JPH0845801A - 半導体装置のマーキング方法 - Google Patents
半導体装置のマーキング方法Info
- Publication number
- JPH0845801A JPH0845801A JP6193532A JP19353294A JPH0845801A JP H0845801 A JPH0845801 A JP H0845801A JP 6193532 A JP6193532 A JP 6193532A JP 19353294 A JP19353294 A JP 19353294A JP H0845801 A JPH0845801 A JP H0845801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- marking
- semiconductor device
- particles
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ光を照射してシリコンを溶かしてマー
キング形成する際に発生するパーティクルを容易に除去
する。 【構成】 レーザ光を半導体装置としてのシリコンウエ
ハに照射してマーキング用の凹みを形成する時に、酸素
を含む酸化用ガスを導入してマーキングする。または、
レーザ光の照射前にウエハ表面を酸化させ、その後レー
ザ光を照射してマーキングを行う。 【効果】 レーザ照射によるマーキングで発生するパー
ティクルの表面を酸化し、その後フッ酸で洗浄すること
で付着したパーティクルをウエハから容易に除去するこ
とができる。また、予めシリコンウエハの表面に酸化物
層を形成しておくことにより、ウエハの表面の酸化物層
を溶解し、付着したパーティクルを容易に除去すること
ができる。
キング形成する際に発生するパーティクルを容易に除去
する。 【構成】 レーザ光を半導体装置としてのシリコンウエ
ハに照射してマーキング用の凹みを形成する時に、酸素
を含む酸化用ガスを導入してマーキングする。または、
レーザ光の照射前にウエハ表面を酸化させ、その後レー
ザ光を照射してマーキングを行う。 【効果】 レーザ照射によるマーキングで発生するパー
ティクルの表面を酸化し、その後フッ酸で洗浄すること
で付着したパーティクルをウエハから容易に除去するこ
とができる。また、予めシリコンウエハの表面に酸化物
層を形成しておくことにより、ウエハの表面の酸化物層
を溶解し、付着したパーティクルを容易に除去すること
ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスに於けるシリコンウエハへのマーキングに適する半
導体装置のマーキング方法に関する。
セスに於けるシリコンウエハへのマーキングに適する半
導体装置のマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造プロセスに
於ては、効率などの面から多数のシリコンウエハを一度
に処理する方法が用いられている。そのため、シリコン
ウエハ表面或いは裏面に文字や数字、記号などを刻印
（マーキング）して、ウエハを区別し得るようにした方
法が広く用いられている。従来のマーキングの方法とし
ては、Ｎd−ＹＡＧレーザ等によりウエハ表面を局所的
に溶かして凹みを作り、目視などにて文字や数字、図
形、記号などとして判別可能な凹みのパターンを形成す
る方法が一般的である。
於ては、効率などの面から多数のシリコンウエハを一度
に処理する方法が用いられている。そのため、シリコン
ウエハ表面或いは裏面に文字や数字、記号などを刻印
（マーキング）して、ウエハを区別し得るようにした方
法が広く用いられている。従来のマーキングの方法とし
ては、Ｎd−ＹＡＧレーザ等によりウエハ表面を局所的
に溶かして凹みを作り、目視などにて文字や数字、図
形、記号などとして判別可能な凹みのパターンを形成す
る方法が一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、レーザ光により溶けたシリコンが、飛び
散って冷えて微細なパーティクルとなり、ウエハに付着
すると、それらのパーティクルが半導体装置に欠陥を引
き起こし、歩留まりを低下させる原因の１つとして問題
となっていた。
来の方法では、レーザ光により溶けたシリコンが、飛び
散って冷えて微細なパーティクルとなり、ウエハに付着
すると、それらのパーティクルが半導体装置に欠陥を引
き起こし、歩留まりを低下させる原因の１つとして問題
となっていた。
【０００４】このような従来技術の問題点に鑑み、本発
明の主な目的は、レーザ光を照射してシリコンを溶かし
てマーキング形成する際に発生するパーティクルを容易
に除去できる半導体装置のマーキング方法を提供するこ
とにある。
明の主な目的は、レーザ光を照射してシリコンを溶かし
てマーキング形成する際に発生するパーティクルを容易
に除去できる半導体装置のマーキング方法を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した目的は本発明に
よれば、半導体装置のマーキング方法に於て、酸素雰囲
