JPH0458624B2 - - Google Patents
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- JPH0458624B2 JPH0458624B2 JP22429085A JP22429085A JPH0458624B2 JP H0458624 B2 JPH0458624 B2 JP H0458624B2 JP 22429085 A JP22429085 A JP 22429085A JP 22429085 A JP22429085 A JP 22429085A JP H0458624 B2 JPH0458624 B2 JP H0458624B2
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- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製造に用いられるフ
オトマスク上に発生するピンホール等の欠陥の修
正方法に関する。
オトマスク上に発生するピンホール等の欠陥の修
正方法に関する。
［従来の技術］
半導体装置製造工程において用いられるフオト
マスクは通常以下のようにして形成される。すな
わち、まずガラス基板上にクロムまたは金属シリ
サイド等の金属膜がたとえばスパツタリング法を
用いて形成される。次に、この金属膜上に予め定
められたパターンを有するレジスト膜（フオトレ
ジスト膜またはEB（電子ビーム）レジスト膜）
を、光または電子ビームによる露光およびエツチ
ング処理により形成する。このレジスト膜をマス
クとして金属膜をエツチングすることにより所望
のパターンの金属膜を形成し、次に不要のレジス
ト膜を除去する。
マスクは通常以下のようにして形成される。すな
わち、まずガラス基板上にクロムまたは金属シリ
サイド等の金属膜がたとえばスパツタリング法を
用いて形成される。次に、この金属膜上に予め定
められたパターンを有するレジスト膜（フオトレ
ジスト膜またはEB（電子ビーム）レジスト膜）
を、光または電子ビームによる露光およびエツチ
ング処理により形成する。このレジスト膜をマス
クとして金属膜をエツチングすることにより所望
のパターンの金属膜を形成し、次に不要のレジス
ト膜を除去する。
このフオトマスク製造工程において用いられる
レジスト膜（フオトレジスト膜またはEBレジス
ト膜）に発生したピンホールや処理雰囲気中の不
純物等により、形成後のフオトマスクに残留欠陥
や欠損欠陥が発生する。このような欠陥が生じた
フオトマスクを半導体装置製造に用いた場合、所
望の転写パターンを形成することができず、当
然、製品の歩留りが低下する。したがつて、半導
体装置製造に用いられるフオトマスクは、このよ
うな欠陥の存在の有無を検査した後、その欠陥を
修正することが必要不可欠となる。以下、図面を
参照して従来の欠陥修正方法について説明する。
レジスト膜（フオトレジスト膜またはEBレジス
ト膜）に発生したピンホールや処理雰囲気中の不
純物等により、形成後のフオトマスクに残留欠陥
や欠損欠陥が発生する。このような欠陥が生じた
フオトマスクを半導体装置製造に用いた場合、所
望の転写パターンを形成することができず、当
然、製品の歩留りが低下する。したがつて、半導
体装置製造に用いられるフオトマスクは、このよ
うな欠陥の存在の有無を検査した後、その欠陥を
修正することが必要不可欠となる。以下、図面を
参照して従来の欠陥修正方法について説明する。
第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥
を有するフオトマスクの概略構成を示す図であ
る。第２Ａ図はその平面配置を示し、第２Ｂ図は
その断面構造を示す。第２Ａ図および第２Ｂ図に
おいて、フオトマスク１０は、石英ガラス基板１
と、石英ガラス基板１上の予め定められた領域に
形成される金属マスクパターン２とから形成され
る。金属マスクパターン２の一部には修正される
べき欠陥すなわちピンホール３が発生している。
を有するフオトマスクの概略構成を示す図であ
る。第２Ａ図はその平面配置を示し、第２Ｂ図は
その断面構造を示す。第２Ａ図および第２Ｂ図に
おいて、フオトマスク１０は、石英ガラス基板１
と、石英ガラス基板１上の予め定められた領域に
形成される金属マスクパターン２とから形成され
る。金属マスクパターン２の一部には修正される
べき欠陥すなわちピンホール３が発生している。
第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフオトマスク
の欠陥修正方法を示す図であり、たとえば特開昭
56−93324号公報に示されている。フオトマスク
１０の修正されるべき欠陥、すなわちピンホール
３の対向する位置にレーザビーム発生源４が配置
される。レーザビーム発生源４は、図示しない
が、レーザ発振器と光学系が含まれており、レー
ザビーム５を照射する位置、照射範囲等を確認で
きるようにされている。次に修正方法について説
明する。第３Ａ図において、レーザビーム発生源
４からのレーザビーム５は、ピンホール３を含む
金属マスクパターン２の微小領域６を照射する。
レーザビーム５の照射を受けた微小領域６の金属
マスクパターン材料は溶融し、ピンホール３へ流
入する。これにより、金属マスクパターン２に存
在したピンホール３は周囲からのパターン材料の
流入により埋め込まれ、第３Ｂ図に示されるよう
に不透明領域３′が形成される。この結果、ピン
ホール３は消失しピンホール欠陥が修正される。
の欠陥修正方法を示す図であり、たとえば特開昭
56−93324号公報に示されている。フオトマスク
１０の修正されるべき欠陥、すなわちピンホール
３の対向する位置にレーザビーム発生源４が配置
される。レーザビーム発生源４は、図示しない
が、レーザ発振器と光学系が含まれており、レー
ザビーム５を照射する位置、照射範囲等を確認で
きるようにされている。次に修正方法について説
明する。第３Ａ図において、レーザビーム発生源
４からのレーザビーム５は、ピンホール３を含む
金属マスクパターン２の微小領域６を照射する。
レーザビーム５の照射を受けた微小領域６の金属
マスクパターン材料は溶融し、ピンホール３へ流
入する。これにより、金属マスクパターン２に存
在したピンホール３は周囲からのパターン材料の
流入により埋め込まれ、第３Ｂ図に示されるよう
に不透明領域３′が形成される。この結果、ピン
ホール３は消失しピンホール欠陥が修正される。
［発明が解決しようとする問題点］
従来のフオトマスクの欠陥修正方法は上述のよ
うな方法で行なわれており、パターン材料を溶融
するために高出力パワーのレーザビーム発生源を
必要としていた。また、パターン材料および基板
に部分的に高温部が発生するので、その欠陥修正
部にストレスが溜まりやすく、その結果、欠陥修
正部において膜パターンと基板との剥離が発生す
る確率が高くなるなどの問題点があつた。また、
ピンホールの周囲のパターン材料を溶融してピン
ホールを埋め込むようにしているので、その部分
の膜厚が薄くなるという問題点もあつた。
うな方法で行なわれており、パターン材料を溶融
するために高出力パワーのレーザビーム発生源を
必要としていた。また、パターン材料および基板
に部分的に高温部が発生するので、その欠陥修正
部にストレスが溜まりやすく、その結果、欠陥修
正部において膜パターンと基板との剥離が発生す
る確率が高くなるなどの問題点があつた。また、
ピンホールの周囲のパターン材料を溶融してピン
ホールを埋め込むようにしているので、その部分
の膜厚が薄くなるという問題点もあつた。
それゆえ、この発明の目的は、上述のような問
題点を除去し、低出力レーザビーム発生源を用
い、欠陥修正部に剥離が発生する確率の極めて低
いフオトマスクの欠陥修正方法を提供することで
ある。
題点を除去し、低出力レーザビーム発生源を用
い、欠陥修正部に剥離が発生する確率の極めて低
いフオトマスクの欠陥修正方法を提供することで
ある。
［問題点を解決するための手段］
この発明によるフオトマスクの欠陥修正方法
は、金属化合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガ
ス雰囲気中でレーザ光または電子ビームをフオト
マスクの修正すべき欠陥部分に照射し、これによ
り欠陥部分に炭化珪素を形成し、欠陥部分を充填
するようにしたものである。
は、金属化合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガ
ス雰囲気中でレーザ光または電子ビームをフオト
マスクの修正すべき欠陥部分に照射し、これによ
り欠陥部分に炭化珪素を形成し、欠陥部分を充填
するようにしたものである。
好ましくは金属化合物ガスはシランまたは六フ
ツ化タングステンガスであり、また炭素化合物ガ
スは二酸化炭素または一酸化炭素ガスである。
ツ化タングステンガスであり、また炭素化合物ガ
スは二酸化炭素または一酸化炭素ガスである。
［作用］
混合ガス雰囲気中でレーザ光または電子ビーム
を修正されるべき欠陥部分に照射することにより
雰囲気混合ガスが励起され、照射されている欠陥
部分に金属炭化膜が形成される。このとき用いら
