JP2001255670A - 微細レジストパターン形成方法および装置 - Google Patents
微細レジストパターン形成方法および装置Info
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- JP2001255670A JP2001255670A JP2000066889A JP2000066889A JP2001255670A JP 2001255670 A JP2001255670 A JP 2001255670A JP 2000066889 A JP2000066889 A JP 2000066889A JP 2000066889 A JP2000066889 A JP 2000066889A JP 2001255670 A JP2001255670 A JP 2001255670A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジストパターンの倒壊や変形を起こすこと
なく高アスペクト比の微細レジストパターンを形成で
き、またレジスト残渣を除去できる微細レジストパター
ン形成方法および装置を得る。 【解決手段】 基板上に所望レジストパターンよりも所
定寸法だけ大きなレジストパターンを形成し、レジスト
パターンが所定寸法だけ小さくなるようにオゾンガス雰
囲気に曝して侵食させ、もって所望の微細なレジストパ
ターンを得る。また、オゾンガス雰囲気に曝す工程が、
レジストパターンに関連して残っているレジスト残渣が
除去されるようにする工程を含み、もってレジスト残渣
を除去する。
なく高アスペクト比の微細レジストパターンを形成で
き、またレジスト残渣を除去できる微細レジストパター
ン形成方法および装置を得る。 【解決手段】 基板上に所望レジストパターンよりも所
定寸法だけ大きなレジストパターンを形成し、レジスト
パターンが所定寸法だけ小さくなるようにオゾンガス雰
囲気に曝して侵食させ、もって所望の微細なレジストパ
ターンを得る。また、オゾンガス雰囲気に曝す工程が、
レジストパターンに関連して残っているレジスト残渣が
除去されるようにする工程を含み、もってレジスト残渣
を除去する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造プ
ロセスにおいてより小さな線幅のレジストパターンを形
成するための微細レジストパターン形成方法、レジスト
パターン形成時に発生したレジスト残渣を除去する工程
を有する微細レジストパターン形成方法および微細レジ
ストパターン形成装置に関するものである。
ロセスにおいてより小さな線幅のレジストパターンを形
成するための微細レジストパターン形成方法、レジスト
パターン形成時に発生したレジスト残渣を除去する工程
を有する微細レジストパターン形成方法および微細レジ
ストパターン形成装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化が求められて
いる中、微細加工技術の開発が進められている。微細加
工に必要な微細なレジストパターン形成の実現のために
は、深紫外光、X線あるいは電子線などによる露光方法
が提案されている。これらの露光方法を用いることによ
り、0.2から0.1ミクロン以下のレジストパターン
形成を目指している。形成しようとするレジストパター
ンが微細になるに従い、パターンのアスペクト比(パタ
ーンの線幅に対するパターンの高さ)が高くなってお
り、レジストパターンがリンス液の表面張力の不均衡の
ために倒壊してしまうことが問題となっている。図8に
は、従来のレジストパターン形成方法により形成された
レジストパターンを模式的な断面図で示してある。シリ
コンウエハ等の基板1上には微細なレジストパターン2
が並べて形成されているが、そのうちの両端のレジスト
パターン3は倒れて隣りのレジストパターン2に寄りか
かってしまっている。このような倒壊は、レジストパタ
ーンのエッチング(現像)が終わった後に行うエッチン
グ液をリンス液により洗い流すためのリンス工程中に、
各レジストパターン間に於けるリンス液の表面張力の大
きさの差による力が加わって起こるものである。
いる中、微細加工技術の開発が進められている。微細加
工に必要な微細なレジストパターン形成の実現のために
は、深紫外光、X線あるいは電子線などによる露光方法
が提案されている。これらの露光方法を用いることによ
り、0.2から0.1ミクロン以下のレジストパターン
形成を目指している。形成しようとするレジストパター
ンが微細になるに従い、パターンのアスペクト比(パタ
ーンの線幅に対するパターンの高さ)が高くなってお
り、レジストパターンがリンス液の表面張力の不均衡の
ために倒壊してしまうことが問題となっている。図8に
は、従来のレジストパターン形成方法により形成された
レジストパターンを模式的な断面図で示してある。シリ
コンウエハ等の基板1上には微細なレジストパターン2
が並べて形成されているが、そのうちの両端のレジスト
パターン3は倒れて隣りのレジストパターン2に寄りか
かってしまっている。このような倒壊は、レジストパタ
ーンのエッチング(現像)が終わった後に行うエッチン
