CN103135365A - 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法 - Google Patents

液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法，该液浸构件(6)，是以液体(LQ)充满照射于物体的曝光用光(EL)的光路(K)的方式在与前述物体之间保持液体(LQ)以形成液浸空间(LS)。液浸构件(6)，于与液体(LQ)接触的区域的至少一部分形成有碳为主成分的非晶碳膜。通过本发明，能够抑制曝光不良的产生，从而能抑制不良元件的产生及生产性的降低的问题。

Description

液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法
本申请是申请日为2010年12月21日，申请号为201080056237.1，发明名称为“液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明是关于液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法。
背景技术
在微影工艺使用的曝光装置中，已知有例如下述专利文献揭示的经由液体以曝光用光使基板曝光的液浸曝光装置。
[现有技术文献]
[专利文献1]美国发明专利申请公开第2008／266533号
[专利文献2]美国发明专利申请公开第2005／018155号
发明内容
液浸曝光装置中，在基板等物体上形成有液浸区域的状态下，基板表面上的光阻或顶涂膜所含的成分有时会溶出至液体(例如纯水)。因此，有溶出至液体(纯水)中的光阻或顶涂膜成分再析出至形成液浸区域的构件表面，此析出物因液流(水流)剥离而附着于基板的可能性。在使附着有析出物的基板曝光后，例如有可能产生形成于基板的图案有缺陷产生等曝光不良，而产生不良元件。进而，有时亦有混入液体的异物附着于形成液浸区域的构件，在此附着的异物再度混入液体的状态下使基板曝光的情形。
因此，虽产生定期洗净形成液浸区域的构件以除去表面的析出物的必要，但若洗净的频度、时间增加则有生产性降低的可能性。
本发明的态样，其目的在于提供能抑制曝光不良的产生及生产性的降低的液浸构件、液浸构件的制造方法及曝光装置。又，另一目的在于，提供能抑制不良元件的产生及生产性的降低的元件制造方法。
根据本发明的第1态样，提供一种液浸构件，是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与前述物体之间保持前述液体以形成液浸空间，其特征在于：在与前述液体接触的区域的至少一部分形成有非晶碳膜。
根据本发明的第2态样，提供一种液浸构件的制造方法，该液浸构件是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与前述物体之间保持前述液体以形成液浸空间，其特征在于：于前述液浸构件与前述液体接触的区域的至少一部分上，藉由CVD法(化学气相沉积法)或PVD法(物理气相沉积法)形成非晶碳膜。
根据本发明的第3态样，提供一种曝光装置，是经由液体以曝光用光使基板曝光，其特征在于，具备：第1态样的液浸构件。
根据本发明的第4态样，提供一种元件制造方法，包含：使用上述态样的曝光装置使基板曝光的步骤；以及使已曝光的前述基板显影的步骤。
根据本发明的态样，能提供能抑制曝光不良的产生及生产性的降低的液浸构件、液浸构件的制造方法及曝光装置。又，根据本发明的态样，能提供能抑制不良元件的产生及生产性的降低的元件制造方法。
附图说明
图1是显示曝光装置的概略构成图。
图2是显示液浸构件附近的侧剖面图。
图3A是显示FCVA成膜装置一例的概略构成图。
图3B是用以说明液浸构件的制造方法之图。
图3C是用以说明液浸构件的制造方法之图。
图4A是用以说明多孔构件一例之图。
图4B是用以说明多孔构件一例之图。
图4C是用以说明多孔构件一例之图。
图5是显示液浸构件附近的侧剖面图。
图6是显示液浸构件附近的侧剖面图。
图7是显示液浸构件附近的侧剖面图。
图8是显示微形元件工艺的一例的流程图。
图9A是显示于实施例成膜的ta－C膜的膜厚分布的图表。
图9B是显示于实施例成膜的ta－C膜的膜厚分布的图表。
具体实施方式
以下，参照图式说明本发明的实施形态，但本发明不限定于此。此外，以下的说明中，是设定XYZ正交座标系，并参照此XYZ正交座标系说明各构件的位置关系。接着，将水平面内的既定方向设为X轴方向、将于水平面内与X轴方向正交的方向设为Y轴方向、将与X轴方向及Y轴方向分别正交的方向(亦即铅直方向)设为Z轴方向。此外，并将绕X轴、Y轴及Z轴的旋转(倾斜)方向分别设为θX、θY及θZ方向。
＜第1实施形态＞
说明第1实施形态。图1是显示第1实施形态的曝光装置EX的一例的概略构成图。图1中，曝光装置EX具备：可保持掩膜M并移动的掩膜载台1、可保持基板P并移动的基板载台2、移动掩膜载台1的第1驱动系统1D、移动基板载台2的第2驱动系统2D、能测量掩膜载台1及基板载台2各自的位置信息的干涉仪系统3、以曝光用光EL照明掩膜M的照明系IL、将以曝光用光EL照明的掩膜M的图案像投影至基板P的投影光学系PL、以及控制曝光装置EX整体的动作的控制装置4。
掩膜M，包含形成有待投影至基板P的元件图案的标线片。掩膜M，包含例如于玻璃板等透明板上使用铬等遮光膜形成有既定图案的透射型掩膜。此外，掩膜M亦可使用反射型掩膜。基板P是用以制造元件的基板。基板P包含于例如硅晶圆的半导体晶圆等基材形成有感光膜者。感光膜是感光材(光阻)的膜。又，基板P亦可包含与感光膜不同的膜。例如，基板P亦可包含反射防止膜，亦可包含保护感光膜的保护膜(顶涂膜)。
本实施形态的曝光装置EX，是经由液体LQ以曝光用光EL使基板P曝光的液浸曝光装置。曝光装置EX，具备能以液体LQ充满曝光用光EL的光路K的至少一部分的方式形成液浸空间LS的液浸构件6。液浸空间LS是以液体LQ充满的空间。本实施形态中，是使用水(纯水)作为液体LQ。
本实施形态中，液浸空间LS是形成为以液体LQ充满从投影光学系PL的多个光学元件中最接近投影光学系PL的像面的终端光学元件5射出的曝光用光EL的光路K。终端光学元件5具有朝向投影光学系PL的像面射出曝光用光EL的射出面5U。液浸空间LS是形成为以液体LQ充满终端光学元件5与和该终端光学元件5的射出面5U对向的位置所配置的物体之间的光路K。与射出面5U对向的位置，包含从射出面5U射出的曝光用光EL的照射位置。
