JPH05234975A - 異物の除去方法 - Google Patents
異物の除去方法Info
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- JPH05234975A JPH05234975A JP4038287A JP3828792A JPH05234975A JP H05234975 A JPH05234975 A JP H05234975A JP 4038287 A JP4038287 A JP 4038287A JP 3828792 A JP3828792 A JP 3828792A JP H05234975 A JPH05234975 A JP H05234975A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 精密洗浄をすることが困難な工程で異物が発
生した場合に、洗浄することなく、欠陥検査データを基
に異物を除去する異物の除去方法を提供する。 【構成】 基板上に残留した異物を除去する方法におい
て、異物３の位置を欠陥検査データを基に検出し、異物
３上に照射光で除去可能なＣｒ＋Ｍｏの膜４を被着し、
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ５を異物３とＣｒ＋Ｍｏの膜４に照
射し、異物３ごと被着物であるＣｒ＋Ｍｏの膜４を除去
する。
生した場合に、洗浄することなく、欠陥検査データを基
に異物を除去する異物の除去方法を提供する。 【構成】 基板上に残留した異物を除去する方法におい
て、異物３の位置を欠陥検査データを基に検出し、異物
３上に照射光で除去可能なＣｒ＋Ｍｏの膜４を被着し、
Ｎｄ：ＹＡＧレーザ５を異物３とＣｒ＋Ｍｏの膜４に照
射し、異物３ごと被着物であるＣｒ＋Ｍｏの膜４を除去
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程等で行
なう異物の除去方法に関するものである。
なう異物の除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程等で行なうウエハ
洗浄、マスク洗浄等の基板洗浄は、サブμｍの異物の除
去を行なうために、薬液洗浄（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ2 Ｏ
2 等）や物理洗浄（ハイプレッシャクリーナ、スクラバ
ー、超音波洗浄等）を行ない、最終仕上げをして、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ（イソ・プロピル・アルコール）蒸気乾
燥等を実施してきた。
洗浄、マスク洗浄等の基板洗浄は、サブμｍの異物の除
去を行なうために、薬液洗浄（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ2 Ｏ
2 等）や物理洗浄（ハイプレッシャクリーナ、スクラバ
ー、超音波洗浄等）を行ない、最終仕上げをして、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ（イソ・プロピル・アルコール）蒸気乾
燥等を実施してきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１〜２
μｍからサブμｍレベルの異物（パーティクル）は、従
来の洗浄方法では十分に除去できず、ウエハの場合は異
物（パーティクル）を欠陥検査機で検出しても、その異
物を除去する技術がない。マスクの場合は欠陥検査機で
検査を行ない、異物が検出された場合、同様に除去でき
る手段がないため、再度及至再再度洗浄を行ない、よう
やく無欠陥（異物がない）のマスクを得るという、効率
の悪い作業を行なっていた。つまり、ウエハの場合は、
異物を検出しても除去できないため、そのまま次工程へ
送る。したがって、チップ歩留まりの低下を招き、マス
クの場合は何回も洗浄を行なうため、標準作業時間（Ｈ
Ｓ）の増加とマスク納期の悪化を招くという問題点があ
った。
μｍからサブμｍレベルの異物（パーティクル）は、従
来の洗浄方法では十分に除去できず、ウエハの場合は異
物（パーティクル）を欠陥検査機で検出しても、その異
物を除去する技術がない。マスクの場合は欠陥検査機で
検査を行ない、異物が検出された場合、同様に除去でき
る手段がないため、再度及至再再度洗浄を行ない、よう
やく無欠陥（異物がない）のマスクを得るという、効率
の悪い作業を行なっていた。つまり、ウエハの場合は、
異物を検出しても除去できないため、そのまま次工程へ
送る。したがって、チップ歩留まりの低下を招き、マス
クの場合は何回も洗浄を行なうため、標準作業時間（Ｈ
Ｓ）の増加とマスク納期の悪化を招くという問題点があ
った。
【０００４】本発明は、以上述べた通常の超精密洗浄を
行なっても、なおかつ残留する異物を除去し、精密洗浄
をすることが困難な工程で異物が発生した場合に、洗浄
することなく、欠陥検査データを基に異物を除去する異
物の除去方法を提供するものである。
行なっても、なおかつ残留する異物を除去し、精密洗浄
をすることが困難な工程で異物が発生した場合に、洗浄
することなく、欠陥検査データを基に異物を除去する異
物の除去方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、基板上に残留した異物を除去する方法に
おいて、前記異物の位置を欠陥検査データを基に検出
し、前記異物上に照射光で除去可能な物質を被着し、前
記照射光を異物とその被着物に照射し、異物ごと被着物
を除去するようにしたものである。
成するために、基板上に残留した異物を除去する方法に
おいて、前記異物の位置を欠陥検査データを基に検出
し、前記異物上に照射光で除去可能な物質を被着し、前
記照射光を異物とその被着物に照射し、異物ごと被着物
を除去するようにしたものである。
【０００６】また、前記異物上に照射光で除去可能な物
質を被着するためにレーザＣＶＤ法を用いる。
質を被着するためにレーザＣＶＤ法を用いる。
【０００７】
【作用】本発明によれば、上記したように、超精密洗浄
を行なっても、なお残留する微小異物は、再洗浄を行な
っても除去できる保証がない（対象とする異物が除去で
きても新たに別の異物が付着する）ため、この異物だけ
を、ある照射光で除去可能な物質を異物上に被着させた
後に、前記照射光を被着物と異物に当てることにより、
異物ごとに被着物を除去する。
を行なっても、なお残留する微小異物は、再洗浄を行な
っても除去できる保証がない（対象とする異物が除去で
きても新たに別の異物が付着する）ため、この異物だけ
を、ある照射光で除去可能な物質を異物上に被着させた
後に、前記照射光を被着物と異物に当てることにより、
異物ごとに被着物を除去する。
【０００８】したがって、通常の超精密洗浄を実施した
後に残留する異物を再洗浄することなく、その異物上
に、ある照射光で除去可能な物質を被着させ、その照射
光を当てることにより、異物ごとその物質を除去できる
ようにしたので、確実に異物を除去することができる。
後に残留する異物を再洗浄することなく、その異物上
に、ある照射光で除去可能な物質を被着させ、その照射
光を当てることにより、異物ごとその物質を除去できる
ようにしたので、確実に異物を除去することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すホ
トマスクの異物の除去工程断面図である。図１（ａ）に
おいて、１はガラス基板、２はＣｒパターン、３は異物
（物質は多岐にわたり特定しない）である。この場合、
通常の超精密洗浄を行なった後に、異物３が欠陥検査機
により検出された状態（欠陥検査機内に異物の所在位置
は記憶されている）を示す。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すホ
トマスクの異物の除去工程断面図である。図１（ａ）に
おいて、１はガラス基板、２はＣｒパターン、３は異物
（物質は多岐にわたり特定しない）である。この場合、
通常の超精密洗浄を行なった後に、異物３が欠陥検査機
により検出された状態（欠陥検査機内に異物の所在位置
は記憶されている）を示す。
【００１０】次に、図１（ｂ）に示すように、レーザー
ＣＶＤ法（後述）により、異物３上にＣｒ＋Ｍｏの膜４
を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、異物３と
Ｃｒ＋Ｍｏの膜４へ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ〔波長５３２
０Å，パルス幅１０ｎｓ，繰り返し〜２パルス／ｓｅ
ｃ，出力５〜２００μＪ／パルス（連続可変）、修正時
間１ｓｅｃ以下〕５を照射する。
ＣＶＤ法（後述）により、異物３上にＣｒ＋Ｍｏの膜４
を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、異物３と
Ｃｒ＋Ｍｏの膜４へ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ〔波長５３２
０Å，パルス幅１０ｎｓ，繰り返し〜２パルス／ｓｅ
ｃ，出力５〜２００μＪ／パルス（連続可変）、修正時
間１ｓｅｃ以下〕５を照射する。
【００１１】すると、図１（ｄ）に示すように、異物３
ごとＣｒ＋ＭＯの膜４が除去され、無欠陥のパターンが
得られる。つまり、除去しようとする異物が、ある光源
（又は線源）を照射しても除去できないため、その光源
で除去できる物質を異物上に被着させた後、その光源を
照射し、異物ごと被着物を除去するものである。
ごとＣｒ＋ＭＯの膜４が除去され、無欠陥のパターンが
得られる。つまり、除去しようとする異物が、ある光源
（又は線源）を照射しても除去できないため、その光源
で除去できる物質を異物上に被着させた後、その光源を
照射し、異物ごと被着物を除去するものである。
【００１２】この場合の光源とは、通常の光（紫外光、
赤外、遠紫外光），ＦＩＢ（収束イオンビーム），Ｘ
線，プラズマ，ＳＯＲ（シンクロトロン・オルビタル・
ラジェーション）等全ての照射光を指す。例えばＦＩＢ
に対しては、除去できる被着物はカーボンが良い。な
お、レーザーＣＶＤ法とは、まず、Ｃｒ膜部にレーザ光
（Ａｒｇｏｎ Ｌａｓｅｒ 波長：５３２０Å）を集光
照射すると、そのＣｒ膜部はレーザ光を吸収、発熱し、
そこへ反応ガス〔Ｃｒ（ＣＯ）6 （５０％）＋Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）6 （５０％）〕を流し、化学反応によって（Ｃｒ＋
Ｍｏ）の蒸着膜を形成させる方法をいう。
赤外、遠紫外光），ＦＩＢ（収束イオンビーム），Ｘ
線，プラズマ，ＳＯＲ（シンクロトロン・オルビタル・
ラジェーション）等全ての照射光を指す。例えばＦＩＢ
に対しては、除去できる被着物はカーボンが良い。な
お、レーザーＣＶＤ法とは、まず、Ｃｒ膜部にレーザ光
（Ａｒｇｏｎ Ｌａｓｅｒ 波長：５３２０Å）を集光
照射すると、そのＣｒ膜部はレーザ光を吸収、発熱し、
そこへ反応ガス〔Ｃｒ（ＣＯ）6 （５０％）＋Ｍｏ（Ｃ
Ｏ）6 （５０％）〕を流し、化学反応によって（Ｃｒ＋
Ｍｏ）の蒸着膜を形成させる方法をいう。
【００１３】すなわち、上記のガスは、Ａｒレーザを照
射すると、熱分解によって、つまり Ｃｒ（Ｃｏ）6 ＋Ｍｏ（Ｃｏ）6 →Ｃｒ＋Ｍｒ＋１２ＣＯ により、（Ｃｒ＋Ｍｏ）の蒸着膜を形成させることがで
きる。本発明においては、このレーザーＣＶＤ法を異物
の除去に利用することにより、完全に異物を除去を行な
うことができる。
射すると、熱分解によって、つまり Ｃｒ（Ｃｏ）6 ＋Ｍｏ（Ｃｏ）6 →Ｃｒ＋Ｍｒ＋１２ＣＯ により、（Ｃｒ＋Ｍｏ）の蒸着膜を形成させることがで
きる。本発明においては、このレーザーＣＶＤ法を異物
の除去に利用することにより、完全に異物を除去を行な
うことができる。
【００１４】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、通常の超精密洗浄を実施した後に残留する異物
