JPS6283749A - フオトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents
フオトマスクの欠陥修正方法Info
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- JPS6283749A JPS6283749A JP60224290A JP22429085A JPS6283749A JP S6283749 A JPS6283749 A JP S6283749A JP 60224290 A JP60224290 A JP 60224290A JP 22429085 A JP22429085 A JP 22429085A JP S6283749 A JPS6283749 A JP S6283749A
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- Japan
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- photomask
- gas
- laser beam
- pin hole
- defect
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
- G03F1/74—Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製造に用いられるフォトマス
ク上に発生するピンホール等の欠陥の修正方法に関する
。 ［従来の技術］ 半導体装置製造工程において用いられるフォトマスクは
通常以下のようにして形成される。すなわち、まずガラ
ス基板上にクロムまたは金属シリサイド等の金属膜がた
とえばスパッタリング法を用いて形成される。次に、こ
の金属膜上に予め定められたパターンを有するレジスト
膜〈フォトレジスト膜またはＥＢ（’ｉ電子ビームレジ
ストｍ＞を、光または電子ビームによる露光およびエツ
チング処理により形成する。このレジスト膜をマスクと
して金属膜をエツチングすることにより所望のパターン
の金属膜を形成し、次に不要のレジスト膜を除去する。 このフォトマスク製造工程において用いられるレジスト
膿（フォトレジスト膜またはＥＢレジス１− ｌ！Ｉ
）に発生したピンホールや処理雰囲気中の不純物等によ
り、形成後のフォトマスクに残留欠陥や欠損欠陥が発生
する。このような欠陥が生じたフォトマスクを半導体装
置製造に用いた場合、所望の転写パターンを形成するこ
とができず、当然、製品の歩留りが低下する。したがっ
て、半導体装ｉ！２に用いられるフォトマスクは、この
ような欠陥の存在の有無を検査した後、その欠陥を修正
することが必要不可欠となる。以下、図面を参照して従
来の欠陥修正方法について現用する。 第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を有する
フォトマスクの概略構成を示す図である。 第２Ａ図はその平面配置を示し、第２Ｂ図はその断面構
造を示す。第２Ａ図および第２Ｂ図において、フォトマ
スク１０は、石英ガラス基板１と、５英ガラス基板１上
の予め定められた領域に形成される金属マスクパターン
２とから形成される。 金属マスクパターン２の一部には修正されるべき欠陥す
なわちピンホール３が発生している。 第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフォトマスクの欠陥修
正方法を示す図であり、たとえば特開昭５６−９３３２
４号公報に示されている。フォトマスク］０の修正され
るべき欠陥、すなわちピンホール３の対向する位置にレ
ーザビーム発生源４が配置される。レーザビーム発生源
４は、図示しないが、レーザ発振器と光学系が含まれて
おり、レーザビーム５を照射する位置、照射範囲等を確
認できるようにされている。次に修正方法について説明
する。第３Ａ図において、レーザビーム発生源４からの
レーザビーム５は、ピンホール３を含む金属マスクパタ
ーン２の微小頭域６を照射する。レーザビーム５の照射
を受けた微小１ａｌＩ域６の金１マスクパターン材料は
溶融し、ピンホール３へ流入する。これにより、金属マ
スクパターン２に存在したピンホール３は周囲からのパ
ターン材料の流入により埋め込まれ、第３Ｂ図に示され
るように不透明領域３−が形成される。この結果、ピン
ホール３は消失しピンホール欠陥が修正される。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来のフォトマスクの欠陥修正方法は上述のような方法
で行なわれており、パターン材料を溶融するために高出
力パワーのレーザビーム発生源を必要としていた。また
、パターン材料および基板に部分的に高温部か発生する
ので、その欠陥修正部にストレスが溜まりやすく、その
結果、欠陥修正部において躾パターンと基板との剥離が
発生する確率が高くなるなどの問題点があった。また、
ピンホールの周囲のパターン材料を溶融してピンホール
を埋め込むようにしているので、その部分の膜厚が薄く
なるという丙題点もあった。 それゆえ、この発明の目的は、上述のような問題点を除
去し、低出力レーザビーム発生源を用い、欠陥修正部に
剥離が発生する確率の極めて低いフォトマスクの欠陥修
正方法を提供することである。 ［問題点を解決するための手段］ この発明によるフォトマスクの欠陥修正方法は、金属化