気中で半導体装置表面にレーザ光を照射する工程と半導
体装置表面を酸化させた後に当該半導体装置にレーザ光
を照射する工程との少なくともどちらか一方行う工程
と、フッ素を含有する洗浄液を用いて前記半導体装置を
洗浄する工程とを具備することを特徴とする半導体装置
のマーキング方法を提供することにより達成される。
よれば、半導体装置のマーキング方法に於て、酸素雰囲
気中で半導体装置表面にレーザ光を照射する工程と半導
体装置表面を酸化させた後に当該半導体装置にレーザ光
を照射する工程との少なくともどちらか一方行う工程
と、フッ素を含有する洗浄液を用いて前記半導体装置を
洗浄する工程とを具備することを特徴とする半導体装置
のマーキング方法を提供することにより達成される。
【０００６】
【作用】このようにすれば、酸化ガス雰囲気中で半導体
装置としてのシリコンウエハ表面にレーザ光を照射した
際にレーザ照射によって飛散したシリコンのパーティク
ルが、空中を浮遊中に酸化されて表面をシリコン酸化膜
で被覆されたパーティクルとなり、ウエハ表面に堆積す
る。その後シリコン酸化物を溶解することのできるフッ
酸等の液体に浸すことにより、パーティクルとシリコン
ウエハとの接触部がフッ酸等で溶解され、パーティクル
がウエハより遊離して、パーティクルを容易に除去でき
る。
装置としてのシリコンウエハ表面にレーザ光を照射した
際にレーザ照射によって飛散したシリコンのパーティク
ルが、空中を浮遊中に酸化されて表面をシリコン酸化膜
で被覆されたパーティクルとなり、ウエハ表面に堆積す
る。その後シリコン酸化物を溶解することのできるフッ
酸等の液体に浸すことにより、パーティクルとシリコン
ウエハとの接触部がフッ酸等で溶解され、パーティクル
がウエハより遊離して、パーティクルを容易に除去でき
る。
【０００７】また、予めウエハ表面を酸化し、その後シ
リコン酸化物を形成した後、ウエハ表面をマーキングす
るためレーザ光を照射すると、その際に生じるパーティ
クルがシリコン酸化膜上に付着するが、その後シリコン
か溶解することのできるフッ酸等の液体に浸して洗浄す
ると、ウエハ表面がシリコン酸化膜で被覆されているた
め、パーティクルとの接触部がフッ酸で溶解され、パー
ティクルがウエハより遊離して、パーティクルを容易に
除去できる。
リコン酸化物を形成した後、ウエハ表面をマーキングす
るためレーザ光を照射すると、その際に生じるパーティ
クルがシリコン酸化膜上に付着するが、その後シリコン
か溶解することのできるフッ酸等の液体に浸して洗浄す
ると、ウエハ表面がシリコン酸化膜で被覆されているた
め、パーティクルとの接触部がフッ酸で溶解され、パー
ティクルがウエハより遊離して、パーティクルを容易に
除去できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の第１実施例を図１に基づき説
明する。図１は本発明に基づくマーキング装置の概略図
である。
明する。図１は本発明に基づくマーキング装置の概略図
である。
【０００９】図１に於て、チャンバ１内には、半導体装
置としてのシリコンウエハ４が設置されている。また、
チャンバ１の図に於ける上面には、シリコンウエハ４に
レーザ光線を照射するためのレーザ装置３が接続され、
チャンバ１の図に於ける一方の側面には、シリコンウエ
ハ４をチャンバ１内に搬入するためのウエハ搬送装置２
が接続されている。
置としてのシリコンウエハ４が設置されている。また、
チャンバ１の図に於ける上面には、シリコンウエハ４に
レーザ光線を照射するためのレーザ装置３が接続され、
チャンバ１の図に於ける一方の側面には、シリコンウエ
ハ４をチャンバ１内に搬入するためのウエハ搬送装置２
が接続されている。
【００１０】チャンバ１の図に於ける他方の側面には導
入管Ａが接続されており、導入管Ａには流量制御器５が
接続され、流量制御器５には酸素を供給するための酸素
ガスシリンダ６が接続されている。これにより、酸素ガ
スシリンダ６から供給される酸素を、流量制御器５によ
り流量を制御してチャンバ１内に導入して、チャンバ１
内を酸素雰囲気にすることができる。また、チャンバ１
には、チャンバ１内の空気等を排気するための排気管７
が接続されている。
入管Ａが接続されており、導入管Ａには流量制御器５が
接続され、流量制御器５には酸素を供給するための酸素
ガスシリンダ６が接続されている。これにより、酸素ガ
スシリンダ６から供給される酸素を、流量制御器５によ
り流量を制御してチャンバ１内に導入して、チャンバ１
内を酸素雰囲気にすることができる。また、チャンバ１
には、チャンバ１内の空気等を排気するための排気管７
が接続されている。
【００１１】次に、図１に示したマーキング装置を用い
て本発明の方法によりマーキングを行う要領について以
下に示す。まず、シリコンウエハ４をウエハ搬送装置２
によりチャンバ１内に搬入する。次に酸素ガスシリンダ
６の開閉弁Ｂを開き、流量制御装置５に送られた酸素ガ
スを、流量制御装置５によって流量を制御して導入管Ａ
を介してチャンバ１内に導入する。また、チャンバ１内
のガスが排気管７を通して排気される。
て本発明の方法によりマーキングを行う要領について以
