、第６図は回路ブロ
ック図、第４図は他の実施例の構成図、第５図はレーザ
加工装置の構成図、第６図はウェハの拡大図、第７図は
アライメントマーク検出の顕微鏡と投影レンズとの関係
位置を示す平面図、第８図は基準マークの拡大図である
。 図中（１）はステージ、（２）はウェハ、（３）は加工
用光源、（７）は投影レンズ、（８）はアライメント用
光源、ａυハｘ方向ｗａｍｔｉｔ、、＋１３ ハθ方向
ｍｆｊＩｋｇｌＳｕ５１Ｇ；ｔＹ方向顕Ｗｋｗ１１（ハ
）はチップ、（ホ）はウェハストリート、（３０Ｘ）、
（３０Ｙ）はアライメントマーク、（３１Ｘ）。 （３１Ｙ）はダミーマーク、ｄＸ、ｄ７はダミーマーク
とアライメントマークとの距離、Ｘｄ、 ＹｄはＸ方向
顕微鏡、Ｙ方向ｍ微鏡と投影レンズとの距離である。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 第２図 区 寸 纜 第７図 Ｙ Ｍ３図 イ χ
Claims (1)
- エネルギービームを被加工物に集束して、被加工物を加
工する装置において、所定の検出中心を有し、前記被加
工物上に予め形成された位置合せ用のマークの前記検出
中心との整合度を検出するためのマーク検出手段と、該
マーク検出手段により検出可能なダミーマークを前記エ
ネルギービームを用いて被加工物上の所定位置に形成す
る制御手段と、前記マーク検出手段により前記ダミーマ
ークを検出し前記エネルギービームの集束中心と前記マ
ーク検出手段の検出中心との相対的な配置該差を検出す
る誤差検出手段とを備えたことを特徴とするエネルギー
ビームによる加工装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044900A JPS61206584A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 基板加工装置 |
| US07/004,265 US4769523A (en) | 1985-03-08 | 1987-01-09 | Laser processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044900A JPS61206584A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 基板加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61206584A true JPS61206584A (ja) | 1986-09-12 |
| JPH0581357B2 JPH0581357B2 (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=12704350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60044900A Granted JPS61206584A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 基板加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61206584A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH026094A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-10 | Hitachi Ltd | 位置情報の入力方法および装置 |
| JPH0929476A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-04 | Denso Corp | レーザ加工方法 |
| JP2002520165A (ja) * | 1998-07-13 | 2002-07-09 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 加工材料の加工のためのレーザ加工機械の較正のための方法及び装置 |
| JP2005313215A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Laser Solutions Co Ltd | レーザ加工装置におけるアライメント方法、およびアライメントプログラム |
| JP2007050967A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Kajima Corp | クレーンの基礎免震受け梁構造 |
| JP2008032524A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-02-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | レーザ加工装置および計測用レーザ光の焦点検出方法 |
| JP2012084682A (ja) * | 2010-10-12 | 2012-04-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスユニットの分割方法 |
| JP2018074021A (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 日立金属株式会社 | 気密封止用リッドの製造方法 |
| CN111661589A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种基于图像定位的运动平台校正方法及装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589785A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-20 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザ加工装置 |
| JPS59141392A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-14 | Toyota Motor Corp | ビ−ム溶接装置のスポツト位置調節装置 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60044900A patent/JPS61206584A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581357B2 (ja) | 1993-11-12 |
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