JP2012230148A - パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関し、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止する。
【解決手段】 減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。
【選択図】 図１

Description

本発明は、パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置に関するものである。

半導体デバイスを始めとする電子デバイスの作製にはリソグラフィ技術が用いられる。現在、主流のフォトリソグラフィにおいては、石英基板などにクロムなどの吸収体で回路パターンなどを描いた透過型マスクが用いられる。

次世代のリソグラフィ技術としてＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ；極端紫外光）リソグラフィが開発されている。このＥＵＶリソグラフィにおいては、低膨張ガラス基板などの上に反射層としてモリブデンとシリコンなどの積層多層膜を成膜し、その上に窒化タンタルや酸化タンタルなどや窒化クロムなどの吸収体で回路パターンを描いた反射型マスクが用いられる。

フォトリソグラフィとＥＵＶリソグラフィのいずれの場合にも、微細なマスクパターンは設計通りに作製されるとは限らず、種々の欠陥が生じる場合がある。設計以外の余剰欠陥を黒欠陥と呼ぶ。黒欠陥は何らかの方法で加工除去することにより修正する。逆に、設計の一部の欠損を白欠陥と呼ぶ。白欠陥は欠損部分を何らかの材料で埋めることにより修正する。

フォトリソグラフィ用マスクの白欠陥を埋める材料としては、現在は主に炭素系のものが用いられている（例えば、非特許文献１参照）。この場合、フェナントレン（Ｃ_１４Ｈ_１０）等の炭化水素ガスを原料として修正部位に供給し、電子ビーム等を照射して所望の位置で局所的に化学反応を起こさせることにより炭素系材料を堆積させて修正する。なお、非特許文献１では電子ビームではなく収束イオンビームを用いた例が示されているが、収束イオンビームでは堆積した炭素系材料にガリウムイオンが含まれるなど多少の違いはあるものの、基本的な部分は同様である。

図６は従来の白欠陥修正装置の概念的構成図である。真空容器５１の中にマスクステージ５２およびマスクステージ移動機構５３が設置され、被修正マスク５４はマスクステージ５２上に保持される。真空容器５１は電子ビーム鏡筒５６と原料ガス供給ノズル５７を装備する。

電子ビーム鏡筒５６から照射される電子ビーム５８により被照射部で発生する二次電子６０は二次電子検出器５９で検出される。マスクステージ移動機構５３により指定される座標と電子ビーム鏡筒５６内のビーム走査機構に設定される座標とから二次電子６０の発生位置を特定し、被修正マスク５４のパターン５５を画像化する。

画像より特定された欠陥６１を含む領域には、原料ガス供給ノズル５７よりフェナントレンガス６２が供給され、電子ビーム５８により電子ビーム誘起化学反応を起こして炭素系修正材料６３を堆積させて欠陥６１を修正する。

また、その他の修正材料を用いる方法としては、金属化合物ガスと炭素化合物ガスを供給してエネルギー線により炭化金属膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。その例として、シランと炭酸ガスを供給してレーザービームにより炭化シリコンを形成、堆積する方法が挙げられている。

一方、ＥＵＶマスクにおいては、光学素子（例えば、非特許文献２参照）と同様にＥＵＶ光照射を重ねることによりマスクに炭素系汚染物質が堆積することが知られている。ＥＵＶマスク表面に炭素系汚染膜物質が数から十数ｎｍ程度の厚みで堆積すると、ウェーハ上の転写回路パターンの寸法変動や反射率低下によるスループットの悪化などが顕著となるため、現状では定期的な洗浄が必要である。

この洗浄法として現在のところ、酸素やオゾン等を用いた酸化系ドライ洗浄（例えば、非特許文献２参照）、ならびに水素ラジカルを用いた還元系ドライ洗浄が検討されている。いずれの方法でも洗浄速度は異なるものの炭素系汚染膜を除去できることが示されている。

特開昭６２−０８３７４９号公報

ｓｙｅｄ Ｒｉｚｖｉ，"Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｆ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ ＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ"， Ｔａｙｌｏｒ ＆ Ｆｒａｎｃｉｓ発行 （２００５）；ＩＳＢＮ，ｐ．６３８，０−８２４７−５３７４−７ 西山岩男，"極端紫外線リソグラフィ技術の概要"， レーザー研究，第３６巻，６７３ページ，２００８ Ｈ．Ｎａｋａｚａｗａ，Ｈ．Ｓｕｇｉｔａ，Ｙ．Ｅｎｔａ，Ｍ．ｓｕｅｍｉｔｓｕ，Ｋ．Ｙａｓｕｉ，Ｔ．Ｉｔｏｈ，Ｔ．Ｅｎｄｏｈ，Ｙ．Ｎａｒｉｔａａｎｄ Ｍ．Ｍａｓｈｉｔａ，"Ａｔｏｍｉｃ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｅｔｃｈｉｎｇ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ−ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅｃａｒｂｏｎ ｆｉｌｍｓ ｐｒｅｐａｒｅｄｂｙ ｐｕｌｓｅｄ ｌａｓｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ"，Ｄｉａｍｏｎｄ Ｒｅｌａｔ．Ｍａｔｅｒ．，１８，８３１，２００９

しかしながら、ＥＵＶリソグラフィで堆積する炭素系汚染膜と現在欠陥修正に用いられている炭素系材料はきわめて似通った物質であり、炭素系汚染膜の洗浄により欠陥修正材料も除去されてしまうという問題が発生する。

フォトリソグラフィにおいては炭素系汚染の堆積は発生しないものの、マスク製造工程で様々な洗浄が繰り返し行なわれ、その中にはオゾン等の酸化系洗浄も含まれる。この場合も、炭素系材料による修正部位は膜減りを起こす懸念がある。

例えば、シリコンを含んだ炭素系材料も例えば水素ラジカルによって容易にドライエッチングされるため（例えば、非特許文献３参照）、上記の特許文献１で例示されている炭化シリコンも同様の問題が発生し得る。

一方、以上の問題の他に、修正部位に原料ガスを供給しエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着により修正材料を堆積させる欠陥修正法においてはハロ（ｈａｌｏ；太陽や月の暈の意味）と呼ばれる余分な堆積が発生してしまう場合がある。このハロは、エネルギビームのボケ或いはエネルギビームが発生させる二次電子の影響等により発生するものであるので、この事情を図７及び図８を参照して説明する。

図７（ａ）に示す様に、マスクステージ５２上に保持固定した被修正マスク５４にフェナントレンガス６２を供給すると被修正マスク５４上に吸着分子層６４が生じる。次に、図７（ｂ）に示すように、電子ビーム５８を照射すると、照射部分には電子ビーム誘起化学反応層６５が形成される。

次いで、図７（ｃ）に示すように、電子ビーム誘起化学反応層６５の上にさらにフェナントレンガス６２が吸着して吸着分子層６４が重なり、これを繰り返して炭素系修正材料６３が堆積していく。

しかし、図８（ａ）に示すように、被修正マスク５４の上にはフェナントレンガス６２が供給されているため、電子ビーム５８の一部は真空中のフェナントレンガス分子６６と衝突して散乱電子６７となり本来の照射領域の周辺にも降り注ぐ。これがここで言うビームのボケである。この散乱電子６７によっても電子ビーム誘起化学反応層６５が生じる。

さらに、図８（ｂ）に示すように、被修正マスク５４に電子ビーム５８が照射されると照射部分で二次電子６０が発生し、周囲に放出される。この二次電子６０によっても吸着分子層６４は反応するため、電子ビーム５８の照射領域の周囲にも電子ビーム誘起化学反応層が生成する。以上のような過程により、図８（ｃ）に示すように、意図した修正部分の周辺にも薄っすらと炭素系修正材料６８が堆積する。

図９は、フェナントレンと電子ビームにより炭素系修正材料のパッチを堆積させる場合に発生したハロの例である。図９に示すように、炭素系の修正材料のパッチ７１であり、白点線はパッチ７１が堆積されている領域７２を示す。領域７２の大きさは１μｍ×１μｍである。パッチ７１の周辺１μｍ以上の領域に渡ってハロ７３が堆積しているのが分かる。

このようなハロ７３は、マスクの正常部の透過率あるいは反射率を劣化させ、或いは、修正に続くマスク作製プロセスの障害となるため、最小限に抑制乃至は除去しなければならない。

したがって、本発明は、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止することを目的とする

開示する一観点からは、減圧雰囲気中でリソグラフィ用マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを有するパターン欠陥修正方法が提供される。

また、開示する別の一観点からは、減圧雰囲気中でリソグラフィ用マスクの修正部位に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、前記修正部位にエネルギビームを照射するエネルギビーム照射機構と、前記修正部位の少なくとも一部を酸化、窒化或いは酸窒化して耐エッチング膜を形成する機構とを備えたことを特徴とするパターン欠陥修正装置が提供される。

開示の欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置によれば、炭素系汚染の洗浄プロセスにおける欠陥修正材料の消失を防止することが可能になる。