下に示す。まず、シリコンウエハ４をウエハ搬送装置２
によりチャンバ１内に搬入する。次に酸素ガスシリンダ
６の開閉弁Ｂを開き、流量制御装置５に送られた酸素ガ
スを、流量制御装置５によって流量を制御して導入管Ａ
を介してチャンバ１内に導入する。また、チャンバ１内
のガスが排気管７を通して排気される。
【００１２】このようにしてチャンバ１内を酸素雰囲気
中にした後、レーザ装置３によりシリコンウエハ４表面
の一部にレーザ光Ｌを照射し、凹みによるパターンを形
成することでマーキングを行う。このとき発生するパー
ティクルは高温のため、その表面がチャンバ１に充填さ
れた酸素と反応して酸化しているので、ウエハに付着し
ている部分はシリコン酸化膜になっている。
中にした後、レーザ装置３によりシリコンウエハ４表面
の一部にレーザ光Ｌを照射し、凹みによるパターンを形
成することでマーキングを行う。このとき発生するパー
ティクルは高温のため、その表面がチャンバ１に充填さ
れた酸素と反応して酸化しているので、ウエハに付着し
ている部分はシリコン酸化膜になっている。
【００１３】この後、シリコンウエハ４をフッ素を含有
する洗浄液としてのフッ酸槽（図示せず）に浸して洗浄
する。これにより、パーティクルとウエハとの接触部分
のシリコン酸化膜がフッ酸に溶解することで、パーティ
クルが容易に液中に遊離し、パーティクルを除去でき
る。
する洗浄液としてのフッ酸槽（図示せず）に浸して洗浄
する。これにより、パーティクルとウエハとの接触部分
のシリコン酸化膜がフッ酸に溶解することで、パーティ
クルが容易に液中に遊離し、パーティクルを除去でき
る。
【００１４】尚、本実施例では、酸素ガスシリンダ６に
充填された酸素ガスを用いたが、ハウスガスであっても
良く、また、酸素ガスの代わりに、水蒸気、Ｎ2Ｏ、オ
ゾン等の酸化ガス、またはそれらの混合ガスを用いても
良い。また、チャンバ１内を酸素ガスで置換する効率を
上げるために、排気管７に真空ポンプ等の排気装置を接
続しても良い。
充填された酸素ガスを用いたが、ハウスガスであっても
良く、また、酸素ガスの代わりに、水蒸気、Ｎ2Ｏ、オ
ゾン等の酸化ガス、またはそれらの混合ガスを用いても
良い。また、チャンバ１内を酸素ガスで置換する効率を
上げるために、排気管７に真空ポンプ等の排気装置を接
続しても良い。
【００１５】以上の工程によって、レーザ光線の照射に
よってマーキングを形成することにより発生するパーテ
ィクルを容易に除去できた。従って、パーティクルがウ
エハに付着して半導体装置の欠陥が引き起こされること
がなく、歩留まりが低下することを防止できた。
よってマーキングを形成することにより発生するパーテ
ィクルを容易に除去できた。従って、パーティクルがウ
エハに付着して半導体装置の欠陥が引き起こされること
がなく、歩留まりが低下することを防止できた。
【００１６】次に、本発明の第２の実施例を図２に基づ
き説明する。なお図２は、本発明の第２の実施例の半導
体装置のマーキング方法を示す半導体装置の製造工程図
である。
き説明する。なお図２は、本発明の第２の実施例の半導
体装置のマーキング方法を示す半導体装置の製造工程図
である。
【００１７】まず、図２（ａ）に示されるベアのシリコ
ンウエハ２１を、図示されないホットウォールの拡散炉
を用いて、９００℃の酸素中にて、図２（ｂ）に示され
るように表面にシリコン酸化物層２２を１０ｎｍ程度形
成する。次に図２（ｃ）に示されるように、図１に示す
レーザマーキング装置を用いてシリコンウエハ２１のオ
リフラ部に従来のようにレーザ光を照射し、凹み２４に
よるパターンを形成することでマーキングを行う。この
とき発生するパーティクル２３は、ウエハ表面のシリコ
ン酸化物層２２上に付着する。そして、図２（ｄ）に示
されるように、シリコンウエハ２１を第１の実施例とと
同様にフッ酸槽２５に浸して洗浄する。これにより、シ
リコンウエハ１表面を被覆していたシリコン酸化膜層２
２がフッ酸により溶解して除去されたため、シリコンウ
エハ１表面からパーティクル２３が遊離して除去され、
表面の清浄なかつ凹み２４によりマーキングされたシリ
コンウエハ２１が得られる。
ンウエハ２１を、図示されないホットウォールの拡散炉
を用いて、９００℃の酸素中にて、図２（ｂ）に示され
るように表面にシリコン酸化物層２２を１０ｎｍ程度形
成する。次に図２（ｃ）に示されるように、図１に示す
レーザマーキング装置を用いてシリコンウエハ２１のオ
リフラ部に従来のようにレーザ光を照射し、凹み２４に
よるパターンを形成することでマーキングを行う。この
とき発生するパーティクル２３は、ウエハ表面のシリコ
ン酸化物層２２上に付着する。そして、図２（ｄ）に示
されるように、シリコンウエハ２１を第１の実施例とと
同様にフッ酸槽２５に浸して洗浄する。これにより、シ
リコンウエハ１表面を被覆していたシリコン酸化膜層２
２がフッ酸により溶解して除去されたため、シリコンウ
エハ１表面からパーティクル２３が遊離して除去され、
表面の清浄なかつ凹み２４によりマーキングされたシリ
コンウエハ２１が得られる。
【００１８】以上の工程によって、マーキングにより発