れるレーザビーム発生源はパターン材料を溶融さ
せる必要がなく、雰囲気混合ガスを励起させるだ
けであり低出力のレーザビーム発生源で済み、か
つ欠陥部分は高温によるストレスを蓄積すること
もないので、剥がれの心配もない。
を修正されるべき欠陥部分に照射することにより
雰囲気混合ガスが励起され、照射されている欠陥
部分に金属炭化膜が形成される。このとき用いら
れるレーザビーム発生源はパターン材料を溶融さ
せる必要がなく、雰囲気混合ガスを励起させるだ
けであり低出力のレーザビーム発生源で済み、か
つ欠陥部分は高温によるストレスを蓄積すること
もないので、剥がれの心配もない。
［発明の実施例］
第１Ａ図、第１Ｂ図はこの発明の一実施例であ
るフオトマスクの欠陥修正方法を示す図である。
以下、第１Ａ図、第１Ｂ図を参照してこの発明の
一実施例であるフオトマスクの欠陥修正方法につ
いて説明する。
るフオトマスクの欠陥修正方法を示す図である。
以下、第１Ａ図、第１Ｂ図を参照してこの発明の
一実施例であるフオトマスクの欠陥修正方法につ
いて説明する。
第１Ａ図について説明する。修正されるべき欠
陥を有するフオトマスクとして第２Ａ図、第２Ｂ
図に示されるものを用いる。すなわち、フオトマ
スク１０は、石英ガラス基板１と、石英基板１上
の予め定められた領域に、クロムまたは酸化クロ
ムのような材料で形成される金属薄膜パターン２
とから構成される。金属膜パターン２には修正さ
れるべきピンホール３が存在している。フオトマ
スク１０は真空容器１２内に配置される。真空容
器１２は図示しないがフオトマスク１０を移動さ
せるステージ系を含む。真空容器１２のガス導入
口１３には、雰囲気混合ガスを作成するために、
シランガスボンベ８および二酸化炭素ガスボンベ
９が接続される。シランガスおよび二酸化炭素ガ
スの流量はそれぞれガスフローコントローラ７
ａ，７ｂにより調整される。真空容器１２内のガ
スは排気口１２を介してロータリポンプ等により
排出される。また、雰囲気混合ガスを励起するた
めの比較的低出力のレーザビーム発生源４が設け
られる。ここで、レーザビーム発生源の出力を比
較的低出力としているのは、金属膜パターンを溶
融する必要がなく、雰囲気ガスを励起させるだけ
でよいからである。レーザビーム発生源４は、図
示しないが、レーザ発振器と光学系を含んでお
り、レーザビームを照射する位置、照射範囲等を
確認できるようにされている。次に第１Ａ図を参
照して欠陥修正方法について説明する。
陥を有するフオトマスクとして第２Ａ図、第２Ｂ
図に示されるものを用いる。すなわち、フオトマ
スク１０は、石英ガラス基板１と、石英基板１上
の予め定められた領域に、クロムまたは酸化クロ
ムのような材料で形成される金属薄膜パターン２
とから構成される。金属膜パターン２には修正さ
れるべきピンホール３が存在している。フオトマ
スク１０は真空容器１２内に配置される。真空容
器１２は図示しないがフオトマスク１０を移動さ
せるステージ系を含む。真空容器１２のガス導入
口１３には、雰囲気混合ガスを作成するために、
シランガスボンベ８および二酸化炭素ガスボンベ
９が接続される。シランガスおよび二酸化炭素ガ
スの流量はそれぞれガスフローコントローラ７
ａ，７ｂにより調整される。真空容器１２内のガ
スは排気口１２を介してロータリポンプ等により
排出される。また、雰囲気混合ガスを励起するた
めの比較的低出力のレーザビーム発生源４が設け
られる。ここで、レーザビーム発生源の出力を比
較的低出力としているのは、金属膜パターンを溶
融する必要がなく、雰囲気ガスを励起させるだけ
でよいからである。レーザビーム発生源４は、図
示しないが、レーザ発振器と光学系を含んでお
り、レーザビームを照射する位置、照射範囲等を
確認できるようにされている。次に第１Ａ図を参
照して欠陥修正方法について説明する。
まず、真空容器１２内に修正すべき欠陥を有す
るフオトマスク１０を配置し、次に真空容器１２
内を予め定められた真空度に保つ。次に図示しな
いステージ系を用いて、フオトマスクの修正すべ
きピンホール３にレーザビーム発生源４のレーザ
ビーム照射位置がほぼ対向するようにする。次に
シラン（SiH4）ガスと二酸化炭素（CO2）ガス
を真空容器１２内へ導入する。このときガスフロ
ーコントローラ７ａ，７ｂを調整しシランガスと
二酸化炭素ガスの流量が１対１の比に調整され
る。次にレーザビーム発生器４からのレーザビー
ム５が照射する位置がピンホール３に対応し、か
つその照射範囲がピンホール３と同一の大きさに
なるように微小領域６を照射するように、レーザ
ビーム５のビーム径を調整し、ピンホール３を照