液浸构件6配置于终端光学元件5的附近。液浸构件6具有下面7。本实施形态中，能与射出面5U对向的物体能与下面7对向。在物体表面配置于与射出面5U对向的位置时，下面7的至少一部分与物体表面对向。在射出面5U与物体表面对向时，能将液体LQ保持于射出面5U与物体表面之间。又，在液浸构件6的下面7与物体表面对向时，能将液体LQ保持于下面7与物体表面之间。藉由保持于一方侧的射出面5U及下面7与另一方侧的物体表面之间的液体LQ形成液浸空间LS。
本实施形态中，能与射出面5U及下面7对向的物体包含能在终端光学元件5的射出侧(像面侧)移动的物体，包含能移动至与射出面5U及下面7对向的位置的物体。本实施形态中，该物体包含基板载台2及保持于基板载台2的基板P的至少一方。此外，以下为使说明简单，主要是以一方侧的射出面5U及下面7与另一方侧的基板P表面对向的状态为例进行说明。然而，一方侧的射出面5U及下面7与另一方侧的基板载台2表面对向的情形亦相同。
本实施形态中，是以液体LQ覆盖配置于与射出面5U及下面7对向的位置的基板P的表面的一部分区域(局部区域)而形成液浸空间LS，于该基板P表面与下面7之间形成液体LQ的界面(弯月面、边缘)LG。亦即，本实施形态中，曝光装置EX是采用在基板P的曝光时以液体LQ覆盖包含投影光学系PL的投影区域PR的基板P上的一部分区域而形成液浸空间LS的局部液浸方式。
照明系IL是以均一照度分布的曝光用光EL照明既定照明区域IR。照明系IL是以均一照度分布的曝光用光EL照明配置于照明区域IR的掩膜M的至少一部分。从照明系IL射出的曝光用光EL，是使用例如从水银灯射出的辉线(g线、h线、i线)及KrF准分子激光(波长248nm)等远紫外光(DUV光)、ArF准分子激光(波长193nm)以及F2激光(波长157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本实施形态中，曝光用光EL是使用紫外光(真空紫外光)的ArF准分子激光。
掩膜载台1具有保持掩膜M的掩膜保持部1H。掩膜保持部1H是能拆装掩膜M。本实施形态中，掩膜保持部1H是将掩膜M保持成掩膜M的图案形成面(下面)与XY平面大致平行。第1驱动系统1D包含线性马达等致动器。掩膜载台1可藉由第1驱动系统1D的作动保持掩膜M并在XY平面内移动。本实施形态中，掩膜载台1能在以掩膜保持部1H保持掩膜M的状态下移动于X轴、Y轴及θZ方向的三个方向。
投影光学系PL是对既定投影区域PR照射曝光用光EL。投影光学系PL将掩膜M的图案的像以既定投影倍率投影至配置于投影区域PR的基板P的至少一部分。投影光学系PL的多个光学元件是以镜筒PK保持。本实施形态的投影光学系PL是投影倍率为例如1／4、1／5或1／8等的缩小系。此外，投影光学系PL亦可是等倍系及放大系的任一种。本实施形态中，投影光学系PL的光轴AX与Z轴大致平行。又，投影光学系PL是不包含反射光学元件的折射系、不包含折射光学元件的反射系、包含反射光学元件与折射光学元件的折反射系的任一种亦可。又，投影光学系PL可形成倒立像与正立像的任一种。
基板载台2能在底座构件8的导引面8G上移动。本实施形态中，导引面8G与XY平面大致平行。基板载台2能保持基板P并沿导引面8G在XY平面内移动。
基板载台2具有保持基板P的基板保持部2H。基板保持部2H能将基板P保持成能释放。本实施形态中，基板保持部2H将基板P保持成基板P的曝光面(表面)与XY平面大致平行。第2驱动系统2D包含线性马达等致动器。基板载台2可藉由第2驱动系统2D的作动而保持基板P在XY平面内移动。本实施形态中，基板载台2能在以基板保持部2H保持基板P的状态下移动于X轴、Y轴、Z轴、θX、θY及θZ方向的六个方向。
基板载台2具有配置于基板载台2周围的上面2T。本实施形态中，上面2T是平坦且与XY平面大致平行。又，基板载台2具有凹部2C。基板保持部2H配置于凹部2C的内侧。本实施形态中，上面2T与保持于基板保持部2H的基板P的表面配置于大致同一平面内(成为同一面)。
干涉仪系统3测量在XY平面内的掩膜载台1及基板载台2各自的位置信息。干涉仪系统3具备测量在XY平面内的掩膜载台1的位置信息的激光干涉仪3A与在XY平面内的基板载台2的位置信息的激光干涉仪3B。激光干涉仪3A对配置于掩膜载台1的反射面1R照射测量光，并使用经由该反射面1R的测量光测量掩膜载台1(掩膜M)在X轴、Y轴、及θZ方向的位置信息。激光干涉仪3B对配置于基板载台2的反射面2R照射测量光，并使用经由该反射面2R的测量光测量基板载台2(基板P)在X轴、Y轴及θZ方向的位置信息。
又，本实施形态中，配置有检测基板载台2所保持的基板P表面的位置信息的聚焦调平检测系统(未图示)。聚焦调平检测系统，是检测基板P表面在Z轴、θX、及θZ方向的位置信息。
在基板P的曝光时，掩膜载台1的位置信息是以激光干涉仪3A测量，基板载台2的位置信息是以激光干涉仪3B测量。控制装置4是根据激光干涉仪3A的测量结果使第1驱动系统1D作动，执行保持于掩膜载台1的掩膜M的位置控制。又，控制装置4是根据激光干涉仪3B的测量结果及聚焦调平检测系统的检测结果使第2驱动系统2D作动，执行保持于基板载台2的基板P的位置控制。
本实施形态的曝光装置EX，是一边将掩膜M与基板P同步移动于既定扫描方向、一边于基板P投影掩膜M的图案的像的扫描型曝光装置(所谓扫描步进机)。于基板P的曝光时，控制装置4控制掩膜载台1及基板载台2，使掩膜M及基板P移动于与曝光用光EL的光路K(光轴AX)交叉的XY平面内的既定扫描方向。本实施形态中，是以基板P的扫描方向(同步移动方向)为Y轴方向，掩膜M的扫描方向(同步移动方向)亦为Y轴方向。控制装置4，使基板P相对投影光学系PL的投影区域PR移动于Y轴方向，并与该基板P往Y轴方向的移动同步，一边使掩膜M相对照明系IL的照明区域IR往Y轴方向移动、一边经由投影光学系PL与基板P上的液浸空间LS的液体LQ对基板P照射曝光用光EL。藉此，基板P被曝光用光EL曝光，掩膜M的图案的像被投影至基板P。
其次，参照图式说明本实施形态的液浸构件6的一例及液浸构件6的制造方法。图2是显示液浸构件6附近的侧剖面图。
此外，以下说明中，是以于与终端光学元件5的射出面5U及液浸构件6的下面7对向的位置配置有基板P的表面的情形为例进行说明，但如上述，于与终端光学元件5的射出面5U及液浸构件6的下面7对向的位置能配置基板载台2的上面2T等基板P以外的物体。又，以下说明中，将终端光学元件5的射出面5U适当称为终端光学元件5的下面5U。
液浸构件6，能以液体LQ充满终端光学元件5与基板P之间的曝光用光EL的光路K的方式形成液浸空间LS。本实施形态中，液浸构件6是环状构件(其外形在Z轴方向观看为环状的构件)，配置成包围曝光用光EL的光路K。本实施形态中，液浸构件6具有配置于终端光学元件5周围的侧板部12、以及在Z轴方向至少一部分配置于终端光学元件5的下面5U与基板P的表面之间的下板部13。