生するパーティクルをウエハ表面から容易に除去でき、
第１の実施例と同様の効果を得られた。
生するパーティクルをウエハ表面から容易に除去でき、
第１の実施例と同様の効果を得られた。
【００１９】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明によれば、レーザ照射によるマーキングで発生する
パーティクルの表面を酸化することで、半導体装置とし
てのシリコンウエハと付着したパーティクルの間に酸化
膜の層を作り、その後フッ酸で洗浄することで付着した
パーティクルをウエハから容易に除去することができ
る。また、予めシリコンウエハの表面に酸化物層を形成
しておくことにより、マーキングで発生するパーティク
ルとウエハとを酸化物層を介して接触させ、その後フッ
酸で洗浄することでウエハの表面の酸化物層を溶解し、
付着したパーティクルを容易に除去することができる。
発明によれば、レーザ照射によるマーキングで発生する
パーティクルの表面を酸化することで、半導体装置とし
てのシリコンウエハと付着したパーティクルの間に酸化
膜の層を作り、その後フッ酸で洗浄することで付着した
パーティクルをウエハから容易に除去することができ
る。また、予めシリコンウエハの表面に酸化物層を形成
しておくことにより、マーキングで発生するパーティク
ルとウエハとを酸化物層を介して接触させ、その後フッ
酸で洗浄することでウエハの表面の酸化物層を溶解し、
付着したパーティクルを容易に除去することができる。
【図１】本発明に基づくマーキング装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例を示
す半導体装置のマーキングの工程図である。
す半導体装置のマーキングの工程図である。
１ チャンバ ２ ウエハ搬送装置 ３ レーザ装置 ４ シリコンウエハ ５ 流量制御装置 ６ 酸素ガスシリンダ ７ 排気管 ２１ シリコンウエハ ２２ シリコン酸化膜層 ２３ パーティクル ２４ 凹み ２５ フッ酸槽
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置のマーキング方法に於て、 酸素雰囲気中で半導体装置表面にレーザ光を照射する工
程と半導体装置表面を酸化させた後に当該半導体装置に
レーザ光を照射する工程との少なくともどちらか一方を
行う工程と、 フッ素を含有する洗浄液を用いて前記半導体装置を洗浄
する工程とを具備することを特徴とする半導体装置のマ
ーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193532A JPH0845801A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193532A JPH0845801A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845801A true JPH0845801A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16309647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6193532A Withdrawn JPH0845801A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845801A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156676A (en) * | 1997-07-31 | 2000-12-05 | Lsi Logic Corporation | Laser marking of semiconductor wafer substrate while inhibiting adherence to substrate surface of particles generated during laser marking |
| WO2003038895A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Motorola, Inc. | Wafer scribing method and wafer scribing device |
| CN1306570C (zh) * | 2002-06-04 | 2007-03-21 | 夏普株式会社 | 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置 |
| JP2008068263A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエハ加工方法及び装置 |
