JP3062337B2 - 異物の除去方法 - Google Patents
異物の除去方法Info
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- JP3062337B2 JP3062337B2 JP4038287A JP3828792A JP3062337B2 JP 3062337 B2 JP3062337 B2 JP 3062337B2 JP 4038287 A JP4038287 A JP 4038287A JP 3828792 A JP3828792 A JP 3828792A JP 3062337 B2 JP3062337 B2 JP 3062337B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程等で行
なう異物の除去方法に関するものである。
なう異物の除去方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造工程等で行なうウエハ
洗浄、マスク洗浄等の基板洗浄は、サブμｍの異物の除
去を行なうために、薬液洗浄（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ2 Ｏ
2 等）や物理洗浄（ハイプレッシャクリーナ、スクラバ
ー、超音波洗浄等）を行ない、最終仕上げをして、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ（イソ・プロピル・アルコール）蒸気乾
燥等を実施してきた。
洗浄、マスク洗浄等の基板洗浄は、サブμｍの異物の除
去を行なうために、薬液洗浄（Ｈ2 ＳＯ4 ，Ｈ2 Ｏ
2 等）や物理洗浄（ハイプレッシャクリーナ、スクラバ
ー、超音波洗浄等）を行ない、最終仕上げをして、スピ
ン乾燥、ＩＰＡ（イソ・プロピル・アルコール）蒸気乾
燥等を実施してきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、１〜２
μｍからサブμｍレベルの異物（パーティクル）は、従
来の洗浄方法では十分に除去できず、ウエハの場合は異
物（パーティクル）を欠陥検査機で検出しても、その異
物を除去する技術がない。マスクの場合は欠陥検査機で
検査を行ない、異物が検出された場合、同様に除去でき
る手段がないため、再度及至再再度洗浄を行ない、よう
やく無欠陥（異物がない）のマスクを得るという、効率
の悪い作業を行なっていた。つまり、ウエハの場合は、
異物を検出しても除去できないため、そのまま次工程へ
送る。したがって、チップ歩留まりの低下を招き、マス
クの場合は何回も洗浄を行なうため、標準作業時間（Ｈ
Ｓ）の増加とマスク納期の悪化を招くという問題点があ
った。
μｍからサブμｍレベルの異物（パーティクル）は、従
来の洗浄方法では十分に除去できず、ウエハの場合は異
物（パーティクル）を欠陥検査機で検出しても、その異
物を除去する技術がない。マスクの場合は欠陥検査機で
検査を行ない、異物が検出された場合、同様に除去でき
る手段がないため、再度及至再再度洗浄を行ない、よう
やく無欠陥（異物がない）のマスクを得るという、効率
の悪い作業を行なっていた。つまり、ウエハの場合は、
異物を検出しても除去できないため、そのまま次工程へ
送る。したがって、チップ歩留まりの低下を招き、マス
クの場合は何回も洗浄を行なうため、標準作業時間（Ｈ
Ｓ）の増加とマスク納期の悪化を招くという問題点があ
った。
【０００４】本発明は、以上述べた通常の超精密洗浄を
行なっても、なおかつ残留する微小異物を除去し、精密
洗浄をすることが困難な工程で微小異物が発生した場合
に、洗浄することなく、欠陥検査データを基に微小異物
を除去する異物の除去方法を提供するものである。
行なっても、なおかつ残留する微小異物を除去し、精密
洗浄をすることが困難な工程で微小異物が発生した場合
に、洗浄することなく、欠陥検査データを基に微小異物
を除去する異物の除去方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、〔１〕 基板上に残留した異物を除去する方法において、
微小異物の位置を欠陥検査データを基に検出し、前記微
小異物上に、この微小異物を覆う被着物を形成し、照射
光を前記微小異物とその被着物に照射し、微小異物ごと
その被着物を除去することを特徴とする。
成するために、〔１〕 基板上に残留した異物を除去する方法において、
微小異物の位置を欠陥検査データを基に検出し、前記微
小異物上に、この微小異物を覆う被着物を形成し、照射
光を前記微小異物とその被着物に照射し、微小異物ごと
その被着物を除去することを特徴とする。
【０００６】〔２〕上記〔１〕記載の異物の除去方法に
おいて、前記微小異物上に被着物を形成するためにレー
ザＣＶＤ法を用いることを特徴とする。
おいて、前記微小異物上に被着物を形成するためにレー
ザＣＶＤ法を用いることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によれば、上記したように、超精密洗浄
を行なっても、なお残留する微小異物は、再洗浄を行な
っても除去できる保証がない（対象とする微小異物が除
去できても新たに別の微小異物が付着する）ため、この
微小異物だけを、ある照射光で除去可能な物質を微小異
物上に被着させた後に、前記照射光を被着物と微小異物
に当てることにより、微小異物ごとに被着物を除去す
る。
を行なっても、なお残留する微小異物は、再洗浄を行な
っても除去できる保証がない（対象とする微小異物が除
