JP3170058B2 - 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造技
術、特に、被処理物が有機溶剤のベーパを使用されて乾
燥されるベーパ乾燥技術に関し、例えば、半導体装置の
製造において、水洗い後の半導体ウエハ（以下、ウエハ
という。）を乾燥させる技術に利用して有効なものに関
する。
術、特に、被処理物が有機溶剤のベーパを使用されて乾
燥されるベーパ乾燥技術に関し、例えば、半導体装置の
製造において、水洗い後の半導体ウエハ（以下、ウエハ
という。）を乾燥させる技術に利用して有効なものに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、水洗い後の
ウエハを乾燥する装置として、複数枚のウエハを保持治
具にて保持した状態で、ベーパ浴槽においてイソ・プロ
ピル・アルコール等のような有機溶剤によって形成され
たベーパ雰囲気中に浸漬し、ウエハとベーパとの温度差
によって、水とベーパの滴である有機溶剤とを置換さ
せ、その後、乾燥室にてウエハに付着した有機溶剤を蒸
発させてウエハを乾燥させるように構成されているベー
パ乾燥装置がある。
ウエハを乾燥する装置として、複数枚のウエハを保持治
具にて保持した状態で、ベーパ浴槽においてイソ・プロ
ピル・アルコール等のような有機溶剤によって形成され
たベーパ雰囲気中に浸漬し、ウエハとベーパとの温度差
によって、水とベーパの滴である有機溶剤とを置換さ
せ、その後、乾燥室にてウエハに付着した有機溶剤を蒸
発させてウエハを乾燥させるように構成されているベー
パ乾燥装置がある。
【０００３】なお、ベーパ乾燥装置を述べてある例とし
ては、特開昭５６−１６８０７２号公報および実開昭５
９−１３８２３２号公報がある。ちなみに、特開昭６３
−１６０２３１号公報、特開昭６３−２６３７２７号公
報、特開平１−１００９２６号公報には、ベーパ浴槽内
に不活性ガスを導入するベーパ乾燥技術が記載されてい
るが、液体の有機溶剤中に不活性ガスを導入することに
ついては記載されていない。
ては、特開昭５６−１６８０７２号公報および実開昭５
９−１３８２３２号公報がある。ちなみに、特開昭６３
−１６０２３１号公報、特開昭６３−２６３７２７号公
報、特開平１−１００９２６号公報には、ベーパ浴槽内
に不活性ガスを導入するベーパ乾燥技術が記載されてい
るが、液体の有機溶剤中に不活性ガスを導入することに
ついては記載されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなベ
ーパ乾燥装置においては、次のような問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。
ーパ乾燥装置においては、次のような問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。
【０００５】ウエハが保持治具に保持された状態で、１
８℃〜１９℃の純水中に浸漬されて洗浄されると、ウエ
ハおよび治具は１８℃〜１９℃の温度状態になる。この
温度状態で、ウエハおよび治具がベーパ浴槽に搬入され
ると、一瞬にして大量のベーパが結露することにより消
費されるため、ベーパ浴槽内のベーパ面（ベーパ雰囲気
と大気との境界面）のレベルが一気に下降する。その結
果、ベーパ浴槽に搬入されたウエハがベーパ雰囲気に浸
漬されない期間が発生するため、この間に自然乾燥が進
むと、自然酸化等によるウォータマークが発生する。
８℃〜１９℃の純水中に浸漬されて洗浄されると、ウエ
ハおよび治具は１８℃〜１９℃の温度状態になる。この
温度状態で、ウエハおよび治具がベーパ浴槽に搬入され
ると、一瞬にして大量のベーパが結露することにより消
費されるため、ベーパ浴槽内のベーパ面（ベーパ雰囲気
と大気との境界面）のレベルが一気に下降する。その結
果、ベーパ浴槽に搬入されたウエハがベーパ雰囲気に浸
漬されない期間が発生するため、この間に自然乾燥が進
むと、自然酸化等によるウォータマークが発生する。
【０００６】本発明の目的は、ウォータマークの発生を
防止することができるベーパ乾燥装置を提供することに
ある。
防止することができるベーパ乾燥装置を提供することに
ある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【０００９】すなわち、ベーパ浴槽と、前記ベーパ浴槽
の底部に貯められた有機溶剤と、前記有機溶剤を加熱し
てベーパ化するための加熱手段と、前記ベーパ浴槽の上
部に設けられ前記有機溶剤のベーパをコールドトラップ
