JPH0845799A - 半導体装置のマーキング方法 - Google Patents
半導体装置のマーキング方法Info
- Publication number
- JPH0845799A JPH0845799A JP19353194A JP19353194A JPH0845799A JP H0845799 A JPH0845799 A JP H0845799A JP 19353194 A JP19353194 A JP 19353194A JP 19353194 A JP19353194 A JP 19353194A JP H0845799 A JPH0845799 A JP H0845799A
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- JP
- Japan
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- gas
- chamber
- marking
- wafer
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ光を照射してシリコンを溶かす際に生
じるパーティクルの発生による欠陥を防止する。 【構成】 レーザ照射時に、シリコンをエッチングし得
るＣＦ4ガスなどを導入する手段を設け、ＣＦ4ガスなど
のエッチング雰囲気中でシリコンウエハにレーザを照射
し、照射箇所の高温部にてシリコンとＣＦ4ガスなどの
エッチングガスとを化学反応させ、シリコン化合物の気
体を作って排気することにより、次々に除去して照射箇
所に凹みを形成し、レーザ照射箇所を変えて、凹みのパ
ターンを形成することで、目視可能な文字や数字などの
マーキングを形成する。 【効果】 パーティクルを発生させることなく、シリコ
ンウエハにマーキングを行うことができる。
じるパーティクルの発生による欠陥を防止する。 【構成】 レーザ照射時に、シリコンをエッチングし得
るＣＦ4ガスなどを導入する手段を設け、ＣＦ4ガスなど
のエッチング雰囲気中でシリコンウエハにレーザを照射
し、照射箇所の高温部にてシリコンとＣＦ4ガスなどの
エッチングガスとを化学反応させ、シリコン化合物の気
体を作って排気することにより、次々に除去して照射箇
所に凹みを形成し、レーザ照射箇所を変えて、凹みのパ
ターンを形成することで、目視可能な文字や数字などの
マーキングを形成する。 【効果】 パーティクルを発生させることなく、シリコ
ンウエハにマーキングを行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスに於けるシリコンウエハへのマーキングに適する半
導体装置のマーキング方法に関する。
セスに於けるシリコンウエハへのマーキングに適する半
導体装置のマーキング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造プロセスに
於ては、効率などの面から多数のシリコンウエハを一度
に処理する方法が用いられている。そのため、シリコン
ウエハ表面或いは裏面に文字や数字、記号などを刻印
（マーキング）して、ウエハを区別し得るようにした方
法が広く用いられている。従来のマーキングの方法とし
ては、Ｎd−ＹＡＧレーザ等によりウエハ表面を局所的
に溶かして凹みを作り、目視などにて文字や数字、図
形、記号などとして判別可能な凹みのパターンを形成す
る方法が一般的である。
於ては、効率などの面から多数のシリコンウエハを一度
に処理する方法が用いられている。そのため、シリコン
ウエハ表面或いは裏面に文字や数字、記号などを刻印
（マーキング）して、ウエハを区別し得るようにした方
法が広く用いられている。従来のマーキングの方法とし
ては、Ｎd−ＹＡＧレーザ等によりウエハ表面を局所的
に溶かして凹みを作り、目視などにて文字や数字、図
形、記号などとして判別可能な凹みのパターンを形成す
る方法が一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、レーザ光により溶けたシリコンが、飛び
散って冷えて微細なパーティクルとなり、ウエハに付着
すると、それらのパーティクルが半導体装置に欠陥を引
き起こし、歩留まりを低下させる原因の１つとして問題
となっていた。
来の方法では、レーザ光により溶けたシリコンが、飛び
散って冷えて微細なパーティクルとなり、ウエハに付着
すると、それらのパーティクルが半導体装置に欠陥を引
き起こし、歩留まりを低下させる原因の１つとして問題
となっていた。
【０００４】このような従来技術の問題点に鑑み、本発
明の主な目的は、レーザ光を照射してシリコンを溶かす
