JP2002258456A - フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機 - Google Patents
フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機Info
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- JP2002258456A JP2002258456A JP2001057857A JP2001057857A JP2002258456A JP 2002258456 A JP2002258456 A JP 2002258456A JP 2001057857 A JP2001057857 A JP 2001057857A JP 2001057857 A JP2001057857 A JP 2001057857A JP 2002258456 A JP2002258456 A JP 2002258456A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レベンソン型位相シフトマスク６０の製造にお
いて、シフターの深さが不足していることが判明した際
に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続し
て行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレ
ジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜
機を提供すること。 【解決手段】１）開口部を有するフレーム２１、Ｘ−Ｙ
ステージ２２、ホルダー・ストッパー２３で構成される
ステージ部２０、２）撮像・コントローラ部３０、３）
コーン状カバー４１、薬液ノズル４２、支持具４３で構
成される薬液噴射部４０、４）薬液供給・回収部５０を
少なくとも具備すること。
いて、シフターの深さが不足していることが判明した際
に、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板１に追加したエッチングを継続し
て行うことができる、位相差測定用のパターンのみのレ
ジスト膜パターン３’を剥膜するスポットレジスト剥膜
機を提供すること。 【解決手段】１）開口部を有するフレーム２１、Ｘ−Ｙ
ステージ２２、ホルダー・ストッパー２３で構成される
ステージ部２０、２）撮像・コントローラ部３０、３）
コーン状カバー４１、薬液ノズル４２、支持具４３で構
成される薬液噴射部４０、４）薬液供給・回収部５０を
少なくとも具備すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造にて用いるレジスト剥膜機に関するものであり、特
に、フォトマスク上のレジストの一部分を剥膜するスポ
ットレジスト剥膜機に関する。
造にて用いるレジスト剥膜機に関するものであり、特
に、フォトマスク上のレジストの一部分を剥膜するスポ
ットレジスト剥膜機に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ上に半導体集積回路のパ
ターンを焼き付ける際に用いるフォトマスクは、フォト
リソグラフィの技術を用いて製造されるが、その製造工
程において取り扱われるフォトマスクの大きさは、例え
ば、６×６インチといったフォトマスクの仕上がりの大
きさである。レジスト塗布、描画、現像、エッチング、
レジスト剥膜などの各工程で、フォトマスクは一枚の大
きさで取り扱われ、各処理がなされる。
ターンを焼き付ける際に用いるフォトマスクは、フォト
リソグラフィの技術を用いて製造されるが、その製造工
程において取り扱われるフォトマスクの大きさは、例え
ば、６×６インチといったフォトマスクの仕上がりの大
きさである。レジスト塗布、描画、現像、エッチング、
レジスト剥膜などの各工程で、フォトマスクは一枚の大
きさで取り扱われ、各処理がなされる。
【０００３】すなわち、フォトマスク製造におけるレジ
スト塗布、描画、現像、エッチング、レジスト剥膜など
の各処理を行うフォトマスクの各製造装置は、フォトマ
スクを一枚の大きさで処理するようになっている。従っ
て、例えば、フォトマスクのパターン全体の外側に配置
してある測定用のパターンのみを処理したい場合であっ
ても、フォトマスク一枚の全体を処理することになる。
スト塗布、描画、現像、エッチング、レジスト剥膜など
の各処理を行うフォトマスクの各製造装置は、フォトマ
スクを一枚の大きさで処理するようになっている。従っ
て、例えば、フォトマスクのパターン全体の外側に配置
してある測定用のパターンのみを処理したい場合であっ
ても、フォトマスク一枚の全体を処理することになる。
【０００４】図２は、レベンソン型位相シフトマスクの
一例の一部分をその断面で示す説明図である。この一例
のレベンソン型位相シフトマスク（１０）は、一つ置き
の開口部パターンを深さ（ｄ）だけマスク基板（１）を
エッチングしてシフター（Ｓ）を形成し、このシフター
（Ｓ）を形成した一つ置きの開口部パターンを通過する
透過光の位相を１８０度ずらし、解像度を向上させたも
のである。尚、（２）は遮光部パターンを示している。
一例の一部分をその断面で示す説明図である。この一例
のレベンソン型位相シフトマスク（１０）は、一つ置き
の開口部パターンを深さ（ｄ）だけマスク基板（１）を
エッチングしてシフター（Ｓ）を形成し、このシフター
（Ｓ）を形成した一つ置きの開口部パターンを通過する
透過光の位相を１８０度ずらし、解像度を向上させたも
のである。尚、（２）は遮光部パターンを示している。
【０００５】図３（イ）〜（ト）は、図２に示すレベン
ソン型位相シフトマスク（１０）を製造する工程の一例
の説明図である。レベンソン型位相シフトマスクの製造
は、先ず、石英基板（１）にクロムの遮光部パターン
（２）を形成し、遮光部パターン（２）が形成された石
英基板（１）上にレジスト膜（３）を形成する。（図３
（イ）〜（ハ））。次に、シフターパターンを電子線描
画（４）し、現像により得られたレジスト膜パターン
（３’）をマスクとして、石英基板（１）をエッチング
し位相を１８０度ずらすシフター（Ｓ）を形成する。
（図３（ニ）〜（ヘ））。次に、レジスト膜パターン
（３’）を剥膜してレベンソン型位相シフトマスク（１
０）を製造するといったものである。（図３（ト））。
ソン型位相シフトマスク（１０）を製造する工程の一例
の説明図である。レベンソン型位相シフトマスクの製造
は、先ず、石英基板（１）にクロムの遮光部パターン
（２）を形成し、遮光部パターン（２）が形成された石
英基板（１）上にレジスト膜（３）を形成する。（図３
（イ）〜（ハ））。次に、シフターパターンを電子線描
画（４）し、現像により得られたレジスト膜パターン
（３’）をマスクとして、石英基板（１）をエッチング
し位相を１８０度ずらすシフター（Ｓ）を形成する。
（図３（ニ）〜（ヘ））。次に、レジスト膜パターン
（３’）を剥膜してレベンソン型位相シフトマスク（１
０）を製造するといったものである。（図３（ト））。
【０００６】このようなレベンソン型位相シフトマスク
では、シフターの位相差、すなわち、石英基板をエッチ
ングして形成するシフターの深さの制御、管理が重要で
ある。このため、予めフォトマスクのパターン全体の外
側の四隅には位相差測定用のパターンが配置されてお
り、この位相差測定用のパターンの位相差を測定するこ
とによってシフターの深さの管理を行っている。
では、シフターの位相差、すなわち、石英基板をエッチ
ングして形成するシフターの深さの制御、管理が重要で
ある。このため、予めフォトマスクのパターン全体の外
側の四隅には位相差測定用のパターンが配置されてお
り、この位相差測定用のパターンの位相差を測定するこ
とによってシフターの深さの管理を行っている。
【０００７】この位相差測定は、位相差測定用のパター
ンにおける、図２に示すような石英基板のエッチングさ
れている開口部パターンとエッチングされていない開口
部パターン（Ａ）との位相差を測定するものなので、図
３（ヘ）に示す石英基板上に形成されたレジスト膜パタ
ーン（３’）は剥膜した状態で位相差測定が行われる。
そして、この位相差測定によってシフターの深さが不足
していることが判明した際には、石英基板に追加したエ
ッチングを行い、適切な深さのシフターに形成すること
になる。
ンにおける、図２に示すような石英基板のエッチングさ
れている開口部パターンとエッチングされていない開口
部パターン（Ａ）との位相差を測定するものなので、図
３（ヘ）に示す石英基板上に形成されたレジスト膜パタ
ーン（３’）は剥膜した状態で位相差測定が行われる。
そして、この位相差測定によってシフターの深さが不足
していることが判明した際には、石英基板に追加したエ
ッチングを行い、適切な深さのシフターに形成すること
になる。
【０００８】ところが、レジスト膜パターン（３’）は
位相差測定用のパターンのみならず、フォトマスク一枚
の全体が剥膜されているので、石英基板に追加したエッ