本発明の実施の形態のパターン欠陥修正方法に用いるパターン欠陥修正装置の概念的構成図である。 本発明の実施例１のパターン欠陥修正工程の説明図である。 本発明の実施例２に用いるパターン欠陥修正装置の概念的構成図である。 本発明の実施例２のパターン欠陥修正工程の説明図である。 水素ラジカルを用いてハロを除去した後の走査型電子顕微鏡写真である。 従来の白欠陥修正装置の概念的構成図である。 従来の白欠陥修正工程の説明図である。 ハロ発生現象の説明図である。 ハロの説明図である。

ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態のパターン欠陥修正方法を説明する。図１は本発明の実施の形態のパターン欠陥修正方法に用いるパターン欠陥修正装置の概念的構成図であり、従来のパターン欠陥修正装置に耐エッチング膜形成ガス供給機構を組み込んだものである。

図１に示すように、処理容器１１の中にマスクステージ１２およびマスクステージ移動機構１３が設置され、被修正マスク１４はマスクステージ１２上に保持される。処理容器１１はエネルギビーム照射機構１６と原料ガス供給機構１７と耐エッチング膜形成ガス供給機構１８とを少なくとも装備する。また、処理容器１１内には、二次電子検出機構１９を設け、必要に応じて、修正材料エッチングガス導入機構を設ける。

エネルギビーム照射機構１６から照射されるエネルギビーム２０により被照射部で発生する二次電子２１は二次電子検出機構１９で検出される。マスクステージ移動機構１３により指定される座標とエネルギビーム照射機構１６内のビーム走査機構に設定される座標とから二次電子２１の発生位置を特定し、被修正マスク１４のパターン１５を画像化する。

画像より特定された欠陥２２を含む領域には、原料ガス供給機構１７よりシリコンと炭素を含む原料ガス２３が供給され、エネルギビーム２０により化学反応を起こしてシリコンを含有する炭素系の修正材料２４を堆積させて欠陥２２を修正する。

次いで、耐エッチング膜形成ガス供給機構１８より、耐エッチング膜形成ガスを供給して、修正材料２４の少なくとも表面を、酸化、窒化或いは酸窒化して耐エッチング膜を形成する。ここで所望の部位のみで反応を促進するため、耐エッチング膜形成ガスの供給と共にエネルギビーム２０を照射しても良い。なお、ハロを除去する必要がある場合には、耐エッチング膜の形成前に水素ラジカルを用いて除去する。

原料ガス２３におけるシリコン供給源としては、シラン或いはジシラン等の水素化シリコンまたはテトラメチルシラン、テトラエトキシシラン、或いは、ヘキサメチルジシラザン等の有機シリコン化合物をもちいる。なお、ハロの除去が問題になる場合には、原料ガス２３として、酸素及び窒素を含まない分子を用いることが望ましい。

また、原料ガス２３における炭素供給源としては、フェナントレンに限らず、メタクリル酸メチル等、エネルギビーム照射により炭素の堆積が生じる材料一般を用いることできる。

炭素供給源とシリコン供給源は、予め混合調製して原料ガス供給機構１７より供給しても良いし、それぞれの原料を別個に用意し、それぞれのガスを原料ガス供給機構１７に導く過程で混合してもかまわない。さらに、原料ガス供給機構１７を２本設けてそれぞれのガスを修正部位に別個に供給してもかまわない。

また、耐エッチング膜形成ガスとしては、酸素ガス、オゾンガス、水蒸気、窒素ガス、アンモニアガス、ヘキサメチルジシラザンガス、二酸化窒素を用いる。また、エネルギビーム２０としては、電子ビームが典型的であるが、ガリウム収束イオンビームや、マスクへのダメージが少ないヘリウムイオンやフラーレン分子イオンなどの収束イオンビームなどを用いても良い。

また、修正材料の堆積機構と耐エッチング膜形成機構は同一処理容器内に設置しているが、原理的には必ずしも同じ容器で処理する必要は無い。

また、水素ラジカルは、タングステンあるいはモリブデン等の熱フィラメント、電子衝撃等で白熱させたタングステン管、或いは電子サイクロトロン共鳴プラズマ若しくは誘導結合プラズマ等を用いて発生させる。

このように、本発明の実施の形態においては、欠陥をシリコンを含有する炭素系の修正材料で修正したのち、酸化、窒化或いは酸窒化して耐エッチング膜を形成している。酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンはＥＵＶマスクの炭素系汚染洗浄プロセスの候補である水素ラジカルに対して耐性を持つので、炭素系汚染洗浄プロセスで欠陥修正部が消失することがない。