去できても新たに別の微小異物が付着する）ため、この
微小異物だけを、ある照射光で除去可能な物質を微小異
物上に被着させた後に、前記照射光を被着物と微小異物
に当てることにより、微小異物ごとに被着物を除去す
る。
【０００８】したがって、通常の超精密洗浄を実施した
後に残留する微小異物を再洗浄することなく、その微小
異物上に、ある照射光で除去可能な物質を被着させ、そ
の照射光を当てることにより、微小異物ごとその物質を
除去できるようにしたので、確実に微小異物を除去する
ことができる。
後に残留する微小異物を再洗浄することなく、その微小
異物上に、ある照射光で除去可能な物質を被着させ、そ
の照射光を当てることにより、微小異物ごとその物質を
除去できるようにしたので、確実に微小異物を除去する
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。
ながら詳細に説明する。
【００１０】図１は本発明の実施例を示すホトマスクの
微小異物の除去工程断面図である。
微小異物の除去工程断面図である。
【００１１】図１（ａ）において、１はガラス基板、２
はＣｒパターン、３は微小異物（物質は多岐にわたり特
定しない）である。この場合、通常の超精密洗浄を行な
った後に、微小異物３が欠陥検査機により検出された状
態（欠陥検査機内に微小異物の所在位置は記憶されてい
る）を示す。
はＣｒパターン、３は微小異物（物質は多岐にわたり特
定しない）である。この場合、通常の超精密洗浄を行な
った後に、微小異物３が欠陥検査機により検出された状
態（欠陥検査機内に微小異物の所在位置は記憶されてい
る）を示す。
【００１２】次に、図１（ｂ）に示すように、レーザー
ＣＶＤ法（後述）により、微小異物３上にＣｒ＋Ｍｏの
膜４を形成する。すると、微小異物３はＣｒ＋Ｍｏの膜
４と密着する。
ＣＶＤ法（後述）により、微小異物３上にＣｒ＋Ｍｏの
膜４を形成する。すると、微小異物３はＣｒ＋Ｍｏの膜
４と密着する。
【００１３】次に、図１（ｃ）に示すように、微小異物
３とＣｒ＋Ｍｏの膜４へ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ〔波長５
３２０Å，パルス幅１０ｎｓ，繰り返し〜２パルス／ｓ
ｅｃ，出力５〜２００μＪ／パルス（連続可変）、修正
時間１ｓｅｃ以下〕５を照射する。
３とＣｒ＋Ｍｏの膜４へ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ〔波長５
３２０Å，パルス幅１０ｎｓ，繰り返し〜２パルス／ｓ
ｅｃ，出力５〜２００μＪ／パルス（連続可変）、修正
時間１ｓｅｃ以下〕５を照射する。
【００１４】すると、図１（ｄ）に示すように、微小異
物３はＣｒ＋Ｍｏの膜４と密着しており、微小異物３ご
とＣｒ＋ＭＯの膜４が除去され、無欠陥のパターンが得
られる。
物３はＣｒ＋Ｍｏの膜４と密着しており、微小異物３ご
とＣｒ＋ＭＯの膜４が除去され、無欠陥のパターンが得
られる。
【００１５】つまり、除去しようとする微小異物が、あ
る光源（又は線源）を照射しても除去できないため、そ
の光源で除去できる物質を微小異物上に被着させた後、
その光源を照射し、微小異物ごと被着物を除去するもの
である。
る光源（又は線源）を照射しても除去できないため、そ
の光源で除去できる物質を微小異物上に被着させた後、
その光源を照射し、微小異物ごと被着物を除去するもの
である。
【００１６】この場合の光源とは、通常の光（紫外光、
赤外、遠紫外光），ＦＩＢ（収束イオンビーム），Ｘ
線，プラズマ，ＳＯＲ（シンクロトロン・オルビタル・
ラジェーション）等全ての照射光を指す。例えばＦＩＢ
に対しては、除去できる被着物はカーボンが良い。
赤外、遠紫外光），ＦＩＢ（収束イオンビーム），Ｘ
線，プラズマ，ＳＯＲ（シンクロトロン・オルビタル・
ラジェーション）等全ての照射光を指す。例えばＦＩＢ
に対しては、除去できる被着物はカーボンが良い。
【００１７】なお、レーザーＣＶＤ法とは、まず、Ｃｒ
膜部にレーザ光（Ａｒｇｏｎ Ｌａｓｅｒ 波長：５３
２０Å）を集光照射すると、そのＣｒ膜部はレーザ光を
吸収、発熱し、そこへ反応ガス〔Ｃｒ（ＣＯ）6 （５０
％）＋Ｍｏ（ＣＯ）6 （５０％）〕を流し、化学反応に
よって（Ｃｒ＋Ｍｏ）の蒸着膜を形成させる方法をい
う。
膜部にレーザ光（Ａｒｇｏｎ Ｌａｓｅｒ 波長：５３
２０Å）を集光照射すると、そのＣｒ膜部はレーザ光を
吸収、発熱し、そこへ反応ガス〔Ｃｒ（ＣＯ）6 （５０
％）＋Ｍｏ（ＣＯ）6 （５０％）〕を流し、化学反応に
よって（Ｃｒ＋Ｍｏ）の蒸着膜を形成させる方法をい
う。
【００１８】すなわち、上記のガスは、Ａｒレーザを照
射すると、熱分解によって、つまりＣｒ（Ｃｏ）6 ＋Ｍ
ｏ（Ｃｏ）6 →Ｃｒ＋Ｍｒ＋１２ＣＯにより、（Ｃｒ＋
Ｍｏ）の蒸着膜を形成させることができる。
射すると、熱分解によって、つまりＣｒ（Ｃｏ）6 ＋Ｍ
ｏ（Ｃｏ）6 →Ｃｒ＋Ｍｒ＋１２ＣＯにより、（Ｃｒ＋
Ｍｏ）の蒸着膜を形成させることができる。
【００１９】本発明においては、このレーザーＣＶＤ法
を微小異物の除去に利用することにより、完全に微小異
物を除去を行なうことができる。
を微小異物の除去に利用することにより、完全に微小異
物を除去を行なうことができる。
【００２０】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、通常の超精密洗浄を実施した後に残留する微小
異物を再洗浄することなく、その異物上に、ある照射光
で除去可能な物質を被着させ、その照射光を当てること
により、微小異物ごとその物質を除去できるようにした
ので、確実に微小異物を除去することができる。
よれば、通常の超精密洗浄を実施した後に残留する微小
異物を再洗浄することなく、その異物上に、ある照射光
で除去可能な物質を被着させ、その照射光を当てること
により、微小異物ごとその物質を除去できるようにした
ので、確実に微小異物を除去することができる。
【００２２】従って、ウエハ工程においては拡散，ＣＶ
Ｄ，洗浄ホトリソ・エッチング等の各工程で欠陥検査後
に微小異物を除去できるため、ウエハ歩留まりの向上を
図ることができる。
Ｄ，洗浄ホトリソ・エッチング等の各工程で欠陥検査後
に微小異物を除去できるため、ウエハ歩留まりの向上を
図ることができる。
【００２３】一方、ホトマスクにおいては、精密洗浄を
した後に、再洗浄または再々洗浄することなく、確実に
微小異物が除去できるため、標準作業時間の削減を図る
ことができる。
した後に、再洗浄または再々洗浄することなく、確実に
微小異物が除去できるため、標準作業時間の削減を図る
ことができる。
【００２４】更に、将来的にはシステム・オン・チップ
（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）あるいはウエハ・ス
ケール・インテグレーション（Ｗａｆｅｒ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のように、大規模、高集
積、大チップ化してくると、冗長回路を入れても、良品
がとれ難くなり、本発明の適用は不可決になるものと思
われる。
（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）あるいはウエハ・ス
ケール・インテグレーション（Ｗａｆｅｒ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）等のように、大規模、高集
積、大チップ化してくると、冗長回路を入れても、良品
がとれ難くなり、本発明の適用は不可決になるものと思
われる。
【図１】本発明の実施例を示すホトマスクの異物の除去
工程断面図である。
工程断面図である。
１ ガラス基板 ２ Ｃｒパターン ３ 異物 ４ Ｃｒ＋Ｍｏの膜 ５ Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に残留した異物を除去する方法に
おいて、 （ａ）微小異物の位置を欠陥検査データを基に検出し、 （ｂ）前記微小異物上に、この微小異物を覆う被着物を
形成し、 （ｃ）照射光を前記微小異物とその被着物に照射し、微
小異物ごとその被着物を除去することを特徴とする異物
の除去方法。 - 【請求項２】 前記微小異物上に被着物を形成するため
にレーザＣＶＤ法を用いることを特徴とする請求項１記
載の異物の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038287A JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4038287A JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234975A JPH05234975A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3062337B2 true JP3062337B2 (ja) | 2000-07-10 |
Family
ID=12521097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4038287A Expired - Fee Related JP3062337B2 (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 異物の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3062337B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5578227B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2014-08-27 | 大日本印刷株式会社 | 賦型用金型の修正方法、賦型用金型、反射防止物品、画像表示装置及びショーケース |
| JP6451213B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-16 | 大日本印刷株式会社 | 反射防止物品の製造方法、反射防止物品の賦型用金型の製造方法 |
| JP7334408B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2023-08-29 | 大日本印刷株式会社 | 異物の除去方法、および、フォトマスクの製造方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4038287A patent/JP3062337B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05234975A (ja) | 1993-09-10 |
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|---|---|---|---|
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