JPH1174233A

JPH1174233A - レーザーアシスト低温エッチング方法

Info

Publication number: JPH1174233A
Application number: JP9241749A
Authority: JP
Inventors: Meisho Se; 明昌施
Original assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Current assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date: 1997-08-25
Filing date: 1997-08-25
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】エッチング表面に機械損傷を残留させず、電
性性質に損傷を発生発生させないレーザーアシスト低温
エッチング方法の提供。【解決手段】試料をある特定温度に冷却するステッ
プ、該試料を、特定気圧となした塩素ガスとメタンの環
境中に置くステップ、特定照度と特定重複周波数を有す
るレーザーパルスを試料に照射するステップ以上のステ
ップを包括してなる、レーザーアシスト低温エッチング
方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は活性ガスエッチング
方法に関し、特にレーザーアシスト低温エッチング技術
に関する。

【０００２】

【従来の技術】リアクティブイオンエッチング（ｒｅａ
ｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ，ＲＩＥ，反応性
イオンエッチング）は広く半導体工業に使用されてお
り、その中、高化学活性を有する分子或いは原子は、真
空中に反応性ガスを入れ、高周波電力を加えて放電を生
じさせてプラズマを形成させ、電界で加速された電子と
の衝突によりガスを解離させることで、生成される。こ
の種のエッチング方法は相当に有効で用途の広い方法で
あるが、使用上いくつかの欠点を有していた。実際の工
程で、プラズマの高エネルギーを帯びた活性イオンは試
料の表面に機械性質の破壊をもたらす恐れがあり、エッ
チング完成後もこの破壊が依然として存在し、その破壊
深さは１００オングストローム程度に達する。このほ
か、高エネルギーイオンの進入効果による電気性質の破
壊があり、その深さは１０００オングストローム程度に
達することはよく知られている。そのため集積回路素子
の薄膜の厚さが非常に薄い場合には素子性能の不良を形
成した。

【０００３】以上の高解析薄膜素子表面に対する破損の
欠点を解決するものとして、レーザーアシスト低温エッ
チング方法が提案された。レーザーアシスト低温エッチ
ング方法の原理は図１に示される。図１中、Ａ部分は試
料１の一部表面を示し、該表面の一部はマスク２により
遮蔽されている。図中の下向きの矢印は反応ガス分子３
を示し、無レーザー照射状況ではガス分子は試料１と化
学反応進行不能である。試料１が液体窒素の温度近くま
で接近冷却されると、反応ガス分子３は物理吸着作用に
より試料１の表面に凝結し、一つの分子単層を形成す
る。

【０００４】もしレーザーによる励起がなければ、物理
吸着分子層と試料１の表面は表面化学反応を発生しな
い。しかし、図１中のＢに示されるように、この物理吸
着分子層は適当なレーザービーム４の照射下で、レーザ
ー光の光子が十分なエネルギー量、即ち十分短い波長を
有する場合に光分解し、分解により発生した原子が高表
面化学活性を有し、この高活性原子の一部或いは全部と
試料１の表面が反応してエッチング効果を達成し、発生
した表面反応化合物５は未分解の物理吸着分子と共に、
レーザービームの表面に対する瞬時加熱の作用（ｐｙｒ
ｏｌｉｔｉｃａｌｌｙ）或いは表面光解離（ｐｈｏｔｏ
−ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）により、表面より離れる
（符号６を付した矢印）。

【０００５】以上に述べた低温エッチング工程では、エ
ッチング表面に対する機械性質の損傷或いは電性性質損
傷を形成しないという優れた点を有している。また、エ
ッチング反応がただレーザーの照射する部分のみに発生
するため、異方性エッチング工程であるという優れた点
を有している。さらに、工程中でレーザーを使用してエ
ッチングしているためエッチングパターンが表面マスク
方法だけでなく、他の光学成像方法、例えば投影印刷法
或いはホトマスク法によっても形成できることが優れた
点である。