さらに、酸化等の処理を施す前のシリコンを含有する炭素系の修正材料は、水素ラジカルによって容易にエッチングされるため、修正過程においてハロが発生しても、真空を破らずにそのまま水素ラジカル処理を行えば、容易に除去することが可能である。

この際、修正部分も水素ラジカルにより膜減りを起こすことになるが、通常、ハロ部分の膜厚は修正部分の百分の一程度と堆積膜厚が大きく異なるため、修正の効果を保持したままハロ部分のみ除去することに問題は無い。また、もし必要があれば、予め修正部分には膜減り量だけ厚めに堆積させておいても良い。

なお、ハロ除去機構はエネルギビームによる修正材料の堆積機構および耐エッチング膜形成機構と同一の処理容器内に設置しているが、堆積に用いる真空容器からハロ除去に用いる真空容器まで堆積部分を大気に曝さずに搬送可能であれば、別の処理容器にてハロ除去処理を行う構成にしても良い。

次に、図２を参照して、本発明の実施例１のパターン欠陥修正方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すように、画像より特定された欠陥２２を含む領域には、原料ガス供給機構１７よりフェナントレンとテトラエトキシシランの混合ガス３１を供給し、電子ビーム鏡筒３２より電子ビーム３３を照射する。電子ビームの照射により電子誘起化学反応を起こしてシリコンを含有する炭素系の修正材料２４を堆積させて欠陥２２を修正する。なお、電子ビーム３３の加速エネルギは２ｋｅＶ〜３０ｋｅＶとし、典型的は成膜レートの高い３ｋｅＶの加速エネルギを用いる。

次いで、図２（ｂ）に示すように、耐エッチング膜形成ガス供給機構１８より、酸素ガス３４を供給して、修正材料２４の少なくとも表面を酸化して酸化膜３５を形成する。ここでは、所望の部位のみで反応を促進するため、酸素ガス３４の供給と共に電子ビーム３３を照射することで、修正作業を完了する。なお、ここでは、電子ビーム３３の加速エネルギは３ｋｅＶとする。

このように、本発明の実施例１においては、シリコンを含有する材料を堆積後に表面にオゾンや水素ラジカルに耐性を持つ酸化膜を形成しているので、炭素系汚染膜の洗浄過程に対応した欠陥修正が実現される。

次に、図３乃至図５を参照して、本発明の実施例２のパターン欠陥修正方法を説明する。図３は、本発明の実施例２に用いるパターン欠陥修正装置の概念的構成図であり、上記の図１のパターン欠陥修正装置に水素ラジカル供給機構４０を設けたものである。

次に、図４を参照して、本発明の実施例２のパターン欠陥修正工程を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、上記の実施例１と同様に、画像より特定された欠陥２２を含む領域には、原料ガス供給機構１７よりフェナントレンとテトラエトキシシランの混合ガス３１を供給し、電子ビーム鏡筒３２より電子ビーム３３を照射する。電子ビーム３３の照射により電子誘起化学反応を起こしてシリコンを含有する炭素系の修正材料２４を堆積させて欠陥２２を修正する。この時、修正パターンの周囲にハロ４１が堆積する。

次いで、図４（ｂ）に示すように、水素ラジカル供給機構４０より水素ラジカル４２を供給してハロ４１を除去する。水素ラジカル４２は、水素ガスを１８００℃に加熱した熱タングステンフィラメントで熱触媒分解して発生させた。なお、ハロ４１の膜厚は修正部分の百分の一程度と堆積膜厚が大きく異なるため、修正の効果を保持したままハロ４１のみ除去することができる。

図５は、水素ラジカルを用いてハロを除去した後の走査型電子顕微鏡写真である。図５に示すように、炭素系の修正材料のパッチ４５であり、白点線はパッチ４５が堆積されている領域４６を示す。領域４６の大きさは１μｍ×１μｍであり、上記の図９と対比からハロが除去されているのが確認された。

次いで、図４（ｃ）に示すように、耐エッチング膜形成ガス供給機構１８より、酸素ガス３４を供給して、修正材料２４の少なくとも表面を酸化して酸化膜３５を形成する。ここでは、所望の部位のみで反応を促進するため、酸素ガス３４の供給と共に電子ビーム３３を照射することで、修正作業を完了する。

このように、本発明の実施例２においては、シリコンを含有する材料を堆積し、ハロを除去した後に表面にオゾンや水素ラジカルに耐性を持つ酸化膜を形成している。したがって、マスクの正常部の透過率あるいは反射率を劣化させることなく、炭素系汚染膜の洗浄過程に対応した欠陥修正が実現される。