グ液をリンス液により洗い流すためのリンス工程中に、
各レジストパターン間に於けるリンス液の表面張力の大
きさの差による力が加わって起こるものである。
【0003】このような倒壊を解決する方法として、リ
ンス液の表面張力を小さくするためターシャルブチルア
ルコールと水の混合液でリンスを行う方法が「半導体集
積回路用レジスト材料ハンドブック」(1997年リア
ライズ社刊)217から220頁に記載されているが、
この方法では有機溶媒を使用することによる廃液処理が
新たな問題となる。
ンス液の表面張力を小さくするためターシャルブチルア
ルコールと水の混合液でリンスを行う方法が「半導体集
積回路用レジスト材料ハンドブック」(1997年リア
ライズ社刊)217から220頁に記載されているが、
この方法では有機溶媒を使用することによる廃液処理が
新たな問題となる。
【0004】また、レジストパターンを形成する際に
は、レジストは完全には除去することができず、不都合
あるいは不必要な部分にレジストが残渣として残ってし
い、一般的には、このようなレジスト残渣はシリコンウ
エハ上に数個から数十個のレベルで残存する。この残渣
部分はその後のエッチング工程においてエッチングされ
ないために、デバイスの欠陥となり製造の歩留まりを下
げるという問題がある。また、形成しようとするレジス
トパターンが微細になるほどパターン間に取り残された
レジスト残渣が製造されるデバイスの特性に重大な影響
を及ぼすため、これを完全に取り除くことが好ましい
が、これに対する有効な手段は今までに存在していな
い。
は、レジストは完全には除去することができず、不都合
あるいは不必要な部分にレジストが残渣として残ってし
い、一般的には、このようなレジスト残渣はシリコンウ
エハ上に数個から数十個のレベルで残存する。この残渣
部分はその後のエッチング工程においてエッチングされ
ないために、デバイスの欠陥となり製造の歩留まりを下
げるという問題がある。また、形成しようとするレジス
トパターンが微細になるほどパターン間に取り残された
レジスト残渣が製造されるデバイスの特性に重大な影響
を及ぼすため、これを完全に取り除くことが好ましい
が、これに対する有効な手段は今までに存在していな
い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこれらの問題
を解決するためになされたもので、高いアスペクト比を
有するレジストパターンを倒さずに形成する方法および
レジストパターン間に取り残されたレジスト残渣を除去
する方法に関するものである。
を解決するためになされたもので、高いアスペクト比を
有するレジストパターンを倒さずに形成する方法および
レジストパターン間に取り残されたレジスト残渣を除去
する方法に関するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に所望寸法の所望レジストパターンよりも所定寸法だけ
大きなレジストパターンを形成し、上記レジストパター
ンが所定寸法だけ小さくなるように、上記レジストパタ
ーンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記所望レジス
トパターンを得ることを特徴とする微細レジストパター
ン形成方法が得られる。
に所望寸法の所望レジストパターンよりも所定寸法だけ
大きなレジストパターンを形成し、上記レジストパター
ンが所定寸法だけ小さくなるように、上記レジストパタ
ーンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記所望レジス
トパターンを得ることを特徴とする微細レジストパター
ン形成方法が得られる。
【0007】また、上記レジストパターンをオゾンガス
雰囲気に曝す工程が、上記レジストパターンに関連して
残っていることのあるレジスト残渣が除去されるように
する工程を含み、もって上記レジスト残渣を除去するこ
ともできる。
雰囲気に曝す工程が、上記レジストパターンに関連して
残っていることのあるレジスト残渣が除去されるように
する工程を含み、もって上記レジスト残渣を除去するこ
ともできる。
【0008】また、基板上にレジストパターンを形成
し、上記レジストパターンに関連して残っていることの
あるレジスト残渣が除去されるように、上記レジストパ
ターンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記レジスト
残渣を除去することもできる。
し、上記レジストパターンに関連して残っていることの
あるレジスト残渣が除去されるように、上記レジストパ
ターンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記レジスト
残渣を除去することもできる。
【0009】また、上記オゾンガス雰囲気を酸素を含有
するガス中で深紫外光を用いて作成することもできる。
するガス中で深紫外光を用いて作成することもできる。
【0010】また、上記オゾンガス雰囲気を酸素を含有
するガスに放電させて作成することもできる。
するガスに放電させて作成することもできる。
【0011】また、上記レジストパターンを上記オゾン
ガス雰囲気に曝す工程中に電場あるいは磁場をかけるこ