| JP2011245496A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Materials Corp | レーザ加工方法 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP6193532A patent/JPH0845801A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156676A (en) * | 1997-07-31 | 2000-12-05 | Lsi Logic Corporation | Laser marking of semiconductor wafer substrate while inhibiting adherence to substrate surface of particles generated during laser marking |
| WO2003038895A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Motorola, Inc. | Wafer scribing method and wafer scribing device |
| US6914006B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-07-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer scribing method and wafer scribing device |
| CN1306570C (zh) * | 2002-06-04 | 2007-03-21 | 夏普株式会社 | 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置 |
| JP2008068263A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウエハ加工方法及び装置 |
| JP2011245496A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Mitsubishi Materials Corp | レーザ加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4001662B2 (ja) | シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法 | |
| US6428620B1 (en) | Substrate processing method and apparatus and SOI substrate | |
| US6132811A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| JP4986566B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| US6248670B1 (en) | Method of wet processing | |
| JPH0878372A (ja) | 有機物除去方法及びその装置 | |
| JPH10189527A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| EP0690484A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and methods of processing, analyzing and manufacturing its substrate | |
| JPH0845801A (ja) | 半導体装置のマーキング方法 | |
| JP3857314B2 (ja) | シリコン乾燥方法 | |
| JPH0719764B2 (ja) | 表面洗浄方法 | |
| JPH0529292A (ja) | 基板表面の洗浄方法 | |
| KR20040008059A (ko) | 기판 세정 방법 및 이를 이용한 기판 세정 장치 | |
| JPS6329516A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01101625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004063513A (ja) | 半導体基板の洗浄乾燥方法 | |
| JPH0845799A (ja) | 半導体装置のマーキング方法 | |
| CN114512400B (zh) | 一种半导体结构的制作方法 | |
| JPS60163436A (ja) | 半導体材料の洗浄乾燥方法 | |
| JPS6191930A (ja) | 半導体基板の清浄方法 | |
| JPS6074441A (ja) | 半導体層の表面処理方法 | |
| JPH1050670A (ja) | 有機物除去方法 | |
| JPH0458624B2 (ja) | ||
| JPS6370429A (ja) | アツシング装置 | |
| JP3170058B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |