JPH01109350A

JPH01109350A - マスクの欠陥修正装置

Info

Publication number: JPH01109350A
Application number: JP62268678A
Authority: JP
Inventors: Yoshitomo Nakagawa; 良知中川; Mitsuyoshi Sato; 佐藤　光義; Sumio Sasaki; 澄夫佐々木; Osamu Hattori; 修服部; Kojin Yasaka; 行人八坂
Original assignee: Seiko Instruments Inc
Current assignee: Seiko Instruments Inc
Priority date: 1987-10-23
Filing date: 1987-10-23
Publication date: 1989-04-26
Anticipated expiration: 2009-08-10
Also published as: JPH0661001B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は集積回路等の製造工程で使用するマスク及びレ
チクルの欠陥修正装置に関するものである。

〔発明の概要〕

基板上に特定パターンを形成した試料の特定箇所に集束
イオンビームを照射し、該パターンを余剰部分をイオン
スパッタにより除去（以下、黒欠陥修正と呼ぶ）するマ
スクの欠陥修正装置において、黒欠陥修正を行なう際に
集束イオンビーム照射位置にエツチングガスを供給する
ことにより、黒欠陥修正の信開性を高め、しかも高品質
に行なうものである。

尚、ここで云う高品質とはフォトマスクの黒欠陥修正に
おいては、黒欠陥修正部分の光透過率が高いことを意味
する。また、試料とはフォトマスクやレチクル、または
Ｘ、％ｌＩマスク等である。

（従来の技術〕従来のマスクの欠陥修正装置を第２図に示す。

イオン源１より発生したイオンは、集束レンズ２゜対物
レンズ３のイオン光学系を通ることにより、所定半径（
１μ以下）の集束イオンビーム５となり、また走査電極
４を通ることにより試料６表面上を走査する。　　　゛試料６表面のパターン膜余剰部を予め設定したデータに
よりＸＹステージ７を動かし、集束イオンビーム直下に
し、または／さらに走査している集束イオンビーム５の
照射により試料から放出される２次荷電粒子８を２次荷
電粒子検出器９により検出し、Ａ／Ｄ変換器１０等の電
子回路を経て、表示装置１１に２次荷電粒子の検出パタ
ーンを表示し、肉視にてパターン膜余剰部を観察、認定
し、ＸＹステージ７にて、集束イオンビーム走査範囲内
に前記パターン膜余剰部が入るように試料６を移動させ
る。

パターン膜余剰部の位置及び範囲を設定し、走　。

査電極４およびブランキング電極１２によるイオンビー
ムの走査及びブランキング（イオンビームを試料に到達
しないように外へどけること）し、所定の余剰部のみに
集束イオンビーム５が走査するように照射する。この様
にパターン余剰部のみに集束イオンビームが走査により
繰り返し照射されるために、その所定部分のパターン膜
はイオンによるスパッタリング（スパッタエッチ）によ
り、除去される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来のマスクの欠陥修正装置は、黒欠陥修正を集束イオ
ンビームによるスパッタリング（スパッタエツチング）
のみで行っていたために問題点が生じていた。すなわち
、スパッタエツチングのみでフォトマスクの黒欠陥修正
を行なうと、集束イオンビーム（通常ガリウムイオン）
の照射により基板表面にガリウムが残り、黒欠陥修正部
の光透過率が下がっていた。また、スパッタエツチング
ではエツチング面が完全な平滑面でなく光が散乱されて
その結果光透過率が下がっていた。さらにパターン膜が
例えば、クロムと酸化クロムの多層膜である場合にはク
ロム層や酸化クロム層やパターンと基板との境界層で２
次荷電粒子の強度が変化し、黒欠陥修正の終了点の判断
が難しく、黒欠陥修正が未了だったりあるいは基板に不
用な傷を付けたりして、黒欠陥修正の信頼性が高くなか
った。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記問題点を解決するものである。

すなわち、イオンを発生するイオン源と、前記イオンを
集束イオンビームとするイオンレンズ系と、前記集束イ
オンビームを走査しつつ試料に照射する偏向電極と、前
記試料の表面から放出される２次荷電粒子を検出する２
次荷電粒子検出器と、前記イオン源、イオンレンズ系、
偏向電極及び２次荷電粒子検出器を真空雰囲気中に置く
ための真空排気系と、前記２次荷電粒子の平面強度分布
に基づいて前記試料上のパターンを表示する画像表示装
置からなり、前記パターンの余剰部分に選択的に集束イ
オンビームを繰り返し走査しながら照射して、スパッタ
リング効果により前記パターンの余剰部分を除去する手
段よりなるマスクの欠陥修正装置において、前記パター
ンの余剰部分にエツチングガスを供給するためのガスイ
ンジェクターを備え、前記ガスインジェクターがエツチ
ングガスを、前記余剰部分に吹き付けるノズルと、エツ
チングガス供給源であるリザーバと、真空ゲージで内部
の圧力を測定することのできる制御室と、前記ノズルと
前記リザーバと前記２１１８室とを配管でつないだ構造
であり、前記Ｍ連室の圧力を制御することにより前記エ
ツチングガスの前記余剰部分への供給量を制御したこと
を特徴とするマスクの欠陥修正装置である。

尚、エツチングガスは特願昭６２−５８３６０号に述べ
られているように、例えば塩素である。

〔作用〕

本発明では、マスクまたはレチクルの黒欠陥修正時に集
束イオンビームおよびエツチングガスを黒欠陥位置に照
射することにより、以下の作用を得るものである。すな
わち、塩素をエツチングガスとして使用すると、イオン
ビームとして照射されたガリウムと塩素が反応して揮発
性の塩化ガリウムとなり、マスク表面にガリウムが残ら
なくなって光透過率が向上する。また、エツチングガス
の存在によりエツチング面が完全な平滑面となり（平滑
エツチングと呼ぶ）、光の散乱に原因する光透過率の低
下が起こらな（なる０以上説明したガリウム残留物の除
去作用及び平滑エツチング作用は、例えば１９８７年の
理化学研究所第１８回シンポジウム「イオン注入とサブ
ミクロン加工」での報告Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ　　Ｅｎ
ｈａｎｃｅｄ　　ＧａＡｓ　　Ｓ＋ｍｏｏｔｈ　　５ｕ
ｒｆａｃｅ　　Ｉｔｃｈ＊ｎｇ　（Ｉｓｉｎｇ　Ｎｏｖ
ｅｌ　Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｊｏｎ　Ｂｅａｍ　Ｌ’ｔｃｈ
ｉａｇ　５ｙｓｔｅａ　ｗｉｔｈ　ＣＪ　ｚ　Ｎｏｚｚ
ｌｅ中で述べられている。ただし上記文献では基板がヒ
化ガリウムである。基板がマスクまたはレチクルの場合
でもガリウム残留物の除去作用及び平滑エツチング作用
が得られることは、哉々が確認した。またさらに、マス
ク表面から放出される２次イオンを２次荷電粒子検出器
で検出したとき、塩素のようなエツチングガスが存在す
ると、パターン膜が多層膜の様に酸化物等の有無にかか
わらず、注目元素が存在しさえすれば注目元素の２次イ
オン強度は高い状態で一定となる。この為、黒欠陥修正
の終了点の判断が容易になり、黒欠陥修正の信頼性が高
くなる。ほかに、エツチングガスをパターン膜除去部の
みに局所的にかつ流量制御しながら供給するために、当
装置内真空状態を悪くすることなく安定に黒欠陥修正が
行える。さらにほかに、ガスインジェクターにフィルタ
ー及び乾燥剤を取付けたり、制御室をターボ分子ポンプ
等で排気することにより、不純物を含まない純粋なエツ
チングガスを供給することができ、黒欠陥修正を不純物
で汚染することなく行える。またさらにほかに、制御室
の圧力を検出する真空ゲージダイヤフラムタイプにする
ことにより、エツチングガスによって真空ゲージが損傷
することな（、かつ真空ゲージによってエツチングガス
が変質することなく、エツチングガスの流量を正確に行
なうことができる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。

第１図は本発明にかかるマスクの欠陥修正装置を示す、
１はイオン源でイオンを発生する。イオン源ｌは、例え
ばガリウムの液体金属イオン源である。イオン源ｌより
発生したイオンは集束レンズ２および対物レンズ３のイ
オンレンズ系を通過することにより集束化され、集束イ
オンビーム５となる。４は走査電極で走査電圧が印加さ
れる。

イオンビームは走査電極４を通過することにより、試料
６の表面上を走査しながら、集束イオンビーム５を照射
することになる。ここで試料６はフォトマスクやレチク
ル或いはＸ線マスク等である。

試料６の表面からは、集束イオンビーム５を照射するこ
とにより、２次荷電粒子８を放出する。試料６がフォト
マスクの場合、２次荷電粒子８は基板材質のシリコンイ
オンやパターン材質のクロムイオン或いはモリブデンイ
オンである。また、２次荷電粒子８は電子であることも
ある。９は２次荷電粒子検出器で、２次荷電粒子８を検
出する。

以上の系は、真空排気系（図示せず）によって圧力１０
−’Ｔｏｒｒ以下の雰囲気内に置かれている。　１０は
Ａ／Ｄ変換器で、２次荷電粒子検出器９で検出した２次
荷電粒子信号を電気処理して表示装置１１に表示する。

試料６上のパターンの配置等の状況の表示は、集束イオ
ンビーム５の走査と表示装ｆｉｌｌの走査表示とを同期
させることにより得られる。

７はＸＹステージであり、試料６を設置した状態でＸ及
びＹ方向に移動する。予め設定された試料６上の位置デ
ータによりＸＹステージ７は、試料６の所望の位置例え
ば黒欠陥が集束イオンビーム５の走査範囲内にくるよう
に移動できる。１２はブランキング電極である。集束イ
オンビーム５を試料６の表面上に照射して試料に不用な
ダメージをあたえてはならないときは、ブランキング電
極１２にブランキング電圧を印加することにより集束イ
オンビーム５を試料６の表面に照射しない様にする。

第３図は、黒欠陥修正部の断面図の例である。

試料６がフォトマスクである場合、試料６はガラス基板
１３上にクロムやモリブデンシリサイドのパターン膜１
４及びパターン膜余剰部１４ａが形成されている。この
パターン膜余剰部１４ａが、いわゆる黒欠陥と呼ばれる
もので、本装置にて除去しようとするものである０本装
置による黒欠陥修正では、パターン膜余剰部１４ｍに対
してのみ集束イオンビームが照射される。このとき、エ
ツチングガス１５は、細管状のノズル１６によりパター
ン膜余剰部１４ａに局所的に吹きつけられる。このエツ
チングガス１５は例えば塩素であり、黒欠陥修正後の修
正部跡を完全な平滑面にし、またガリウム等の残留物を
残さない作用を持つ、また塩素は、イオンビーム照射に
より放出される２次イオンの収率を高める作用があるた
め黒欠陥修正の終了点の判断が容具になり、黒欠陥修正
の信頼性が高くなる。

第１図に戻り、本発明の特徴であるガスインジェクター
に関して以下に説明する。ガスインジェクターは第１図
中、１６のノズル、　１７の制御室、１８のリザーバ、
１９及び２０の配管、２５のレギュレータ。

２６及び２７のフィルター、２８の乾燥剤、２９及び３
０のパルプ１３）の真空ゲージ、３２の圧力コントロー
ラ。

３３の可変流量パルプで構成されている。また、３４は
真空ポンプである。リザーバ１８は、エツチングガスが
充填されている例えばボンベである。リザーバ！８がボ
ンベである場合、エツチングガスは、ボンベ内圧力を減
圧するためのレギュレータ２５を通して、配管２０へ流
出する。ここで配管１９及び２０は例えば１／４インチ
のステンレスのチューブである。エツチングガスはレギ
ュレータ２５から流出した後、フィルター２６．２７及
び乾燥剤２８を通して可変流量パルプ３３に至る。ここ
で、乾燥剤２８はエツチングガス中に不純物として存在
する水分や配管内壁に付着した水分を除去するためのも
のである。

もし、エツチングガス中に水分が存在すると、黒欠陥修
正時に水分子が黒欠陥修正位置に付着して、エツチング
の進行を妨げる等の問題が起こる。また、乾燥剤２８は
エツチングガスに対して化学的に安定なものでなければ
ならない。何故ならば、乾燥剤２８がエツチングガスに
対して化学的に不安定で反応が起こると、反応で生じた
不純物がエツチングガス中に不純物ガスとして混入し、
黒欠陥修正の進行を妨げたり、不純物が黒欠陥位置に堆
積して不都合が生じるからである。エツチングガスが塩
素の場合、乾燥剤２８は例えば過塩素酸マグネシウムで
ある。