【０００６】レーザーアシスト低温エッチング方法につ
いてはすでに１９９５年のＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ．ｖｏｌ．１３の第４３から５４頁のＭ．Ｃ．
Ｓｈｉｈ等による記載があり、純塩素ガス或いは塩素ガ
スとアルゴンガスの混合ガスに、波長１９３ｍｎのフッ
化アルゴンＡｒＦ準分子レーザーを組合せて使用し、試
料を冷却して絶対温度１４０度でエッチングを進行した
ところ、エッチング率が約０．２５オングストローム／
パルスとなったことが記されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、エッチング
工程終了後、エッチング表面に機械損傷を残留させず、
電性性質に損傷を発生発生させない一種の薄膜素子エッ
チング方法を提供することを課題としている。

【０００８】本発明は次に、サブミクロン高解析の薄膜
素子のエッチングパターンを得られる一種のエッチング
方法を提供することを課題としている。

【０００９】本発明はさらに、金属層をエッチングマス
クとなして、有機高分子レジストに代替する一種のエッ
チング方法を提供することを課題としている。

【００１０】本発明はさらにまた、窒化ガリウム材料の
エッチングに有効である一種のエッチング方法を提供す
ることを課題としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、試料
をある特定温度に冷却するステップ、該試料を、特定気
圧となした塩素ガスとメタンの環境中に置くステップ、
特定照度と特定重複周波数を有するレーザーパルスを試
料に照射するステップ以上のステップを包括してなる、
レーザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００１２】請求項２の発明は、上記特定温度を１２０
から１５０Ｋとした、請求項１に記載のレーザーアシス
ト低温エッチング方法としている。

【００１３】請求項３の発明は、上記特定気圧を１から
１０ｍｔｏｒｒとした、請求項１に記載のレーザーアシ
スト低温エッチング方法としている。

【００１４】請求項４の発明は、上記試料として、窒化
ガリウム、ガリウム砒素、シリコン、リチウムニオビウ
ム及びストロンチウムバリウムカーバイトより一つを選
択するものとする、請求項１に記載のレーザーアシスト
低温エッチング方法としている。

【００１５】請求項５の発明は、上記レーザーパルスを
波長１９３ｎｍでフッ化アルゴン準分子レーザーより発
射させるか、或いは波長２４８ｎｍでフッ化カリウム準
分子レーザーより発射させる、請求項１に記載のレーザ
ーアシスト低温エッチング方法としている。

【００１６】請求項６の発明は、上記特定照度を５００
から８００ｍＪ／ｃｍ²とし、重複周波数を５から６０
パルス／秒とする、請求項１に記載のレーザーアシスト
低温エッチング方法としている。

【００１７】請求項７の発明は、試料をある特定温度に
冷却するステップ、該試料を、塩素ガスとメタンの混合
ガスで充満して環境中に置き入れ、該環境を特定気圧に
維持するステップ、特定波長、特定照度と重複周波数を
有するレーザーパルスを試料の特定区域に照射するステ
ップ、以上のステップを包括してなる、レーザーアシス
ト低温エッチング方法としている。

【００１８】請求項８の発明は、上記特定温度を１２０
から１５０Ｋとした、請求項７に記載のレーザーアシス
ト低温エッチング方法としている。

【００１９】請求項９の発明は、上記特定気圧を１から
１０ｍｔｏｒｒとした、請求項７に記載のレーザーアシ
スト低温エッチング方法としている。

【００２０】請求項１０の発明は、上記試料として、窒
化ガリウム、ガリウム砒素、シリコン、リチウムニオビ
ウム及びストロンチウムバリウムカーバイトより一つを
選択するものとする、請求項７に記載のレーザーアシス
ト低温エッチング方法としている。

【００２１】請求項１１の発明は、上記レーザーパルス
を波長１９３ｎｍでフッ化アルゴン準分子レーザーより
発射させるか、或いは波長２４８ｎｍでフッ化カリウム
準分子レーザーより発射させる、請求項７に記載のレー
ザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００２２】請求項１２の発明は、上記特定照度を５０
０から８００ｍＪ／ｃｍ²とし、重複周波数を５から６
０パルス／秒とする、請求項７に記載のレーザーアシス
ト低温エッチング方法としている。

【００２３】請求項１３の発明は、試料の特定区域に対
してレーザー照射を進行する方法として、試料に表面接
触マスクを形成し、各種エッチング条件を特定範囲に調
整して試料に対するエッチングを行う、請求項７に記載
のレーザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００２４】請求項１４の発明は、表面接触マスクの材
料を、窒化しりこん或いは金或いはクロム金合金とす
る、請求項１３に記載のレーザーアシスト低温エッチン
グ方法としている。

【００２５】請求項１５の発明は、試料の特定区域に対
するレーザー照射の進行は、該試料の表面にレーザー光
学投影で成像することを以てなす、請求項７に記載のレ
ーザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００２６】請求項１６の発明は、試料の特定区域に対
するレーザー照射の進行は、該試料上に集束されたレー
ザー光のラスタスキャニングを以てなす、請求項７に記
載のレーザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００２７】請求項１７の発明は、試料の特定区域に対
するレーザー照射の進行は、レーザー光を平行とし、レ
ーザーと試料の間にシャドーマスクを置き入れ、エッチ
ング反動時に該シャドーマスクを移動させることを以て
なす、請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチン
グ方法としている。

【００２８】請求項１８の発明は、試料を薄膜となす、
請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチング方法
としている。

【００２９】請求項１９の発明は、塩素ガスとメタンの
分子量比を１：１から５：１となす、請求項７に記載の
レーザーアシスト低温エッチング方法としている。

【００３０】

【発明の実施の形態】同じ混合比の塩素ガス（Ｃｌ₂）
とメタン（ＣＨ₄）の混合ガスをエッチング反応ガスと
して、試料の温度を約１４０Ｋまで下げ、深紫外光レー
ザー（例えば波長１９３ｎｍのフッ化アルゴン準分子レ
ーザー）を照射し、各一本のレーザー光パルスの照度を
約４００ｍＪ／ｃｍ²とし、パルス周波数を約１０パル
ス／秒とし、窒素ガリウムに対してエッチングを行った
ところ、毎分０．７オングストロームのエッチング率を
得た。塩素ガスとメタン混合ガスの圧力は約２ｍｔｏｒ
ｒに保持した。また、本発明によると、接触マスク、投
影印刷、ラスタスキャニング（ｒａｓｔｅｒｓｃａｎ
ｎｉｎｇ）、或いは平行レーザービームと可動シャドー
マスクの組合せのいずれの方法でも選択性エッチングの
目的を達成できる。

【００３１】

【実施例】本発明の主要な特徴は、使用する混合ガスに
あり、特に塩素ガスとメタンの混合ガスを、単一ガスの
代わりにエッチング反応ガスとして使用している。そし
てレーザー波長、レーザー照度及び基材温度を含むエッ
チング変数を適当に選択、制御することで、約２０００
オングストローム／分の高いエッチング率を達成し、エ
ッチング表面にいかなる損傷現象も発生させない。

【００３２】本発明は、一般的なレーザーアシスト低温
エッチング方法では窒化ガリウム材料に対して有効なエ
ッチング速度を達成できなかったという問題を解決すべ
くなされた。以下、本発明の窒化ガリウム材料に対して
の具体的実施例について説明するが、ただし、本発明の
方法はこの材料に対してのみの実施に限定されるのでは
なくガリウム砒素、三五族中間金属化合物、シリコン、
リチウムニオビウム及びストロンチウムバリウムカーバ
イトにも運用される。

【００３３】図２に示されるのは本発明の工程で使用さ
れる実験装置である。レーザービーム２０は波長１９３
ｎｍでフッ化アルゴン準分子レーザーより発射される
か、或いは波長２４８ｎｍでフッ化カリウム準分子レー
ザーより発射されるか、或いはその他の類似のレーザー
より発射され、ミラー２１で反射の後、レーザービーム
２２とされてエッチング反応室２３の中に進入する。エ
ッチング反応室２３は先に空気を抽出して真空とされて
１０^-6ｔｏｒｒまで圧力が下げられ、その後、塩素ガス
とメタンの混合ガス２５がエッチング反応室２３内に充
填される。混合ガスの純度は約９９．９９９％とされ
る。一般的には、この二種のガスを同量で混合すると、
塩素ガスとメタンの分子量比は約１：１から５：１の間
となる。

【００３４】エッチング試料は試料移送システムにより
置き入れられる。塩素ガスとメタンの混合ガスの圧力は
１から１０ｍｔｏｒｒの間とされ、圧力維持の方法とし
て拡散ポンプ２７と流量弁によるコントロールが採用さ
れ、それによりガスの圧力が固定状態に維持される。圧
力測定には圧力計３０が使用される。エッチング反応室
２３の試料台は、液体窒素を利用することで温度１２０
Ｋから１５０Ｋの間に冷却可能である（１４０Ｋが最適
温度）、液体窒素の導入はジョイントを経てなされ、試
料台は温度コントローラー２９により恒温に保持され
る。残留ガス吸入器２８は、エッチング反応中で発生し
て後方に拡散し拡散ポンプ部分に至り損壊を形成しうる
反応後ガスを吸収し、及びエッチング反応室２３を汚染
しうるオイルガスの拡散を阻止するのに用いられる。エ
ッチング過程で発生した腐触性ガスは残留ガス吸入器２
８に吸収された後、乾燥窒素ガスで気色され、さらに排
ガス処理器４１で完全に純化される。

【００３５】図３はエッチング反応室２３の拡大図であ
る。試料３１は通常、一層の窒化ガリウム薄膜がサファ
イヤ基板の表面に堆積したものとされるが、ただしこの
試料に限られるものではない。試料３１は試料台３２の
上に置かれ（該試料台３２の組成材料はモリブデンとさ
れ、銅ジョイント３６と試料台３２が連接され、エネル
ギーが銅ジョイント３６より排出される。銅ジョイント
３６は冷却管４４より送り込まれた液体窒素により冷却
される。図２に示されるように、一つの加熱器３３と温
度コントローラー２９が連接されて、試料の温度保持に
用いられる。エッチング工程を開始する時、レーザービ
ーム２０は一列の直列パルスの方式で、ＵＶ透明ウイン
ドウ３５を通過して試料に到達する。各一つのパルスレ
ーザーの照度は約１００から８００ｍＪ／ｃｍ²の間と
され（最もよく使用される照度は約４００ｍＪ／ｃ
ｍ²）、パルスの重複周波数は５から６０パルス／秒と
される（最もよく使用される重複周波数は約１０パルス
／秒）。

【００３６】図４には本発明による、窒化ガリウム材料
のエッチング深さと時間の曲線図であり、使用される工
程条件は、塩素ガスとメタンの分圧がそれぞれ１ｍｔｏ
ｒｒ、各一つのレーザーパルスの照度が約２００ｍＪ／
ｃｍ²、パルス重複周波数が毎秒約５回、以上である。

【００３７】上述の工程条件により毎分２００オングス
トロームのエッチング率が得られ、各レーザーパルスが
０．７オングストロームのエッチング率を有することに
なる。もしレーザーパルス重複周波数が毎秒５０個のパ
ルスであれば、エッチング率は毎分２０００オングスト
ロームに達する。これから分かるように、本発明の工程
条件を使用することで、窒化ガリウム材料のプラズマア
シスト低温エッチングに対して大きな改善がなされる。

【００３８】エッチング工程の最良の条件を決定するた
めには、塩素ガスとメタンによる窒化ガリウムのエッチ
ングシステムにおけるレーザーパルスに対するエッチン
グ深さのいくつかの変数について了解する必要がある。
図５、６及び図７にはエッチング深さと圧力、試料温
度、及びレーザーパルス照度の関係が示されている。図
５はエッチング深さと圧力の関係図であり、純塩素と、
塩素ガスとメタンを１：１で混合した混合ガスの二種の
エッチング反応ガスによるエッチング結果をそれぞれ示
している。図６は試料の温度と圧力の関係図であり、塩
素ガスとメタンを１：１で混合した混合ガスを用い、エ
ッチング反応室の圧力を約２ｍｔｏｒｒとし、レーザー
照度を約４００ｍＪ／ｃｍ²とした時のものである。図
７はレーザー照度とエッチング深さの関係図であり、塩
素ガスとメタンを１：１で混合した混合ガスをエッチン
グ反応ガスとして用い、試料の温度を約１４０Ｋ、レー
ザー重複周波数を約５Ｈｚとした時のものである。これ
らの図に示されるように、試料の温度が１３０Ｋより下
がると、圧力は数ｍＪ／ｃｍ²で十分である。図７に示
される曲線から、起動の光照度は３００ｍＪ／ｃｍ²と
される。

【００３９】前述したように、レーザー光は数種の方法
を使用してエッチング制御に用いられうるため、選択性
エッチングを達成してエッチングパターンを形成でき
る。本発明の第１実施例では、表面接触マスクでレーザ
ー光を遮断し、レーザー光がエッチング区域に照射しな
いようにしている。この種のマスクの使用方法は、先に
表面に一層の均一な薄膜を堆積させてから、標準エッチ
ング方式で保護しない区域のホトレジストパターン層を
除去する。この種の接触ホトレジストの材料は、窒化シ
リコン、金、クロム、或いはクロム金合金とされる。

【００４０】本発明の工程の第２実施例は、マスクに適
当な影像形成システムを組合せ、レーザー光影像を窒化
ガリウム表面区域に投影し、影像投影区域がエッチング
反応を発生できるようにする。レーザー光は紫外光波長
であるため、誘電材料めっき膜のミラーと石英レンズの
少なくとも一方を使用し、もしハーフトーンマスク（フ
ルコントラストと相反する）を使用すれば異なる区域で
同じエッチング深さが達成される。

【００４１】深紫外光影像システムには高い費用がかか
るため、本発明の第３実施例では平行レーザー光を使用
し、それにシャドーマスクの使用を組み合わせている
（図８参照、矢印８３は平行レーザービームを代表す
る）。それは僅かに一つのシャドーマスクそれはエッチ
ング過程でいくつかの異なる位置、１３４、１３５、１
３６に移動可能である。

【００４２】可動シャドーマスクを使用する利点は、立
体的な三次元空間のエッチング構造を達成できることに
ある。図８の例では、シャドーマスクが１３４の位置に
ある時、レーザー光によるエッチング区域は８０、８
１、及び８２で、シャドーマスクが１３５の位置にある
時、レーザー光によるエッチング区域は８１、８２、及
び８５で、シャドーマスクが１３６の位置にある時、レ
ーザー光によるエッチング区域は８２、８５、及び８６
である。シャドーマスクが三つの位置にある時のエッチ
ング時間とエッチング速度が一致する時、区域８２のエ
ッチング時間、区域８１と８５の得るエッチング時間
は、それぞれ区域８０と８６の得るエッチング時間の３
倍、２倍となる。この結果から図８のエッチングパター
ンが得られる。以上の結果から分かるように、シャドー
マスクの停留時間を異なる位置で改変することで、立体
三次元空間のエッチング構造が形成される。

【００４３】本発明の工程の第４実施例では、レーザー
ビームを集めて細光点となし、窒化ガリウム材料の表面
でエッチングパターン走査を行い、選択性のエッチング
パターンを形成する。レーザー光強度は必ずしも全開或
いは全閉間で調整し、それにより同時にエッチング深さ
とエッチング区域を調整する。

【００４４】

【発明の効果】本発明は、エッチング工程終了後、エッ
チング表面に機械損傷を残留させず、電性性質に損傷を
発生発生させない薄膜素子エッチング方法を提供してい
る。

【００４５】本発明はまた、サブミクロン高解析の薄膜
素子のエッチングパターンを得られる一種のエッチング
方法を提供している。

【００４６】本発明はさらに、金属層をエッチングマス
クとなして、有機高分子レジストに代替する一種のエッ
チング方法を提供している。

【００４７】本発明はさらにまた、窒化ガリウム材料の
エッチングに有効である一種のエッチング方法を提供し
ている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で使用する原理説明図である。