此外，液浸构件6亦能作成环状以外的形状。例如，液浸构件6亦可配置于从终端光学元件5的射出面5U射出的曝光用光EL的光路K周围的一部分。
侧板部12与终端光学元件5的外周面14对向，在与沿该外周面形成的内周面15之间形成有既定的间隙。
下板部13于中央具有开口16。从下面5U射出的曝光用光EL能通过开口16。例如在基板P的曝光中，从下面5U射出的曝光用光EL是通过开口16并经由液体LQ照射于基板P的表面。本实施形态中，在开口16的曝光用光EL的剖面形状是于X轴方向较长的矩形(狭缝状)。开口16具有与曝光用光EL的剖面形状对应的形状。亦即，在XY平面内的开口16的形状是矩形(狭缝状)。又，在开口16的曝光用光EL的剖面形状与投影光学系PL在基板P的投影区域PR的形状大致相同。
又，液浸构件6，具备供给用以形成液浸空间LS的液体LQ的供给口31与吸引基板P上的液体LQ的至少一部分并回收的回收口32。
本实施形态中，液浸构件6的下板部13配置于曝光用光EL的光路周围。下板部13的上面33朝向＋Z轴方向，上面33与下面5U隔着既定的间隙对向。供给口31能将液体LQ供给至下面5U与上面33之间的内部空间34。本实施形态中，供给口31分别设于相对光路K的Y轴方向两侧。
供给口31经由流路36与液体供给装置35连接。液体供给装置35能送出洁净且经温度调整的液体LQ。流路36包含形成于液浸构件6内部的供给流路36A及以连接该供给流路36A与液体供给装置35的供给管形成的流路36B。从液体供给装置35送出的液体LQ是经由流路36被供给至供给口31。供给口31将来自液体供给装置35的液体LQ供给至光路K。
回收口32经由流路38与液体回收装置37连接。液体回收装置37包含真空系统，能吸引液体LQ并回收。流路38包含形成于液浸构件6内部的回收流路38A及以连接该回收流路38A与液体回收装置37的回收管形成的流路38B。藉由液体回收装置37作动，从回收口32回收的液体LQ是经由流路38被回收至液体回收装置37。
本实施形态中，于液浸构件6的回收口32配置有多孔构件24。与基板P之间的液体LQ的至少一部分经由回收口32(多孔构件24)被回收。液浸构件6的下面7包含配置于曝光用光EL的光路K周围的平坦面21与相对曝光用光EL的光路K设于平坦面21的外侧的液体回收区域22。本实施形态中，液体回收区域22包含多孔构件24的表面(下面)。
以下说明中，将液体回收区域22适当称为回收面22。
平坦面21能在与基板P的表面之间保持液体LQ。本实施形态中，平坦面21是朝向－Z轴方向，包含下板部13的下面。平坦面21配置于开口16的周围。本实施形态中，平坦面21为平坦，与基板P的表面(XY平面)大致平行。本实施形态中，在XY平面内的平坦面21的外形虽为矩形，但亦可为其他形状、例如圆形。
回收面22能回收一方侧的下面5U及下面7与另一方侧的基板P的表面之间的液体LQ的至少一部分。回收面22配置于相对曝光用光EL的光路K的Y轴方向(扫描方向)两侧。本实施形态中，回收面22配置于曝光用光EL的光路K周围。亦即，回收面22于平坦面21周围配置成矩形环状。又，本实施形态中，平坦面21与回收面22配置于大致同一平面内(同一面)。此外，平坦面21与回收面22亦可不配置于同一平面内
回收面22包含多孔构件24的表面(下面)，将接触于回收面22的液体LQ经由多孔构件24的孔回收。
图4A是放大本实施形态的多孔构件24的俯视图，图4B是图4A的A－A线剖面箭视图。如图4A及图4B所示，本实施形态中，多孔构件24形成有多个小孔24H的薄板构件。多孔构件24是对薄板构件加工而形成有多个孔24H的构件，亦被称为筛孔板。
多孔构件24具有与基板P的表面对向的下面24B、及与下面24B为相反侧的上面24A。下面24B形成回收面22。上面24A与回收流路38A接触。孔24H形成于上面24A与下面24B之间。亦即，孔24H形成为贯通上面24A与下面24B。以下说明中，将孔24H适当称为贯通孔24H。
本实施形态中，上面24A与下面24B大致平行。亦即，本实施形态中，上面24A与下面24B与基板P的表面(XY平面)大致平行。本实施形态中，贯通孔24H与Z轴方向大致平行地贯通上面24A与下面24B之间。液体LQ能流通于贯通孔24H。基板P上的液体LQ是经由贯通孔24H被引入至回收流路38A。
本实施形态中，在XY平面内的贯通孔(开口)24H的形状是圆形。又，在上面24A的贯通孔(开口)24H的大小与在下面24B的贯通孔(开口)24H的大小大致相等。此外，在XY平面内的贯通孔24H的形状可是圆形以外的形状，例如五角形、六角形等多角形。又，在上面24A的贯通孔(开口)24H的直径或形状，亦可与在下面24B的贯通孔(开口)24H的直径或形状相异。
本实施形态中，控制装置4是使包含真空系统的液体回收装置37作动，而使多孔构件24的上面24A与下面24B之间产生压力差，藉此从多孔构件24(回收面22)回收液体LQ。从多孔面22回收的液体LQ是经由流路38被回收至液体回收装置37。
在基板P的曝光中，从基板P溶出至液体LQ的物质(例如光阻或顶涂膜等有机物)有可能再析出至构成液浸构件6的构件表面。若于液浸构件6的接触液体LQ的区域产生析出物，有该析出物因液流(水流)剥离而附着于基板P的可能性。
本实施形态中，于液浸构件6与液体LQ接触的区域的至少一部分形成有非晶碳膜(以下称为「a－C膜」)。a－C膜在化学上为惰性且具有对成膜的基底(基材)优异的附着力、优异的机械强度的性质。因此，本实施形态中，在液浸构件6中形成有a－C膜的区域，与溶出至所接触的液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的化学性亲和性较低。该成膜的区域中，即使成为反复对液体LQ的湿润／干燥的状态，亦难以产生液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的附着及再析出。因此，能有效地抑制顶涂膜成分再析出至接触于液体LQ的区域的液浸构件6表面且此再析出物剥离并附着于曝光中的基板P表面而产生曝光不良。
本实施形态中，液浸构件6中于其表面形成有a－C膜的较佳部分，只要与液体LQ接触的区域并无特别限定。例如，能于液体回收区域22(回收口32、多孔构件24)、平坦面21、下板部13、侧板部14中与液体LQ接触的区域的至少一部分形成a－C膜。又，能于此等构成液浸构件6的构件中至少易产生光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的区域及易受液体LQ的液流导致的影响的区域形成a－C膜。藉由此种构成，能抑制光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，而抑制再析出物的剥离、对基板P的附着。
