JP2003228162A - フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法 - Google Patents
フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法Info
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- JP2003228162A JP2003228162A JP2002025637A JP2002025637A JP2003228162A JP 2003228162 A JP2003228162 A JP 2003228162A JP 2002025637 A JP2002025637 A JP 2002025637A JP 2002025637 A JP2002025637 A JP 2002025637A JP 2003228162 A JP2003228162 A JP 2003228162A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｇａの注入されたフォトマスクのハーフトーン
欠陥上にも遮蔽膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が
剥れることのない、高精度なハーフトーン欠陥の修正を
可能にする。 【解決手段】ハーフトーン欠陥3上に、接着強度の強い
種層6を、ガス銃4から種層原料ガスを流しながら電子ビ
ームCVDやFIB-CVDで形成し、形成した種層6の上にガス
銃9からハロー成分の小さい遮蔽膜原料ガスを流しなが
らFIB-CVDで遮蔽膜7を形成することでハーフトーン欠陥
を修正する。または遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イ
オンビーム5の走査方法・滞在時間やプローブ電流やFIB
-CVD原料ガスを変えて接着強度の強い種層6を形成し、
形成した種層6の上にハロー成分の小さい遮蔽膜7をFIB-
CVDで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。
欠陥上にも遮蔽膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が
剥れることのない、高精度なハーフトーン欠陥の修正を
可能にする。 【解決手段】ハーフトーン欠陥3上に、接着強度の強い
種層6を、ガス銃4から種層原料ガスを流しながら電子ビ
ームCVDやFIB-CVDで形成し、形成した種層6の上にガス
銃9からハロー成分の小さい遮蔽膜原料ガスを流しなが
らFIB-CVDで遮蔽膜7を形成することでハーフトーン欠陥
を修正する。または遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イ
オンビーム5の走査方法・滞在時間やプローブ電流やFIB
-CVD原料ガスを変えて接着強度の強い種層6を形成し、
形成した種層6の上にハロー成分の小さい遮蔽膜7をFIB-
CVDで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスクまたは
レチクルのハーフトーン欠陥修正方法に関するものであ
る。
レチクルのハーフトーン欠陥修正方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】Ｓｉ半導体集積回路の微細化はめざまし
く、それに伴って転写に用いるフォトマスクまたはレチ
クル上のパターン寸法も微細になってきている。縮小投
影露光装置はこの要請に対して高NA化と短波長化で対応
してきた。フォトマスクまたはレチクル上に欠陥が存在
すると、欠陥がウェーハに転写されて歩留まりを減少す
る原因となるので、ウェーハにマスクパターンを転写す
る前に欠陥検査装置によりフォトマスクまたはレチクル
の欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場
合にはウェーハへ転写する前に欠陥修正装置により欠陥
修正処理が行われている。上記のような技術的な趨勢に
より、フォトマスクまたはレチクルの欠陥修正にも小さ
な欠陥への対応が求められている。液体金属Gaイオン源
を用いた集束イオンビーム装置は、その微細な加工寸法
によりレーザーを用いた欠陥修正装置に代わりマスク修
正装置の主流となってきている。上記のイオンビームを
用いた欠陥修正装置では、白欠陥修正時には表面に吸着
した遮蔽膜原料ガスを細く絞ったイオンビームが当たっ
た所だけ分解させて薄膜を形成して(FIB-CVD)、欠陥の
修正を行っている。高い加工精度を実現するために、イ
オンビームのテール成分に起因するハロー成分が小さい
遮蔽膜が求められている。
く、それに伴って転写に用いるフォトマスクまたはレチ
クル上のパターン寸法も微細になってきている。縮小投
影露光装置はこの要請に対して高NA化と短波長化で対応
してきた。フォトマスクまたはレチクル上に欠陥が存在
すると、欠陥がウェーハに転写されて歩留まりを減少す
る原因となるので、ウェーハにマスクパターンを転写す
る前に欠陥検査装置によりフォトマスクまたはレチクル
の欠陥の有無や存在場所が調べられ、欠陥が存在する場
合にはウェーハへ転写する前に欠陥修正装置により欠陥
修正処理が行われている。上記のような技術的な趨勢に
より、フォトマスクまたはレチクルの欠陥修正にも小さ
な欠陥への対応が求められている。液体金属Gaイオン源
を用いた集束イオンビーム装置は、その微細な加工寸法
によりレーザーを用いた欠陥修正装置に代わりマスク修
正装置の主流となってきている。上記のイオンビームを
用いた欠陥修正装置では、白欠陥修正時には表面に吸着
した遮蔽膜原料ガスを細く絞ったイオンビームが当たっ
た所だけ分解させて薄膜を形成して(FIB-CVD)、欠陥の
修正を行っている。高い加工精度を実現するために、イ
オンビームのテール成分に起因するハロー成分が小さい
遮蔽膜が求められている。
【0003】ハロー成分が小さく高精度な修正が可能な遮蔽
膜原料ガスの中には、例えばナフタレンのようにイメー
ジング等でGaの注入されたCr膜のようにパターン膜上に
付着しにくいものがあり、フォトマスクのハーフトーン
欠陥上に遮蔽膜を形成できなくなるという問題があっ
た。またGaイオンビームの照射量を抑えてフォトマスク
のハーフトーン欠陥上に遮蔽膜が形成できても、遮蔽膜
の下地への接着力が弱く、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れ
てしまう場合もあった。
膜原料ガスの中には、例えばナフタレンのようにイメー
ジング等でGaの注入されたCr膜のようにパターン膜上に
付着しにくいものがあり、フォトマスクのハーフトーン
欠陥上に遮蔽膜を形成できなくなるという問題があっ
た。またGaイオンビームの照射量を抑えてフォトマスク
のハーフトーン欠陥上に遮蔽膜が形成できても、遮蔽膜
の下地への接着力が弱く、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れ
てしまう場合もあった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Gaの注入さ
れたフォトマスクのハーフトーン欠陥上に遮蔽膜が形成
でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのない、高精
度なハーフトーン欠陥の修正を可能にしようとするもの
である。
れたフォトマスクのハーフトーン欠陥上に遮蔽膜が形成
でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのない、高精
度なハーフトーン欠陥の修正を可能にしようとするもの
である。
【0005】
【課題を解決するための手段】ハーフトーン欠陥上に、
遮蔽膜として形成される層よりも接着強度の強い種層
を、種層原料ガスを流しながら電子ビームCVDやFIB-CVD
で形成し、形成した種層の上に上記種層よりもハロー成
分の小さい遮蔽膜原料ガスを流しながらFIB-CVDで遮蔽
膜を形成することでハーフトーン欠陥を修正する。また
は遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イオンビームの走査
方法・滞在時間やプローブ電流やFIB-CVD原料ガスを変
えて接着強度のより強い種層を形成し、形成した種層の
上に上記種層よりもハロー成分の小さい遮蔽膜をFIB-CV
Dで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。
遮蔽膜として形成される層よりも接着強度の強い種層
を、種層原料ガスを流しながら電子ビームCVDやFIB-CVD
で形成し、形成した種層の上に上記種層よりもハロー成
分の小さい遮蔽膜原料ガスを流しながらFIB-CVDで遮蔽
膜を形成することでハーフトーン欠陥を修正する。また
は遮蔽膜と同じ原料ガスを用いて、イオンビームの走査
方法・滞在時間やプローブ電流やFIB-CVD原料ガスを変
えて接着強度のより強い種層を形成し、形成した種層の
上に上記種層よりもハロー成分の小さい遮蔽膜をFIB-CV
Dで形成することでハーフトーン欠陥を修正する。
【0006】
【作用】接着強度の強い種層の形成と透過率制御を担う
遮蔽膜形成の分離することで、種層は下地との接着力が
より強く次工程のよりハローの少ない遮蔽膜が成長し易
すければ良く、Gaの注入されたために遮蔽膜形成できな
くなったハーフトーン欠陥上であっても種層形成に適し
た条件を選ぶことで種層を形成することができる。種層
は透過率を稼ぐ必要はなく薄くても良いので、成膜速度
が遅くてもスループットを大きく低下させることはな
く、ハロー成分が大きくても種層の膜厚が薄いため露光
に影響を与えるほどの厚さにはならない。種層の上なら
ば遮蔽膜原料ガスが付着しにくくなることはないので、
種層の上にハロー成分の少ない遮蔽膜を形成すれば、高
精度のハーフトーン欠陥修正を行える。種層のハロー成
分が問題になる場合には、ハーフトーン欠陥上に種層を
形成した時点でガスアシストエッチングやレーザーでハ
ロー成分を除去し、その後にハロー成分の小さい遮蔽膜
を形成すれば、高精度のハーフトーン欠陥修正を行え
る。もちろん接着力すぐれた膜を種層に選ぶので、洗浄
や熱により遮蔽膜が剥れることはない。
遮蔽膜形成の分離することで、種層は下地との接着力が
より強く次工程のよりハローの少ない遮蔽膜が成長し易
すければ良く、Gaの注入されたために遮蔽膜形成できな
くなったハーフトーン欠陥上であっても種層形成に適し
た条件を選ぶことで種層を形成することができる。種層
は透過率を稼ぐ必要はなく薄くても良いので、成膜速度
が遅くてもスループットを大きく低下させることはな
く、ハロー成分が大きくても種層の膜厚が薄いため露光
に影響を与えるほどの厚さにはならない。種層の上なら
ば遮蔽膜原料ガスが付着しにくくなることはないので、
種層の上にハロー成分の少ない遮蔽膜を形成すれば、高
精度のハーフトーン欠陥修正を行える。種層のハロー成
分が問題になる場合には、ハーフトーン欠陥上に種層を
形成した時点でガスアシストエッチングやレーザーでハ
ロー成分を除去し、その後にハロー成分の小さい遮蔽膜
を形成すれば、高精度のハーフトーン欠陥修正を行え
る。もちろん接着力すぐれた膜を種層に選ぶので、洗浄
や熱により遮蔽膜が剥れることはない。
【0007】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の一実施例につい
て説明する。ハーフトーン欠陥を含むフォトマスクまた