【図２】本発明の工程を進行する光化学システム図であ
る。

【図３】図２の部分拡大図である。

【図４】本発明の方法を使用して窒化ガリウムに対する
エッチングを進行した時のエッチング深さと時間曲線図
である。

【図５】本発明の方法による、各一回のパルスのエッチ
ング深さ対圧力関係図である。

【図６】本発明の方法による、各一回のパルスのエッチ
ング深さ対温度関係図である。

【図７】本発明の方法による、各一回のパルスのエッチ
ング深さ対照度関係図である。

【図８】本発明の方法により、レーザー光を可動シャド
ウマスクに合わせて照射して得られたエッチングパター
ン表示図である。

【符号の説明】

２０レーザービーム２１ミラー２２レーザービーム２３エッチング反応室２５塩素ガスとメタンの混合ガス２７拡散ポンプ２８残留ガス吸入器２９温度コントローラー３０圧力計３１試料３２試料台３３加熱器３５ＵＶ透明ウインドウ３６銅ジョイント４１排ガス処理器４４冷却管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】試料をある特定温度に冷却するステッ
プ、該試料を、特定気圧となした塩素ガスとメタンの環境中
に置くステップ、特定照度と特定重複周波数を有するレーザーパルスを試
料に照射するステップ以上のステップを包括してなる、
レーザーアシスト低温エッチング方法。
【請求項２】上記特定温度を１２０から１５０Ｋとし
た、請求項１に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項３】上記特定気圧を１から１０ｍｔｏｒｒと
した、請求項１に記載のレーザーアシスト低温エッチン
グ方法。
【請求項４】上記試料として、窒化ガリウム、ガリウ
ム砒素、シリコン、リチウムニオビウム及びストロンチ
ウムバリウムカーバイトより一つを選択するものとす
る、請求項１に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項５】上記レーザーパルスを波長１９３ｎｍで
フッ化アルゴン準分子レーザーより発射させるか、或い
は波長２４８ｎｍでフッ化カリウム準分子レーザーより
発射させる、請求項１に記載のレーザーアシスト低温エ
ッチング方法。
【請求項６】上記特定照度を５００から８００ｍＪ／
ｃｍ²とし、重複周波数を５から６０パルス／秒とす
る、請求項１に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項７】試料をある特定温度に冷却するステッ
プ、該試料を、塩素ガスとメタンの混合ガスで充満して環境
中に置き入れ、該環境を特定気圧に維持するステップ、特定波長、特定照度と重複周波数を有するレーザーパル
スを試料の特定区域に照射するステップ、以上のステップを包括してなる、レーザーアシスト低温
エッチング方法。
【請求項８】上記特定温度を１２０から１５０Ｋとし
た、請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項９】上記特定気圧を１から１０ｍｔｏｒｒと
した、請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチン
グ方法。
【請求項１０】上記試料として、窒化ガリウム、ガリ
ウム砒素、シリコン、リチウムニオビウム及びストロン
チウムバリウムカーバイトより一つを選択するものとす
る、請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項１１】上記レーザーパルスを波長１９３ｎｍ
でフッ化アルゴン準分子レーザーより発射させるか、或
いは波長２４８ｎｍでフッ化カリウム準分子レーザーよ
り発射させる、請求項７に記載のレーザーアシスト低温
エッチング方法。
【請求項１２】上記特定照度を５００から８００ｍＪ
／ｃｍ²とし、重複周波数を５から６０パルス／秒とす
る、請求項７に記載のレーザーアシスト低温エッチング
方法。
【請求項１３】試料の特定区域に対してレーザー照射
を進行する方法として、試料に表面接触マスクを形成
し、各種エッチング条件を特定範囲に調整して試料に対
するエッチングを行う、請求項７に記載のレーザーアシ
スト低温エッチング方法。
【請求項１４】表面接触マスクの材料を、窒化しりこ
ん或いは金或いはクロム金合金とする、請求項１３に記
載のレーザーアシスト低温エッチング方法。
【請求項１５】試料の特定区域に対するレーザー照射
の進行は、該試料の表面にレーザー光学投影で成像する
ことを以てなす、請求項７に記載のレーザーアシスト低
温エッチング方法。
【請求項１６】試料の特定区域に対するレーザー照射
の進行は、該試料上に集束されたレーザー光のラスタス
キャニングを以てなす、請求項７に記載のレーザーアシ
スト低温エッチング方法。
【請求項１７】試料の特定区域に対するレーザー照射
の進行は、レーザー光を平行とし、レーザーと試料の間
にシャドーマスクを置き入れ、エッチング反動時に該シ
ャドーマスクを移動させることを以てなす、請求項７に
記載のレーザーアシスト低温エッチング方法。
【請求項１８】試料を薄膜となす、請求項７に記載の
レーザーアシスト低温エッチング方法。
【請求項１９】塩素ガスとメタンの分子量比を１：１
から５：１となす、請求項７に記載のレーザーアシスト
低温エッチング方法。