ともできる。
ガス雰囲気に曝す工程中に電場あるいは磁場をかけるこ
ともできる。
【0012】また、上記レジストパターンをオゾンガス
雰囲気に曝す工程においてオゾンガスを上記レジストパ
ターンに吹き付けることもできる。
雰囲気に曝す工程においてオゾンガスを上記レジストパ
ターンに吹き付けることもできる。
【0013】更に、この発明によれば、レジストパター
ンが形成された基板を支持する支持装置と、上記レジス
トパターンをオゾンガス雰囲気に曝すようにオゾンガス
雰囲気を供給するオゾンガス雰囲気供給装置とを備えた
ことを特徴とする微細レジストパターン形成装置が得ら
れる。
ンが形成された基板を支持する支持装置と、上記レジス
トパターンをオゾンガス雰囲気に曝すようにオゾンガス
雰囲気を供給するオゾンガス雰囲気供給装置とを備えた
ことを特徴とする微細レジストパターン形成装置が得ら
れる。
【0014】また、上記オゾンガス雰囲気供給装置が、
酸素を含有するガス中で深紫外光あるいは放電により上
記オゾンガス雰囲気を作成する装置を備えたものとする
ことができる。
酸素を含有するガス中で深紫外光あるいは放電により上
記オゾンガス雰囲気を作成する装置を備えたものとする
ことができる。
【0015】また、上記支持装置上に支持されたレジス
トパターンを上記オゾンガス雰囲気に曝しながら、上記
レジストパターンに電場あるいは磁場をかける電場ある
いは磁場発生装置を備えたものとすることができる。
トパターンを上記オゾンガス雰囲気に曝しながら、上記
レジストパターンに電場あるいは磁場をかける電場ある
いは磁場発生装置を備えたものとすることができる。
【0016】また、上記支持装置上に支持されたレジス
トパターンに上記オゾンガス雰囲気を吹き付ける吹き付
け装置を備えたものとすることができる。
トパターンに上記オゾンガス雰囲気を吹き付ける吹き付
け装置を備えたものとすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】実施の形態1.図1および図2は
この発明のレジストパターン形成方法を示す模式的断面
図である。図1に於いて、シリコンウエハ等の基板5上
には多数のレジストパターン6が形成されている。この
ときの形成方法は公知のもので良く、例えば、基板5上
に形成したレジスト膜(図示してない)に紫外線、電子
線あるいはX線を用いてパターンを露光し、露光したレ
ジスト膜をエッチング液により選択的にエッチング除去
して、エッチング除去の終わったパターンをリンス液で
洗ってエッチング液を除去するパターンを形成する方法
でよい。
この発明のレジストパターン形成方法を示す模式的断面
図である。図1に於いて、シリコンウエハ等の基板5上
には多数のレジストパターン6が形成されている。この
ときの形成方法は公知のもので良く、例えば、基板5上
に形成したレジスト膜(図示してない)に紫外線、電子
線あるいはX線を用いてパターンを露光し、露光したレ
ジスト膜をエッチング液により選択的にエッチング除去
して、エッチング除去の終わったパターンをリンス液で
洗ってエッチング液を除去するパターンを形成する方法
でよい。
【0018】このとき形成するレジストパターン6の寸
法、特に幅寸法8は最終的に必要な所望寸法9よりも所
定寸法(後に説明する侵食により減少する寸法)だけ大
きくしておく。また、幅寸法8はその後のリンス液によ
る洗浄作業時にリンス液の表面張力による力により倒壊
しないような寸法とする。図1にはこの所望寸法による
パターン形状7を一点鎖線で示し、所定寸法は所望寸法
を9とレジストパターン6の幅寸法8との差である。こ
のため、レジストパターン6のアスペクト比は比較的小
さく、レジストパターン6をリンス液で洗浄しても倒壊
も変形も殆ど起こらない。
法、特に幅寸法8は最終的に必要な所望寸法9よりも所
定寸法(後に説明する侵食により減少する寸法)だけ大
きくしておく。また、幅寸法8はその後のリンス液によ
る洗浄作業時にリンス液の表面張力による力により倒壊
しないような寸法とする。図1にはこの所望寸法による
パターン形状7を一点鎖線で示し、所定寸法は所望寸法
を9とレジストパターン6の幅寸法8との差である。こ
のため、レジストパターン6のアスペクト比は比較的小
さく、レジストパターン6をリンス液で洗浄しても倒壊
も変形も殆ど起こらない。
【0019】次にこのレジストパターン6をオゾン10
を含んだ雰囲気中に曝す。レジストパターン6はオゾン
10により侵食されて次第に寸法が小さくなり、やがて
所望の線幅9を持つ所望形状7の所望レジストパターン
12が完成する。このときにも、レジストパターン6が
曝されるのが気体であるので、液体の表面張力が作用せ
ずに所望レジストパターン12の倒壊や変形を全く起こ
さずに、アスペクト比が大きく微細な所望レジストパタ
ーン12を形成することができる。なお、露光レジスト
膜を選択的にエッチング除去した後に、レジストパター
ン6間に残ってしまうことのあるレジスト残渣13も、
このオゾン10による所望形状7への成形工程中に同時
に侵食されて除去される。
を含んだ雰囲気中に曝す。レジストパターン6はオゾン
10により侵食されて次第に寸法が小さくなり、やがて
所望の線幅9を持つ所望形状7の所望レジストパターン
12が完成する。このときにも、レジストパターン6が
曝されるのが気体であるので、液体の表面張力が作用せ
ずに所望レジストパターン12の倒壊や変形を全く起こ
さずに、アスペクト比が大きく微細な所望レジストパタ
ーン12を形成することができる。なお、露光レジスト
膜を選択的にエッチング除去した後に、レジストパター
ン6間に残ってしまうことのあるレジスト残渣13も、
このオゾン10による所望形状7への成形工程中に同時
に侵食されて除去される。
【0020】本発明を評価するために以下の実験を行っ
た。このことを図1および2に対応させて説明する。実
験には市販のレジストTDUR−N908(東京応化工
業社製)を用いて行った。シリコン基板5上にレジスト
を膜厚が700nmになるように塗布した。このレジス
トに270mJ/cm2のX線を照射した後、130度
90秒間加熱を行い、さらにアルカリ現像液NMD−3
(東京応化工業社製)で60秒間現像を行った。このと
きピッチ200nmのラインパターンに対してレジスト
のライン(レジストパターン6)の幅8は120nmで
あった。得られたレジストパターン6に172nmのエ
キシマランプを空気中で点灯させて発生させたオゾンガ
ス雰囲気中に2分間曝した。これにより得られた所望レ
ジストパターン12の線幅9は100nmになり、レジ
ストパターン12の倒れや変形などは発生していなかっ
た。
た。このことを図1および2に対応させて説明する。実
験には市販のレジストTDUR−N908(東京応化工
業社製)を用いて行った。シリコン基板5上にレジスト
を膜厚が700nmになるように塗布した。このレジス
トに270mJ/cm2のX線を照射した後、130度
90秒間加熱を行い、さらにアルカリ現像液NMD−3
(東京応化工業社製)で60秒間現像を行った。このと
きピッチ200nmのラインパターンに対してレジスト
のライン(レジストパターン6)の幅8は120nmで
あった。得られたレジストパターン6に172nmのエ
キシマランプを空気中で点灯させて発生させたオゾンガ
ス雰囲気中に2分間曝した。これにより得られた所望レ
ジストパターン12の線幅9は100nmになり、レジ
ストパターン12の倒れや変形などは発生していなかっ
た。
【0021】次に本発明の比較評価のため従来の方法で
レジストパターン形成を行った例を以下に示す。シリコ
ン基板上のレジストを上記と同じ方法でパターン形成を
行ったが、X線の照射量を250mJ/cm2とした。
レジストパターン2の線幅は最終的に所望される100
nmであったが、レジストパターンの一部が図8のレジ
ストパターン3に示されるように倒壊もしくは変形して
しまい、良好なレジストパターン形成ができなかった。
レジストパターン形成を行った例を以下に示す。シリコ
ン基板上のレジストを上記と同じ方法でパターン形成を
行ったが、X線の照射量を250mJ/cm2とした。
レジストパターン2の線幅は最終的に所望される100
nmであったが、レジストパターンの一部が図8のレジ
ストパターン3に示されるように倒壊もしくは変形して
しまい、良好なレジストパターン形成ができなかった。
【0022】以上のように本発明の方法でレジストパタ
ーンを形成することにより、従来の方法ではパターン倒
れもしくは変形するために形成できなかった微細なレジ
ストパターンの形成が可能となることがわかる。
ーンを形成することにより、従来の方法ではパターン倒
れもしくは変形するために形成できなかった微細なレジ
ストパターンの形成が可能となることがわかる。
【0023】実施の形態2.また、図1に示すような不
都合あるいは不必要な部分に残ってしまったレジスト残
渣を取り除くために、レジストパターン6をオゾン10
を含んだ雰囲気に曝すことができる。即ち、シリコンウ
エハ等の基板5上に公知の方法により形成されたレジス
トパターン6の寸法(特に幅)8は、必須ではないが、
最終的に必要な所望寸法9よりも僅かに大きくなるよう
に所定寸法(後に説明するレジスト残渣の除去のために
必要なオゾン10により侵食される寸法に相当する寸
法)だけ大きくしておくと望ましい。
都合あるいは不必要な部分に残ってしまったレジスト残
渣を取り除くために、レジストパターン6をオゾン10
を含んだ雰囲気に曝すことができる。即ち、シリコンウ
エハ等の基板5上に公知の方法により形成されたレジス
トパターン6の寸法(特に幅)8は、必須ではないが、
最終的に必要な所望寸法9よりも僅かに大きくなるよう
に所定寸法(後に説明するレジスト残渣の除去のために
必要なオゾン10により侵食される寸法に相当する寸
法)だけ大きくしておくと望ましい。
【0024】次にこのレジストパターン6をオゾン10
を含んだ雰囲気中に曝す。レジストパターン6はオゾン
10により侵食されて次第に寸法が小さくなるが、同時
に図1でレジストパターン6間で基板5上に残されてい
るレジスト残渣13が侵食されてやがて完全に除去され
る。このときにも、レジストパターン6が曝されるのが
気体であるので、液体の表面張力が作用せずにレジスト
パターン6がアスペクト比の大きなものであっても倒壊
や変形を全く起こさない。
を含んだ雰囲気中に曝す。レジストパターン6はオゾン