射する。この結果、微小領域６において、雰囲気
ガスがレーザビーム５からのエネルギーを受けて
励起され、 SiH4＋CO2→SiC＋2H2O の反応が生じる。この反応により発生した炭化珪
素SiCが照射部分すなわちピンホール３に形成、
堆積される。これにより第１Ｂ図に示されるよう
にピンホール３は炭化珪素１３により充填され不
透明となり、フオトマスク１０の欠陥が比較的低
温で、欠陥部分にストレスを蓄積することなく修
正される。
るフオトマスク１０を配置し、次に真空容器１２
内を予め定められた真空度に保つ。次に図示しな
いステージ系を用いて、フオトマスクの修正すべ
きピンホール３にレーザビーム発生源４のレーザ
ビーム照射位置がほぼ対向するようにする。次に
シラン（SiH4）ガスと二酸化炭素（CO2）ガス
を真空容器１２内へ導入する。このときガスフロ
ーコントローラ７ａ，７ｂを調整しシランガスと
二酸化炭素ガスの流量が１対１の比に調整され
る。次にレーザビーム発生器４からのレーザビー
ム５が照射する位置がピンホール３に対応し、か
つその照射範囲がピンホール３と同一の大きさに
なるように微小領域６を照射するように、レーザ
ビーム５のビーム径を調整し、ピンホール３を照
射する。この結果、微小領域６において、雰囲気
ガスがレーザビーム５からのエネルギーを受けて
励起され、 SiH4＋CO2→SiC＋2H2O の反応が生じる。この反応により発生した炭化珪
素SiCが照射部分すなわちピンホール３に形成、
堆積される。これにより第１Ｂ図に示されるよう
にピンホール３は炭化珪素１３により充填され不
透明となり、フオトマスク１０の欠陥が比較的低
温で、欠陥部分にストレスを蓄積することなく修
正される。
また、一般に炭化物は基板およびパターン材料
と密着性が良く、さらに珪素は石英ガラス基板と
物性的になじみが良いので、SiCを充填材料とし
た場合、欠陥修正後剥がれが生じる心配もない。
と密着性が良く、さらに珪素は石英ガラス基板と
物性的になじみが良いので、SiCを充填材料とし
た場合、欠陥修正後剥がれが生じる心配もない。
なお、上記実施例においては、雰囲気混合ガス
をシランSiH4と二酸化炭素CO2により形成した
が、六フツ化タングステンWF6と一酸化炭素CO
とからなる混合ガスを雰囲気ガスとして用いて、
ピンホールをWCで充填しても同様の効果が得ら
れる。
をシランSiH4と二酸化炭素CO2により形成した
が、六フツ化タングステンWF6と一酸化炭素CO
とからなる混合ガスを雰囲気ガスとして用いて、
ピンホールをWCで充填しても同様の効果が得ら
れる。
また、雰囲気ガス励起用ビームとして電子ビー
ムを用いても同様の効果が得られる。
ムを用いても同様の効果が得られる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、金属化合物
ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でフ
オトマスク欠陥部分を比較的低出力のレーザ光ま
たは電子ビームを用いて照射し、欠陥部分に炭化
金属膜を形成するようにしたので、欠陥修正部分
の剥がれの心配もなく、フオトマスクの欠陥部分
を確実に修正することができる。
ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でフ
オトマスク欠陥部分を比較的低出力のレーザ光ま
たは電子ビームを用いて照射し、欠陥部分に炭化
金属膜を形成するようにしたので、欠陥修正部分
の剥がれの心配もなく、フオトマスクの欠陥部分
を確実に修正することができる。
第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例
によるフオトマスクの修正方法を示す図である。
第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を
有するフオトマスクの構成の一例を示す図であ
る。第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフオトマス
クの欠陥修正方法を示す図である。 図において、１は石英ガラス基板、２は膜パタ
ーン、３はピンホール、４はレーザビーム発生
源、８，９は雰囲気ガス、１０はフオトマスク、
１２は真空容器、１３は炭化珪素で充填されたピ
ンホールをそれぞれ示す。なお、図中、同一符号
は同一または担当部分を示す。
によるフオトマスクの修正方法を示す図である。
第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を
有するフオトマスクの構成の一例を示す図であ
る。第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフオトマス
クの欠陥修正方法を示す図である。 図において、１は石英ガラス基板、２は膜パタ
ーン、３はピンホール、４はレーザビーム発生
源、８，９は雰囲気ガス、１０はフオトマスク、
１２は真空容器、１３は炭化珪素で充填されたピ
ンホールをそれぞれ示す。なお、図中、同一符号
は同一または担当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 予め定められたパターンを有するフオトマス
クに形成された欠陥を修正するための方法であつ
て、 金属化合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス
雰囲気中で前記修正されるべき欠陥を含む領域に
エネルギー線を照射し、これにより前記欠陥部に
炭化金属膜を形成するステツプを含む、フオトマ
スクの欠陥修正方法。 ２ 前記エネルギー線は、レーザ光または電子ビ
ームである、特許請求の範囲第１項記載のフオト
マスクの欠陥修正方法。 ３ 前記金属化合物ガスは、シラン（SiH4）ガ
スまたは６フツ化タングステン（WF6）ガスで
ある、特許請求の範囲第１項または第２項に記載
のフオトマスクの欠陥修正方法。 ４ 前記炭素化合物ガスは、二酸化炭素ガス
（CO2）または一酸化炭素ガス（CO）である、特
許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のフオトマスクの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224290A JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224290A JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283749A JPS6283749A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0458624B2 true JPH0458624B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16811453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224290A Granted JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283749A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2718893B2 (ja) * | 1993-06-04 | 1998-02-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 移相マスクの移相欠陥を修復する方法 |
| WO2007065769A1 (de) | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur bearbeitung eines optischen elementes sowie optisches element |
| JP5594106B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2014-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP5772185B2 (ja) * | 2011-04-25 | 2015-09-02 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
| JPS57109952A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60224290A patent/JPS6283749A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
| JPS57109952A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6283749A (ja) | 1987-04-17 |
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