合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でレー
ザ光または電子ビームをフォトマスクの修正すべき欠陥
部分に照射し、これにより欠陥部分に炭化珪素を形成し
、欠陥部分を充填するようにしたものである。 好ましくは全屈化合物ガスはシランまたは六フッ化タン
グステンガスであり、また炭素化合物ガスは二醪化炭素
または一酸化炭素ガスである。 ［作用］ 混合ガス雰囲気中でレーザ光または電子ビームを修正さ
れるべき欠陥部分に照射することにより雰囲気ｎ合ガス
が励起され、照射されている欠陥部分に金属炭化膜が形
成される。このとき用いられるレーザビーム発生源はパ
ターン材料を溶融させる必要がなく、雰囲気混合ガスを
励起させるだけであり低出力のレーザビーム発生源で済
み、かつ欠陥部分は高温によるストレスを蓄積すること
もないので、剥がれの心配もない。 ［発明の実施例］ 第１Ａ図、第１Ｂ図はこの発明の一実論例であるフォト
マスクの欠陥修正方法を示す図である。 以下、第１Ａ図、第１Ｂ図を参照してこの発明の一実施
例であるフォトマスクの欠陥修正方法について説明する
。 第１Ａ図について説明する。修正されるべき欠陥を有す
るフォトマスクとして第２Ａ図、第２８図に示されるも
のを用いる。すなわち、フォトマスク１０は、石英ガラ
ス基板１と、石英基板１上の予め定められたｖ４ｉｉｉ
ｔに、クロムまたは酸化クロムのような材料で形成され
る金属膜パターン２とから構成される。金属膜パターン
２には修正されるべきピンホール３が存在している。フ
ォトマスク１０は真空容器１２内に配置される。真空容
器１２は図示しないがフォトマスク１０を移動させるス
テージ系を含む。真空容器１２のガス導入口］３には、
雰囲気混合ガスを作成するために、シランガスボンベ８
および二酸化炭素ガスボンベ９が接続される。シランガ
スおよび二酸化炭素ガスの流量はそれぞれガスフローコ
ントローラ７ａ。 ７ｂにより調整される。真空容器１２内のガスは排気口
１２を介してロータリポンプ等により排出される。また
、雰囲気混合ガスを励起するための比較的低出力のレー
ザビーム発生源４が設けられる。ここで、レーザビーム
発生源の出力を比較的低出力としているのは、金属膜パ
ターンを溶融する必要がなく、雰囲気ガスを励起させる
だ
ク上に発生するピンホール等の欠陥の修正方法に関する
。 ［従来の技術］ 半導体装置製造工程において用いられるフォトマスクは
通常以下のようにして形成される。すなわち、まずガラ
ス基板上にクロムまたは金属シリサイド等の金属膜がた
とえばスパッタリング法を用いて形成される。次に、こ
の金属膜上に予め定められたパターンを有するレジスト
膜〈フォトレジスト膜またはＥＢ（’ｉ電子ビームレジ
ストｍ＞を、光または電子ビームによる露光およびエツ
チング処理により形成する。このレジスト膜をマスクと
して金属膜をエツチングすることにより所望のパターン
の金属膜を形成し、次に不要のレジスト膜を除去する。 このフォトマスク製造工程において用いられるレジスト
膿（フォトレジスト膜またはＥＢレジス１− ｌ！Ｉ
）に発生したピンホールや処理雰囲気中の不純物等によ
り、形成後のフォトマスクに残留欠陥や欠損欠陥が発生
する。このような欠陥が生じたフォトマスクを半導体装
置製造に用いた場合、所望の転写パターンを形成するこ
とができず、当然、製品の歩留りが低下する。したがっ
て、半導体装ｉ！２に用いられるフォトマスクは、この
ような欠陥の存在の有無を検査した後、その欠陥を修正
することが必要不可欠となる。以下、図面を参照して従
来の欠陥修正方法について現用する。 第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を有する
フォトマスクの概略構成を示す図である。 第２Ａ図はその平面配置を示し、第２Ｂ図はその断面構
造を示す。第２Ａ図および第２Ｂ図において、フォトマ
スク１０は、石英ガラス基板１と、５英ガラス基板１上
の予め定められた領域に形成される金属マスクパターン
２とから形成される。 金属マスクパターン２の一部には修正されるべき欠陥す
なわちピンホール３が発生している。 第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフォトマスクの欠陥修
正方法を示す図であり、たとえば特開昭５６−９３３２
４号公報に示されている。フォトマスク］０の修正され
るべき欠陥、すなわちピンホール３の対向する位置にレ
ーザビーム発生源４が配置される。レーザビーム発生源
４は、図示しないが、レーザ発振器と光学系が含まれて
おり、レーザビーム５を照射する位置、照射範囲等を確
認できるようにされている。次に修正方法について説明
する。第３Ａ図において、レーザビーム発生源４からの
レーザビーム５は、ピンホール３を含む金属マスクパタ
ーン２の微小頭域６を照射する。レーザビーム５の照射
を受けた微小１ａｌＩ域６の金１マスクパターン材料は
溶融し、ピンホール３へ流入する。これにより、金属マ
スクパターン２に存在したピンホール３は周囲からのパ
ターン材料の流入により埋め込まれ、第３Ｂ図に示され
るように不透明領域３−が形成される。この結果、ピン
ホール３は消失しピンホール欠陥が修正される。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従来のフォトマスクの欠陥修正方法は上述のような方法
で行なわれており、パターン材料を溶融するために高出
力パワーのレーザビーム発生源を必要としていた。また
、パターン材料および基板に部分的に高温部か発生する
ので、その欠陥修正部にストレスが溜まりやすく、その
結果、欠陥修正部において躾パターンと基板との剥離が
発生する確率が高くなるなどの問題点があった。また、
ピンホールの周囲のパターン材料を溶融してピンホール
を埋め込むようにしているので、その部分の膜厚が薄く
なるという丙題点もあった。 それゆえ、この発明の目的は、上述のような問題点を除
去し、低出力レーザビーム発生源を用い、欠陥修正部に
剥離が発生する確率の極めて低いフォトマスクの欠陥修
正方法を提供することである。 ［問題点を解決するための手段］ この発明によるフォトマスクの欠陥修正方法は、金属化
合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でレー
ザ光または電子ビームをフォトマスクの修正すべき欠陥
部分に照射し、これにより欠陥部分に炭化珪素を形成し
、欠陥部分を充填するようにしたものである。 好ましくは全屈化合物ガスはシランまたは六フッ化タン
グステンガスであり、また炭素化合物ガスは二醪化炭素
または一酸化炭素ガスである。 ［作用］ 混合ガス雰囲気中でレーザ光または電子ビームを修正さ
れるべき欠陥部分に照射することにより雰囲気ｎ合ガス
が励起され、照射されている欠陥部分に金属炭化膜が形
成される。このとき用いられるレーザビーム発生源はパ
ターン材料を溶融させる必要がなく、雰囲気混合ガスを
励起させるだけであり低出力のレーザビーム発生源で済
み、かつ欠陥部分は高温によるストレスを蓄積すること
もないので、剥がれの心配もない。 ［発明の実施例］ 第１Ａ図、第１Ｂ図はこの発明の一実論例であるフォト
マスクの欠陥修正方法を示す図である。 以下、第１Ａ図、第１Ｂ図を参照してこの発明の一実施
例であるフォトマスクの欠陥修正方法について説明する
。 第１Ａ図について説明する。修正されるべき欠陥を有す
るフォトマスクとして第２Ａ図、第２８図に示されるも
のを用いる。すなわち、フォトマスク１０は、石英ガラ
ス基板１と、石英基板１上の予め定められたｖ４ｉｉｉ
ｔに、クロムまたは酸化クロムのような材料で形成され
る金属膜パターン２とから構成される。金属膜パターン
２には修正されるべきピンホール３が存在している。フ
ォトマスク１０は真空容器１２内に配置される。真空容
器１２は図示しないがフォトマスク１０を移動させるス
テージ系を含む。真空容器１２のガス導入口］３には、
雰囲気混合ガスを作成するために、シランガスボンベ８
および二酸化炭素ガスボンベ９が接続される。シランガ
スおよび二酸化炭素ガスの流量はそれぞれガスフローコ
ントローラ７ａ。 ７ｂにより調整される。真空容器１２内のガスは排気口
１２を介してロータリポンプ等により排出される。また
、雰囲気混合ガスを励起するための比較的低出力のレー
ザビーム発生源４が設けられる。ここで、レーザビーム
発生源の出力を比較的低出力としているのは、金属膜パ
ターンを溶融する必要がなく、雰囲気ガスを励起させる
だ
【プでよいからである。レーザビーム発生源４は、図
示しないが、レーザ発振器と光学系を含んでおり、レー
ザビームを照射する位置、照射範囲等を確認できるよう
にされている。次に第１Ａ図を参照して欠陥修正方法に
ついて説明する。 まず、真空容器１２内に修正すべぎ欠陥を有するフォト
マスク１０を配置し、次に真空容器１２内を予め定めら
れた真空度に保つ。次に図示しないステージ系を用いて
、フォトマスクの修正すべきピンホール３にレーザビー
ム発生源４のレーザビーム［＠位装置がほぼ対向するよ
うにする。次にシラン（８１８４）ガスと二酸化炭素（
ＣＯ２）ガスを真空容器１２内へ導入する。このときガ
ス７０−コントローラ７ａ、７ｂを調整しシランガスと
二酸化炭素ガスの流】が１対１の比に調整される。次に
レーザビーム発生器４からのレーザビーム５が照射する
位置がピンホール３に対応し、かつその照射範囲がピン
ホール３と同一の大きさになるような微小頭域６を照射
するように、レーザビーム５のビーム径を調整し、ピン
ホール３を照射−ｆる。この結果、微小領ｉａ６におい
て、雰囲気ガスがレーザビーム５からのエネルギーを受
けて励起され、 Ｓｉ Ｈａ ＋ＣＯ２→ｓ＋ Ｃ＋２Ｈ２０の反応が生
じる。この反応により発生した炭化珪素ＳｉＣが照射部
分すなわちピンホール３に形成。 堆積される。これにより第１Ｂ図に示されるようにピン
ホール３は炭化珪素１３により充填され不透明となり、
フォトマスク１０の欠陥が比較的低温で、欠陥部分にス
トレスを蓄積することなく修正される。 また、一般に炭化物は基板およびパターン材料と密着性
が良く、さらに珪素は石英ガラス基板と物性的になじみ
が良いので、ＳｉＣを充填材料とした場合、欠陥修正部
分がれが生じる心配もない。 なお、上記実施例においては、雰囲気混合ガスをシラン
ＳｉＨ４と二酸化炭素ＣＯ２により形成したが、六フッ
化タングステンｗＦｓと一酸化炭素ＣＯとからなる混合
ガスを雰囲気ガスとして用いて、ピンホールをＷＣで充
填しても同様の効果が得られる。 また、雰囲気ガス励起用ビームとして電子ビームを用い
ても同様の効果が得られる。 ［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、金ＷＡ化合物ガスと
炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でフォトマスク欠
陥部分を比較的低出力のレーザ光または電子ビームを用
いて照射し、欠陥部分に炭化金属膜を形成するようにし
たので、欠陥修正部分の剥がれの心配もなく、フォトマ
スクの欠陥部分を確実に修正丈ることがで８る。
示しないが、レーザ発振器と光学系を含んでおり、レー
ザビームを照射する位置、照射範囲等を確認できるよう
にされている。次に第１Ａ図を参照して欠陥修正方法に
ついて説明する。 まず、真空容器１２内に修正すべぎ欠陥を有するフォト
マスク１０を配置し、次に真空容器１２内を予め定めら
れた真空度に保つ。次に図示しないステージ系を用いて
、フォトマスクの修正すべきピンホール３にレーザビー
ム発生源４のレーザビーム［＠位装置がほぼ対向するよ
うにする。次にシラン（８１８４）ガスと二酸化炭素（
ＣＯ２）ガスを真空容器１２内へ導入する。このときガ
ス７０−コントローラ７ａ、７ｂを調整しシランガスと
二酸化炭素ガスの流】が１対１の比に調整される。次に
レーザビーム発生器４からのレーザビーム５が照射する
位置がピンホール３に対応し、かつその照射範囲がピン
ホール３と同一の大きさになるような微小頭域６を照射
するように、レーザビーム５のビーム径を調整し、ピン
ホール３を照射−ｆる。この結果、微小領ｉａ６におい
て、雰囲気ガスがレーザビーム５からのエネルギーを受
けて励起され、 Ｓｉ Ｈａ ＋ＣＯ２→ｓ＋ Ｃ＋２Ｈ２０の反応が生
じる。この反応により発生した炭化珪素ＳｉＣが照射部
分すなわちピンホール３に形成。 堆積される。これにより第１Ｂ図に示されるようにピン
ホール３は炭化珪素１３により充填され不透明となり、
フォトマスク１０の欠陥が比較的低温で、欠陥部分にス
トレスを蓄積することなく修正される。 また、一般に炭化物は基板およびパターン材料と密着性
が良く、さらに珪素は石英ガラス基板と物性的になじみ
が良いので、ＳｉＣを充填材料とした場合、欠陥修正部
分がれが生じる心配もない。 なお、上記実施例においては、雰囲気混合ガスをシラン
ＳｉＨ４と二酸化炭素ＣＯ２により形成したが、六フッ
化タングステンｗＦｓと一酸化炭素ＣＯとからなる混合
ガスを雰囲気ガスとして用いて、ピンホールをＷＣで充
填しても同様の効果が得られる。 また、雰囲気ガス励起用ビームとして電子ビームを用い
ても同様の効果が得られる。 ［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、金ＷＡ化合物ガスと
炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中でフォトマスク欠
陥部分を比較的低出力のレーザ光または電子ビームを用
いて照射し、欠陥部分に炭化金属膜を形成するようにし
たので、欠陥修正部分の剥がれの心配もなく、フォトマ
スクの欠陥部分を確実に修正丈ることがで８る。
第１Ａ図および第１Ｂ図はこの発明の一実施例によるフ
ォトマスクの修正方法を示す図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を有する
フォトマスクの構成の一例を示す図である。 第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフォトマスクの欠陥修
正方法を示す図である。 図において、１は石英ガラス基板、２は摸パターン、３
はピンホール、４はレーザビーム発生源、８．９は雰囲
気ガス、１０はフォトマスク、１２は真空容器、１３は
炭化珪素で充填されたピンホールをそれぞれ示す。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
ォトマスクの修正方法を示す図である。 第２Ａ図および第２Ｂ図は修正されるべき欠陥を有する
フォトマスクの構成の一例を示す図である。 第３Ａ図および第３Ｂ図は従来のフォトマスクの欠陥修
正方法を示す図である。 図において、１は石英ガラス基板、２は摸パターン、３
はピンホール、４はレーザビーム発生源、８．９は雰囲
気ガス、１０はフォトマスク、１２は真空容器、１３は
炭化珪素で充填されたピンホールをそれぞれ示す。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）予め定められたパターンを有するフォトマスクに
形成された欠陥を修正するための方法であって、 金属化合物ガスと炭素化合物ガスとの混合ガス雰囲気中
で前記修正されるべき欠陥を含む領域にエネルギー線を
照射し、これにより前記欠陥部に炭化金属膜を形成する
ステップを含む、フォトマスクの欠陥修正方法。 - （２）前記エネルギー線は、レーザ光または電子ビーム
である、特許請求の範囲第１項記載のフォトマスクの欠
陥修正方法。 - （３）前記金属化合物ガスは、シラン（ＳｉＨ＿４）ガ
スまたは６フッ化タングステン（ＷＦ＿６）ガスである
、特許請求の範囲第１項または第２項に記載のフォトマ
スクの欠陥修正方法。 - （４）前記炭素化合物ガスは、二酸化炭素ガス（ＣＯ＿
２）または一酸化炭素ガス（ＣＯ）である、特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載のフォトマス
