JPH0661001B2 - マスクの欠陥修正装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は集積回路等の製造工程で使用するマスク及びレ
チクルの欠陥修正装置に関するものである。

〔発明の概要〕

基板上に特定パターンを形成した試料の特定箇所に集束
イオンビームを照射し、該パターンを余剰部分をイオン
スパッタにより除去（以下、黒欠陥修正と呼ぶ）するマ
スクの欠陥修正装置において、黒欠陥修正を行なう際に
集束イオンビーム照射位置にエッチングガスを供給する
ことにより、黒欠陥修正の信頼性を高め、しかも高品質
に行なうものである。

尚、ここで云う高品質とはフォトマスクの黒欠陥修正に
おいては、黒欠陥修正部分の光透過率が高いことを意味
する。また、試料とはフォトマスクやレチクル、または
Ｘ線マスク等である。

〔従来の技術〕

従来のマスクの欠陥修正装置を第２図に示す。

イオン源１より発生したイオンは、集束レンズ２，対物
レンズ３のイオン光学系を通ることにより、所定半径
（１μ以下）の集束イオンビーム５となり、また走査電
極４を通ることにより試料６表面上を走査する。

試料６表面のパターン膜余剰部を予め設定したデータに
よりＸＹステージ７を動かし、集束イオンビーム直下に
し、または／さらに走査している集束イオンビーム５の
照射により試料から放出される２次荷電粒子８を２次荷
電粒子検出器９により検出し、Ａ／Ｄ変換器10等の電子
回路を経て、表示装置11に２次荷電粒子の検出パターン
を表示し、肉視にてパターン膜余剰部を観察、認定し、
ＸＹステージ７にて、集束イオンビーム走査範囲内に前
記パターン膜余剰部が入るように試料６を移動させる。

パターン膜余剰部の位置及び範囲を設定し、走査電極４
およびブランキング電極12によるイオンビームの走査及
びブランキング（イオンビームを試料に到達しないよう
に外へどけること）し、所定の余剰部のみに集束イオン
ビーム５が走査するように照射する。この様にパターン
余剰部のみに集束イオンビームが走査により繰り返し照
射されるために、その所定部分のパターン膜はイオンに
よるスパッタリング（スパッタエッチ）により、除去さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のマスクの欠陥修正装置は、黒欠陥修正を集束イオ
ンビームによるスパッタリング（スパッタエッチング）
のみで行っていたために問題点が生じていた。すなわ
ち、スパッタエッチングのみでフォトマスクの黒欠陥修
正を行なうと、集束イオンビーム（通常ガリウムイオ
ン）の照射により基板表面にガリウムが残り、黒欠陥修
正部の光透過率が下がっていた。また、スパッタエッチ
ングではエッチング面が完全な平滑面でなく光が散乱さ
れてその結果光透過率が下がっていた。さらにパターン
膜が例えば、クロムと酸化クロムの多層膜である場合に
はクロム層や酸化クロム層やパターンと基板との境界層
で２次荷電粒子の強度が変化し、黒欠陥修正の終了点の
判断が難しく、黒欠陥修正が未了だったりあるいは基板
に不用な傷を付けたりして、黒欠陥修正の信頼性が高く
なかった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記問題点を解決するものである。すなわ
ち、イオンを発生するイオン源と、前記イオンを集束イ
オンビームとするイオンレンズ系と、前記集束イオンビ
ームを走査しつつ試料に照射する偏向電極と、前記試料
の表面から放出される２次荷電粒子を検出する２次荷電
粒子検出器と、前記イオン源、イオンレンズ系、偏向電
極及び２次荷電粒子検出器を真空雰囲気中に置くための
真空排気系と、前記２次荷電粒子の平面強度分布に基づ
いて前記試料上のパターンを表示する画像表示装置から
なり、前記パターンの余剰部分に選択的に集束イオンビ
ームを繰り返し走査しながら照射して、スパッタリング
効果により前記パターンの余剰部分を除去する手段より
なるマスクの欠陥修正装置において、前記パターンの余
剰部分にエッチングガスを供給するためのガスインジェ
クターを備え、前記ガスインジェクターがエッチングガ
スを、前記余剰部分に吹き付けるノズルと、エッチング
ガス供給源であるリザーバと、真空ゲージで内部の圧力
を測定することのできる制御室と、前記ノズルと前記リ
ザーバと前記制御室とを配管でつないだ構造であり、前
記制御室の圧力を制御することにより前記エッチングガ
スの前記余剰部分への供給量を制御したことを特徴とす
るマスクの欠陥修正装置である。