尚、エツチングガス種によって乾燥ｗ１２８の種類が変
わることは云うまでもない、フィルター２６及び２７は
、多数の細孔の開いた構造をしており、エツチングガス
のみをフィルターを通して流し、塵等を通さない働きを
している。これは、乾燥剤２８の粉が可変流量バルブ３
３やレギユレータ２５に達して、可変流量パルプ３３を
つまらせたりする機能妨害を起こさせないためのもので
ある。さて、可変流量バルブ３３を通して制御室１７に
流入したエツチングガスは、制御室１７内で圧力ｆｉｌ
１ｍされた状態にある。そして、黒欠陥修正時にはパル
プ３ｏ及びノズル１６を通して集束イオンビーム５の照
射位置すなわち黒欠陥位置に吹き付けられる。ここで制
御室１７内の圧力ｖＪ御は、以下の様にして行なう、す
なわち、制御室１７内の圧力は、制御室１７に砲付けら
れた真空ゲージ３）により検出されて、圧力信号が真空
ゲージ３）から圧力コントローラ３２へ送られる。圧力
コントローラ３２は真空ゲージ３）から送られてくる（
３号をもとに、ｍｍ室１７内圧力と予め設定された圧力
値の差や、制御室１７内圧力の経時変化等を計算して、
制御室１７内圧力をあらかじめ設定された圧力に保つた
めの信号を可変流量バルブ３３に送る。可変流量バルブ
３３は、圧力コントローラ３２から送られてくる信号に
応じてコンダクタンスを変化させることにより、ｗＩ？
ｌＩ室１７に流すエツチングガスの流量を１１１Ｉｌす
る。ここで制御室１７内の圧力をコントロールする目的
は、ノズル１６から吹き出すエツチングガスの流量を制
御することにある。）・ズル１６から吹き出すエツチン
グガスの流量が少なすぎると〔作用〕で説明した作用が
起こらず、また多過ぎるとイオン源ｌや２次荷電粒子検
出器９の寿命を短くする。制御室１７内の圧力は、ノズ
ル１６の径や長さ等によって最適値が異なるが、おおむ
ね１０４〜２　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒの間で黒欠陥修正時
には一定に保たれる。また一般に使用される真空ゲージ
は、電離真空計や熱電対真空計等があるが、エツチング
ガスが塩素の様に腐食性ガスである場合にはａｉ制御室
１７の圧力測定には適さない、何故ならば、電離真空計
や熱電対真空計はゲージ内のフィラメントを加熱するた
め、このフィラメントとエツチングガスが反応してフィ
ラメントの経時変化が起こり、圧力が正確に測定できな
（なるばかりでなく、フィラメントとエツチングガスの
反応生成物がエツチングガスの不純物ガスとなり、黒欠
陥修正がうまく行われなくなるためである０本発明で使
用する真空ゲージ３）はダイヤフラムタイプまたはスピ
ニング・ロータータイプの真空ゲージでなければならな
い、ダイヤフラムタイプの真空ゲージは耐腐食性に優れ
た金属ダイヤフラムの変位により圧力を検出するため、
圧力測定値の経時変化が起こらず、またエツチングガス
の反応生成物も生じない、スピニング・ロータータイフ
ッ真空ゲージは、磁気浮上して回転している鋼球の回転
数の変化が鋼球の置かれた圧力と比例することを利用し
たもので、圧力測定値の経時変化やエツチングガスの反
応生成物が生じない０本発明で使用する真空ゲージ３）
は、例えば日本ＭＫＳ■社製のバラトロン真空ゲージで
ある。一方、パルプ３０は、エツチングガスをノズル１
６から吹き出すときに開き、エツチングガスをノズル１
６から吹き出す必要のないときには閉めておくためのも
のである。また、真空ポンプ３４は、リザーバを交換・
取付けしたときに配管内に入った空気を排気したり、配
管内壁及び制御室内壁等から出てくるアウトガスを排気
するためのものである。真空ポンプ３４による１ｉ制御
室１７の排気は、必要に応じてパルプ２９を開閉するこ
とにより行なう、ここで、ＩＦＩ室１室内７内純物ガス
分圧はｌ制御室１７内のエツチングガス分圧の１′％以
下に保つ、もし、真空ポンプ３４がロータリーポンプや
油拡散ポンプだと、ポンプに使用しているオイル蒸気が
制御室１７内に流入して不純物ガスとなったり、エツチ
ングガスと反応して不都合が生じる。そこで真空ポンプ
３４は不都合な不純物ガスを使用しないターボ分子ポン
プ、クライオポンプ或いは水銀拡散ポンプでなければな
らない、第１図で説明したＭ連室１７は、内部の圧力を
制御するための特別な部屋であったが、第４図に示した
ものでも本発明と同等である。第４図では、真空ゲージ
３）で圧力測定するところが、配管２０や配管１９と同
等である配管３５であるが、配管３５内の圧力を制御す
ることによってノズル１６から吹き出すエツチングガス
の流量をコントロールできるので、第４図中の配管３５
は第１図中の制御室１７と同等である。

尚、本発明で修正する試料６は、ガラス基板上にクロム
やモリブデンシリサイド等でパターンが描かれているフ
ォトマスクばかりでなく、シリコンや窒化シリコン等の
基板上に金やタンタルやタングステン等でパターンの措
かれたＸ線マスクでも平滑エツチングが行われて有効で
ある。

第１図では、リザーバ１８にボンベを使用した本発明の
詳細な説明してきたが、次にリザーバにパーミエータ−
を使用した実施例を第５図及び第６図を用いて説明する
。第６図はパーミエータ−の例を説明する図で、３６は
セル、３７は濃縮エツチング材である。濃縮エツチング
材３７は、例えばエツチングガスが塩素の場合には液体
塩素である。

セル３６は、材質が例えばＰＴＦＥ等の樹脂でできてお
り、内部に詰められた濃縮エツチング材３７が樹脂内を
浸透拡散して、セル３６の表面からエツチングガスが発
生する。尚、パーミエータ−は、パーミニ−シランチュ
ーブまたはデイフュージョンチューブとして例えばガス
チック■から市販されている。第５図は、リザーバにパ
ーミエータ−を使用したガスインジェクターを説明する
図である。

第５図中、ノズル１６．配管１９及び２０．バルブ２９
及び３０．制御室１７．真空ポンプ３４．真空ゲージ３
）゜圧力コントローラ３２．可変流量パルプ２７．乾燥
剤３５は、第１図を用いて説明したものと同等である。

第５図中のリザーバ１８ａは、中に乾燥剤２８とパーミ
エータ−３５が置かれてい番容器である。パーミエータ
−３５は第６図で説明したものでエツチングガスを発生
し、エツチングガスはリザーバ１８ａ内で乾燥剤２８に
より乾燥した状態になる。リザーバ１８ａ内で発生した
乾燥したエツチングガスは、細孔の開いた構造のフィル
ター２７で塵等を除去されて配管２０を通して可変流量
バルブ３３に至る。可変流量バルブ３３以降のガスイン
ジェクターの働き及びエツチングガスの動きは、第１図
で説明したものと同等である。

次に、本発明のマスクの欠陥修正装置の真空排気に関し
て第７図及び第８図を用いて説明する。

第７図及び第８図の中で、集束イオンビーム５゜２次荷
電粒子検出器９．２次荷電粒子８．試料６゜イオン源１
．バルブ３０．配管１９．ノズル１６．バルブ２９．制
御室１７．真空ゲージ３）．圧力コントローラ３２．可
変流量パルプ３３．配管２０．フィルター２６及び２７
．乾燥剤２８．レギュレーター２５．リザーバ１８は、
第１図を用いて説明したものと同等である。

第７図中、３８はイオン光学系、３９は作業室、４０は
真空排気系、　４１は配管である。イオン光学系３８は
、第１図で説明した集束レンズ２．ブランキング電極１
２．走査電極４．対物レンズ３等の総称である。

作業室３９は、イオン光学系３８．２次荷電粒子検出器
８．試料６等を内部に収容する真空容器である。

真空排気系４０は、作業室３９の内部に圧力１０−　’
Ｔｏｒｒ以下の真空状態に保つための装置である。さて
、第１図で説明した本発明の実施例では、真空ポンプ３
４の位置に関しては言及しなかった。もし、第１図中の
真空ポンプ３４が第７図中の真空排気系４０と独立した
ものだと、装置が大型化し、また値段も高くなる。そこ
で本発明では、制御室１７の排気を第７図の様にバルブ
２９及び配管４１を通して真空排気系４０の接続するこ
とにより行い、装置の大型化及び値段の上昇を最小限に
した。

尚、制御室１７の排気をバルブ３０を開いてノズル！６
のみから行なうと、制御室１７内の充分な排気が行われ
ずに、制御室１７等の内壁から発生する不純物アウトガ
スにより、エツチングガスの純度が落ちて先に述べた様
な不都合が生じる０次に第８図の制御室の排気例に関し
て説明する。第８図中のイオン光学系３８９作業室３９
は第７図で説明したものと同等である。第８図中、４０
ａ及び４０ｂは真空排気系、４１ａは配管、４２はゲー
トパルプ、４３は予備室である。ここで真空排気系４０
ａは、作業室３９の内部を圧力１０−’Ｔｏｒｒ以下の
真空状態に保つための装置である。ゲートパルプ４２及
び予備室４３は、試料６をマスクの欠陥修正装置から出
し入れするためのものである。すなわち、試料を装置に
設置するときには、ゲートパルプ４２を閉じた状態で予
備室４３内の真空を破り、大気圧にして試料を予備室４
７内に挿入する。そして予備室４３内を真空排気し、ゲ
ートバルブ４２を開いて試料を予備室４３内から作業室
３９内の所定位置へ移動させる。試料を装置から取り出
すときには以上の逆の操作を行なう。

真空排気系４０ｂは、予備室４３内を真空排気する装置
である。第８図の本発明の実施例では、ｗｉ御皇室１７
排気をパルプ２９及び配管４１ａを通して行なううこと
により、装置の大型化及び値段の上昇を最小限にしなが
ら、制御室１７内の必要な排気を行なうことを実現した
ものである。