するための冷却手段とを有するベーパ乾燥装置を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記有機溶剤を加熱し
て前記ベーパ浴槽内をベーパ雰囲気にする工程と、加熱
された前記有機溶剤中に空気よりも重く、かつ、前記有
機溶剤のベーパよりも軽い不燃性のガスを供給しながら
前記ベーパ浴槽内の前記ベーパ雰囲気中に水が付着した
半導体基体を設置する工程と、前記水が付着した半導体
基体を乾燥させる工程と、を有することを特徴とする。
の底部に貯められた有機溶剤と、前記有機溶剤を加熱し
てベーパ化するための加熱手段と、前記ベーパ浴槽の上
部に設けられ前記有機溶剤のベーパをコールドトラップ
するための冷却手段とを有するベーパ乾燥装置を用いた
半導体装置の製造方法であって、前記有機溶剤を加熱し
て前記ベーパ浴槽内をベーパ雰囲気にする工程と、加熱
された前記有機溶剤中に空気よりも重く、かつ、前記有
機溶剤のベーパよりも軽い不燃性のガスを供給しながら
前記ベーパ浴槽内の前記ベーパ雰囲気中に水が付着した
半導体基体を設置する工程と、前記水が付着した半導体
基体を乾燥させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
【作用】前記した手段によれば、ベーパ浴槽内の空気が
不燃性ガスによって追い出された状態になっているた
め、被処理物がベーパ雰囲気に搬入された際に、ベーパ
が瞬時に大量に消費されることによって、被処理物がベ
ーパ雰囲気の外部に露出しても、被処理物の表面が空気
に接触することは回避することができる。したがって、
ベーパ面が一気に低下することにより、被処理物がベー
パ雰囲気の外部に露出しても、被処理物の表面に局所的
に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによって
起こるウォータマーク現象は発生しない。
不燃性ガスによって追い出された状態になっているた
め、被処理物がベーパ雰囲気に搬入された際に、ベーパ
が瞬時に大量に消費されることによって、被処理物がベ
ーパ雰囲気の外部に露出しても、被処理物の表面が空気
に接触することは回避することができる。したがって、
ベーパ面が一気に低下することにより、被処理物がベー
パ雰囲気の外部に露出しても、被処理物の表面に局所的
に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによって
起こるウォータマーク現象は発生しない。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるベーパ乾燥装
置を示す縦断面図である。
置を示す縦断面図である。
【００１２】本実施例において、本発明に係るベーパ乾
燥装置は、洗浄後のウエハをベーパ乾燥するベーパ乾燥
装置１として構成されている。このベーパ乾燥装置１に
おいて、被処理物としてのウエハ２は複数枚が、保持治
具（以下、治具という。）３に保持されて一括に乾燥処
理されるようになっている。
燥装置は、洗浄後のウエハをベーパ乾燥するベーパ乾燥
装置１として構成されている。このベーパ乾燥装置１に
おいて、被処理物としてのウエハ２は複数枚が、保持治
具（以下、治具という。）３に保持されて一括に乾燥処
理されるようになっている。
【００１３】治具３は耐薬品性の良好な弗素樹脂が用い
られて、その平面形状が長方形の箱形状に形成されてい
る。治具３の長辺側の一対の側壁面には保持溝４が複数
条、軸心方向に略等間隔に配されて円弧形状に刻設され
ている。そして、各保持溝４は被保持物としてのウエハ
２を治具３の上面開口から挿入されることにより、ウエ
ハ２を一枚宛保持するように構成されている。
られて、その平面形状が長方形の箱形状に形成されてい
る。治具３の長辺側の一対の側壁面には保持溝４が複数
条、軸心方向に略等間隔に配されて円弧形状に刻設され
ている。そして、各保持溝４は被保持物としてのウエハ
２を治具３の上面開口から挿入されることにより、ウエ
ハ２を一枚宛保持するように構成されている。
【００１４】本実施例において、このベーパ乾燥装置１
はベーパ浴槽１０を備えている。ベーパ浴槽１０は浴槽
本体１１を備えており、この本体１１は石英ガラスが用
いられて、平面形状が略正方形の箱形状に形成されてい
る。本体１１の上部には治具３を出し入れするための出
入口１２が開設されている。この浴槽本体１１の出入口
１２の内周壁には冷却水を循環させるためのコイル状の
冷却パイプ１３が敷設されている。
はベーパ浴槽１０を備えている。ベーパ浴槽１０は浴槽
本体１１を備えており、この本体１１は石英ガラスが用
いられて、平面形状が略正方形の箱形状に形成されてい
る。本体１１の上部には治具３を出し入れするための出
入口１２が開設されている。この浴槽本体１１の出入口
１２の内周壁には冷却水を循環させるためのコイル状の
冷却パイプ１３が敷設されている。
【００１５】浴槽本体１１の内部には、有機溶剤として
のイソ・プロピル・アルコール（以下、ＩＰＡとい
う。）１４が収容されており、このＩＰＡ１４は本体１
１の外部から給液管１６によって供給されるようになっ
ている。浴槽本体１１の下には赤外線ヒータ、または鉄
やアルミニュームのブロックにシーズヒータを埋め込ん
だヒートブロック等からなる加熱装置１７が設置されて
おり、加熱装置１７はＩＰＡ１４を加熱することによ
り、それを強制的に蒸発させてベーパ１５を発生させる
ように構成されている。
のイソ・プロピル・アルコール（以下、ＩＰＡとい
う。）１４が収容されており、このＩＰＡ１４は本体１
１の外部から給液管１６によって供給されるようになっ
ている。浴槽本体１１の下には赤外線ヒータ、または鉄
やアルミニュームのブロックにシーズヒータを埋め込ん
だヒートブロック等からなる加熱装置１７が設置されて
おり、加熱装置１７はＩＰＡ１４を加熱することによ
り、それを強制的に蒸発させてベーパ１５を発生させる
ように構成されている。
【００１６】また、浴槽本体１１内のＩＰＡ１４の液面
よりも上方には、上部を開口したトレー１８が滴下して
来る水滴を受け得るように設置されており、このトレー
１８の底部には本体１の外部へ連通する排液管１９が接
続されている。そして、トレー１８の真上には治具３が
ハンドラ（後述する。）によって吊り下げられてセット
されるようになっている。
よりも上方には、上部を開口したトレー１８が滴下して
来る水滴を受け得るように設置されており、このトレー
１８の底部には本体１の外部へ連通する排液管１９が接
続されている。そして、トレー１８の真上には治具３が
ハンドラ（後述する。）によって吊り下げられてセット
されるようになっている。
【００１７】本実施例において、ベーパ浴槽１０には、
空気よりも重くベーパ１５よりは軽い不燃性ガスとして
の二酸化炭素ガス（以下、ＣＯ2 ガスという。）２１を
ベーパ浴槽本体１１の内部に供給するためのＣＯ2 ガス
供給装置２０が、接続されている。
空気よりも重くベーパ１５よりは軽い不燃性ガスとして
の二酸化炭素ガス（以下、ＣＯ2 ガスという。）２１を
ベーパ浴槽本体１１の内部に供給するためのＣＯ2 ガス
供給装置２０が、接続されている。
【００１８】すなわち、このＣＯ2 ガス供給装置２０は
ガスノズル２２を備えており、このノズル２２はベーパ
浴槽本体１１底部に貯留されたＩＰＡ１４の液中に挿入
されて、全体的に均一になるように水平に敷設されてい
る。ガスノズル２２にはガス吹出口２３が複数個、全体
にわたって均一になるように開設されており、この吹出
口２３群からガスがベーパ浴槽１０の内部に全体的に均
一に吹き出されて供給されるようになっている。
ガスノズル２２を備えており、このノズル２２はベーパ
浴槽本体１１底部に貯留されたＩＰＡ１４の液中に挿入
されて、全体的に均一になるように水平に敷設されてい
る。ガスノズル２２にはガス吹出口２３が複数個、全体
にわたって均一になるように開設されており、この吹出
口２３群からガスがベーパ浴槽１０の内部に全体的に均
一に吹き出されて供給されるようになっている。
【００１９】ガスノズル２２にはガス供給路２４が接続
されており、このガス供給路２４にはＣＯ2 ガス供給源
２５が接続されている。ガス供給路２４の途中にはガス
加熱装置２６が介設されており、このガス加熱装置２６
によってＣＯ2 ガス２１は所定の温度（約８０℃）に予
備加熱されるようになっている。また、ガス供給路２４
の途中にはガスフィルタ２７が介設されており、このガ
スフィルタ２７によってＣＯ2 ガス２１は不純物を最終
的に除去されるようになっている。
されており、このガス供給路２４にはＣＯ2 ガス供給源
２５が接続されている。ガス供給路２４の途中にはガス
加熱装置２６が介設されており、このガス加熱装置２６
によってＣＯ2 ガス２１は所定の温度（約８０℃）に予
備加熱されるようになっている。また、ガス供給路２４
の途中にはガスフィルタ２７が介設されており、このガ
スフィルタ２７によってＣＯ2 ガス２１は不純物を最終
的に除去されるようになっている。
【００２０】このベーパ乾燥装置１は吊り具３２を介し
て保持治具３を吊持するハンドラ３１を備えており、詳
細な説明は省略するが、ハンドラ３１は保持治具３を吊
り下げた状態で、洗浄工程の純水洗浄装置（図示せず）
とベーパ浴槽１０と、後述するベンチレータ３３、その
他の場所との間を適宜移動するように構成されている。
て保持治具３を吊持するハンドラ３１を備えており、詳
細な説明は省略するが、ハンドラ３１は保持治具３を吊
り下げた状態で、洗浄工程の純水洗浄装置（図示せず）
とベーパ浴槽１０と、後述するベンチレータ３３、その
他の場所との間を適宜移動するように構成されている。
【００２１】次に、以上の構成に係るベーパ乾燥装置の
作用を説明することにより、本発明の一実施例である半
導体装置の製造方法のベーパ乾燥工程を説明する。強酸
等によって所定の洗浄処理が施されたウエハ２は、洗浄
工程の最終段階である純水洗浄装置にハンドラ３１によ
って搬送されて来る。このとき、洗浄すべきウエハ２は
複数枚が治具３に保持されている。すなわち、１枚のウ
エハ１は保持溝４に嵌入されており、複数枚のウエハ２
が互いに、同心的に並べられた状態に保持されている。
作用を説明することにより、本発明の一実施例である半
導体装置の製造方法のベーパ乾燥工程を説明する。強酸
等によって所定の洗浄処理が施されたウエハ２は、洗浄
工程の最終段階である純水洗浄装置にハンドラ３１によ
って搬送されて来る。このとき、洗浄すべきウエハ２は
複数枚が治具３に保持されている。すなわち、１枚のウ
エハ１は保持溝４に嵌入されており、複数枚のウエハ２
が互いに、同心的に並べられた状態に保持されている。
【００２２】このようにして純水洗浄装置によって洗浄
されたウエハ２および治具３は、洗浄装置から引き上げ
られて、湿潤された状態のまま、ベーパ浴槽１０にハン
ドラ３１によって直ちに搬入される。そして、純水によ
って表面が湿潤されたウエハ２および治具３は、図１に
示されているように、ベーパ浴槽１０により乾燥処理が
実施される。
されたウエハ２および治具３は、洗浄装置から引き上げ
られて、湿潤された状態のまま、ベーパ浴槽１０にハン
ドラ３１によって直ちに搬入される。そして、純水によ
って表面が湿潤されたウエハ２および治具３は、図１に
示されているように、ベーパ浴槽１０により乾燥処理が
実施される。
【００２３】ここで、ベーパ浴槽１０の底部に貯留され
ているＩＰＡ１４の液体は加熱装置１７により加熱され
て蒸発しベーパ１５を発生する。ベーパ１５は上昇し、
冷却パイプ１３によってコールドトラップされるため、
ベーパ浴槽本体１１内は完全にベーパ１５の雰囲気にな
っている。
ているＩＰＡ１４の液体は加熱装置１７により加熱され
て蒸発しベーパ１５を発生する。ベーパ１５は上昇し、
冷却パイプ１３によってコールドトラップされるため、
ベーパ浴槽本体１１内は完全にベーパ１５の雰囲気にな
っている。
【００２４】一方、ＣＯ2 ガス供給源２５から供給され
たＣＯ2 ガス２１はガス供給路２４を通って、ガス加熱
装置２６によって８０℃程度まで予備加熱されるととも
に、ガスフィルタ２７によって不純物を除去された状態
で、ガスノズル２２のガス吹出口２３群からＩＰＡ１４
の液中に全体的に均一に吹き出される。
たＣＯ2 ガス２１はガス供給路２４を通って、ガス加熱
装置２６によって８０℃程度まで予備加熱されるととも
に、ガスフィルタ２７によって不純物を除去された状態
で、ガスノズル２２のガス吹出口２３群からＩＰＡ１４
の液中に全体的に均一に吹き出される。
【００２５】吹き出されたＣＯ2 ガス２１はＩＰＡ１４
の液中を上昇してベーパ１５の雰囲気中に至り、ベーパ
雰囲気中の空気を次第に押し上げて、ベーパ浴槽３０の
室内から追い出す。そして、ＣＯ2 ガス２１はベーパ浴
槽３０の室内に停滞することにより、ベーパ浴槽３０の
室内に大気が侵入するのを防止した状態になる。
の液中を上昇してベーパ１５の雰囲気中に至り、ベーパ
雰囲気中の空気を次第に押し上げて、ベーパ浴槽３０の
室内から追い出す。そして、ＣＯ2 ガス２１はベーパ浴
槽３０の室内に停滞することにより、ベーパ浴槽３０の
室内に大気が侵入するのを防止した状態になる。
【００２６】前述したように、洗浄工程の最終段階であ
る純水洗浄装置によって表面が湿潤されたウエハ２群は
治具３に保持された状態で、ハンドラ３１により吊持さ
れ、ベーパ浴槽本体１１内へ出入口１２から、図１に示
されているように、治具３がトレー１８の真上位置に来
るまで下降される。
る純水洗浄装置によって表面が湿潤されたウエハ２群は
治具３に保持された状態で、ハンドラ３１により吊持さ
れ、ベーパ浴槽本体１１内へ出入口１２から、図１に示
されているように、治具３がトレー１８の真上位置に来
るまで下降される。
【００２７】投入時、ウエハ２および治具３は前工程で
純水によって洗浄処理されたため、低温度の状態になっ
ている。すなわち、ウエハ２および治具３はベーパ１５
の雰囲気温度よりも低い温度（１８℃〜１９℃）になっ