尚、エッチングガスは特願昭62−58360号に述べられて
いるように、例えば塩素である。

〔作用〕

本発明では、マスクまたはレクチルの黒欠陥修正時に集
束イオンビームおよびエッチングガスを黒欠陥位置に照
射することにより、以下の作用を得るものである。すな
わち、塩素をエッチングガスとして使用すると、イオン
ビームとして照射されたガリウムと塩素が反応して揮発
性の塩化ガリウムとなり、マスク表面にガリウムが残ら
なくなって光透過率が向上する。また、エッチングガス
の存在によりエッチング面が完全な平滑面となり（平滑
エッチングと呼ぶ），光の散乱に原因する光透過率の低
下が起こらなくなる。以上説明したガリウム残留物の除
去作用及び平滑エッチング作用は、例えば1987年の理化
学研究所第18回シンポジウム「イオン注入とサブミクロ
ン加工」での報告Chemically Enhanced GaAs Smooth Su
rface Etching Using Novel Focused Ion Beam Etching
System with Cl₂ Nozzle中で述べられている。ただし
上記文献では基板がヒ化ガリウムである。基板がマスク
またはレクチルの場合でもガリウム残留物の除去作用及
び平滑エッチング作用が得られることは、我々が確認し
た。またさらに、マスク表面から放出される２次イオン
を２次荷電粒子検出器で検出したとき、塩素のようなエ
ッチングガスが存在すると、パターン膜が多層膜の様に
酸化物等の有無にかかわらず、注目元素が存在しさえす
れば注目元素の２次イオン強度は高い状態で一定とな
る。この為、黒欠陥修正の終了点の判断が容易になり、
黒欠陥修正の信頼性が高くなる。ほかに、エッチングガ
スをパターン膜除去部のみに局部的にかつ流量制御しな
がら供給するために、当装置内真空状態を悪くすること
なく安定に黒欠陥修正が行える。さらにほかに、ガスイ
ンジェクターにフィルター及び乾燥剤を取付けたり、制
御室をターボ分子ポンプ等で排気することにより、不純
物を含まない純粋なエッチングガスを供給することがで
き、黒欠陥修正を不純物で汚染することなく行える。ま
たさらにほかに、制御室の圧力を検出する真空ゲージダ
イヤフラムタイプにすることにより、エッチングガスに
よって真空ゲージが損傷することなく、かつ真空ゲージ
によってエッチングガスが変質することなく、エッチン
グガスの流量を正確に行なうことができる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明にかかるマスクの欠陥修正装置を示す。
１はイオン源でイオンを発生する。イオン源１は、例え
ばガリウムの液体金属イオン源である。イオン源１より
発生したイオンは集束レンズ２および対物レンズ３のイ
オンレンズ系を通過することにより集束化され、集束イ
オンビーム５となる。４は走査電極で走査電圧が印加さ
れる。イオンビームは走査電極４を通過することによ
り、試料６の表面上を走査しながら、集束イオンビーム
５を照射することになる。ここで試料６はフォトマスク
やレチクル或いはＸ線マスク等である。試料６の表面か
らは、集束イオンビーム５を照射することにより、２次
荷電粒子８を放出する。試料６がフォトマスクの場合、
２次荷電粒子８は基板材質のシリコンイオンやパターン
材質のクロムイオン或いはモリブデンイオンである。ま
た、２次荷電粒子８は電子であることもある。９は２次
荷電粒子検出器で、２次荷電粒子８を検出する。以上の
系は、真空排気系（図示せず）によって圧力10^-5Torr以
下の雰囲気内に置かれている。10はＡ／Ｄ変換器で、２
次荷電粒子検出器９で検出した２次荷電粒子信号を電気
処理して表示装置11に表示する。試料６上のパターンの
配置等の状況の表示は、集束イオンビーム５の走査と表
示装置11の走査表示とを同期させることにより得られ
る。７はＸＹステージであり、試料６を設置した状態で
Ｘ及びＹ方向に移動する。予め設定された試料６上の位
置データによりＸＹステージ７は、試料６の所望の位置
例えば黒欠陥が集束イオンビーム５の走査範囲内にくる
ように移動できる。12はブランキング電極である。集束
イオンビーム５を試料６の表面上に照射して試料に不用
なダメージをあたえてはならないときは、ブランキング
電極12にブランキング電圧を印加することにより集束イ
オンビーム５を試料６の表面に照射しない様にする。

第３図は、黒欠陥修正部の断面図の例である。試料６が
フォトマスクである場合、試料６はガラス基板13上にク
ロムやモリブデンシリサイドのパターン膜14及びパター
ン膜余剰部14ａが形成されている。このパターン膜余剰
部14ａが、いわゆる黒欠陥と呼ばれるもので、本装置に
て除去しようとするものである。本装置による黒欠陥修
正では、パターン膜余剰部14ａに対してのみ集束イオン
ビームが照射される。このとき、エッチングガス15は、
細管状のノズル16によりパターン膜余剰部14ａに局部的
に吹つけられる。このエッチングガス16は例えば塩素で
あり、黒欠陥修正後の修正部跡を完全な平滑面にし、ま
たガリウム等の残留物を残さない作用を持つ、また塩素
は、イオンビーム照射により放出される２次イオンの収
率を高める作用があるため黒欠陥修正の終了点の判断が
容易になり、黒欠陥修正の信頼性が高くなる。

第１図に戻り、本発明の特徴であるガスインジェクター
に関して以下に説明する。ガスインジェクターは第１図
中、16のノズル，17の制御室，18のリザーバ，19及び20
の配管，25のレギュレータ，26及び27のフィルター，28
の乾燥剤，29及び30のバルブ，31の真空ゲージ，32の圧
力コントローラ，33の可変流量バルブで構成されてい
る。また、34は真空ポンプである。リザーバ18は、エッ
チングガスが充填されている例えばボンベである。リザ
ーバ18がボンベである場合、エッチングガスは、ボンベ
内圧力を減圧するためのレギュレータ25を通して、配管
20へ流出する。ここで配管19及び20は例えば1/4インチ
のステンレスのチューブである。エッチングガスはレギ
ュレータ25か流出した後、フィルター26,27及び乾燥剤2
8を通して可変流量バルブ33に至る。ここで、乾燥剤28
はエッチングガス中に不純物として存在する水分や配管
内壁に付着した水分を除去するためのものである。も
し、エッチングガス中に水分が存在すると、黒欠陥修正
時に水分子が黒欠陥修正位置に付着して、エッチングの
進行を妨げる等の問題が起こる。また、乾燥剤28はエッ
チングガスに対して化学的に安定なものでなければなら
ない。何故ならば、乾燥剤28がエッチングガスに対して
化学的に不安定で反応が起こると、反応で生じた不純物
がエッチングガス中に不純物ガスとして混入し、黒欠陥
修正の進行を妨げたり、不純物が黒欠陥位置に堆積して
不都合が生じるからである。エッチングガスが塩素の場
合、乾燥剤28は例えば過塩素酸マグネシウムである。

尚、エッチングガス種によって乾燥剤28の種類が変わる
ことは云うまでもない。フィルター26及び27は、多数の
細孔の開いた構造をしており、エッチングガスのみをフ
ィルターを通して流し、塵等を通さない働きをしてい
る。これは、乾燥剤28の粉が可変流量バルブ33やレギュ
レータ25に達して、可変流量バルブ33をつまらせたりす
る機能妨害を起こさせないためのものである。さて、可
変流量バルブ33を通して制御室17に流入したエッチング
ガスは、制御室17内で圧力制御された状態にある。そし
て、黒欠陥修正時にはバルブ30及びノズル16を通して集
束イオンビーム５の照射位置すなわち黒欠陥位置に吹き
付けられる。ここで制御室17内の圧力制御は、以下の様
にして行なう。すなわち、制御室17内の圧力は、制御室
17に取付けられた真空ゲージ31により検出されて、圧力
信号が真空ゲージ31から圧力コントローラ32へ送られ
る。圧力コントローラ32は真空ゲージ31から送られてく
る信号をもとに、制御室17内圧力と予め設定された圧力
値の差や、制御室17内圧力の経時変化等を計算して、制
御室17内圧力をあらかじめ設定された圧力に保つための
信号を可変流量バルブ33に送る。可変流量バルブ33は、
圧力コントローラ32から送られてくる信号に応じてコン
ダクタンスを変化させることにより、制御室17に流すエ
ッチングガスの流量を制御する。ここで制御室17内の圧
力をコントロールする目的は、ノズル16から吹き出すエ
ッチングガスの流量を制御することにある。ノズル16か
ら吹き出すエッチングガスの流量が少なすぎると〔作
用〕で説明した作用が起こらず、また多過ぎるとイオン
源１や２次荷電粒子検出器９の寿命を短くする。制御室
17内の圧力は、ノズル16の径や長さ等によって最適値が
異なるが、おおむね10^-3〜２×10^-1Torrの間で黒欠陥修
正時には一定に保たれる。また一般に使用される真空ゲ
ージは、電離真空計や熱電対真空計等があるが、エッチ
ングガスが塩素の様に腐食性ガスである場合には制御室
17の圧力測定には適さない。何故ならば、電離真空計や
熱電対真空計はゲージ内のフィラメントを加熱するた
め、このフィラメントとエッチングガスが反応してフィ
ラメントの経時変化が起こり、圧力が正確に測定できな
くなるばかりでなく、フィラメントとエッチングガスの
反応生成物がエッチングガスの不純物ガスとなり、黒欠
陥修正がうまく行われなくなるためである。本発明で使
用する真空ゲージ31はダイヤフラムタイプまたはスピニ
ング・ロータータイプの真空ゲージでなければならな
い。ダイヤフラムタイプの真空ゲージは耐腐食性に優れ
た金属ダイヤフラムの変位により圧力を検出するため、
圧力測定値の経時変化が起こらず、またエッチングガス
の反応生成物も生じない。スピニング・ロータータイプ
の真空ゲージは、磁気浮上して回転している鋼球の回転
数の変化が鋼球の置かれた圧力と比例することを利用し
たもので、圧力測定値の経時変化やエッチングガスの圧
力生成物が生じない。本発明で使用する真空ゲージ31
は、例えば日本ＭＫＳ（株）社製のバラトロン真空ゲー
ジである。一方、バルブ30は、エッチングガスをノズル
16から吹き出すときに開き、エッチングガスをノズル16
から吹き出す必要のないときには閉めておくためのもの
である。また、真空ポンプ34は、リザーバを交換・取付
けしたときに配管内に入った空気を排気したり、配管内
壁及び制御室内壁等から出てくるアウトガスを排気する
ためのものである。真空ポンプ34による制御室17の排気
は、必要に応じてバルブ29を開閉することにより行な
う。ここで、制御室17内の不純物ガス分圧は制御室17内
のエッチングガス分圧の１％以下に保つ。もし、真空ポ
ンプ34がロータリーポンプや油拡散ポンプだと、ポンプ
に使用しているオイル蒸気が制御室17内に流入して不純
物ガスとなったり、エッチングガスと反応して不都合が
生じる。そこで真空ポンプ34は不都合な不純物ガスを使
用しないターボ分子ポンプ，クライオポンプ或いは水銀
拡散ポンプでなければならない。第１図で説明した制御
室17は、内部の圧力を制御するための特別な部屋であっ
たが、第４図に示したものでも本発明と同等である。第
４図では、真空ゲージ31で圧力測定するところが、配管
20や配管19と同時である配管35であるが、配管35内の圧
力を制御することによってノズル16から吹き出すエッチ
ングガスの流量をコントロールできるので、第４図中の
配管35は第１図中の制御室17と同等である。

尚、本発明で修正する試料６は、ガラス基板上にクロム
やモリブデンシリサイド等でパターンが描かれていおる
フォトマスクばかりでなく、シリコンや窒化シリコン等
の基板上に金やタンタルやタングステン等でパターンの
描かれたＸ線マスクでも平滑エッチングが行われて有効
である。

第１図では、リザーバ18にボンベを使用した本発明の実
施例を説明してきたが、次にリザーバにパーミエーター
を使用した実施例を第５図及び第６図を用いて説明す
る。第６図はパーミエーターの例を説明する図で、36は
セル，37は濃縮エッチング材である。濃縮エッチング材
37は、例えばエッチングガスが塩素の場合には液体塩素
である。セル36は、材質が例えばＲＴＦＥ等の樹脂でで
きており、内部に詰められた濃縮エッチング材37が樹脂
内を浸透拡散して、セル36の表面からエッチングガスが
発生する。尚、パーミエーターは、パーミエーションチ
ューブまたはディフュージョンチューブとして例えばガ
ステック（株）から市販されている。第５図は、リザー
バにパーミエーターを使用したガスインジェクターを説
明する図である。第５図中、ノズル16，配管19及び20，
バルブ29及び30，制御室17，真空ポンプ34，真空ゲージ
31，圧力コントローラ32，可変流量バルブ27，乾燥剤35
は、第１図を用いて説明したものと同等である。第５図
中のリザーバ18ａは、中に乾燥剤28とパーミエーター35
が置かれている容器である。パーミエーター35は第６図
で説明したものでエッチングガスを発生し、エッチング
ガスはリザーバ18ａ内で乾燥剤28により乾燥した状態に
なる。リザーバ18ａ内で発生した乾燥したエッチングガ
スは、細孔の開いた構造のフィルター27で塵等を除去さ
れて配管20を通して可変流量バルブ33に至る。可変流量
バルブ33以降のガスインジェクターの働き及びエッチン
グガスの動きは、第１図で説明したものと同等である。

次に、本発明のマスクの欠陥修正装置の真空排気に関し
て第７図及び第８図を用いて説明する。第７図及び第８
図の中で、集束イオンビーム５，２次荷電粒子検出器
９，２次荷電粒子８，試料６，イオン源１，バルブ30，
配管19，ノズル16，バルブ29，制御室17，真空ゲージ3
1，圧力コントローラ32，可変流量バルブ33，配管20，
フィルター26及び27，乾燥剤28，レギュレーター25，リ
ザーバ18は、第１図を用いて説明したものと同等であ
る。第７図中、38はイオン光学系，39は作業室，40は真
空排気系，41は配管である。イオン光学系38は、第１図
で説明した集束レンズ２，ブランキング電極12，走査電
極４，対物レンズ３等の総称である。作業室39は、イオ
ン光学系38，２次荷電粒子検出器８，試料６等を内部に
収容する真空容器である。真空排気系40は、作業室39の
内部に圧力10^-5Torr以下の真空状態に保つための装置で
ある。さて、第１図で説明した本発明の実施例では、真
空ポンプ34の位置に関しては言及しなかった。もし、第
１図中の真空ポンプ34が第７図中の真空排気系40と独立
したものだと、装置が大型化し、また値段も高くなる。
そこで本発明では、制御室17の排気を第７図の様にバル
ブ29及び配管41を通して真空排気系40の接続することに
より行い、装置の大型化及び値段の上昇を最小限にし
た。

尚、制御室17の排気をバルブ30を開いてノズル16のみか
ら行なうと、制御室17内の充分な排気が行われずに、制
御室17等の内壁から発生する不純物アウトガスにより、
エッチングガスの純度が落ちて先に述べた様な不都合が
生じる。次に第８図の制御室の排気例に関して説明す
る。第８図中のイオン光学系38，作業室39は第７図で説
明したものと同等である。第８図中、40ａ及び40ｂは真
空排気系，41ａは配管，42はゲートバルブ，43は予備室
である。ここで真空排気系40ａは、作業室39の内部を圧
力10^-5Torr以下の真空状態に保つための装置である。ゲ
ートバルブ42及び予備室43は、試料６のマスクの欠陥修
正装置から出し入れするためのものである。すなわち、
試料を装置に設置するときには、ゲートバルブ42を閉じ
た状態で予備室43内の真空を破り、大気圧にして試料を
予備室47内に挿入する。そして予備室43内を真空排気
し、ゲートバルブ42を開いて試料を予備室43内から作業
室39内の所定位置へ移動させる。試料を装置から取り出
すときには以上の逆の操作を行なう。真空排気系40ｂ
は、予備室43内を真空排気する装置である。第８図の本
発明の実施例では、制御室17の排気をバルブ29及び配管
41ａを通して行なうことにより、装置の大型化及び値段
の上昇を最小限にしながら、制御室17内の必要な排気を
行なうことを実現したものである。