はレチクルを電子ビームとイオンビームを備えた欠陥修
正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検査装置の座標
情報により欠陥が電子ビーム欠陥修正装置の直下にくる
ようにステージを移動する。集束した電子ビームを走査
してハーフトーン欠陥を含む領域の二次電子像を取得
し、図1(a)に示すような正常パターン1とガラス基板2か
らハーフトーン欠陥領域3を抽出する。次に図1(b)に示
すようにイオンビーム照射領域の近傍に配置されたガス
銃4からピレン等の種層原料ガスを供給しながらハーフ
トーン欠陥領域3のみ電子ビーム5を選択的に走査して種
層6を堆積する。ステージをイオンビーム欠陥修正装置
の位置に移動し、図1(c)に示すように電子ビームCVDで
堆積した種層6の上に、イオンビーム照射領域の近傍に
配置されたガス銃9からナフタレン等の遮蔽膜原料ガス
を供給しながらさらにイオンビーム8の選択的走査によ
りハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥
を修正する。
て説明する。ハーフトーン欠陥を含むフォトマスクまた
はレチクルを電子ビームとイオンビームを備えた欠陥修
正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検査装置の座標
情報により欠陥が電子ビーム欠陥修正装置の直下にくる
ようにステージを移動する。集束した電子ビームを走査
してハーフトーン欠陥を含む領域の二次電子像を取得
し、図1(a)に示すような正常パターン1とガラス基板2か
らハーフトーン欠陥領域3を抽出する。次に図1(b)に示
すようにイオンビーム照射領域の近傍に配置されたガス
銃4からピレン等の種層原料ガスを供給しながらハーフ
トーン欠陥領域3のみ電子ビーム5を選択的に走査して種
層6を堆積する。ステージをイオンビーム欠陥修正装置
の位置に移動し、図1(c)に示すように電子ビームCVDで
堆積した種層6の上に、イオンビーム照射領域の近傍に
配置されたガス銃9からナフタレン等の遮蔽膜原料ガス
を供給しながらさらにイオンビーム8の選択的走査によ
りハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥
を修正する。
【0008】次に本発明の他の実施例について説明する。ハ
ーフトーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイ
オンビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠
陥検査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移
動する。集束したイオンビームを走査してハーフトーン
欠陥を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すよ
うな正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥
領域3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビー
ム照射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン
等の遮蔽膜原料ガスを供給しながらハーフトーン欠陥領
域3のみ集束した数pAの低プローブ電流のイオンビーム5
を選択的に走査して種層6を堆積し、引き続き図1(c)に
示すようにイオンビーム照射領域の近傍に配置されたガ
ス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上
に数10pAの高プローブ電流のイオンビーム8の選択的走
査でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠
陥を修正する。
ーフトーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイ
オンビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠
陥検査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移
動する。集束したイオンビームを走査してハーフトーン
欠陥を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すよ
うな正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥
領域3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビー
ム照射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン
等の遮蔽膜原料ガスを供給しながらハーフトーン欠陥領
域3のみ集束した数pAの低プローブ電流のイオンビーム5
を選択的に走査して種層6を堆積し、引き続き図1(c)に
示すようにイオンビーム照射領域の近傍に配置されたガ
ス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上
に数10pAの高プローブ電流のイオンビーム8の選択的走
査でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠
陥を修正する。
【0009】更に本発明の他の実施例について説明する。ハ
ーフトーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイ
オンビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠
陥検査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移
動する。集束したイオンビームを走査してハーフトーン
欠陥を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すよ
うな正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥
領域3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビー
ム照射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン
等の遮蔽膜原料ガスを供給しながら、ハーフトーン欠陥
領域3のみ焦点を少しぼかした低電流密度のイオンビー
ム5を選択的に走査して種層となる遮蔽膜6を堆積し、引
き続き図1(c)に示すようにイオンビーム照射領域の近傍
に配置されたガス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しなが
ら上記種層6の上に集束したイオンビーム8の選択的走査
でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥
を修正する。
ーフトーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイ
オンビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠
陥検査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移
動する。集束したイオンビームを走査してハーフトーン
欠陥を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すよ
うな正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥
領域3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビー
ム照射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン
等の遮蔽膜原料ガスを供給しながら、ハーフトーン欠陥
領域3のみ焦点を少しぼかした低電流密度のイオンビー
ム5を選択的に走査して種層となる遮蔽膜6を堆積し、引
き続き図1(c)に示すようにイオンビーム照射領域の近傍
に配置されたガス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しなが
ら上記種層6の上に集束したイオンビーム8の選択的走査
でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥
を修正する。
【0010】本発明の他の実施例について説明する。ハーフ
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン等の
遮蔽膜原料ガスを供給しながら、ガスの滞在時間が長く
なるような走査順序でハーフトーン欠陥領域3の走査を
行って種層6を堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイ
オンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9から遮
蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上にイオンビ
ーム8の選択的走査でハローの少ない遮蔽膜7を形成して
ハーフトーン欠陥を修正する。
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン等の
遮蔽膜原料ガスを供給しながら、ガスの滞在時間が長く
なるような走査順序でハーフトーン欠陥領域3の走査を
行って種層6を堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイ
オンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9から遮
蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上にイオンビ
ーム8の選択的走査でハローの少ない遮蔽膜7を形成して
ハーフトーン欠陥を修正する。
【0011】本発明の他の実施例について説明する。ハーフ
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン等の
遮蔽膜原料ガスを供給しながらハーフトーン欠陥領域3
のみイオンビーム5の滞在時間の短い走査を行って種層6
を堆積し、引き続き図1(c)に示すように、イオンビーム
照射領域の近傍に配置されたガス銃9から遮蔽膜原料ガ
スを供給しながら上記種層6の上にイオンビーム8の選択
的走査でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトー
ン欠陥を修正する。
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からナフタレン等の
遮蔽膜原料ガスを供給しながらハーフトーン欠陥領域3
のみイオンビーム5の滞在時間の短い走査を行って種層6
を堆積し、引き続き図1(c)に示すように、イオンビーム
照射領域の近傍に配置されたガス銃9から遮蔽膜原料ガ
スを供給しながら上記種層6の上にイオンビーム8の選択
的走査でハローの少ない遮蔽膜7を形成してハーフトー
ン欠陥を修正する。
【0012】本発明の他の実施例について説明する。ハーフ
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からピレン等の種層
を形成しやすい原料ガスを供給しながら選択的走査を行
って種層6を堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイオ
ンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9からハロ
ーの少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の
上にイオンビーム8の選択的走査でハローの少ない遮蔽
膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正する。
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置されたガス銃4からピレン等の種層
を形成しやすい原料ガスを供給しながら選択的走査を行
って種層6を堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイオ
ンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9からハロ
ーの少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の
上にイオンビーム8の選択的走査でハローの少ない遮蔽
膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正する。
【0013】本発明の他の実施例について説明する。ハーフ
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置された、通常よりも温度の高い遮蔽
膜原料ガス容器を有するガス銃4から昇華量の多い遮蔽
膜原料ガスを供給しながら選択的走査を行って種層6を
堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイオンビーム照射
領域の近傍に配置された通常の温度の遮蔽膜原料ガス容
器を有するガス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しながら
上記種層6の上にイオンビーム8の選択的走査でハローの
少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正す
る。
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置された、通常よりも温度の高い遮蔽
膜原料ガス容器を有するガス銃4から昇華量の多い遮蔽
膜原料ガスを供給しながら選択的走査を行って種層6を
堆積し、引き続き図1(c)に示すようにイオンビーム照射
領域の近傍に配置された通常の温度の遮蔽膜原料ガス容
器を有するガス銃9から遮蔽膜原料ガスを供給しながら
上記種層6の上にイオンビーム8の選択的走査でハローの
少ない遮蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正す
る。
【0014】本発明の他の実施例について説明する。ハーフ
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置された、修正するフォトマスクの基
板温度を常温よりも低くし、吸着した遮蔽膜原料ガスが
脱離・拡散しにくい状態で、イオンビーム照射領域の近
傍に配置されたガス銃4から遮蔽膜原料ガスを供給しな
がら選択的走査を行って種層6を堆積する。引き続きフ
ォトマスクが常温になるのを待ち、図1(c)に示すように
イオンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9から
ハローの少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層
6の上にイオンビーム8の選択的走査でハローの少ない遮
蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正する。
トーン欠陥を含むフォトマスクまたはレチクルをイオン
ビーム欠陥修正装置の真空チャンバ内に導入し、欠陥検
査装置の座標情報により欠陥の位置にステージを移動す
る。集束したイオンビームを走査してハーフトーン欠陥
を含む領域の二次電子像を取得し、図1(a)に示すような
正常パターン1とガラス基板2からハーフトーン欠陥領域
3を抽出する。次に図1(b)に示すようにイオンビーム照
射領域の近傍に配置された、修正するフォトマスクの基
板温度を常温よりも低くし、吸着した遮蔽膜原料ガスが
脱離・拡散しにくい状態で、イオンビーム照射領域の近
傍に配置されたガス銃4から遮蔽膜原料ガスを供給しな
がら選択的走査を行って種層6を堆積する。引き続きフ
ォトマスクが常温になるのを待ち、図1(c)に示すように
イオンビーム照射領域の近傍に配置されたガス銃9から
ハローの少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層
6の上にイオンビーム8の選択的走査でハローの少ない遮
蔽膜7を形成してハーフトーン欠陥を修正する。
【0015】上記実施例のいずれにおいても、接着強度の強
い種層の形成と透過率制御を担う遮蔽膜形成の分離する
ことで、種層は下地との接着力が強く次工程のハローの
少ない遮蔽膜が成長し易すければ良く、Gaの注入された
ために遮蔽膜形成できなくなったハーフトーン欠陥上で
あっても種層形成に適した条件を選ぶことで種層を形成
することができる。種層は透過率を稼ぐ必要はなく薄く
ても良いので、成膜速度が遅くてもスループットを大き
く低下させることはなく、ハロー成分が大きくても種層
の膜厚が薄いため露光に影響を与えるほどの厚さにはな
らない。種層の上ならば遮蔽膜原料ガスが付着しにくく
なることはないので、種層の上にハロー成分の少ない遮
蔽膜を形成すれば、高精度のハーフトーン欠陥修正を行
える。接着力すぐれた膜を種層に選ぶので、洗浄や熱に
より遮蔽膜が剥れることはない。
い種層の形成と透過率制御を担う遮蔽膜形成の分離する
ことで、種層は下地との接着力が強く次工程のハローの
少ない遮蔽膜が成長し易すければ良く、Gaの注入された
ために遮蔽膜形成できなくなったハーフトーン欠陥上で
あっても種層形成に適した条件を選ぶことで種層を形成
することができる。種層は透過率を稼ぐ必要はなく薄く
ても良いので、成膜速度が遅くてもスループットを大き
く低下させることはなく、ハロー成分が大きくても種層
の膜厚が薄いため露光に影響を与えるほどの厚さにはな
らない。種層の上ならば遮蔽膜原料ガスが付着しにくく
なることはないので、種層の上にハロー成分の少ない遮
蔽膜を形成すれば、高精度のハーフトーン欠陥修正を行
える。接着力すぐれた膜を種層に選ぶので、洗浄や熱に
より遮蔽膜が剥れることはない。
【0016】上記実施例でどうしても種層形成時のハロー成
分が問題になる場合には、図2(a)に示すようなハーフト
ーン欠陥上に種層6を上記実施例のいずれかの方法で形
成した時点(図2(b))でイオンビームもしくはレーザービ
ーム11で(イオンビームを用いる場合には透過率を低下
させないようにガス銃12からアシストガスを供給しなが
ら)ハロー成分10を除去し(図2(c))、その後にハローの
少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上に
イオンビーム8の選択的走査でハロー成分の小さい遮蔽
膜7を形成することで対処する(図2(d))。
分が問題になる場合には、図2(a)に示すようなハーフト
ーン欠陥上に種層6を上記実施例のいずれかの方法で形
成した時点(図2(b))でイオンビームもしくはレーザービ
ーム11で(イオンビームを用いる場合には透過率を低下
させないようにガス銃12からアシストガスを供給しなが
ら)ハロー成分10を除去し(図2(c))、その後にハローの
少ない遮蔽膜原料ガスを供給しながら上記種層6の上に
イオンビーム8の選択的走査でハロー成分の小さい遮蔽
膜7を形成することで対処する(図2(d))。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ga
の注入されたフォトマスクのハーフトーン欠陥上に遮蔽
膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのな
い、高精度なハーフトーン欠陥の修正を行うことができ
る。
の注入されたフォトマスクのハーフトーン欠陥上に遮蔽
膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのな
い、高精度なハーフトーン欠陥の修正を行うことができ
る。
【図１】（ａ）から（ｃ）は、本発明の特徴を最も良く
表す概略断面図である。
表す概略断面図である。
【図2】（ａ）から（ｄ）は、ガスアシストエッチング
またはレーザー修正装置で種層のハロー成分を取り除く
場合を説明するための概略断面図である。
またはレーザー修正装置で種層のハロー成分を取り除く
場合を説明するための概略断面図である。
１ パターン膜
２ ガラス基板
３ ハーフトーン欠陥
４ 種層原料ガスを供給するガス銃
５ 電子ビームまたはイオンビーム
６ 種層
７ 遮蔽膜
８ イオンビーム
９ 遮蔽膜原料ガスを供給するガス銃
１０ 種層形成時のハロー成分
１１ イオンビームまたはレーザービーム
１２ アシストガスを供給するガス銃
Claims (10)
- 【請求項１】イオンビーム装置を用い遮蔽膜を形成して
フォトマスクのハーフトーン欠陥を修正する方法におい
て、前記フォトマスクへの接着性が前記遮蔽膜より良い
層を形成する種層原料ガスを流しながらハーフトーン欠
陥領域のみ電子ビームを選択的に走査して種層を堆積
し、しかる後前記種層原料ガスよりハロー成分の少ない
膜を形成する遮蔽膜原料ガスを流しながら上記種層の上
にイオンビームの選択的走査により前記遮蔽膜を形成す
ることを特徴とするフォトマスクのハーフトーン欠陥修
正方法。 - 【請求項２】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、遮蔽膜原料ガスを流
しながらハーフトーン欠陥領域のみ集束した低プローブ
電流のイオンビームを選択的に走査して種層を堆積し、
引き続き遮蔽膜原料ガスを流しながら上記種層の上に高
プローブ電流のイオンビームの選択的走査で遮蔽膜を形
成することを特徴とするフォトマスクのハーフトーン欠
陥修正方法。 - 【請求項３】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、遮蔽膜原料ガスを流
しながらハーフトーン欠陥領域のみ焦点を少しぼかした
低電流密度のイオンビームを選択的に走査して種層を堆
積し、引き続き遮蔽膜原料ガスを流しながら上記種層の
上に集束したイオンビームの選択的走査で遮蔽膜を形成
することを特徴とするフォトマスクのハーフトーン欠陥
修正方法。 - 【請求項４】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、遮蔽膜原料ガスを流
しながら、ガスの滞在時間が長くなるような手順でハー
フトーン欠陥領域の走査を行って種層を堆積し、引き続
き遮蔽膜原料ガスを流しながら上記種層の上にイオンビ
ームの選択的走査で遮蔽膜を形成することを特徴とする
フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法。 - 【請求項５】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正方法において、遮蔽膜原料ガス
を流しながらハーフトーン欠陥領域のみイオンビームの
滞在時間の短い走査を行って種層を堆積し、引き続き遮
蔽膜原料ガスを流しながら上記種層の上にイオンビーム
の選択的走査で遮蔽膜を形成することを特徴とするフォ
トマスクのハーフトーン欠陥修正方法。 - 【請求項６】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、種層を形成しやすい
遮蔽膜原料ガスを流しながら選択的走査を行って種層と
なる遮蔽膜を堆積し、引き続きハローの少ない遮蔽膜原
料ガスを流しながら上記種層の上にイオンビームの選択
的走査で遮蔽膜を形成することを特徴とするフォトマス
クのハーフトーン欠陥修正方法。 - 【請求項７】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、遮蔽膜原料ガスのガ
ス供給量の多い状態で選択的走査を行って種層となる遮
蔽膜を堆積し、引き続き通常のガス供給量で遮蔽膜原料
ガスを流しながら上記種層の上にイオンビームの選択的
走査で遮蔽膜を形成することを特徴とするフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正方法。 - 【請求項８】 イオンビーム装置を用いたフォトマスク
のハーフトーン欠陥修正において、修正するフォトマス
クの基板温度を低くして吸着した遮蔽膜原料ガスが脱離
・拡散しにくい状態で遮蔽膜原料ガスを流しながらイオ
ンビームの選択的走査を行って種層となる遮蔽膜を堆積
し、常温に戻してからハローの少ない遮蔽膜原料ガスを
流しながら上記種層の上にイオンビームの選択的走査で
遮蔽膜を形成することを特徴とするフォトマスクのハー
フトーン欠陥修正方法。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれかに記載のフォ
トマスクのハーフトーン欠陥修正方法において、種層形
成後にレーザー修正装置でハロー成分の除去を行ってか
ら、種層の上にイオンビームの選択的走査で遮蔽膜を形
成することを特徴とするフォトマスクのハーフトーン欠
陥修正方法。 - 【請求項１０】 請求項１から８のいずれかに記載のフ
ォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法において、種層
形成後にイオンビーム欠陥修正装置のガスアシストエッ
チングでハロー成分の除去を行ってから、種層の上にイ
オンビームの選択的走査で遮蔽膜を形成することを特徴
とするフォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法。るフ
ォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002025637A JP2003228162A (ja) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002025637A JP2003228162A (ja) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003228162A true JP2003228162A (ja) | 2003-08-15 |
Family
ID=27747727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002025637A Pending JP2003228162A (ja) | 2002-02-01 | 2002-02-01 | フォトマスクのハーフトーン欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003228162A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005352048A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Sii Nanotechnology Inc | 集束電子ビーム装置と原子間力顕微鏡との複合装置を用いたフォトマスク欠陥修正方法 |
| WO2009022603A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sii Nanotechnology Inc. | フォトマスクの欠陥修正方法および装置 |
| JP2012230148A (ja) * | 2011-04-25 | 2012-11-22 | Fujitsu Semiconductor Ltd | パターン欠陥修正方法及びパターン欠陥修正装置 |
| US8963100B2 (en) | 2011-10-20 | 2015-02-24 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Nitrogen ions from a gas field ion source held at a pressure of 1.0 x 10^(-6) pa to 1.0 x 10^(-2) pa |
| JP7429583B2 (ja) | 2020-03-30 | 2024-02-08 | Hoya株式会社 | リソグラフィマスクの製造方法、リソグラフィマスク、および、半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-01 JP JP2002025637A patent/JP2003228162A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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