を再洗浄することなく、その異物上に、ある照射光で除
去可能な物質を被着させ、その照射光を当てることによ
り、異物ごとその物質を除去できるようにしたので、確
実に異物を除去することができる。
よれば、通常の超精密洗浄を実施した後に残留する異物
を再洗浄することなく、その異物上に、ある照射光で除
去可能な物質を被着させ、その照射光を当てることによ
り、異物ごとその物質を除去できるようにしたので、確
実に異物を除去することができる。
【００１６】従って、ウエハ工程においては拡散，ＣＶ
Ｄ，洗浄ホトリソ・エッチング等の各工程で欠陥検査後
に異物を除去できるため、ウエハ歩留まりの向上を図る
ことができる。一方、ホトマスクにおいては、精密洗浄
をした後に、再洗浄または再々洗浄することなく、確実
に異物が除去できるため、標準作業時間の削減を図るこ
とができる。
Ｄ，洗浄ホトリソ・エッチング等の各工程で欠陥検査後
に異物を除去できるため、ウエハ歩留まりの向上を図る
ことができる。一方、ホトマスクにおいては、精密洗浄
をした後に、再洗浄または再々洗浄することなく、確実
に異物が除去できるため、標準作業時間の削減を図るこ
とができる。
【００１７】更に、将来的にはシステム・オン・チップ
（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）あるいはウエハ・ス
ケール・インテグレーション（Ｗａｆｅｒ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のように、大規模、高集
積、大チップ化してくると、冗長回路を入れても、良品
がとれ難くなり、本発明の適用は不可決になるものと思
われる。
（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）あるいはウエハ・ス
ケール・インテグレーション（Ｗａｆｅｒ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のように、大規模、高集
積、大チップ化してくると、冗長回路を入れても、良品
がとれ難くなり、本発明の適用は不可決になるものと思
われる。
【図１】本発明の実施例を示すホトマスクの異物の除去
工程断面図である。
工程断面図である。
１ ガラス基板 ２ Ｃｒパターン ３ 異物 ４ Ｃｒ＋Ｍｏの膜 ５ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に残留した異物を除去する方法に
おいて、 （ａ）前記異物の位置を欠陥検査データを基に検出し、 （ｂ）前記異物上に照射光で除去可能な物質を被着し、 （ｃ）前記照射光を異物とその被着物に照射し、異物ご
と被着物を除去することを特徴とする異物の除去方法。 - 【請求項２】 前記異物上に照射光で除去可能な物質を
被着するためにレーザＣＶＤ法を用いることを特徴とす
る請求項１記載の異物の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038287A JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038287A JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234975A true JPH05234975A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3062337B2 JP3062337B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=12521097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038287A Expired - Fee Related JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062337B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014113710A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 賦型用金型の修正方法、賦型用金型、反射防止物品、画像表示装置及びショーケース |
| JP2016090660A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品、画像表示装置、反射防止物品の製造方法、反射防止物品の賦型用金型、反射防止物品の賦型用金型の製造方法 |
| JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4038287A patent/JP3062337B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014113710A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 賦型用金型の修正方法、賦型用金型、反射防止物品、画像表示装置及びショーケース |
| JP2016090660A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品、画像表示装置、反射防止物品の製造方法、反射防止物品の賦型用金型、反射防止物品の賦型用金型の製造方法 |
| JP2020086280A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3062337B2 (ja) | 2000-07-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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