なお、電子ビームを照射の位置精度高めることによって、ハロの部分にまで耐エッチング膜が形成されないようにすることができる。この場合には、修正部位にシリコンを含有する炭素系材料を堆積させて欠陥を修正した後に、直ちに耐エッチング膜を形成し、その後にハロを除去するという工程順でもかまわない。

ここで、実施例１及び実施例２を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを有するパターン欠陥修正方法。
（付記２）前記原料ガスとして、水素化シリコンまたは有機シリコン化合物を用いることを特徴とする付記１に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記３）前記水素化シリコンまたは有機シリコン化合物が、シラン、ジシラン、テトラメチルシラン、テトラエトキシシラン、或いは、ヘキサメチルジシラザンのいずれかであることを特徴とする付記２に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記４）前記原料ガスとして、酸素及び窒素を含まない分子を用いることを特徴とする付記２に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記５）前記酸化処理、前記窒化処理或いは前記酸窒化処理のいずれかの工程において、酸素ガス、オゾンガス、水蒸気、アンモニア或いは酸化窒素の少なくとも１つを用いることを特徴とする付記１乃至付記４のいずれか１に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記６）前記酸化処理、前記窒化処理或いは前記酸窒化処理のいずれかの工程において、前記堆積した材料にエネルギビームを照射することを特徴とする付記５に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記７）前記シリコンを含有する材料を堆積させる工程に付随して生じた余分な堆積物を、前記余分な堆積物が堆積したのち、大気に曝すことなく除去することを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか１に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記８）前記余分な堆積物の除去工程において、水素ラジカルを用いることを特徴とする付記７に記載のパターン欠陥修正方法。
（付記９）減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、前記修正部位にエネルギビームを照射するエネルギビーム照射機構と、前記修正部位の少なくとも一部を酸化、窒化或いは酸窒化して耐エッチング膜を形成する機構とを備えたことを特徴とするパターン欠陥修正装置。
（付記１０）前記エネルギビームの照射にともなって堆積する修正材料に付随して生じた余分な堆積物を除去するためのエッチング機構をさらに備えたことを特徴とする付記９に記載のパターン欠陥修正装置。
（付記１１）前記エッチング機構が、水素ラジカル供給機構であることを特徴とする付記９または付記１０に記載のパターン欠陥修正装置。

１１ 処理容器
１２ マスクステージ
１３ マスクステージ移動機構
１４ 被修正マスク
１５ パターン
１６ エネルギビーム照射機構
１７ 原料ガス供給機構
１８ 耐エッチング膜形成ガス供給機構
１９ 二次電子検出機構
２０ エネルギビーム
２１ 二次電子
２２ 欠陥
２３ 原料ガス
２４ 修正材料
３１ 混合ガス
３２ 電子ビーム鏡筒
３３ 電子ビーム
３４ 酸素ガス
３５ 酸化膜
４０ 水素ラジカル供給機構
４１ ハロ
４２ 水素ラジカル
４５ パッチ
４６ パッチが堆積されている領域
５１ 真空容器
５２ マスクステージ
５３ マスクステージ移動機構
５４ 被修正マスク
５５ パターン
５６ 電子ビーム鏡筒
５７ 原料ガス供給ノズル
５８ 電子ビーム
５９ 二次電子検出器
６０ 二次電子
６１ 欠陥
６２ フェナントレンガス
６３ 炭素系修正材料
６４ 吸着分子層
６５ 電子ビーム誘起化学反応層
６６ フェナントレンガス分子
６７ 散乱電子
６８ 炭素系修正材料
７１ パッチ
７２ パッチが堆積されている領域
７３ ハロ

Claims (5)

1. 減圧雰囲気中でリソグラフィ用マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、
   前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを
   有するパターン欠陥修正方法。
2. 前記原料ガスとして、水素化シリコンまたは有機シリコン化合物を用いることを特徴とする請求項１に記載のパターン欠陥修正方法。
3. 前記酸化処理、前記窒化処理或いは前記酸窒化処理のいずれかを行う工程において、前記堆積した材料にエネルギビームを照射することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン欠陥修正方法。
4. 前記シリコンを含有する材料を堆積させる工程に付随して生じた余分な堆積物を、前記余分な堆積物が堆積したのち、大気に曝すことなく除去することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のパターン欠陥修正方法。
5. 減圧雰囲気中でリソグラフィ用マスクの修正部位に原料ガスを供給する原料ガス供給機構と、
   前記修正部位にエネルギビームを照射するエネルギビーム照射機構と、
   前記修正部位の少なくとも一部を酸化、窒化或いは酸窒化して耐エッチング膜を形成するとを
   備えたことを特徴とするパターン欠陥修正装置。

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