JP2006040942A - 電子線投影露光用メンブレンマスクの欠陥修正方法および装置 - Google Patents
電子線投影露光用メンブレンマスクの欠陥修正方法および装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 Ga液体金属イオン源を用いた集束イオンビームではなく、電子ビームでDLCメンブレンマスクの欠陥修正を行う。白欠陥4にガス7を供給し、試料裏面から電子ビームを照射して試料を透過した電子ビームによって、白欠陥表面に吸着した原料ガス7を反応させ局所CVDを起こして加工する。この時ガス供給系と電子ビーム鏡筒の間にメンブレンマスク1を配置させることで、電子ビーム鏡筒への原料ガス7の流れ込みを抑えることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施の形態について以下図面を参照して説明する。
2…メンブレン
3…散乱体パターン
4…白欠陥
5…透過電子ビーム
6…ガスノズル
7…原料ガス
8…透過用電子ビーム鏡筒
9…エッチング用電子ビーム鏡筒
10…仕切り壁
11…透過用電子ビーム鏡筒側の部屋
12…ガスノズル側の部屋
13…透過電子検出器
14…二次電子検出器
15…エッチング用ガスノズル
16…試料ステージ
17…透過用電子ビーム
18…エッチング用電子ビーム
19…欠陥のあるメンブレンマスク
20…ガスカップの貫通穴
21…カップ状先端を有するガスノズル
Claims (7)
- ダイヤモンドライクカーボン(DLC)を主材料とした極薄メンブレンと散乱体パターンから成る電子ビーム投影露光装置用メンブレンマスクの欠陥修正方法において、原料ガスまたはエッチングガスを欠陥部分に吸着させ、該欠陥部分に電子ビームを照射することによって局所的に成膜またはエッチングするメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- ダイヤモンドライクカーボン(DLC)を主材料とした極薄メンブレンと散乱体パターンから成る電子ビーム投影露光装置用メンブレンマスクの白欠陥修正工程において、原料ガスを散乱体欠陥部分表面に吸着させ、前記極薄メンブレン側から電子ビームを前記欠陥部分に照射することによって、極薄メンブレンを透過した電子ビームで前記散乱体表面に吸着した原料ガスを反応させ、局所的に成膜することにより欠陥部分を修正するDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。
- ダイヤモンドライクカーボン(DLC)を主材料とした極薄メンブレンと散乱体パターンから成る電子ビーム投影露光装置用メンブレンマスクの白欠陥修正工程において、
白欠陥を修正する工程と、
前記修正された白欠陥部分を含む範囲で電子ビームを走査照射し、前記修正された白欠陥部分を含む範囲を透過した電子を検出する工程と、
前記検出した電子から得られた透過電子像から修正が完成したかを確認する工程と、
前記確認により修正が不十分であった場合、前記欠陥部分の修正を追加して行う工程と、 からなるDLCメンブレンマスクの欠陥修正方法。 - 散乱体パターン欠陥を有するDLCメンブレンマスクを載置するための、中央に貫通穴を有する試料ステージと、
前記載置されたDLCメンブレンマスクの散乱体パターンが形成された側とは反対の側から電子ビームを走査照射し前記DLCメンブレンマスクのメンブレンを透過させ前記欠陥部分に電子ビームを走査照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料ステージに対し前記電子ビーム鏡筒とは反対側に設けられ、前記散乱体パターン欠陥部分の前記電子ビームの走査照射位置に原料ガスを吹き付ける原料ガス供給ノズルと、
前記電子ビームの照射により前記DLCメンブレンマスクを透過する電子ビームを検出する透過電子検出器と、
からなるDLCメンブレンマスク欠陥修正装置。 - 前記試料ステージを挟んで電子ビーム鏡筒側と透過電子検出器側とを2つの部屋に分離する仕切り壁があることを特徴とする請求項4記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正装置。
- ガス供給ノズルの先端形状が、被加工領域を覆うようなカップ状であり、かつカップ部分の中央部には前記透過電子ビームが通過できる貫通穴を有することを特徴とする請求項4記載のDLCメンブレンマスクの欠陥修正装置。
- 請求項4のDLCメンブレンマスクの欠陥修正装置において、
前記試料ステージに対し前記電子ビーム鏡筒とは反対側に設けられ、前記DLCメンブレンマスクの散乱体パターンに電子ビームを照射できる第2の電子ビーム鏡筒と、
前記散乱体パターンにエッチングガスを供給するエッチングガス供給ノズルと、
前記第2の電子ビーム鏡筒からの電子ビームの照射により発生する二次電子を検出する二次電子検出器と、
を備えたことを特徴とするDLCメンブレンマスクの欠陥修正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4446826B2 JP4446826B2 (ja) | 2010-04-07 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4446826B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP2010170019A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Toshiba Corp | リソグラフィ原版の異物除去方法及びリソグラフィ原版の製造方法 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130129 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140129 Year of fee payment: 4 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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