尚、第８図の実施例では、予備室43の真空を破るときに
はバルブ27を閉じる。

第１図の本発明の実施例では、制御室17の圧力制御を可
変流量バルブ33により制御室17に流入するエッチングガ
スの流量を制御して行なったが、第９図を用いて、制御
室17内のエッチングガス圧力制御を、制御室17に流入す
るエッチングガス流量を一定にしながら制御室17の排気
速度を変化させて行なう本発明の実施例について説明す
る。第９図において、ノズル16，配管19及び20，バルブ
30，制御室17，真空ゲージ31，真空ポンプ34，フィルタ
ー26及び27，乾燥剤28，レギュレータ25，リザーバ18は
第１図で説明したものと同等である。第９図中、32ａは
圧力コントローラ，44は可変流量バルブ，45はコンダク
タンスバルブである。ここで制御室17内の圧力制御は、
以下の様にして行なう。すなわち、制御室17に流入する
エッチングガスは、一定のコンダクタンスを持つコンダ
クタンスバルブ45を通して、コンダクタンスバルブ45の
リザーバ側の圧力に応じた流入量の状態にする。制御室
17内の圧力は、制御室17に取付けられた真空ゲージ31に
より検出されて、圧力信号が真空ゲージ31から圧力コン
トローラ32ａへ送られる。圧力コントローラ32ａは、真
空ゲージ31から送られてくる圧力信号をもとに、制御室
17内圧力とあらかじめ設定された圧力値との差や、制御
室17内圧力の経時変化等を計算して、制御室17内圧力を
あらかじめ設定された圧力に保つための信号を可変流量
バルブ44に送る。可変流量バルブ44は、圧力コントロー
ラ32ａから送られてくる信号に応じてコンダクタンスを
変化させることにより、制御室17を排気する速度を制御
する。この様にして制御室17に流入するエッチングガス
の流入量と、制御室17の排気速度との間のバランスをと
ることにより制御室17内の圧力制御を行なう。

尚、第９図で説明した実施例では、リザーバ18をボンベ
としているが、第５図及び第６図で説明したパーミエー
ターをリザーバ中に使用しても本実施例は有効である。
また、第９図中の真空ポンプ34を第７図または第９図で
説明した様な真空排気系で行っても本実施例は有効であ
る。

〔発明の効果〕

本発明では、マスクまたはレチクルの黒欠陥修正時に集
束イオンビーム及びエッチングガスを黒欠陥位置に照射
することにより、以下の効果を得るものである。すなわ
ち、塩素をエッチングガスとして使用すると、イオンビ
ームとして照射されたガリウムと塩素が反応して揮発性
の塩化ガリウムとなり、マスク表面のガリウムが残らな
くなって光透過率が向上する。