尚、第８図の実施例では、予備室４３の真空を破るとき
にはパルプ２７を閉じる。

第１図の本発明の実施例では、制御室１７の圧力制御を
可変流量パルプ３３により制御室１７に流入するエツチ
ングガスの流量を制御して行なったが、第９図を用いて
、制御室１７内のエツチングガス圧力制御を、制御室１
７に流入するエツチングガス流量を一定にしながら制御
室１７の排気速度を変化させて行なう本発明の実施例に
ついて説明する。第９図において、ノズル１６．配管１
９及び２０．パルプ３０、制御室１７．真空ゲージ３）
．真空ポンプ３４．フィルター２６及び２７．乾燥剤２
８．レギュレータ２５゜リザーバ１８は第１図で説明し
たものと同等である。

第９図中、３２ａは圧力コントローラ、４４は可変流量
バルブ、４５はコンダクタンスパルプである。ここで制
御室１７内の圧力１１１１御は、以下の様にして行なう
、すなわち、制御室１７に流入するエツチングガスは、
一定のコンダクタンスを持つコンダクタンスパルプ４５
を通して、コンダクタンスパルプ４５のリザーバ側の圧
力に応じた流入量の状態にする。

制御室１７内の圧力は、ｍｍ室１７に取付けられた真空
ゲージ３）により検出されて、圧力信号が真空ゲージ３
）から圧力コントローラ３２Ｍへ送られる。圧力コント
ローラ３２ａは、真空ゲージ３）から送られてくる圧力
信号をもとに、ｆｌＩＷｊ室１７内圧力とあらかじめ設
定された圧力値との差や、制御室１７内圧力の経時変化
等を計算して、制御室１７内圧力をあらかじめ設定され
た圧力に保つための信号を可変流量バルブ４４に送る。

可変流量バルブ４４は、圧力コントローラ３２ａから送
られてくる信号に応じてコンダクタンスを変化させるこ
とにより、制御室１７を排気する速度を制御する。この
様にして制御室１７に流入するエツチングガスの流入量
と、制御室１７の排気速度との間のバランスをとること
により制御室１７内の圧力制御を行なう。

尚、第９図で説明した実施例では、リザーバ１８をボン
ベとしているが、第５図及び第６図で説明したパーミエ
ータ−をリザーバ中に使用しても本実施例は有効である
。また、第９図中の真空ポンプ３４を第７図または第９
図で説明した様な真空排気系で行っても本実施例は有効
である。

〔発明の効果〕

本発明では、マスクまたはレチクルの黒欠陥修正時に集
束イオンビーム及びエツチングガスを黒欠陥位置に照射
することにより、以下の効果を得るものである。すなわ
ち、塩素をエツチングガスとして使用すると、イオンビ
ームとして照射されたガリウムと塩素が反応して揮発性
の塩化ガリウムとなり、マスク表面にガリウムが残らな
くなって光透過率が向上する。