上述的易产生光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的区域及易受液体LQ的液流导致的影响的区域，特别可举出液体回收区域22的回收口32(多孔构件24)。藉由于回收口32(多孔构件24)的表面形成有a－C膜，而能有效地抑制光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出、再析出物的剥离、再析出物对基板P的附着，抑制曝光不良。
又，根据本实施形态，由于难以产生对液浸构件6的光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，因此能减低液浸构件6的洗净作业的频度。又，藉由于液浸构件6表面形成有a－C膜，即使因反复的曝光步骤而产生光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的情形，因液浸构件6表面与光阻成分及／或顶涂膜成分的化学性亲和性较低故其附着力较弱，而能缩短再析出物的洗净作业时间。因此，根据本实施形态，由于能减低洗净作业的频度、时间，因此能缩短液浸曝光装置的停机时间，而能抑制生产性的降低。
本实施形态中，液浸构件6的基材是Ti(钛)制。此外，液浸构件6的基材亦可是不锈钢、Al等耐蚀性的金属制、陶瓷制。形成于液浸构件6的至少一部分的a－C膜的膜厚并无特别限定，5nm以上较佳，10nm～1μm则更佳。例如，a－C膜的膜厚能设成5、6、7、8、9、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、200、300、400、500、600、700、800、900、或1000nm。作为a－C膜，较佳为于膜中几乎不包含氢且碳sp3结合比高(50～85%左右)的四面体非晶碳膜(以下称为「ta－C膜」)。
图4C是显示本实施形态中于回收口32的多孔构件24形成有a－C膜的情形的一例的剖面箭视图。
本实施形态中，如图4C所示，a－C膜形成于下面24B、贯通孔24H的内壁面、上面24A。下面24B、贯通孔24H的内壁面、以及上面24A的a－C膜的膜厚并不特别限定，为取得因以化学方式形成惰性a－C膜而产生的效果而形成有非为岛状的连续的膜即可，5nm以上较佳，10nm～1μm则更佳。例如，a－C膜的膜厚能设成5、6、7、8、9、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、200、300、400、500、600、700、800、900、或1000nm。形成于下面24B、上面24A、贯通孔24H的内壁面的a－C膜的厚度可分别为大致相同亦可为相异。贯通孔24H的内壁面的a－C膜的厚度可藉由贯通孔24H的孔径适当调整。此外，a－C膜亦可仅形成于下面24B及／或上面24A。
本实施形态中，液浸构件6可藉由于液浸构件6与液体LQ接触的区域的至少一部分透过CVD法(化学气相沉积法)或PVD法(物理气相沉积法)形成a－C膜而制造。
作为CVD法，可举出以往公知的方法作为a－C膜的成膜法，例如可举出微波等离子（Plasma）CVD法、直流等离子CVD法、高频等离子CVD法、有磁场等离子CVD法等。
作为PVD法，可举出以往公知的方法作为a－C膜的成膜法，例如可举出离子束蒸镀法、离子束溅镀法、磁控管溅镀法、激光蒸镀法、激光溅镀法、电弧离子镀法、过滤阴极真空电弧法(FCVA法)等。
此等成膜法中，由于即使室温亦能以良好附着力于复杂形状的基材均一涂布，因此FCVA法特别理想。
所谓FCVA法，是指对靶材藉由电弧放电使离子化的粒子产生，仅该粒子导至基板而成膜的成膜法。将FCVA装置100的概略构成图显示于图3A。FCVA装置100藉由空间过滤器105连结设置有石墨靶102的电弧等离子产生室101与成膜室106。成膜室106于其内部具备基板保持具107，基板保持具107固定基板108，能藉由未图示的驱动手段使基板108倾斜于θX方向或旋转于θY方向。空间过滤器105双弯曲于－X轴方向及Y轴方向，于其周围旋绕有电磁石线圈103，于与成膜室106的连通部附近旋绕有离子扫描线圈104。
为了藉由FCVA法形成a－C膜，首先，是藉由对电弧等离子产生室101内的石墨靶102施加直流电压而使电弧放电，以产生电弧等离子。所产生的电弧等离子中的中性粒子、C＋离子、其他离子被往空间过滤器105搬送，在通过空间过滤器105的过程中，中性粒子及质量相异的离子被电磁石线圈103及离子扫描线圈104捕捉，仅C＋离子被往成膜室106内导引。对成膜室106内的基板108藉由未图示的控制手段施加负偏压。藉由电弧放电而离子化的C＋离子藉由偏压而加速，于基板108上结合。于该构造中存在sp2结合与sp3结合两者，FVCA法中，能藉由控制偏压作成sp3－富C(sp3－C rich)，能形成a－C膜及ta－C膜。具体而言，FCVA法中，能藉由调整偏压形成sp3－C为85～60%且sp2-C为15～40%的比例的a-C膜。
FVCA法中，仅飞行能量汇集的C＋离子被往成膜室106内导引，藉由控制对基板108施加的偏压，而能控制往基板108入射的C＋离子粒子的离子冲击能量。因此，即使在复杂形状的基板108亦能均一地成膜。
本实施形态中，如图4C所示，由于为了于回收口32的多孔构件24形成a－C膜及ta－C膜而于微细的贯通孔24H内壁面亦能均一地成膜，因此藉由FCVA法来成膜较佳。
说明如图4C所示，于多孔构件24的上面24A、下面24B及贯通孔24H的内壁面藉由FCVA法形成a－C膜(ta－C膜)的方法。
首先，于基板保持具107将多孔构件24设置成多孔构件24的上面24A与C＋离子粒子的飞行方向(Y轴方向)对向。其次，如图3B所示，藉由未图示的驱动手段操作基板保持具107，使多孔构件24旋转于θX方向，倾斜成上面24A平面相对C＋离子的飞行方向即Y轴成为角度Φ(C＋离子往多孔构件24的上面24A的入射角成为角度Φ)。进而，藉由基板保持具107的未图示驱动手段使的一边旋转于θY方向、一边进行a－C膜(ta－C膜)的成膜。如此，藉由将多孔构件24设置、使的旋转而成膜，C＋离子不仅到达多孔构件24的上面24A而亦到达贯通孔24H的内壁面，而使a－C膜(ta－C膜)形成。此外，多孔构件24的上面24A平面相对Y轴(C＋离子的飞行方向)的倾斜角度Φ只要C＋离子到达多孔构件24的贯通孔24H的内部，且能于贯通孔24H的内壁面形成a－C膜(ta－C膜)的角度，则无特别限制，能设为例如45度。
对多孔构件24的上面24A侧形成a－C膜(ta－C膜)后，将多孔构件24从基板保持具107卸除，将形成有单面(上面24A)侧的多孔构件24于基板保持具107设置成下面24B与C＋离子粒子的飞行方向(Y轴方向)对向。其次，对多孔构件24的下面24B侧以与上述的上面24A侧的成膜方法相同的程序以倾斜角度(C＋离子往多孔构件24的下面24B的入射角)Φ一边旋转于θY方向、一边进行a－C膜(ta－C膜)的成膜。在对多孔构件24的下面24B侧形成a－C膜(ta－C膜)时的下面24B平面相对于Y轴的倾斜角度Φ，最佳为，与对上面24A侧的成膜时的下面24B平面相对于Y轴的倾斜角度Φ相同。藉由将多孔构件24设置成对上面24A侧的成膜时的倾斜角度Φ与对下面24B侧的成膜时的倾斜角度Φ成为相同而成膜，能使形成于贯通孔24H内壁面的a-C膜(ta－C膜)的膜厚均一。藉由如上述的方法，于多孔构件24的上面24A、下面24B、以及贯通孔24H的内壁面形成a－C膜(ta－C膜)，而能制造本实施形态的液浸构件6。
本实施形态的液浸构件6中，于其表面形成有a－C膜的区域虽为拨液性，但为了保持液体LQ而形成液浸空间LS，顺畅地进行液体LQ的供给／回收，较佳为，将该a－C膜的至少一部分作成亲液性。此外，本实施形态中，「拨液性」是指纯水滴下于其表面时的接触角超过50度者，「亲液性」是指纯水滴下于其表面时的接触角为50度以下者。
为了使液浸构件6的形成有a－C膜的区域从拨液性变化为亲液性，可藉由对形成有a－C膜的区域中作为亲液性的区域在大气中照射紫外线以使－OH基附加于被照射面来进行。
本实施形态的液浸构件6，是藉由在与液体LQ的界面LG接触的区域形成有拨液性的a－C膜的构成，由于能防止液体LQ的湿润扩散，将液体LQ中的产生顶涂膜成分再析出的区域限于低面积，故较理想。
本实施形态中，液体回收区域22的回收口32即多孔构件24是上面24A上的a－C膜(ta－C膜)24CA(以下称为成膜面24CA)及下面24B上的a－C膜(ta－C膜)24CB(以下称为成膜面24CB)为拨液性较佳。又，贯通孔24H的内壁面上的a－C膜(ta－C膜)24CH(以下称为成膜面24CH)，由于使基板P上的液体LQ从下面24B侧往上面24A侧通过来回收液体LQ，因此为亲液性较佳。
为了制造此种多孔构件24，首先，藉由上述的方法于上面24A、下面24B及贯通孔24H的内壁面形成a－C膜(ta－C膜)，将成膜面24CA、成膜面24CB、以及成膜面24CH作成拨液性。其次，对此多孔构件24整体在大气中照射紫外线，而将成膜面24CA、成膜面24CB、以及成膜面24CH作成亲液性。将制得的多孔构件24，首先如图3C所示于FCVA装置的基板保持具107设置成上面24A(成膜面24CA)与C＋离子的飞行方向(Y轴方向)对向且上面24A(成膜面24CA)平面与Z轴平行，将a-C膜(ta-C膜)形成例如厚度仅5nm，而将成膜面24CA作成拨液性。其次，于成膜面24CB亦以与成膜面24CA相同的方法将a－C膜(ta－C膜)形成例如厚度仅5nm，而将成膜面24CB作成拨液性。
藉由此种程序、方法，能仅将形成于贯通孔24H的内壁面的a－C膜(ta－C膜)即成膜面24CH作成亲液性，将成膜面24CA及成膜面24CB作成拨液性。藉由此种构成的多孔构件24，由于与液体LQ接触的下面24B为适度的拨液性，因此除了藉由形成有a－C膜(ta－C膜)而抑制光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的效果外，亦能防止液体LQ的界面LQ的湿润扩散，缩小光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出区域。又，由于贯通孔24H的内壁面为亲水性，因此除了藉由形成有a－C膜(ta－C膜)而抑制光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的效果外，亦能顺畅地使液体LQ通过来回收。
如以上所说明，根据本实施形态的液浸构件，是藉由于液浸构件6与液体LQ接触的区域的至少一部分形成有a－C膜，在形成有a－C膜的区域，与溶出至所接触的液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的化学性亲和性较低，即使反复对液体LQ的湿润／干燥的状态，亦难以产生液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的附着及再析出。因此，能有效地抑制光阻成分及／或顶涂膜成分再析出至接触于液体LQ的区域的液浸构件6表面且此再析出物剥离并附着于曝光中的基板P表面而产生曝光不良。
又，根据本实施形态的液浸构件，由于难以产生对液浸构件6的光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，因此能减低液浸构件6的洗净作业的频度。又，藉由于液浸构件6表面形成有a－C膜，即使因反复的曝光步骤而产生光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出的情形，因液浸构件6表面与光阻成分及／或顶涂膜成分的化学性亲和性较低，能以水流再度溶解并排出，且其附着力亦较弱，能缩短再析出物的洗净作业时间。因此，根据本实施形态，由于能减低洗净作业的频度、时间，因此能缩短液浸曝光装置的停机时间，因而能抑制生产性的降低。
进而，根据本实施形态的液浸构件的制造方法，能提供能有效地抑制曝光不良产生且减低洗净作业的频度、时间而抑制生产性降低的液浸构件。
<第2实施形态>
其次，说明第2实施形态。以下说明中，是与上述实施形态相同或同等的构成部分附加相同符号，简化或省略其说明。
图5是显示第2实施形态的液浸构件6B的一部分的侧剖面图。如图5所示，液浸构件6B的下面7是由第1平坦面51与设于第1平坦面外周的第2平坦面52构成，第1平坦面51与第2平坦面52配置于大致同一平面内(为同一面)。流路36A藉由与终端光学元件5的外周面14对向设置的侧板部12与外周面57形成。回收口53包含多孔构件54的表面，配置成不与基板P对向而与外周面57对向。本实施形态的液浸构件6B中，经由形成于第1平坦面51与第2平坦面52之间的第1开口55流入空隙56的液体LQ，是经由回收口53的多孔构件54而被吸引、回收。此外，本实施形态中，亦可如日本特开2008－182241号公报所揭示的构成的液浸构件6B。
本实施形态中，液浸构件6B的构成构件中，作为于其表面形成有a－C膜较佳的区域，与第1实施形态同样地，能举出与液体LQ接触的区域的构成构件，例如回收口53、多孔构件54、第1平坦面51、第2平坦面52、外周面57。其中，于与液体LQ的界面LG接触的第2平坦面52、回收液体LQ的回收口53即多孔构件54形成有a－C膜是较佳。此外，多孔构件54的构成及对多孔构件54的a－C膜的成膜方法与第1实施形态相同。
本实施形态中亦同样地，由于能抑制液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，因此能抑制因再析出物剥离并附着于基板P所导致的曝光不良产生。又，藉由光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出抑制，由于能使洗净步骤的频度减低，因此能抑制生产性的降低。
<第3实施形态>
其次，说明第3实施形态。以下说明中，对与上述实施形态相同或同等的构成部分附加相同符号，简化或省略其说明。
图6是显示第3实施形态的液浸构件6C的一部分的侧剖面图。如图6所示，液浸构件6C中，藉由设置于终端光学元件5周围的供给构件61形成的供给流路61H，是供给口62与基板P对向。藉由回收构件63形成于供给构件61外周的回收流路63H，是回收口64与基板P对向。捕捉构件65安装于回收构件63的外周，捕捉面66是捕捉构件65中朝向基板P侧的面(亦即下面)，如图6所示，相对水平面为倾斜。本实施形态的液浸构件6C中，从供给口62对基板P、从相对基板面为大致垂直方向供给的液体LQ，是以于终端光学元件5的下面5U与基板P之间湿润扩散的方式供给。又，液浸空间LS的液体LQ，自回收口64从基板面大致吸引、回收于垂直方向。此外，本实施形态中，亦可如日本特开2005－109426号公报所揭示的构成的液浸构件6C。
本实施形态中，液浸构件6C的构成构件中，作为于其表面形成有a－C膜较佳的区域，与第1实施形态同样地，能举出与液体LQ接触的区域的构成构件，亦可为供给构件63、回收构件62、捕捉构件65(捕捉面66)的任一者。
本实施形态中亦同样地，由于能抑制液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，因此能抑制因再析出物剥离并附着于基板P所导致的曝光不良产生。又，藉由光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出抑制，由于能使洗净步骤的频度减低，因此能抑制生产性的降低。
<第4实施形态>
其次，说明第4实施形态。以下说明中，是与上述实施形态相同或同等的构成部分附加相同符号，简化或省略其说明。
图7是显示第4实施形态的液浸构件6D的一部分的侧剖面图。如图7所示，液浸构件6D中，于终端光学元件5周围，从液浸构件6D的内周侧往外周侧依序形成有压力调整用回收流路71A、压力调整用供给流路72A、供给流路73A、回收流路74A、以及辅助回收流路75A。于液浸构件6D的下面7，于终端光学元件5周围，从液浸构件6D的内周侧往外周侧依序与基板P对向地形成有压力调整用回收流路71B、压力调整用供给口72B、供给口73B、回收口74B、以及辅助回收口75B。
本实施形态的液浸构件6D中，从供给口73B供给的液体LQ湿润扩散于基板P上形成液浸空间LS。液浸空间LS的液体LQ是从回收口74B吸引、回收。当无法以回收口74B完全回收基板P上的液浸空间LS的液体LQ的情形时，该无法完全回收的液体LQ虽会流出至回收口74B的外侧，但能透过辅助回收口75B回收。又，在基板P的曝光中，藉由从压力调整用回收流路71B回收液浸空间LS的液体LQ或从压力调整用供给口72B往液浸空间LS供给液体LQ，能将液浸空间LS控制成所欲的形状、压力。
此外，本实施形态中，亦可如日本特开2005－233315号公报所揭示的构成的液浸构件6D。
本实施形态中，液浸构件6D的构成构件中，作为于其表面形成有a－C膜较佳的区域，与第1实施形态同样地，能举出配置于与液体LQ接触的区域的构成构件。
本实施形态中亦同样地，由于能抑制液体LQ中的光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出，因此能抑制因再析出物剥离并附着于基板P所导致的曝光不良产生。又，藉由光阻成分及／或顶涂膜成分的再析出抑制，由于能使洗净步骤的频度减低，因此能抑制生产性的降低。
此外，上述各实施形态中，投影光学系PL的终端光学元件5的射出侧(像面侧)的光路虽以液体LQ充满，但亦可采用例如国际公开第2004／019128号小册子所揭示，终端光学元件5的入射侧(物体面侧)的光路亦以液体LQ充满的投影光学系PL。
此外，上述各实施形态中，液体LQ虽使用水(纯水)，但亦能使用水以外的液体。作为液体LQ，较佳为，对曝光用光EL为透射性，对曝光用光EL具有高折射率，对投影光学系PL或形成基板P表面的感光材(光阻)等膜为稳定者。例如作为液体LQ，亦能使用氢氟醚(HFE,Hydro Fluoro Ether)、过氟聚醚(PFPE,perfluoro－polyether)、氟布林油(FOMBLIN OIL)等氟系液体。又，作为液体LQ亦可使用各种流体，例如超临界流体。
此外，作为上述各实施形态的基板P，除了半导体元件制造用的半导体晶圆以外，亦能适用显示器元件用的玻璃基板、薄膜磁头用的陶瓷晶圆、或在曝光装置所使用的掩膜或标线片的原版(合成石英、硅晶圆)等。
作为曝光装置EX，除了能适用于使掩膜M与基板P同步移动来对掩膜M的图案进行扫描曝光的步进扫瞄方式的扫瞄型曝光装置(扫瞄步进机)以外，亦能适用于在使掩膜M与基板P静止的状态下使掩膜M的图案一次曝光并使基板P依序步进移动的步进重复方式的投影曝光装置(步进器)。
再者，步进重复方式的曝光，亦可在使第1图案与基板P大致静止的状态下，使用投影光学系将第1图案的缩小像转印至基板P上后，在使第2图案与基板P大致静止的状态下，使用投影光学系使第2图案的缩小像与第1图案部分重迭而一次曝光于基板P上(接合方式的一次曝光装置)。又，作为接合方式的曝光装置，亦能适用于步进接合方式的曝光装置，在基板P上将至少2个图案部分重迭而转印，并使基板P依序移动。
又，例如亦能将本发明适用于例如美国发明专利第6611316号说明书所揭示的曝光装置，其是将两个掩膜的图案透过投影光学系在基板上合成，藉由一次的扫描曝光来对基板上的一个照射区域大致同时进行双重曝光。又，亦能将本发明适用于近接方式的曝光装置、镜投影对准器等。
又，曝光装置EX亦可为例如美国发明专利第6341007号说明书、美国发明专利第6208407号说明书、美国发明专利第6262796号说明书等所揭示的具备多个基板载台的双载台型曝光装置。此情形下，于端部配置回收口、具有捕捉面的回收流路亦可设于各个多个基板载台，亦可设于一部分的基板载台。