また、エッチングガスの存在によりエッチング面が完全
な平滑面となり（平滑エッチングと呼ぶ）光の散乱に原
因する光透過率の低下が起こらなくなる。

またさらに、マスク表面から放出される２次イオンを２
次荷電粒子検出器で検出したとき、塩素の様なエッチン
グガスが存在すると、パターン膜が多層膜の様に酸化物
等の有無にかかわらず、注目元素が存在しさえずれば注
目元素の２次イオン強度は高い状態で一定となる。この
ため、黒欠陥修正の終了点の判断が容易になり、黒欠陥
修正の信頼性が高くなる。ほかに、エッチングガスをパ
ターン膜除去部のみに局所的にかつ流量制御しながら供
給するために、当装置内真空状態を悪くすることなく安
定に黒欠陥修正が行える。さらにほかに、ガスインジェ
クターにフィルター及び乾燥剤を取付けたり、制御室を
ターボ分子ポンプ等で排気することにより、不純物を含
まない純粋なエッチングガスを供給することができ、黒
欠陥修正を不純物で汚染することなく行える。またさら
にほかに、制御室の圧力を検出する真空ゲージをダイヤ
フラムタイプにすることにより、エッチングガスによっ
て真空ゲージが損傷することなく、かつ真空ゲージによ
ってエッチングガスが変質することなく、エッチングガ
スの流量を正確に行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の全体構成図、第２図は従来装置の
全体構成図、第３図は黒欠陥修正を説明するための断面
図、第４図は制御室を補足説明するための部分構成図、
第５図はリザーバにパーミエーターを使用したガスイン
ジェクターの実施例を説明するための部分構成図、第６
図はパーミエーターを説明するための断面図、第７図及
び第８図は制御室の排気の実施例に関して説明するため
の構成図、第９図は制御室の圧力制御の実施例に関して
説明するための部分構成図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八坂 行人 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 審査官 番場 得造

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】イオンを発生するイオン源と、前記イオン
   を集束イオンビームとするイオンレンズ系と、前記集束
   イオンビームを走査しつつ試料に照射する偏向電極と、
   前記試料の表面から放出される２次荷電粒子を検出する
   ２次荷電粒子検出器と、前記イオン源、イオンレンズ
   系、偏向電極及び２次荷電粒子検出器を真空雰囲気中に
   置くための真空排気系と、前記２次荷電粒子の平面強度
   分布に基づいて前記試料上に形成されているパターンを
   表示する画像表示装置からなり、前記パターンの余剰部
   分に選択的に集束イオンビームを繰り返し走査しながら
   照射して、スパッタリング効果により前記パターンの余
   剰部分を除去する手段によりなるマスクの欠陥修正装置
   において、 マスクの欠陥修正時における光透過率を低下させる原因
   を取り除き、かつマスクの欠陥修正の信頼性を高めるこ
   とを目的として、 前記パターンの余剰部分にエッチングガスを供給するた
   めのガスインジェクターを備え、前記ガスインジェクタ
   ーが、エッチングガスを前記余剰部分に吹きつけるノズ
   ルと、エッチングガス供給源であるリザーバと、真空ゲ
   ージで内部の圧力を測定することのできる制御室と、前
   記ノズルと前記リザーバと前記制御室とを配管でつない
   だ構造であり、前記制御室の圧力を制御することにより
   前記エッチングガスの前記余剰部分への供給量を制御し
   たことを特徴とするマスクの欠陥修正装置。
2. 【請求項２】前記制御室と前記リザーバとの間に、可変
   流量バルブを設けて、前記制御室の圧力制御を前記可変
   流量バルブにより前記制御室に流入するエッチングガス
   流入量を制御して行なうことを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
3. 【請求項３】前記制御室が、可変流量バルブを介して真
   空ポンプにつながる構造であり、前記制御室の圧力制御
   を前記制御室の前記真空ポンプによる排気速度を前記可
   変流量バルブによって行うことを特徴とする、特許請求
   の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
4. 【請求項４】前記真空ゲージがダイヤフラムタイプまた
   はスピニング・ロータータイプの真空ゲージであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥
   修正装置。
5. 【請求項５】前記制御室と前記リザーバとをつなぐ配管
   には、細孔の開いたフィルターを設け、前記フィルター
   の前記リザーバ側に乾燥剤を設けたことを特徴とする、
   特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
6. 【請求項６】前記制御室は、真空ポンプにより前記ノズ
   ル以外からも真空排気できる構造になっており、前記真
   空ポンプがターボ分子ポンプまたはクライオポンプある
   いは水銀拡散ポンプであることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
7. 【請求項７】前記制御室は、真空ポンプにより前記ノズ
   ル以外からも真空排気できる構造になっており、前記真
   空排気系が前記真空ポンプを併用していることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装
   置。
8. 【請求項８】前記リザーバ中に、浸透性のセル中に濃縮
   エッチング材を詰めた構造しているパーミエーターを使
   用したことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の
   マスクの欠陥修正装置。