チングを行うに際しては、図３（ハ）〜（ホ）に示すレ
ジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行い、レ
ジスト膜パターンを改めて形成することが必要となる。
このような、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰
り返し行うことによって、フォトマスク製造の所要時
間、コストが増大し、また、フォトマスクに欠陥を発生
させる誘因となる。
位相差測定用のパターンのみならず、フォトマスク一枚
の全体が剥膜されているので、石英基板に追加したエッ
チングを行うに際しては、図３（ハ）〜（ホ）に示すレ
ジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行い、レ
ジスト膜パターンを改めて形成することが必要となる。
このような、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰
り返し行うことによって、フォトマスク製造の所要時
間、コストが増大し、また、フォトマスクに欠陥を発生
させる誘因となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点を解決するためになされたものであって、レベ
ンソン型位相シフトマスクの製造において、位相差測定
用のパターンの位相差を測定し、シフターの深さが不足
していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子
線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板に追加
したエッチングを継続して行うことができるように、レ
ジスト膜パターンの内の、位相差測定用のパターンのみ
のレジスト膜パターンを剥膜するフォトマスク製造用ス
ポットレジスト剥膜機を提供することを課題とする。
な問題点を解決するためになされたものであって、レベ
ンソン型位相シフトマスクの製造において、位相差測定
用のパターンの位相差を測定し、シフターの深さが不足
していることが判明した際に、レジスト膜の形成、電子
線描画、現像を繰り返し行うことなく、石英基板に追加
したエッチングを継続して行うことができるように、レ
ジスト膜パターンの内の、位相差測定用のパターンのみ
のレジスト膜パターンを剥膜するフォトマスク製造用ス
ポットレジスト剥膜機を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、フォトマスク
の製造にて用いるレジスト剥膜機において、 １）上部中央に開口部を有するフレーム、該フレーム上
に設けられた中央に開口部を有するＸ−Ｙステージ、該
Ｘ−Ｙステージ上でフォトマスクの四隅を保持する位置
に設けられたフォトマスクを保持固定するホルダー・ス
トッパーで構成されるステージ部、 ２）該Ｘ−Ｙステージの上方に設けられた撮像カメラ、
及びモニタ・コントローラで構成される撮像・コントロ
ーラ部、 ３）該Ｘ−Ｙステージの下方、該撮像カメラの真下位置
に設けられたコーン状カバー、及び薬液ノズル、支持具
で構成される薬液噴射部、 ４）該薬液ノズルに薬液を供給するチューブ、バルブ、
薬液タンク、薬液受皿で構成される薬液供給・回収部、
を少なくとも具備することを特徴とするフォトマスク製
造用スポットレジスト剥膜機である。
の製造にて用いるレジスト剥膜機において、 １）上部中央に開口部を有するフレーム、該フレーム上
に設けられた中央に開口部を有するＸ−Ｙステージ、該
Ｘ−Ｙステージ上でフォトマスクの四隅を保持する位置
に設けられたフォトマスクを保持固定するホルダー・ス
トッパーで構成されるステージ部、 ２）該Ｘ−Ｙステージの上方に設けられた撮像カメラ、
及びモニタ・コントローラで構成される撮像・コントロ
ーラ部、 ３）該Ｘ−Ｙステージの下方、該撮像カメラの真下位置
に設けられたコーン状カバー、及び薬液ノズル、支持具
で構成される薬液噴射部、 ４）該薬液ノズルに薬液を供給するチューブ、バルブ、
薬液タンク、薬液受皿で構成される薬液供給・回収部、
を少なくとも具備することを特徴とするフォトマスク製
造用スポットレジスト剥膜機である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明を一実施の形態に基づいて
以下に説明する。図１は、本発明によるフォトマスク製
造用スポットレジスト剥膜機の一実施例の概念を示す側
面図である。図１に示すように、フォトマスク製造用ス