10により侵食されて次第に寸法が小さくなるが、同時
に図1でレジストパターン6間で基板5上に残されてい
るレジスト残渣13が侵食されてやがて完全に除去され
る。このときにも、レジストパターン6が曝されるのが
気体であるので、液体の表面張力が作用せずにレジスト
パターン6がアスペクト比の大きなものであっても倒壊
や変形を全く起こさない。
【0025】この発明の方法により、シリコンウェハ
(基板5)上に市販のレジストUVII−HS(シップ
レイ社製)を膜厚500nmになるように塗布した。こ
れにX線を300mJ/cm2照射し、140度で90
秒間加熱後、アルカリ現像液MFCD26(シップレイ
社製)で60秒間現像を行った。これにより150nm
のラインパターン(レジストパターン6)を形成した。
パターンは8インチのウェハ上全面に対して行った。こ
のようにして形成した5枚のウェハに対してレジストパ
ターン6間に存在するレジスト残渣13の数を調べたと
ころ、平均81個の残渣が存在した。
(基板5)上に市販のレジストUVII−HS(シップ
レイ社製)を膜厚500nmになるように塗布した。こ
れにX線を300mJ/cm2照射し、140度で90
秒間加熱後、アルカリ現像液MFCD26(シップレイ
社製)で60秒間現像を行った。これにより150nm
のラインパターン(レジストパターン6)を形成した。
パターンは8インチのウェハ上全面に対して行った。こ
のようにして形成した5枚のウェハに対してレジストパ
ターン6間に存在するレジスト残渣13の数を調べたと
ころ、平均81個の残渣が存在した。
【0026】これらのウェハ(基板5)に172nmの
エキシマランプを空気中で点灯させて発生させたオゾン
ガス雰囲気中に1分間曝し、再度ウェハ上のレジスト残
渣の数を調べたところ5枚の平均値は9個となった。以
上のように本発明の方法によれば、パターン形成時の残
渣を低減できてデバイスの欠陥を少なくすることができ
るので、製造の歩留まりを顕著に向上させ得る。
エキシマランプを空気中で点灯させて発生させたオゾン
ガス雰囲気中に1分間曝し、再度ウェハ上のレジスト残
渣の数を調べたところ5枚の平均値は9個となった。以
上のように本発明の方法によれば、パターン形成時の残
渣を低減できてデバイスの欠陥を少なくすることができ
るので、製造の歩留まりを顕著に向上させ得る。
【0027】図3には本発明の微細レジストパターン形
成方法を実施するための微細レジストパターン形成装置
を概略的に示す。微細レジストパターン形成装置は、容
器15と、図1に示すようなレジストパターン6が形成
された基板5を容器15内に支持する支持装置16と、
レジストパターン6をオゾンガス雰囲気10に曝すよう
に容器15に接続されて容器15内にオゾンガス雰囲気
10を供給するオゾンガス雰囲気供給装置17とを備え
ている。オゾンガス雰囲気供給装置17は、酸素を含有
するガス中で深紫外光あるいは放電により上記オゾンガ
ス雰囲気を作成する装置を備えたものでよい。
成方法を実施するための微細レジストパターン形成装置
を概略的に示す。微細レジストパターン形成装置は、容
器15と、図1に示すようなレジストパターン6が形成
された基板5を容器15内に支持する支持装置16と、
レジストパターン6をオゾンガス雰囲気10に曝すよう
に容器15に接続されて容器15内にオゾンガス雰囲気
10を供給するオゾンガス雰囲気供給装置17とを備え
ている。オゾンガス雰囲気供給装置17は、酸素を含有
するガス中で深紫外光あるいは放電により上記オゾンガ
ス雰囲気を作成する装置を備えたものでよい。
【0028】図4に示す微細レジストパターン形成装置
は、容器15内に設けられて、レジストパターン6をオ
ゾンガス雰囲気10に曝しながら、レジストパターン6
に電界を掛ける一対の電極18、19と、電極間に電圧
を印加する電源20とである電界発生装置を備えてい
る。この例では、容器15内の基板5を支持する支持装
置が一対の電極18、19のうちの一方18である。
は、容器15内に設けられて、レジストパターン6をオ
ゾンガス雰囲気10に曝しながら、レジストパターン6
に電界を掛ける一対の電極18、19と、電極間に電圧
を印加する電源20とである電界発生装置を備えてい
る。この例では、容器15内の基板5を支持する支持装
置が一対の電極18、19のうちの一方18である。
【0029】図5に示す微細レジストパターン形成装置
は、容器15内に設けられて、レジストパターン6をオ
ゾンガス雰囲気10に曝しながら、レジストパターン6
に磁界を掛ける一対の磁石21、21である磁界発生装
置を備えている。この例では、容器15内の基板5を支
持する支持装置が一対の磁石21、22のうちの一方2
1である。
は、容器15内に設けられて、レジストパターン6をオ
ゾンガス雰囲気10に曝しながら、レジストパターン6
に磁界を掛ける一対の磁石21、21である磁界発生装
置を備えている。この例では、容器15内の基板5を支
持する支持装置が一対の磁石21、22のうちの一方2
1である。
【0030】図6に示す例に於いては、磁界発生装置が
支持装置16上に支持された基板5を囲む円形コイル2
3である。
支持装置16上に支持された基板5を囲む円形コイル2
3である。