又，曝光装置EX亦可为例如美国发明专利第6897963号说明书、美国发明专利申请公开第2007／0127006号说明书等所揭示，搭载保持基板的基板载台与形成有基准标记的基准构件及／或各种光电感测器且不保持曝光对象的基板的测量载台的曝光装置。又，亦能适用于具备多个基板载台与测量载台的曝光装置。此情形下，于端部配置回收口、具有捕捉面的回收流路亦可配置于测量载台。
作为曝光装置EX的种类，并不限于将半导体元件图案曝光于基板P的半导体元件制造用曝光装置，而亦能广泛适用于液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置、或用以制造薄膜磁头、摄影元件(CCD)、微型机器、MEMS、DNA晶片、或标线片或掩膜等的曝光装置等。
此外，上述各实施形态中，虽是使用包含激光干涉仪的干涉移系统来测量各载台的位置信息，但并不限于此，例如亦能使用检测设于各载台的标尺(绕射栅格)的编码器系统。
此外，上述实施形态中，虽使用于光透射性的基板上形成既定遮光图案(或相位图案，减光图案)的光透射性掩膜，但亦可使用例如美国发明专利第6778257号说明书所揭示的可变成形掩膜来代替此掩膜，该可变成形掩膜(亦称为电子掩膜、主动掩膜、或影像产生器)是根据欲曝光图案的电子资料来形成透射图案、反射图案、或发光图案。又，亦可取代具备非发光型影像显示元件的可变成形掩膜，而具备包含自发光型影像显示元件的图案形成装置。
上述各实施形态中虽以具备投影光学系PL的曝光装置为例来进行说明，但亦能将本发明适用于不使用投影光学系PL的曝光装置及曝光方法。例如，于透镜等光学构件与基板之间形成液浸空间，并透过该光学构件对基板照射曝光用光。
又，亦能将本发明适用于例如国际公开第2001／035168号小册子所揭示，藉由将干涉纹形成于基板P上、而在基板P上曝光线与空间图案的曝光装置(微影系统)。
上述实施形态的曝光装置EX，是由组装各种次系统(包含本案申请专利范围所举出的各构成要素)，以能保持既定的机械精度、电气精度、光学精度的方式所制造。为确保此等各种精度，于此组装前后，进行对各种光学系进行用以达成光学精度的调整、对各种机械系进行用以达成机械精度的调整、对各种电气系进行用以达成电气精度的调整。从各种次系统至曝光装置的组装工艺，包含各种次系统相互的机械连接、电路的配线连接、气压回路的配管连接等。从此各种次系统至曝光装置的组装工艺前，有各次系统个别的组装工艺。当各种次系统至曝光装置的组装工艺结束后，即进行综合调整，以确保曝光装置整体的各种精度。此外，曝光装置的制造较佳为，在温度及清洁度等皆受到管理的洁净室进行。
半导体元件等的微型元件，如图8所示，是经由下述步骤等所制造，即：进行微型元件的功能、性能设计的步骤201、根据此设计步骤制作掩膜(标线片)的步骤202、制造元件基材即基板的步骤203、包含使用上述实施形态的曝光装置以来自掩膜的图案的曝光用光使基板曝光的步骤及使已曝光的基板显影的步骤的基板处理步骤204、元件组装步骤(包含切割步骤、接合步骤、封装步骤等加工程序)205、检查步骤206等。
此外，上述各实施形态的要件可适当组合。又，亦有不使用一部分构成要素的情形。又，在法令所允许的范围内，援用与上述各实施形态及变形例所引用的曝光装置等相关的所有公开公报及美国发明专利等的揭示，来作为本文的记载的一部分。
[实施例]
以下，虽根据实施例更具体地说明本发明，但本发明并不限定于此等实施例。
本实施例中，于设有多个贯通孔的Ti板(多孔质钛制板)形成四面体非晶碳(ta－C)膜，来制造本发明的液浸构件。
「制造例」
将设有多个贯通孔的Ti板在有机溶剂、碱液、以及酸液中进行超音波洗净。将洗净后的Ti板于如图3A所示的构成的FCVA装置的成膜室内的基板保持具设置为可形成单面(以下称为A面)。其次，将基板保持具倾斜成Ti板的A面的角度相对碳离子光束的射出方向成为45度(图3B中的ψ＝45度)，进而将Ti板连同基板保持具一边往图3B的Y轴成为旋转轴的方向(θY方向)旋转，一边进行ta－C膜的成膜。此外，藉由调整偏压与脉冲频率，而能以sp3－C成为85%的条件进行成膜。
于图9A显示对A面侧的成膜结束后，对形成于Ti板的贯通孔的内壁面的ta－C膜的厚度使从表面(A面)起的位置(深度)变化而测定后的结果。此外，ta－C膜的厚度的测定，是以能量分散型萤光X线分析装置(EDX；堀场制作所制，EX－250)调查碳量，藉由段差计(TENCOR公司制，P2)进行膜厚测量。
接着，于A面的背面(以下称为B面)侧亦以与对A面侧的成膜方法相同条件进行ta－C膜的成膜。于图9B显示对B面侧的成膜结束后，将形成于Ti板的贯通孔的内壁面的ta－C膜的厚度相对从表面(A面)起的位置(深度)算出并描绘的结果。此外，由于A面侧与B面侧的成膜条件相同，因此可认为于B面侧成膜时的贯通孔的内壁面的ta－C膜的膜厚分布与图9A相同，藉由将此值加算而算出。
从图9B的结果确认于贯通孔的内壁面以均等的膜厚(约50μm)形成有ta－C膜。此外，A面及B面的ta－C膜的膜厚为约50μm。
藉由以上步骤，获得于Ti板的表面(A面及B面)与贯通孔的内壁面形成有ta－C膜的液浸构件(多孔构件)。
[评估]
准备所制作的液浸构件(以下称为「Ti板(有ta－C膜)」)与未形成有ta－C膜的多孔质钛制板(以下称为「Ti板(无ta－C膜)」)。将纯水滴下至此等两种Ti板的表面并测定接触角后，与Ti板(有ta－C膜)的接触角为约60度，与Ti板(无ta－C膜)的接触角为约0度。从此结果可明显得知，藉由于超亲水性的Ti板形成ta-C膜，而能将的作成拨水性。
其次，将于纯水添加了顶涂膜的样品溶液于此等两种Ti板的表面滴下10μl，并使之干燥。
干燥后，以显微镜观察各Ti板的表面后，于已滴下的样品液的液滴缘相当的部分形成有脏污物质。藉由飞行时间型二次离子质量分析法(TOF－SIMS)分析此脏污物质后，可知溶解于纯水中的顶涂膜成分是藉由纯水的蒸发而析出者。又，Ti板(有ta－C膜)的表面的脏污物质，与Ti板(无ta－C膜)的情形相较，仅析出于非常狭窄的范围，仅能见到小点。这是由于Ti板(有ta－C膜)的表面的纯水的接触角为约60度左右，且呈适度的拨水性，因此可拨弹样品溶液而抑制扩张湿润。另一方面，由于Ti板(无ta－C膜)表面为超亲水性，因此样品溶液于Ti板涵盖表面上的广范围湿润扩散，导致脏污物质的析出区域变广。从此结果可知，本发明的液浸构件即Ti板(有ta－C膜)中，由于能使顶涂膜成分的析出导致的脏污物质不扩散于广范围而止于局部区域，因此有脏污减低效果。
其次，藉由上述实验，针对于表面析出有脏污物质的各Ti板进行洗净容易性的评估(洗净试验)。
[洗净试验1]
藉由在使于表面析出有脏污物质的各Ti板成为水平的状态下，使纯水300ml以通过Ti板的贯通孔的方式透过以进行各Ti板的洗净。此外，在使纯水透过Ti板时，是从Ti板的一方侧一边吸引一边往另一方侧使纯水透过。洗净后的Ti板(有ta－C膜)，脏污完全被除去。另一方面，洗净后的Ti板(无ta－C膜)，脏污仍附着于与洗净前相同的部分。
[洗净试验2]
藉由使于表面析出有脏污物质的各Ti板浸渍于烧杯中的纯水一小时来进行洗净。洗净后的Ti板(有ta－C膜)，脏污完全被除去。另一方面，Ti板(无ta－C膜)，脏污仍附着于与洗净前相同的部分。
[洗净试验3]
藉由使于表面析出有脏污物质的各Ti板浸渍于烧杯中的纯水一小时后进而赋予超音波振动(28KHz，30分钟)来进行洗净。洗净后的Ti板(有ta－C膜)，脏污完全被除去。另一方面，Ti板(无ta－C膜)，脏污仍附着于与洗净前相同的部分。
从洗净试验1～3的结果可明显得知，本发明的液浸构件即Ti板(有ta－C膜)与Ti板(无ta－C膜)相较，即使在于其表面附着有脏污的情形亦能容易地洗净脏污。
附图标号：
2         基板载台
5         终端光学元件
6         液浸构件
22    液体回收区域(回收面)
24    多孔构件
24H       贯通孔(孔)
EL        曝光用光
EX        曝光装置
K         光路
LQ        液体
LS        液浸空间(液浸区域)
P         基板

Claims (26)

1.一种液浸构件，是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与所述物体之间保持所述液体以形成液浸空间，其特征在于：
在与所述液体接触的区域的至少一部分形成有碳为主成分的非晶碳膜。
2.如权利要求1所述的液浸构件，其特征在于，所述液浸构件具备设于所述曝光用光的光路周围、吸引对向物体上的液体加以回收的液体回收区域。
3.如权利要求2所述的液浸构件，其特征在于，于所述液体回收区域与所述液体接触的区域的至少一部分形成有碳为主成分的非晶碳膜。
4.如权利要求2或3所述的液浸构件，其特征在于，所述液体回收区域包含多孔构件的表面。
5.如权利要求4所述的液浸构件，其特征在于，所述多孔构件具有贯通孔。
6.如权利要求4或5所述的液浸构件，其中，所述物体上的液体的至少一部分是通过所述多孔构件回收。
7.如权利要求4至6中任一项所述的液浸构件，其特征在于，于所述多孔构件的表面及设于所述多孔构件的多个贯通孔内壁面形成有碳为主成分的非晶碳膜。
8.如权利要求7所述的液浸构件，其特征在于，所述多孔构件的表面或所述贯通孔内壁面的至少一部分对所述液体为亲液性。
9.如权利要求7或8所述的液浸构件，其特征在于，所述多孔构件的表面或所述贯通孔内壁面的至少一部分对所述液体为拨液性。
10.如权利要求9所述的液浸构件，其特征在于，所述多孔构件的表面对所述液体为拨液性；
所述多孔构件的所述贯通孔的内壁面对所述液体为亲液性。
11.如权利要求1至10中任一项所述的液浸构件，其特征在于，形成有所述非晶碳膜的区域的至少一部分对所述液体为亲液性。
12.如权利要求1至11中任一项所述的液浸构件，其特征在于，所述非晶碳膜是四面体非晶碳膜。
13.如权利要求1至12中任一项所述的液浸构件，其特征在于，所述液浸构件包含钛制的构件。
14.一种液浸构件的制造方法，所述液浸构件是以液体充满照射于物体的曝光用光的光路的方式在与所述物体之间保持所述液体以形成液浸空间，其特征在于：
于所述液浸构件与所述液体接触的区域的至少一部分上，通过化学气相沉积法或物理气相沉积法形成碳为主成分的非晶碳膜。
15.如权利要求14所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，所述液浸构件具备设于所述曝光用光的光路周围、吸引对向物体上的液体加以回收的液体回收区域，于所述液体回收区域与所述液体接触的区域的至少一部分通过化学气相沉积法或物理气相沉积法形成碳为主成分的非晶碳膜。
16.如权利要求14或15所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，使用过滤阴极真空电弧法作为物理气相沉积法。
17.如权利要求14至16中任一项所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，在形成碳为主成分的非晶碳膜后，对所述非晶碳膜的至少一部分照射紫外线，以使被照射区域对所述液体为亲液性。
18.如权利要求15或16所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，形成四面体非晶碳膜作为所述非晶碳膜。
19.如权利要求17所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，于配置于所述液体回收区域的多孔构件的表面及设于所述多孔构件的多个贯通孔内壁面通过过滤阴极真空电弧法形成四面体非晶碳膜。
20.如权利要求17或18所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，在形成四面体非晶碳膜后，对所述四面体非晶碳膜的至少一部分照射紫外线，以使被照射区域对所述液体为亲液性。
21.如权利要求18或19所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，在形成四面体非晶碳膜后，对所述多孔构件的表面及所述贯通孔的内壁面照射紫外线，以使被照射区域对所述液体为亲液性；
进一步于所述多孔构件的表面上通过过滤阴极真空电弧法形成四面体非晶碳膜；
使所述多孔构件的表面对所述液体为拨液性，使所述多孔构件的贯通孔的内壁面对所述液体为亲液性。
22.如权利要求14至21中任一项所述的液浸构件的制造方法，其特征在于，所述液浸构件包含钛制的构件。
23.一种曝光装置，是经由液体以曝光用光使基板曝光，其特征在于，所述曝光装置具备：
权利要求1至12中任一项所述的液浸构件。
24.如权利要求23所述的曝光装置，其特征在于，于回收液体的液体回收机构的一部分具备所述液浸构件。
25.如权利要求23或24所述的曝光装置，其中，所述液浸构件包含钛制的构件。
26.一种元件制造方法，其特征在于，所述元件制造方法包含：
使用权利要求23至25中任一项所述的曝光装置使基板曝光的步骤；以及
使已曝光的所述基板显影的步骤。
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