また、エツチングガスの存在によりエツチング面が完全
な平滑面となり（平滑エツチングと呼ぶ）光の散乱に原
因する光透過率の低下が起こらなくなる。

またさらに、マスク表面から放出される２次イオンを２
次荷電粒子検出器で検出したとき、塩素の様なエツチン
グガスが存在すると、パターン膜が多層膜の様に酸化物
等の有無にかかわらず、注目元素が存在しさえすれば注
目元素の２次イオン強度は高い状態で一定となる。この
ため、黒欠陥修正の終了点の判断が容易になり、黒欠陥
修正の信鯨性が高くなる。ほかに、エツチングガスをパ
ターン膜除去部のみに局所的にかつ流量制御しながら供
給するために、当装置内真空状態を悪くすることなく安
定に黒欠陥修正が行える。さらにほかに、ガスインジェ
クターにフィルター及び乾燥フチングガスを供給するこ
とができ、黒欠陥修正を不純物で汚染することなく行え
る。またさらにほかに、制御室の圧力を検出する真空ゲ
ージをダイヤフラムタイプにすることにより、エツチン
グガスによって真空ゲージが損傷することなく、かつ真
空ゲージによってエツチングガスが変質することなく、
エツチングガスの流量を正確に行なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の全体構成図、第２図は従来装置の
全体構成図、第３図は黒欠陥修正を説明するための断面
図、第４図は制御室を補足説明するための部分構成図、
第５図はリザーバにパーミエータ−を使用したガスイン
ジェクターの実施例を説明するための部分構成図、第６
図はパーミエータ−を説明するための断面図、第７図及
び第８図は制御室の排気の実施例に関して説明するため
の構成図、第９図は制御室の圧力制御の実施例に関して
説明するための部分構成図である。以上出願人　セイコー電子工業株式会社第２図第３図第６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）イオンを発生するイオン源と、前記イオンを集束
イオンビームとするイオンレンズ系と、前記集束イオン
ビームを走査しつつ試料に照射する偏向電極と、前記試
料の表面から放出される２次荷電粒子を検出する２次荷
電粒子検出器と、前記イオン源、イオンレンズ系、偏向
電極及び２次荷電粒子検出器を真空雰囲気中に置くため
の真空排気系と、前記２次荷電粒子の平面強度分布に基
づいて前記試料上に形成されているパターンを表示する
画像表示装置からなり、前記パターンの余剰部分に選択
的に集束イオンビームを繰り返し走査しながら照射して
、スパッタリング効果により前記パターンの余剰部分を
除去する手段によりなるマスクの欠陥修正装置において
、マスクの欠陥修正時における光透過率を低下させる原因
を取り除き、かつマスクの欠陥修正の信頼性を高めるこ
とを目的として、前記パターンの余剰部分にエッチングガスを供給するた
めのガスインジェクターを備え、前記ガスインジェクタ
ーが、エッチングガスを前記余剰部分に吹きつけるノズ
ルと、エッチングガス供給源であるリザーバと、真空ゲ
ージで内部の圧力を測定することのできる制御室と、前
記ノズルと前記リザーバと前記制御室とを配管でつない
だ構造であり、前記制御室の圧力を制御することにより
前記エッチングガスの前記余剰部分への供給量を制御し
たことを特徴とするマスクの欠陥修正装置。
（２）前記制御室と前記リザーバとの間に、可変流量パ
ルプを設けて、前記制御室の圧力制御を前記可変流量パ
ルプにより前記制御室に流入するエッチングガス流入量
を制御して行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のマスクの欠陥修正装置。
（３）前記制御室が、可変流量パルプを介して真空ポン
プにつながる構造であり、前記制御室の圧力制御を前記
制御室の前記真空ポンプによる排気速度を前記可変流量
パルプによって行うことを特徴とする、特許請求の範囲
第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
（４）前記真空ゲージがダイヤフラムタイプまたはスピ
ニング・ロータータイプの真空ゲージであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装
置。
（５）前記制御室と前記リザーバとをつなぐ配管には、
細孔の開いたフィルターを設け、前記フィルターの前記
リザーバ側に乾燥剤を設けたことを特徴とする、特許請
求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
（６）前記制御室は、真空ポンプにより前記ノズル以外
からも真空排気できる構造になっており、前記真空ポン
プがターボ分子ポンプまたはクライオポンプあるいは水
銀拡散ポンプであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のマスクの欠陥修正装置。
（７）前記制御室は、真空ポンプにより前記ノズル以外
からも真空排気できる構造になっており、前記真空排気
系が前記真空ポンプを併用していることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマスクの欠陥修正装置。
（８）前記リザーバ中に、浸透性のセル中に濃縮エッチ
ング材を詰めた構造しているパーミエーターを使用した
ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載のマスク
の欠陥修正装置。