クの欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224290A JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60224290A JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283749A true JPS6283749A (ja) | 1987-04-17 |
| JPH0458624B2 JPH0458624B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16811453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60224290A Granted JPS6283749A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | フオトマスクの欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283749A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0627664A1 (en) * | 1993-06-04 | 1994-12-07 | International Business Machines Corporation | Method for the repair of phase shifting masks |
| WO2007065769A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur bearbeitung eines optischen elementes sowie optisches element |
| JP2012124371A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP2012230148A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Fujitsu Semiconductor Ltd | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
| JPS57109952A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-08 | Fujitsu Ltd | Production of photomask plate |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60224290A patent/JPS6283749A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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| JPS5270991A (en) * | 1975-12-10 | 1977-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Gas phase reactor by use of laser |
| JPS53135276A (en) * | 1977-04-30 | 1978-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Correcting method for defect of photomask |
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| US5686206A (en) * | 1993-06-04 | 1997-11-11 | International Business Machines Corporation | Method for the repair of lithographic masks |
| WO2007065769A1 (de) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur bearbeitung eines optischen elementes sowie optisches element |
| US8435726B2 (en) | 2005-12-09 | 2013-05-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of processing an optical element and an optical element, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus |
| JP2012124371A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP2012230148A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Fujitsu Semiconductor Ltd | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458624B2 (ja) | 1992-09-18 |
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