ているため、ベーパ１５の雰囲気温度（約８０℃）以下
の温度状態になっている。
純水によって洗浄処理されたため、低温度の状態になっ
ている。すなわち、ウエハ２および治具３はベーパ１５
の雰囲気温度よりも低い温度（１８℃〜１９℃）になっ
ているため、ベーパ１５の雰囲気温度（約８０℃）以下
の温度状態になっている。
【００２８】そして、ウエハ２および治具３はベーパ１
５の雰囲気温度よりもきわめて低い温度の状態になって
いるため、ウエハ２および治具３がベーパ１５の雰囲気
中に浸漬されると、それらの表面においてベーパ１５が
瞬間的に結露して、ＩＰＡ１４の滴になってそれらの表
面に急激に付着して行く。
５の雰囲気温度よりもきわめて低い温度の状態になって
いるため、ウエハ２および治具３がベーパ１５の雰囲気
中に浸漬されると、それらの表面においてベーパ１５が
瞬間的に結露して、ＩＰＡ１４の滴になってそれらの表
面に急激に付着して行く。
【００２９】ＩＰＡ１４がウエハ２および治具３の表面
に付着して行くに際して、結露したＩＰＡ１４はウエハ
２および治具３の表面を湿潤している水分３４と次第に
置き換わって行く。そして、ウエハ２および治具３の表
面温度がベーパ１５の温度と同等になった時点で水分３
４と、ＩＰＡ１４との置換が終了する。
に付着して行くに際して、結露したＩＰＡ１４はウエハ
２および治具３の表面を湿潤している水分３４と次第に
置き換わって行く。そして、ウエハ２および治具３の表
面温度がベーパ１５の温度と同等になった時点で水分３
４と、ＩＰＡ１４との置換が終了する。
【００３０】ところで、低温度状態のウエハ２および治
具３が、高温度（約８０℃）のベーパ１５の雰囲気に投
入されると、ベーパ１５が一瞬にして結露することによ
り、ベーパ１５が一気に消費されるため、図１に想像線
で示されているように、ベーパ１５の境界面レベルＬが
急激に低下してしまう。
具３が、高温度（約８０℃）のベーパ１５の雰囲気に投
入されると、ベーパ１５が一瞬にして結露することによ
り、ベーパ１５が一気に消費されるため、図１に想像線
で示されているように、ベーパ１５の境界面レベルＬが
急激に低下してしまう。
【００３１】そして、従来、境界面レベルＬがウエハ２
よりも下まで低下すると、ウエハ２がベーパ１５の雰囲
気から大気中に露出する状態になるため、ウエハ２が自
然乾燥する結果、ウォータマークが発生する。すなわ
ち、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水滴に大気
中の酸素が溶け込み、この酸素によりウエハ２の表面は
水滴が付着していた場所だけが局所的に自然酸化される
ため、所謂ウォータマーク現象が発生する。
よりも下まで低下すると、ウエハ２がベーパ１５の雰囲
気から大気中に露出する状態になるため、ウエハ２が自
然乾燥する結果、ウォータマークが発生する。すなわ
ち、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水滴に大気
中の酸素が溶け込み、この酸素によりウエハ２の表面は
水滴が付着していた場所だけが局所的に自然酸化される
ため、所謂ウォータマーク現象が発生する。
【００３２】しかし、本実施例においては、ベーパ浴槽
１０の底部からＣＯ2 ガス供給装置２０によってＣＯ2
ガス２１が供給されることにより、ベーパ浴槽１０の室
内から大気中の空気が追い出され、かつ、大気がベーパ
浴槽１０の室内に侵入するのを阻止されているため、境
界面レベルＬがウエハ２よりも低下して、かつ、ウエハ
２および治具３の表面に水滴が局所的に付着していて
も、この水滴に大気中の酸素が溶け込むことはない。し
たがって、自然乾燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的
に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによって
起こるウォータマークは必然的に発生しない。
１０の底部からＣＯ2 ガス供給装置２０によってＣＯ2
ガス２１が供給されることにより、ベーパ浴槽１０の室
内から大気中の空気が追い出され、かつ、大気がベーパ
浴槽１０の室内に侵入するのを阻止されているため、境
界面レベルＬがウエハ２よりも低下して、かつ、ウエハ
２および治具３の表面に水滴が局所的に付着していて
も、この水滴に大気中の酸素が溶け込むことはない。し
たがって、自然乾燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的
に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによって
起こるウォータマークは必然的に発生しない。
【００３３】そして、ＩＰＡ１４と置換した水分３４
は、ウエハ２および治具３の表面に残った異物等と共に
表面を流下して、トレー１８上にそれぞれ滴下し、トレ
ー１８により集水されて、排液管１９を通じて外部に排
出される。このように、滴下する水分３４をトレー１８
によって集水することにより、水分３４がベーパ浴槽本
体１１の底部に貯留されているＩＰＡ１４の液中に混入
するのを防止することができるため、混入した水分３４
が再蒸発して水蒸気になるのを回避することができる。
その結果、水分３４のウエハ２への再付着を防止するこ
とができる。
は、ウエハ２および治具３の表面に残った異物等と共に
表面を流下して、トレー１８上にそれぞれ滴下し、トレ
ー１８により集水されて、排液管１９を通じて外部に排
出される。このように、滴下する水分３４をトレー１８
によって集水することにより、水分３４がベーパ浴槽本
体１１の底部に貯留されているＩＰＡ１４の液中に混入
するのを防止することができるため、混入した水分３４
が再蒸発して水蒸気になるのを回避することができる。
その結果、水分３４のウエハ２への再付着を防止するこ
とができる。
【００３４】置換が終了した時点において、治具３はハ
ンドラ３１によってベーパ浴槽本体１１からベンチレー
タ３３内へ引き上げられる。治具３およびウエハ２がベ
ーパ浴槽本体１１から引き上げられると、治具３および
ウエハ２はベーパ１５の雰囲気温度によって加熱されて
昇温しているため、これらの表面に滴になって付着して
いるＩＰＡ１４は温度を奪いながら気化することにな
る。ＩＰＡ１４が気化しきると、治具３およびウエハ２
は乾燥することになる。気化したＩＰＡ１４はベンチレ
ータ３３により吸引されて他所へ拡散するのを防止され
る。
ンドラ３１によってベーパ浴槽本体１１からベンチレー
タ３３内へ引き上げられる。治具３およびウエハ２がベ
ーパ浴槽本体１１から引き上げられると、治具３および
ウエハ２はベーパ１５の雰囲気温度によって加熱されて
昇温しているため、これらの表面に滴になって付着して
いるＩＰＡ１４は温度を奪いながら気化することにな
る。ＩＰＡ１４が気化しきると、治具３およびウエハ２
は乾燥することになる。気化したＩＰＡ１４はベンチレ
ータ３３により吸引されて他所へ拡散するのを防止され
る。
【００３５】前記実施例によれば次の効果が得られる。
1) ベーパ浴槽１０の室内にＣＯ2 ガス２１が供給され
ることによってベーパ浴槽１０内の空気が排出されるた
め、ウエハ２がベーパ１５の雰囲気に投入された際に、
ベーパ１５の境界面レベルＬがウエハ２の下まで低下し
ても、ベーパ浴槽１０内に空気が存在しないので、自然
乾燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水滴
に大気中の酸素が溶け込むことによって起こるウォータ
マークの発生を防止することができる。
1) ベーパ浴槽１０の室内にＣＯ2 ガス２１が供給され
ることによってベーパ浴槽１０内の空気が排出されるた
め、ウエハ２がベーパ１５の雰囲気に投入された際に、
ベーパ１５の境界面レベルＬがウエハ２の下まで低下し
ても、ベーパ浴槽１０内に空気が存在しないので、自然
乾燥時に、ウエハ２の表面自体に局所的に付着した水滴
に大気中の酸素が溶け込むことによって起こるウォータ
マークの発生を防止することができる。
【００３６】 ウォータマークの発生を防止すること
により、乾燥精度を高めることができるとともに、露光
工程等の後の工程における不良の発生率を低下させるこ
とができる。
により、乾燥精度を高めることができるとともに、露光
工程等の後の工程における不良の発生率を低下させるこ
とができる。
【００３７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３８】例えば、空気よりも重くベーパよりは軽い
不燃性のガスとしては、ＣＯ2 ガスを使用するに限ら
ず、窒素ガスを使用してもよい。
不燃性のガスとしては、ＣＯ2 ガスを使用するに限ら
ず、窒素ガスを使用してもよい。
【００３９】有機溶剤としては、ＩＰＡを使用するに限
らず、トリクレンやメタノールアルコール等の有機溶剤
を使用してもよい。
らず、トリクレンやメタノールアルコール等の有機溶剤
を使用してもよい。
【００４０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
のベーパ乾燥技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、ホトマスクや光学レン
ズ、液晶ディスプレイパネル等についてのベーパ乾燥技
術全般に適用することができる。特に、本発明は、局所
的に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによっ
て起こるウォータマークが重大な障害になる板状物を複
数枚同時に乾燥するのに使用して優れた効果が得られ
る。
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
のベーパ乾燥技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、ホトマスクや光学レン
ズ、液晶ディスプレイパネル等についてのベーパ乾燥技
術全般に適用することができる。特に、本発明は、局所
的に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことによっ
て起こるウォータマークが重大な障害になる板状物を複
数枚同時に乾燥するのに使用して優れた効果が得られ
る。
【００４１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００４２】ベーパ浴槽の室内に空気より重くベーパよ
りは軽い不燃性ガスを供給することにより、ベーパ浴槽
内の空気を排出させることができるため、被処理物がベ
ーパの雰囲気に投入された際に、ベーパの境界面レベル
が被処理物の下まで低下しても、ベーパ浴槽内に空気が
存在しないので、自然乾燥時に、被処理物の表面自体に
局所的に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことに
よって起こるウォータマークの発生を必然的に防止する
ことができる。
りは軽い不燃性ガスを供給することにより、ベーパ浴槽
内の空気を排出させることができるため、被処理物がベ
ーパの雰囲気に投入された際に、ベーパの境界面レベル
が被処理物の下まで低下しても、ベーパ浴槽内に空気が
存在しないので、自然乾燥時に、被処理物の表面自体に
局所的に付着した水滴に大気中の酸素が溶け込むことに
よって起こるウォータマークの発生を必然的に防止する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例であるウエハの乾燥装置を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
１…ウエハの乾燥装置、２…ウエハ（被処理物）、３…
…治具、４…保持溝、１０…ベーパ浴槽、１１…浴槽本
体、１２…出入口、１３…冷却パイプ、１４…ＩＰＡ
（有機溶剤）、１５…ベーパ、１６…給液管、１７…加
熱装置、１８…トレー、１９…排液管、２０…ＣＯ2 ガ
ス供給装置、２１…ＣＯ2 ガス（不燃性ガス）、２２…
ガスノズル、２３…ガス吹出口、２４…ガス供給路、２
５…ＣＯ2 ガス供給源、２６…ガス加熱装置、２７…ガ
スフィルタ、３１…ハンドラ、３３…ベンチレータ、３
４…水分。
…治具、４…保持溝、１０…ベーパ浴槽、１１…浴槽本
体、１２…出入口、１３…冷却パイプ、１４…ＩＰＡ
（有機溶剤）、１５…ベーパ、１６…給液管、１７…加
熱装置、１８…トレー、１９…排液管、２０…ＣＯ2 ガ
ス供給装置、２１…ＣＯ2 ガス（不燃性ガス）、２２…
ガスノズル、２３…ガス吹出口、２４…ガス供給路、２
５…ＣＯ2 ガス供給源、２６…ガス加熱装置、２７…ガ
スフィルタ、３１…ハンドラ、３３…ベンチレータ、３
４…水分。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 重雄 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (72)発明者 大園 成志 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (72)発明者 ▲高▼橋 健治 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (72)発明者 大川 章 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (72)発明者 ▲高▼橋 文男 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (72)発明者 関根 茂実 群馬県高崎市西横手町111番地 株式会 社日立製作所 高崎工場内 (56)参考文献 特開 平４−151832（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−173720（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−70134（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−160231（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−295118（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−125282（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−263727（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−185031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−121（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−303028（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304
Claims (4)
- 【請求項１】 ベーパ浴槽と、前記ベーパ浴槽の底部に
貯められた有機溶剤と、前記有機溶剤を加熱してベーパ
化するための加熱手段と、前記ベーパ浴槽の上部に設け
られ前記有機溶剤のベーパをコールドトラップするため
の冷却手段とを有するベーパ乾燥装置を用いた半導体装
置の製造方法であって、 前記有機溶剤を加熱して前記ベーパ浴槽内をベーパ雰囲
気にする工程と、 加熱された前記有機溶剤中に 空気よりも重く、かつ、前
記有機溶剤のベーパよりも軽い不燃性のガスを供給しな
がら前記ベーパ浴槽内の前記ベーパ雰囲気中に水が付着
した半導体基体を設置する工程と、 前記水が付着した 半導体基体を乾燥させる工程と、 を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記不燃性のガスは、二酸化炭素ガスま
たは窒素ガスであることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 底部に有機溶剤を収容する収容部と、被
乾燥物が設置され前記有機溶剤のベーパ雰囲気が形成さ
れる乾燥部と、前記有機溶剤のベーパをコールドトラッ
プする冷却手段とを有するベーパ浴槽と、前記有機溶剤
を加熱するための加熱手段とを有するベーパ乾燥装置で
あって、 前記ベーパ浴槽の下部の前記収容部には、 空気よりも重
く、かつ、前記有機溶剤のベーパよりも軽い不燃性のガ
スを供給する手段が設けられていることを特徴とするベ
ーパ乾燥装置。 - 【請求項４】 前記ベーパ浴槽には、前記不燃性のガス
を加熱する手段が設けられてることを特徴とする請求項
３に記載のベーパ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23780492A JP3170058B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23780492A JP3170058B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669182A JPH0669182A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3170058B2 true JP3170058B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=17020664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23780492A Expired - Fee Related JP3170058B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用されるベーパ乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170058B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP23780492A patent/JP3170058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669182A (ja) | 1994-03-11 |
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