【0031】図7に示す微細レジストパターン形成装置
に於いては、容器15内で支持装置16上に支持された
基板5のレジストパターン6にオゾンガス雰囲気供給装
置17から供給されたオゾンガス雰囲気を吹き付ける吹
き付け装置24を備えている。図示の吹き付け装置24
はオゾンガス雰囲気供給装置17に連通して基板5の上
方から基板5に向けられたノズルである。
に於いては、容器15内で支持装置16上に支持された
基板5のレジストパターン6にオゾンガス雰囲気供給装
置17から供給されたオゾンガス雰囲気を吹き付ける吹
き付け装置24を備えている。図示の吹き付け装置24
はオゾンガス雰囲気供給装置17に連通して基板5の上
方から基板5に向けられたノズルである。
【0032】
【発明の効果】以上のように、本発明の微細レジストパ
ターン形成方法は、基板上に所望寸法の所望レジストパ
ターンよりも所定寸法だけ大きなレジストパターンを形
成し、上記レジストパターンが上記所定寸法だけ小さく
なるように、上記レジストパターンをオゾンガス雰囲気
に曝し、もって上記所望レジストパターンを得ることを
特徴とする微細レジストパターン形成方法であるので、
レジストパターンをオゾンガス雰囲気に曝すことでパタ
ーンの寸法を小さくすることにより、レジストパターン
の倒壊や変形を起こすことなく高いアスペクト比を有す
る微細なレジストパターンを形成することができる。
ターン形成方法は、基板上に所望寸法の所望レジストパ
ターンよりも所定寸法だけ大きなレジストパターンを形
成し、上記レジストパターンが上記所定寸法だけ小さく
なるように、上記レジストパターンをオゾンガス雰囲気
に曝し、もって上記所望レジストパターンを得ることを
特徴とする微細レジストパターン形成方法であるので、
レジストパターンをオゾンガス雰囲気に曝すことでパタ
ーンの寸法を小さくすることにより、レジストパターン
の倒壊や変形を起こすことなく高いアスペクト比を有す
る微細なレジストパターンを形成することができる。
【0033】また、上記レジストパターンをオゾンガス
雰囲気に曝す工程が、上記レジストパターンに関連して
残っていることのあるレジスト残渣が除去されるように
する工程を含み、もって上記レジスト残渣を除去するの
で、レジストパターン間に取り残されたレジスト残渣を
オゾンガス雰囲気に曝すことにより除去することが可能
になる。
雰囲気に曝す工程が、上記レジストパターンに関連して
残っていることのあるレジスト残渣が除去されるように
する工程を含み、もって上記レジスト残渣を除去するの
で、レジストパターン間に取り残されたレジスト残渣を
オゾンガス雰囲気に曝すことにより除去することが可能
になる。
【0034】更に、基板上にレジストパターンを形成
し、上記レジストパターンに関連して残っていることの
あるレジスト残渣が除去されるように、上記レジストパ
ターンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記レジスト
残渣を除去するので、レジストパターン間に取り残され
たレジスト残渣をオゾンガス雰囲気に曝すことにより除
去することが可能になる。
し、上記レジストパターンに関連して残っていることの
あるレジスト残渣が除去されるように、上記レジストパ
ターンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記レジスト
残渣を除去するので、レジストパターン間に取り残され
たレジスト残渣をオゾンガス雰囲気に曝すことにより除
去することが可能になる。
【0035】また、上記オゾンガス雰囲気を酸素を含有
するガス中で深紫外光あるいは放電を用いて作成するこ
とができ、オゾンガス雰囲気に曝す工程中に電場あるい
は磁場をかけることができ、あるいはレジストパターン
をオゾンガス雰囲気に曝す工程においてオゾンガスをレ
ジストパターンに吹き付けることができるので、微細レ
ジストパターンを効率よく行うことができる。
するガス中で深紫外光あるいは放電を用いて作成するこ
とができ、オゾンガス雰囲気に曝す工程中に電場あるい
は磁場をかけることができ、あるいはレジストパターン
をオゾンガス雰囲気に曝す工程においてオゾンガスをレ
ジストパターンに吹き付けることができるので、微細レ
ジストパターンを効率よく行うことができる。
【0036】更に、この発明の微細レジストパターン形
成装置によれば、レジストパターンが形成された基板を
支持する支持装置と、レジストパターンをオゾンガス雰
囲気に曝すようにオゾンガス雰囲気を供給するオゾンガ
ス雰囲気供給装置とを備えているので、微細レジストパ
ターン形成方法を効率よく実行することができる。
成装置によれば、レジストパターンが形成された基板を
支持する支持装置と、レジストパターンをオゾンガス雰
囲気に曝すようにオゾンガス雰囲気を供給するオゾンガ
ス雰囲気供給装置とを備えているので、微細レジストパ
ターン形成方法を効率よく実行することができる。
【0037】上記オゾンガス雰囲気供給装置が、酸素を
含有するガス中で深紫外光あるいは放電により上記オゾ
ンガス雰囲気を作成する装置を備えているので、オゾン
ガス雰囲気を効率よく発生させて微細レジストパターン
形成方法を効率よく実行することができる。
含有するガス中で深紫外光あるいは放電により上記オゾ
ンガス雰囲気を作成する装置を備えているので、オゾン
ガス雰囲気を効率よく発生させて微細レジストパターン
形成方法を効率よく実行することができる。
【0038】上記支持装置上に支持されたレジストパタ
ーンを上記オゾンガス雰囲気に曝しながら、上記レジス
トパターンに電界あるいは磁界をかける電界発生装置あ
るいは磁界発生装置を備えているので、微細レジストパ
ターン形成方法を効率よく実行することができる。
ーンを上記オゾンガス雰囲気に曝しながら、上記レジス
トパターンに電界あるいは磁界をかける電界発生装置あ
るいは磁界発生装置を備えているので、微細レジストパ
ターン形成方法を効率よく実行することができる。
【0039】上記支持装置上に支持されたレジストパタ
ーンに上記オゾンガス雰囲気を吹き付ける吹き付け装置
を備えているので、微細レジストパターン形成方法を効
率よく実行することができる。
ーンに上記オゾンガス雰囲気を吹き付ける吹き付け装置
を備えているので、微細レジストパターン形成方法を効
率よく実行することができる。
【図1】この発明の微細レジストパターン形成方法を示
す模式的断面図である。
す模式的断面図である。
【図2】この発明の微細レジストパターン形成方法によ
り形成された微細レジストパターンを示す模式的断面図
である。
り形成された微細レジストパターンを示す模式的断面図
である。
【図3】この発明の微細レジストパターン形成装置の一
例を示す模式的断面図である。
例を示す模式的断面図である。
【図4】この発明の微細レジストパターン形成装置の別
の例を示す模式的断面図である。
の例を示す模式的断面図である。
【図5】この発明の微細レジストパターン形成装置の別
の例を示す模式的断面図である。
の例を示す模式的断面図である。
【図6】この発明の微細レジストパターン形成装置の別
の例を示す模式的断面図である。
の例を示す模式的断面図である。
【図7】この発明の微細レジストパターン形成装置の更
に別の例を示す模式的断面図である。
に別の例を示す模式的断面図である。
【図8】従来の微細レジストパターン形成方法によるレ
ジストパターンの倒壊を示す模式的断面図である。
ジストパターンの倒壊を示す模式的断面図である。
1、5 基板、2、6 レジストパターン、3 倒壊し
たレジストパターン、7 所望形状、8 幅寸法、9
所望寸法、10 オゾンガス雰囲気、12 所望レジス
トパターン、13 レジスト残渣、15 容器、16
支持装置、17オゾンガス雰囲気供給装置、18、19
電極、20 電源、21、22 磁石、23 コイ
ル、24 ノズル
たレジストパターン、7 所望形状、8 幅寸法、9
所望寸法、10 オゾンガス雰囲気、12 所望レジス
トパターン、13 レジスト残渣、15 容器、16
支持装置、17オゾンガス雰囲気供給装置、18、19
電極、20 電源、21、22 磁石、23 コイ
ル、24 ノズル
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に所望寸法の所望レジストパター
ンよりも所定寸法だけ大きなレジストパターンを形成
し、 上記レジストパターンが上記所定寸法だけ小さくなるよ
うに、上記レジストパターンをオゾンガス雰囲気に曝
し、 もって上記所望レジストパターンを得ることを特徴とす
る微細レジストパターン形成方法。 - 【請求項2】 上記レジストパターンをオゾンガス雰囲
気に曝す工程が、上記レジストパターンに関連して残っ
ていることのあるレジスト残渣が除去されるようにする
工程を含み、もって上記レジスト残渣を除去することを
特徴とする請求項1記載の微細レジストパターン形成方
法。 - 【請求項3】 基板上にレジストパターンを形成し、 上記レジストパターンに関連して残っていることのある
レジスト残渣が除去されるように、上記レジストパター
ンをオゾンガス雰囲気に曝し、もって上記レジスト残渣
を除去することを特徴とする微細レジストパターン形成
方法。 - 【請求項4】 上記オゾンガス雰囲気を酸素を含有する
ガス中で深紫外光を用いて作成することを特徴とする請
求項1乃至3のいずれか記載の微細レジストパターン形
成方法。 - 【請求項5】 上記オゾンガス雰囲気を酸素を含有する
ガスに放電させて作成することを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか記載の微細レジストパターン形成方法。 - 【請求項6】 上記レジストパターンを上記オゾンガス
雰囲気に曝す工程中に電場あるいは磁場をかけることを
特徴とする請求項1乃至5のいずれか記載の微細レジス
トパターン形成方法。 - 【請求項7】 上記レジストパターンをオゾンガス雰囲
気に曝す工程においてオゾンガスを上記レジストパター
ンに吹き付けることを特徴とする請求項1乃至6のいず
れか記載の微細レジストパターン形成方法。 - 【請求項8】 レジストパターンが形成された基板を支
持する支持装置と、上記レジストパターンをオゾンガス
雰囲気に曝すようにオゾンガス雰囲気を供給するオゾン
ガス雰囲気供給装置とを備えたことを特徴とする微細レ
ジストパターン形成装置。 - 【請求項9】 上記オゾンガス雰囲気供給装置が、酸素
を含有するガス中で深紫外光あるいは放電により上記オ
ゾンガス雰囲気を作成する装置を備えたことを特徴とす
る請求項8記載の微細レジストパターン形成装置。 - 【請求項10】 上記支持装置上に支持されたレジスト
パターンを上記オゾンガス雰囲気に曝しながら、上記レ
ジストパターンに電場あるいは磁場をかける電場あるい
は磁場発生装置を備えたことを特徴とする請求項8ある
いは9記載の微細レジストパターン形成装置。 - 【請求項11】 上記支持装置上に支持されたレジスト
パターンに上記オゾンガス雰囲気を吹き付ける吹き付け
装置を備えたことを特徴とする請求項8乃至10のいず
れか記載の微細レジストパターン形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000066889A JP2001255670A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 微細レジストパターン形成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000066889A JP2001255670A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 微細レジストパターン形成方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001255670A true JP2001255670A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18586173
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000066889A Pending JP2001255670A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 微細レジストパターン形成方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001255670A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002023390A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-23 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 |
JP2013113999A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Hoya Corp | モールドの製造方法及びレジスト処理方法 |
JP2018186269A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | パターニング用途のための原子層エッチング、反応性前駆体、及びエネルギ源 |
US11721558B2 (en) | 2016-12-19 | 2023-08-08 | Lam Research Corporation | Designer atomic layer etching |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066889A patent/JP2001255670A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002023390A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-23 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の感光膜パターンの形成方法 |
JP2013113999A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Hoya Corp | モールドの製造方法及びレジスト処理方法 |
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JP2018186269A (ja) * | 2017-04-24 | 2018-11-22 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | パターニング用途のための原子層エッチング、反応性前駆体、及びエネルギ源 |
JP7165506B2 (ja) | 2017-04-24 | 2022-11-04 | ラム リサーチ コーポレーション | パターニング用途のための原子層エッチング、反応性前駆体、及びエネルギ源 |
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Effective date: 20090526 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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