ポットレジスト剥膜機は、ステージ部（２０）、撮像・
コントローラ部（３０）、薬液噴射部（４０）、薬液供
給・回収部（５０）で構成されるものである。
以下に説明する。図１は、本発明によるフォトマスク製
造用スポットレジスト剥膜機の一実施例の概念を示す側
面図である。図１に示すように、フォトマスク製造用ス
ポットレジスト剥膜機は、ステージ部（２０）、撮像・
コントローラ部（３０）、薬液噴射部（４０）、薬液供
給・回収部（５０）で構成されるものである。
【００１２】ステージ部（２０）は、上部中央に開口部
（２４）を有するフレーム（２１）、フレーム上に設け
られた中央に開口部（２５）を有するＸ−Ｙステージ
（２２）、Ｘ−Ｙステージ上でフォトマスク（６０）の
四隅を保持する位置に設けられたフォトマスクを保持固
定するホルダー・ストッパー（２３）で構成されてい
る。上記開口部（２４）、（２５）の大きさは、少なく
ともフォトマスクのパターン及び位相差測定用のパター
ンの領域より大きなものである。（２３Ａ）はフォトマ
スクを載置、保持するホルダー、（２３Ｂ）はフォトマ
スクを固定するストッパーを示している。フォトマスク
はその膜面を下方に向けて載置する。
（２４）を有するフレーム（２１）、フレーム上に設け
られた中央に開口部（２５）を有するＸ−Ｙステージ
（２２）、Ｘ−Ｙステージ上でフォトマスク（６０）の
四隅を保持する位置に設けられたフォトマスクを保持固
定するホルダー・ストッパー（２３）で構成されてい
る。上記開口部（２４）、（２５）の大きさは、少なく
ともフォトマスクのパターン及び位相差測定用のパター
ンの領域より大きなものである。（２３Ａ）はフォトマ
スクを載置、保持するホルダー、（２３Ｂ）はフォトマ
スクを固定するストッパーを示している。フォトマスク
はその膜面を下方に向けて載置する。
【００１３】撮像・コントローラ部（３０）は、撮像カ
メラ（３１）、モニタ・コントローラ（３２）で構成さ
れている。撮像カメラ（３１）は、Ｘ−Ｙステージ（２
２）の上方に設けらており、点線矢印で示すように、撮
像倍率及び焦点調節のために上下に昇降するようになっ
ている。撮像倍率は適宜選択されるが、その最高倍率は
約１０００倍程度のものである。モニタ・コントローラ
（３２）は、撮像した画像を表示するモニタ及びスポッ
トレジスト剥膜機を制御するコントローラで構成されて
いる。
メラ（３１）、モニタ・コントローラ（３２）で構成さ
れている。撮像カメラ（３１）は、Ｘ−Ｙステージ（２
２）の上方に設けらており、点線矢印で示すように、撮
像倍率及び焦点調節のために上下に昇降するようになっ
ている。撮像倍率は適宜選択されるが、その最高倍率は
約１０００倍程度のものである。モニタ・コントローラ
（３２）は、撮像した画像を表示するモニタ及びスポッ
トレジスト剥膜機を制御するコントローラで構成されて
いる。
【００１４】薬液噴射部（４０）は、コーン状カバー
（４１）、薬液ノズル（４２）、及びコーン状カバー
（４１）、薬液ノズル（４２）を支持する支持具（４
３）で構成されており、実線矢印で示すように、上下に
昇降するようになっている。Ｘ−Ｙステージ（２２）の
下方、撮像カメラ（３１）の光軸の真下にコーン状カバ
ー（４１）の中央部が位置するように設けられている。
コーン状カバー（４１）は、その水平断面が円形のコー
ン状で、上部の開口部は下方の開口部より小さなもので
あり、上部の開口部の直径は約４ｍｍ程度のものであ
る。薬液ノズル（４２）の先端部は、コーン状カバー
（４１）の内側に位置しており、噴射される薬液はコー
ン状カバー（４１）の上部の開口部に向かって噴射され
るようになっている。
（４１）、薬液ノズル（４２）、及びコーン状カバー
（４１）、薬液ノズル（４２）を支持する支持具（４
３）で構成されており、実線矢印で示すように、上下に
昇降するようになっている。Ｘ−Ｙステージ（２２）の
下方、撮像カメラ（３１）の光軸の真下にコーン状カバ
ー（４１）の中央部が位置するように設けられている。
コーン状カバー（４１）は、その水平断面が円形のコー
ン状で、上部の開口部は下方の開口部より小さなもので
あり、上部の開口部の直径は約４ｍｍ程度のものであ
る。薬液ノズル（４２）の先端部は、コーン状カバー
（４１）の内側に位置しており、噴射される薬液はコー
ン状カバー（４１）の上部の開口部に向かって噴射され
るようになっている。
【００１５】薬液供給・回収部（５０）は、チューブ
（５１）、バルブ（５２）、薬液タンク（５３）、薬液
受皿（５４）で構成されている。薬液タンク（５３）か
らポンプ（図示せず）によって供給される薬液は、バル
ブ（５２）、チューブ（５１）を経て薬液ノズル（４
２）に到り、薬液ノズル（４２）からコーン状カバー
（４１）の上部の開口部に向けて噴射され、その部分に
あるフォトマスクのレジスト膜パターンの剥膜を行うよ
うになっている。レジスト膜パターンを剥膜した薬液
は、コーン状カバー（４１）の内部を落下し薬液受皿
（５４）に回収される。
（５１）、バルブ（５２）、薬液タンク（５３）、薬液
受皿（５４）で構成されている。薬液タンク（５３）か
らポンプ（図示せず）によって供給される薬液は、バル
ブ（５２）、チューブ（５１）を経て薬液ノズル（４
２）に到り、薬液ノズル（４２）からコーン状カバー
（４１）の上部の開口部に向けて噴射され、その部分に
あるフォトマスクのレジスト膜パターンの剥膜を行うよ
うになっている。レジスト膜パターンを剥膜した薬液
は、コーン状カバー（４１）の内部を落下し薬液受皿
（５４）に回収される。
【００１６】本発明によるフォトマスク製造用スポット
レジスト剥膜機を用いてのレベンソン型位相シフトマス
クのレジスト膜パターンの剥膜は、先ず、石英基板をエ
ッチングしシフターを形成した、図３（ヘ）に示す段階
のフォトマスク（６０）をその膜面を下方に向けてホル
ダー（２３Ａ）に載置し、ストッパー（２３Ｂ）で固定
する。次に、撮像カメラ（３１）の撮像倍率及び焦点を
フォトマスクの裏側から設定し、モニタ・コントローラ
（３２）によりＸ−Ｙステージ（２２）を操作し、予め
フォトマスクのパターン全体の外側の四隅に配置された
位相差測定用のパターン四個の内の一個の位置出しを行
い、モニタに位相差測定用のパターンを表示する。
レジスト剥膜機を用いてのレベンソン型位相シフトマス
クのレジスト膜パターンの剥膜は、先ず、石英基板をエ
ッチングしシフターを形成した、図３（ヘ）に示す段階
のフォトマスク（６０）をその膜面を下方に向けてホル
ダー（２３Ａ）に載置し、ストッパー（２３Ｂ）で固定
する。次に、撮像カメラ（３１）の撮像倍率及び焦点を
フォトマスクの裏側から設定し、モニタ・コントローラ
（３２）によりＸ−Ｙステージ（２２）を操作し、予め
フォトマスクのパターン全体の外側の四隅に配置された
位相差測定用のパターン四個の内の一個の位置出しを行
い、モニタに位相差測定用のパターンを表示する。
【００１７】次に、薬液噴射部（４０）を上昇させる
と、コーン状カバー（４１）の上部の開口部がフォトマ
スク（６０）の膜面に接した段階で薬液噴射部（４０）
は上昇を停止する。これにより、位相差測定用のパター
ンは、コーン状カバー（４１）の上部の開口部内、開口
部上方に位置する。次に、薬液供給・回収部（５０）の
ポンプを作動させ、薬液を薬液ノズル（４２）からコー
ン状カバー（４１）の上部の開口部内、開口部上方に位
置する位相差測定用のパターンに向け噴射させ、位相差
測定用のパターンのレジスト膜パターンを剥膜する。剥
膜後にポンプを作動を停止させ薬液噴射部（４０）を降
下させる。
と、コーン状カバー（４１）の上部の開口部がフォトマ
スク（６０）の膜面に接した段階で薬液噴射部（４０）
は上昇を停止する。これにより、位相差測定用のパター
ンは、コーン状カバー（４１）の上部の開口部内、開口
部上方に位置する。次に、薬液供給・回収部（５０）の
ポンプを作動させ、薬液を薬液ノズル（４２）からコー
ン状カバー（４１）の上部の開口部内、開口部上方に位
置する位相差測定用のパターンに向け噴射させ、位相差
測定用のパターンのレジスト膜パターンを剥膜する。剥
膜後にポンプを作動を停止させ薬液噴射部（４０）を降
下させる。
【００１８】このようにして、位相差測定用のパターン
のレジスト膜パターンを剥膜するので、フォトマスクの
四隅に配置された位相差測定用のパターン四個の内の一
個以外の部分にはレジスト膜パターンが残存している。
従って、従来法におけるような、フォトマスク一枚の全
体のレジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板への追加したエッチングを継続し
て行うことができる。尚、この追加したエッチング後の
位相差測定用のパターンの測定、すなわち、第二回目の
測定は、予めフォトマスクの四隅に配置された位相差測
定用のパターン四個の内の二個目の位相差測定用のパタ
ーンを用いる。
のレジスト膜パターンを剥膜するので、フォトマスクの
四隅に配置された位相差測定用のパターン四個の内の一
個以外の部分にはレジスト膜パターンが残存している。
従って、従来法におけるような、フォトマスク一枚の全
体のレジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板への追加したエッチングを継続し
て行うことができる。尚、この追加したエッチング後の
位相差測定用のパターンの測定、すなわち、第二回目の
測定は、予めフォトマスクの四隅に配置された位相差測
定用のパターン四個の内の二個目の位相差測定用のパタ
ーンを用いる。
【００１９】また、本発明によるフォトマスク製造用ス
ポットレジスト剥膜機を用いて、上記位相差測定用のパ
ターンのレジスト膜パターンの剥膜のように、フォトマ
スク一枚の全体の処理を行わずに、他の同様なフォトマ
スクの一部分のみの処理を行うことができる。例えば、
フォトマスクの製造工程にて発生する黒欠陥、すなわ
ち、不要なクロム残りを除去する黒欠陥修正にて、薬液
としてレジスト膜パターンの剥膜用の薬液に替え、クロ
ムのエッチング液を用いることにより、一枚のフォトマ
スクの内の不要なクロム残り部分のみを選択的に除去す
ることが可能である。
ポットレジスト剥膜機を用いて、上記位相差測定用のパ
ターンのレジスト膜パターンの剥膜のように、フォトマ
スク一枚の全体の処理を行わずに、他の同様なフォトマ
スクの一部分のみの処理を行うことができる。例えば、
フォトマスクの製造工程にて発生する黒欠陥、すなわ
ち、不要なクロム残りを除去する黒欠陥修正にて、薬液
としてレジスト膜パターンの剥膜用の薬液に替え、クロ
ムのエッチング液を用いることにより、一枚のフォトマ
スクの内の不要なクロム残り部分のみを選択的に除去す
ることが可能である。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、１）開口部を有するフレー
ム、Ｘ−Ｙステージ、ホルダー・ストッパーで構成され
るステージ部、２）撮像・コントローラ部、３）撮像カ
メラの真下のコーン状カバー、薬液ノズル、支持具で構
成される薬液噴射部、４）薬液供給・回収部を具備する
スポットレジスト剥膜機であり、レベンソン型位相シフ
トマスクの製造において、位相差測定用のパターンの位
相差を測定し、シフターの深さが不足していることが判
明した際には、レジスト膜パターンの内の、位相差測定
用のパターンのみのレジスト膜パターンを剥膜するの
で、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板に追加したエッチングを継続して
行うことができるフォトマスク製造用スポットレジスト
剥膜機となる。本発明によるフォトマスク製造用スポッ
トレジスト剥膜機を用いることにより、フォトマスク製
造の所要時間、コストの増大を防ぎ、また、フォトマス
クに欠陥が追加して発生することを回避できる。
ム、Ｘ−Ｙステージ、ホルダー・ストッパーで構成され
るステージ部、２）撮像・コントローラ部、３）撮像カ
メラの真下のコーン状カバー、薬液ノズル、支持具で構
成される薬液噴射部、４）薬液供給・回収部を具備する
スポットレジスト剥膜機であり、レベンソン型位相シフ
トマスクの製造において、位相差測定用のパターンの位
相差を測定し、シフターの深さが不足していることが判
明した際には、レジスト膜パターンの内の、位相差測定
用のパターンのみのレジスト膜パターンを剥膜するの
で、レジスト膜の形成、電子線描画、現像を繰り返し行
うことなく、石英基板に追加したエッチングを継続して
行うことができるフォトマスク製造用スポットレジスト
剥膜機となる。本発明によるフォトマスク製造用スポッ
トレジスト剥膜機を用いることにより、フォトマスク製
造の所要時間、コストの増大を防ぎ、また、フォトマス
クに欠陥が追加して発生することを回避できる。
【図１】本発明によるフォトマスク製造用スポットレジ
スト剥膜機の一実施例の概念を示す側面図である。
スト剥膜機の一実施例の概念を示す側面図である。
【図２】レベンソン型位相シフトマスクの一例の一部分
をその断面で示す説明図である。
をその断面で示す説明図である。
【図３】（イ）〜（ト）は、図２に示すレベンソン型位
相シフトマスクを製造する工程の一例の説明図である。
相シフトマスクを製造する工程の一例の説明図である。
１…マスク基板（石英基板） ２…遮光部パターン ３…レジスト膜 ３’…レジスト膜パターン ４…電子線描画 １０…レベンソン型位相シフトマスクの一例 ２０…ステージ部 ２１…フレーム ２２…Ｘ−Ｙステージ ２３…ホルダー・ストッパー ２３Ａ…ホルダー ２３Ｂ…ストッパー ２４、２５…開口部 ３０…撮像・コントローラ部 ３１…撮像カメラ ３２…モニタ・コントローラ ４０…薬液噴射部 ４１…コーン状カバー ４２…薬液ノズル ４３…支持具 ５０…薬液供給・回収部 ５１…チューブ ５２…バルブ ５３…薬液タンク ５４…薬液受皿 ６０…フォトマスク Ａ…開口部パターン ｄ…開口部パターンを深さ Ｓ…シフター
Claims (1)
- 【請求項１】フォトマスクの製造にて用いるレジスト剥
膜機において、 １）上部中央に開口部を有するフレーム、該フレーム上
に設けられた中央に開口部を有するＸ−Ｙステージ、該
Ｘ−Ｙステージ上でフォトマスクの四隅を保持する位置
に設けられたフォトマスクを保持固定するホルダー・ス
トッパーで構成されるステージ部、 ２）該Ｘ−Ｙステージの上方に設けられた撮像カメラ、
及びモニタ・コントローラで構成される撮像・コントロ
ーラ部、 ３）該Ｘ−Ｙステージの下方、該撮像カメラの真下位置
に設けられたコーン状カバー、及び薬液ノズル、支持具
で構成される薬液噴射部、 ４）該薬液ノズルに薬液を供給するチューブ、バルブ、
薬液タンク、薬液受皿で構成される薬液供給・回収部、
を少なくとも具備することを特徴とするフォトマスク製
造用スポットレジスト剥膜機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001057857A JP2002258456A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001057857A JP2002258456A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002258456A true JP2002258456A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18917669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001057857A Pending JP2002258456A (ja) | 2001-03-02 | 2001-03-02 | フォトマスク製造用スポットレジスト剥膜機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002258456A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005326773A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
| US7094504B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask, manufacturing method for mask, and manufacturing method for semiconductor device |
| JP2010217918A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
-
2001
- 2001-03-02 JP JP2001057857A patent/JP2002258456A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7094504B2 (en) | 2002-09-25 | 2006-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask, manufacturing method for mask, and manufacturing method for semiconductor device |
| US7541136B2 (en) | 2002-09-25 | 2009-06-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask, manufacturing method for mask, and manufacturing method for semiconductor device |
| JP2005326773A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
| JP2010217918A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
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