際に生じるパーティクルの発生による欠陥を防止し得る
半導体装置のマーキング方法を提供することにある。
明の主な目的は、レーザ光を照射してシリコンを溶かす
際に生じるパーティクルの発生による欠陥を防止し得る
半導体装置のマーキング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記した目的は、本発明
によれば、フッ素または塩素の少なくともいずれか一種
を含有するガス雰囲気中で半導体装置にレーザ光を照射
する工程を具備することを特徴とする半導体装置のマー
キング方法を提供することにより達成される。
によれば、フッ素または塩素の少なくともいずれか一種
を含有するガス雰囲気中で半導体装置にレーザ光を照射
する工程を具備することを特徴とする半導体装置のマー
キング方法を提供することにより達成される。
【０００６】
【作用】このようにすれば、ＣＦ4ガスなどのエッチン
グガス雰囲気中でシリコンウエハにレーザ光を照射する
と照射箇所にのみ高温部を作ることができ、その高温に
なっている照射箇所ではシリコンとＣＦ4ガスなどのエ
ッチングガスが化学反応しＳｉＦ4などのシリコン化合
物を作るが、これは常温で気体状態であるためウエハ表
面に残らずに次々除去されることから、照射箇所に凹み
が形成される。レーザ光の照射箇所を変えて凹みによる
パターンを形成することで、目視などにて文字、数字、
図形、記号などと判別できるマーキングを形成すること
ができる。このとき、シリコンウエハを溶かさないた
め、微細なシリコンのパーティクルが発生しない。
グガス雰囲気中でシリコンウエハにレーザ光を照射する
と照射箇所にのみ高温部を作ることができ、その高温に
なっている照射箇所ではシリコンとＣＦ4ガスなどのエ
ッチングガスが化学反応しＳｉＦ4などのシリコン化合
物を作るが、これは常温で気体状態であるためウエハ表
面に残らずに次々除去されることから、照射箇所に凹み
が形成される。レーザ光の照射箇所を変えて凹みによる
パターンを形成することで、目視などにて文字、数字、
図形、記号などと判別できるマーキングを形成すること
ができる。このとき、シリコンウエハを溶かさないた
め、微細なシリコンのパーティクルが発生しない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１に基づき説明す
る。図１は本発明のマーキング方法を実施するときに用
いるマーキング装置の概略図である。
る。図１は本発明のマーキング方法を実施するときに用
いるマーキング装置の概略図である。
【０００８】図１に於て、チャンバ１内には、半導体装
置としてのシリコンウエハ４が設置されている。また、
チャンバ１の図に於ける上面には、シリコンウエハ４に
レーザ光線を照射するためのレーザ装置３が接続され、
チャンバ１の図に於ける一方の側面には、シリコンウエ
ハ４をチャンバ１内に搬入するためのウエハ搬送装置２
が接続されている。
置としてのシリコンウエハ４が設置されている。また、
チャンバ１の図に於ける上面には、シリコンウエハ４に
レーザ光線を照射するためのレーザ装置３が接続され、
チャンバ１の図に於ける一方の側面には、シリコンウエ
ハ４をチャンバ１内に搬入するためのウエハ搬送装置２
が接続されている。
【０００９】チャンバ１の図に於ける他方の側面には導
入管Ａが接続されており、導入管Ａには流量制御器５が
接続され、流量制御器５にはＣＦ4ガスを供給するため
のＣＦ4ガスシリンダ６が接続されている。これによ
り、ＣＦ4ガスシリンダ６から供給される酸素を、流量
制御器５により流量を制御してチャンバ１内に導入する
ことができる。また、チャンバ１には、チャンバ１内の
空気等を排気するための排気管７が接続されている。
入管Ａが接続されており、導入管Ａには流量制御器５が
接続され、流量制御器５にはＣＦ4ガスを供給するため
のＣＦ4ガスシリンダ６が接続されている。これによ
り、ＣＦ4ガスシリンダ６から供給される酸素を、流量
制御器５により流量を制御してチャンバ１内に導入する
ことができる。また、チャンバ１には、チャンバ１内の
空気等を排気するための排気管７が接続されている。
【００１０】次に、図１に示したマーキング装置を用い
て本発明の方法によりマーキングを行う要領について以
下に示す。まず、シリコンウエハ４をウエハ搬送装置２
によりチャンバ１内に搬入する。次にＣＦ4ガスシリン
ダ６の開閉弁Ｂを開き、流量制御装置５にＣＦ4ガスを
送る。流量制御装置５によって流量を制御されたＣＦ4
ガスが導入管Ａを介してチャンバ１内に導入され、チャ
ンバ１内のガスが排気管７を通して排気される。
て本発明の方法によりマーキングを行う要領について以
下に示す。まず、シリコンウエハ４をウエハ搬送装置２
によりチャンバ１内に搬入する。次にＣＦ4ガスシリン
ダ６の開閉弁Ｂを開き、流量制御装置５にＣＦ4ガスを
送る。流量制御装置５によって流量を制御されたＣＦ4
ガスが導入管Ａを介してチャンバ１内に導入され、チャ
ンバ１内のガスが排気管７を通して排気される。
【００１１】レーザ装置３によりシリコンウエハ４表面
の一部にレーザ光Ｌを照射し、照射箇所とＣＦ4ガスと
を反応させてウエハをエッチングし、凹みによるパター
ンを形成することでマーキングを行う。このとき照射箇
所では、高温になったシリコンとＣＦ4とを化学反応さ
せて気体のＳｉＦ4が生成され、ＳｉＦ4ガスが排気管７
から排気されるので、パーティクルが発生しない。
の一部にレーザ光Ｌを照射し、照射箇所とＣＦ4ガスと
を反応させてウエハをエッチングし、凹みによるパター
ンを形成することでマーキングを行う。このとき照射箇
所では、高温になったシリコンとＣＦ4とを化学反応さ
せて気体のＳｉＦ4が生成され、ＳｉＦ4ガスが排気管７
から排気されるので、パーティクルが発生しない。
【００１２】以上の工程によって、パーティクルを発生
させることなく、マーキングを行うことができた。
させることなく、マーキングを行うことができた。
【００１３】尚、本実施例では、ＣＦ4ガスを用いた
が、塩素ガス等のＳｉをエッチングするエッチングガ
ス、またはそれらの混合ガスを用いても良い。また、チ
ャンバ１内をＣＦ4ガスで置換する効率を上げるため
に、排気管７に真空ポンプ等の排気装置を接続しても良
い。
が、塩素ガス等のＳｉをエッチングするエッチングガ
ス、またはそれらの混合ガスを用いても良い。また、チ
ャンバ１内をＣＦ4ガスで置換する効率を上げるため
に、排気管７に真空ポンプ等の排気装置を接続しても良
い。
【００１４】
【発明の効果】上記した説明により明らかなように、本
発明によれば、半導体装置としてのシリコンウエハに対
して、パーティクルを発生させることなく、凹みによる
パターンを形成したマーキングを行うことができる。
発明によれば、半導体装置としてのシリコンウエハに対
して、パーティクルを発生させることなく、凹みによる
パターンを形成したマーキングを行うことができる。
【図１】本発明に基づくマーキング装置の概略構成図で
ある。
ある。
１ チャンバ ２ ウエハ搬送装置 ３ レーザ装置 ４ シリコンウエハ ５ 流量制御装置 ６ ＣＦ4ガスシリンダ ７ 排気管
Claims (1)
- 【請求項１】 フッ素または塩素の少なくともいずれ
か一種を含有するガス雰囲気中で半導体装置にレーザ光
を照射する工程を具備することを特徴とする半導体装置
のマーキング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19353194A JPH0845799A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19353194A JPH0845799A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845799A true JPH0845799A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16309629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19353194A Withdrawn JPH0845799A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置のマーキング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845799A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014034044A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの加工方法 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP19353194A patent/JPH0845799A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014034044A (ja) * | 2012-08-08 | 2014-02-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | デバイスの加工方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |