JPS6220871A - 金属薄膜析出装置 - Google Patents
金属薄膜析出装置Info
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- JPS6220871A JPS6220871A JP60158118A JP15811885A JPS6220871A JP S6220871 A JPS6220871 A JP S6220871A JP 60158118 A JP60158118 A JP 60158118A JP 15811885 A JP15811885 A JP 15811885A JP S6220871 A JPS6220871 A JP S6220871A
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- Japan
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- reaction chamber
- thin film
- laser beam
- metal thin
- chamber
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は基板に金属薄膜を析出させる装置、特にガラス
基板上に金属クロミウムのパターンを有するホトマスク
上に発生し念欠損欠陥を修正するのに好適な金属薄膜析
出装置に関する。
基板上に金属クロミウムのパターンを有するホトマスク
上に発生し念欠損欠陥を修正するのに好適な金属薄膜析
出装置に関する。
半導体素子、例えば集積回路素子ないし、プリント基板
のパターン製造に用いられるホトマスクとして耐久性に
優れ、かつ微細パターンが得られるハードマスクが多用
されている。このハードマスクはガラス基板上に所望の
パターンでクロムなどの金属薄膜を被着させたもので、
実際の製造工程で使用されるワーキングマスクとワーキ
ングマスクの製造に使用されるマスターマスクがあり、
いずれもその製造工程中に混入してくるごみ等の異物に
よりパターンの欠損欠陥を生じる場合がある。
のパターン製造に用いられるホトマスクとして耐久性に
優れ、かつ微細パターンが得られるハードマスクが多用
されている。このハードマスクはガラス基板上に所望の
パターンでクロムなどの金属薄膜を被着させたもので、
実際の製造工程で使用されるワーキングマスクとワーキ
ングマスクの製造に使用されるマスターマスクがあり、
いずれもその製造工程中に混入してくるごみ等の異物に
よりパターンの欠損欠陥を生じる場合がある。
このパターンの欠損欠陥を修正する方法として従来用い
られていたリフトオフ法Ｉこ代わって、レーザ光により
有機金属ガスを分解し、直接欠損欠陥部に金属薄膜を析
出させる技術を用いる試みがなされている。（特開昭５
９−１０５３２０゜「ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの
第４高調波を用いたＣｒのレーザＣＶＤＪ 日電、横山
ほか、第４５回応物講演予稿）しかし、上記金属薄膜を
析出させるプロセスは、真空ないし減圧下で進行させる
ことが多く、また、水、１酸素等の混入が膜質に悪影響
を与えることから第５図に示すようにホトマスク１を高
真空容器２に収めた状態で加工している場合が多い。こ
の方法をプリント基板製造に用いるような比較的大きな
ホトマスクの修正に適用する場合、真空容器及び排気系
を含めた真空装置全体が非常に犬がかりｌこなり、コス
トが高く、また、真空引に要する時間がかかる問題点が
あった。
られていたリフトオフ法Ｉこ代わって、レーザ光により
有機金属ガスを分解し、直接欠損欠陥部に金属薄膜を析
出させる技術を用いる試みがなされている。（特開昭５
９−１０５３２０゜「ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの
第４高調波を用いたＣｒのレーザＣＶＤＪ 日電、横山
ほか、第４５回応物講演予稿）しかし、上記金属薄膜を
析出させるプロセスは、真空ないし減圧下で進行させる
ことが多く、また、水、１酸素等の混入が膜質に悪影響
を与えることから第５図に示すようにホトマスク１を高
真空容器２に収めた状態で加工している場合が多い。こ
の方法をプリント基板製造に用いるような比較的大きな
ホトマスクの修正に適用する場合、真空容器及び排気系
を含めた真空装置全体が非常に犬がかりｌこなり、コス
トが高く、また、真空引に要する時間がかかる問題点が
あった。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、コンパ
クトな真空装置で、大きな基板に金属薄膜を析出できる
ようｌこした金属薄膜析出装置を提供することにある。
クトな真空装置で、大きな基板に金属薄膜を析出できる
ようｌこした金属薄膜析出装置を提供することにある。
本発明は、基板の薄膜析出箇所のみに真空ないし減圧状
態を作る手段として、金属薄膜の析出を行なうための反
応室、および該反応室と基板とを大気との圧力差で密着
させるための減圧室の２室よ構成る加工セルで構成し、
基板の所定の箇所、例えばフォトマスクの欠損欠陥部の
みに金属膜析出用の気体を供給できるようにしたことを
特徴とするものである。
態を作る手段として、金属薄膜の析出を行なうための反
応室、および該反応室と基板とを大気との圧力差で密着
させるための減圧室の２室よ構成る加工セルで構成し、
基板の所定の箇所、例えばフォトマスクの欠損欠陥部の
みに金属膜析出用の気体を供給できるようにしたことを
特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。例え
ば欠損欠陥を有するフォトマスク１１こＯリング１４を
介して密着する加工セル２１１：１′、反応室１ろと減
圧室１２の２室より成り、それぞれ排気管１５．１６及
び真空バルブ６．４を介して真空ポンプ１１に接続され
ている。反応室は金属薄膜析出用の気体を供給する供給
管１７及び真空バルブ５を介して金属薄膜析出用の気体
の貯蔵ボンベ７に連結されている。なお、供給管１７の
途中及び減圧室にはリーク弁１９及び６が設けである。
ば欠損欠陥を有するフォトマスク１１こＯリング１４を
介して密着する加工セル２１１：１′、反応室１ろと減
圧室１２の２室より成り、それぞれ排気管１５．１６及
び真空バルブ６．４を介して真空ポンプ１１に接続され
ている。反応室は金属薄膜析出用の気体を供給する供給
管１７及び真空バルブ５を介して金属薄膜析出用の気体
の貯蔵ボンベ７に連結されている。なお、供給管１７の
途中及び減圧室にはリーク弁１９及び６が設けである。
反応室の上部はレーザ光を透過するウィンドーが設けて
あり、そのｆ４造として、ガラス板２０％ＯＩＪング１
４とガラス押え１８ではさみ込むようになっている。レ
ーザ光発生手段８より発したレーザ光は、シャッタ９を
通ってダイクロインクミラー２１で反射され、対物レン
ズ１ｏにより基板の所定箇所、例えばフォトマスク１の
欠損欠陥位置に集光される。基板の所定箇所、例えば欠
損欠陥位置とレーザ照射位置の位置合せは、観察光学系
２６により発生した可視光をハーフミラ〜２２で反射し
、対物レンズ１ｏにより焦点を合わせ、プリズム２４を
通して接眼レンズ２５で観察して行なう１、なお、例え
ばフォトマスク１の移動はＸ−Ｙステージ２７を用いて
行なう。
あり、そのｆ４造として、ガラス板２０％ＯＩＪング１
４とガラス押え１８ではさみ込むようになっている。レ
ーザ光発生手段８より発したレーザ光は、シャッタ９を
通ってダイクロインクミラー２１で反射され、対物レン
ズ１ｏにより基板の所定箇所、例えばフォトマスク１の
欠損欠陥位置に集光される。基板の所定箇所、例えば欠
損欠陥位置とレーザ照射位置の位置合せは、観察光学系
２６により発生した可視光をハーフミラ〜２２で反射し
、対物レンズ１ｏにより焦点を合わせ、プリズム２４を
通して接眼レンズ２５で観察して行なう１、なお、例え
ばフォトマスク１の移動はＸ−Ｙステージ２７を用いて
行なう。
次に、本装置により例えばフォトマスク１の欠損欠陥を
修正する手順を示す。まず、フォトマスク１の欠損欠陥
の位置がおおむね判っているものとして、フォトマスク
１をＸ−Ｙステージ２７を用いて加工セル２の位置に移
動する。その後、力ｎエセル２をフォトマスク１の上に
載せ、真空バルブ６及び４を開け、真空ポンプ１１で反
応室１６及び減圧室１２を排気する。この時、バルブ５
及びリークパルプ６及び１９は閉じた状態である。所定
の減圧状態に達した後、バルブ４を閉じ、反応室１６の
みをさらに真空引を行なう１、この操作は真空ポンプ１
１の負荷を軽減するために行なう操作であって、真空ポ
ンプの性能に余裕がある場合は必要としない。反応室１
３が所定の真空度に遅したことを真空計（図示せず）で
確認したのち、パルプ３を閉じる。観察光学系２６より
、可視光を発生させ、ハーフミラ−２２゜対物レンズ１
０．プリズム２４．接眼レンズ２５により８祭しながら
正確にフォトマスク１の欠損欠陥部の位置決めを行なう
。次いで、バルブ５を開け、金属薄膜析出用のガスを反
応室１３ｉこ導入する。所定のガス量が導入されたこと
を圧力計（図示せず）により確認した後、７ヤツター９
を開け、レーザ光を欠損欠陥位置に照射する。
修正する手順を示す。まず、フォトマスク１の欠損欠陥
の位置がおおむね判っているものとして、フォトマスク
１をＸ−Ｙステージ２７を用いて加工セル２の位置に移
動する。その後、力ｎエセル２をフォトマスク１の上に
載せ、真空バルブ６及び４を開け、真空ポンプ１１で反
応室１６及び減圧室１２を排気する。この時、バルブ５
及びリークパルプ６及び１９は閉じた状態である。所定
の減圧状態に達した後、バルブ４を閉じ、反応室１６の
みをさらに真空引を行なう１、この操作は真空ポンプ１
１の負荷を軽減するために行なう操作であって、真空ポ
ンプの性能に余裕がある場合は必要としない。反応室１
３が所定の真空度に遅したことを真空計（図示せず）で
確認したのち、パルプ３を閉じる。観察光学系２６より
、可視光を発生させ、ハーフミラ−２２゜対物レンズ１
０．プリズム２４．接眼レンズ２５により８祭しながら
正確にフォトマスク１の欠損欠陥部の位置決めを行なう
。次いで、バルブ５を開け、金属薄膜析出用のガスを反
応室１３ｉこ導入する。所定のガス量が導入されたこと
を圧力計（図示せず）により確認した後、７ヤツター９
を開け、レーザ光を欠損欠陥位置に照射する。
金濁薄膜の析出はレーザカットフィルタ２３を光路の途
中に入れた状態で観察する。析出した金属薄膜により欠
損欠陥部の修正が終わったことを確認した後、シャッタ
ー９を閉じ、レーザ光照射を終える。その後、バルブ６
を開けて反応室１６内にある金属析出用のガスを排気し
た後、バルブ６を閉じ、リークバルブ１９及び６を開け
て反応室１３及び減圧室１２を大気圧Ｉこもどす。フォ
トマスク１内に他の欠損欠陥がある場合は順次上記操作
を繰り返してフォトマスク１枚の修正が完了する。なお
、本実施例において、金属薄膜の析出の際、ガスを閉じ
込めた状態で行なっているが、バルブ５及び３を開けた
状態でガスを流しなから成膜を行なっても良い。
中に入れた状態で観察する。析出した金属薄膜により欠
損欠陥部の修正が終わったことを確認した後、シャッタ
ー９を閉じ、レーザ光照射を終える。その後、バルブ６
を開けて反応室１６内にある金属析出用のガスを排気し
た後、バルブ６を閉じ、リークバルブ１９及び６を開け
て反応室１３及び減圧室１２を大気圧Ｉこもどす。フォ
トマスク１内に他の欠損欠陥がある場合は順次上記操作
を繰り返してフォトマスク１枚の修正が完了する。なお
、本実施例において、金属薄膜の析出の際、ガスを閉じ
込めた状態で行なっているが、バルブ５及び３を開けた
状態でガスを流しなから成膜を行なっても良い。
次に、本発明の他の一実施例を第２図に示す。
第２図は、前記実施例のうち加工セル２のみを変更した
もので、加工ヒル２をレーザ光に対しフォトマスク１の
裏側に立置する構造になっている。加工セル２は反応室
１５と減圧室１２が同軸状の排気管の構造になっている
。ここで、第４図で加工セル２を上面から見た構造を示
す。反応室１３．減圧室１２は同畑状に配置し、サポー
トろ９で同定されている。フォトマスク１（第２図参照
）との接触面にばＯ’Ｊソング４を使用する。
もので、加工ヒル２をレーザ光に対しフォトマスク１の
裏側に立置する構造になっている。加工セル２は反応室
１５と減圧室１２が同軸状の排気管の構造になっている
。ここで、第４図で加工セル２を上面から見た構造を示
す。反応室１３．減圧室１２は同畑状に配置し、サポー
トろ９で同定されている。フォトマスク１（第２図参照
）との接触面にばＯ’Ｊソング４を使用する。
ここで第２図に戻り説明する。カロエヒル２は伸縮自在
のベローズ２８及び２９１こより自己管に接続されてい
る。反応室１５はバルブ５・２介して金属薄膜析出用ガ
スの伊、給管１７で金属薄膜析出用ガスの貯蔵ないし発
生手段（図示せず）に連結され、供給管の途中には空気
リークバルブ１９を有している。さらに、バルブ６を介
して排気管１５により真空ポンプ（図示せず）に連結さ
れている。
のベローズ２８及び２９１こより自己管に接続されてい
る。反応室１５はバルブ５・２介して金属薄膜析出用ガ
スの伊、給管１７で金属薄膜析出用ガスの貯蔵ないし発
生手段（図示せず）に連結され、供給管の途中には空気
リークバルブ１９を有している。さらに、バルブ６を介
して排気管１５により真空ポンプ（図示せず）に連結さ
れている。
減圧室１２ｉｊ、反応室１３の外周に位置し、バルブ４
を介して排気管１６に＝９冥空ボング（図示せず）に連
結され、さらに、リークバルブ６を有している６、 本装置ｅにより例えばフォトマスク１の欠損欠陥を修正
する手順を示す。前記実施例と同様、フォトマスク１の
欠損欠陥部Ｉばかおおむね判っているものとし、欠損欠
陥の位置と加工セル２の位置をＸ−Ｙステージ（用４図
参照）にて合わせる。本装置で汀、フォトマスク１の下
に加工セル２が位置している念め、フォトマスク１の支
持１ｄＸ−Ｙステージ２７上部に設けた支持具３０１こ
て行なう。フォトマスク１に加工セル２を密着させた後
、真空バルブ５及び４を開け、真空ポンプ（図示せず）
にて反応室１６及び減圧室１２を排気する。この時、バ
ルブ５とリークバルブ６及び１９は閉じた状態である。
を介して排気管１６に＝９冥空ボング（図示せず）に連
結され、さらに、リークバルブ６を有している６、 本装置ｅにより例えばフォトマスク１の欠損欠陥を修正
する手順を示す。前記実施例と同様、フォトマスク１の
欠損欠陥部Ｉばかおおむね判っているものとし、欠損欠
陥の位置と加工セル２の位置をＸ−Ｙステージ（用４図
参照）にて合わせる。本装置で汀、フォトマスク１の下
に加工セル２が位置している念め、フォトマスク１の支
持１ｄＸ−Ｙステージ２７上部に設けた支持具３０１こ
て行なう。フォトマスク１に加工セル２を密着させた後
、真空バルブ５及び４を開け、真空ポンプ（図示せず）
にて反応室１６及び減圧室１２を排気する。この時、バ
ルブ５とリークバルブ６及び１９は閉じた状態である。
所定の減圧状噸に達した後、バルブ４を閉じ、反応室１
６のみをさらに真空引を行なう。反応室１３が所定の真
空度ｌこ達したことを真空計（図示せず）で確認した後
、バルブ３を閉じる。次いで前記実施例と同様、可視光
によりフォトマスク１のパターンを観察しながら正確に
欠損欠陥部の位１ｈ決めを行なう。その後、バルブ５を
開け、金属析出用のガスを反応室１５内に導入し、所定
のガス量が導入されたことを圧力計（図示せず）にて確
認した後、レーザ光を欠損欠陥位置に照射する。
６のみをさらに真空引を行なう。反応室１３が所定の真
空度ｌこ達したことを真空計（図示せず）で確認した後
、バルブ３を閉じる。次いで前記実施例と同様、可視光
によりフォトマスク１のパターンを観察しながら正確に
欠損欠陥部の位１ｈ決めを行なう。その後、バルブ５を
開け、金属析出用のガスを反応室１５内に導入し、所定
のガス量が導入されたことを圧力計（図示せず）にて確
認した後、レーザ光を欠損欠陥位置に照射する。
前記実施し１１と同様、・武１票光学系を用い、欠損欠
陥部が金属薄膜により１各正さＡたことを確認した後、
レーザ光照射を終える。その後、バルブ３を開けて反応
室１３内ｉζあろ金属析出用のガスを排気した後、バル
ブ３を閉じ、リークバルブ１９及び６を開けて反応室１
３及び減圧室１２を大気圧にもどし、フォトマスク１と
加工セル２を分離させる。フォトマスク１内に他の欠損
欠陥がある場合は、順次上記操作を繰り返してフォトマ
スク１枚の修正が完了する０、本装置特有の効果として
、前記実施？１／こ使用したウィンドー２０を用いる必
要がないため、ウィンドー内面にレーザ光照射？こより
析出する金Ｘｉ膜による汚れが生じないため、装置運転
に供なう光量の経時変化防止の利点がある。
陥部が金属薄膜により１各正さＡたことを確認した後、
レーザ光照射を終える。その後、バルブ３を開けて反応
室１３内ｉζあろ金属析出用のガスを排気した後、バル
ブ３を閉じ、リークバルブ１９及び６を開けて反応室１
３及び減圧室１２を大気圧にもどし、フォトマスク１と
加工セル２を分離させる。フォトマスク１内に他の欠損
欠陥がある場合は、順次上記操作を繰り返してフォトマ
スク１枚の修正が完了する０、本装置特有の効果として
、前記実施？１／こ使用したウィンドー２０を用いる必
要がないため、ウィンドー内面にレーザ光照射？こより
析出する金Ｘｉ膜による汚れが生じないため、装置運転
に供なう光量の経時変化防止の利点がある。
第４図に、本装置の概観を示、す、。
本装置は大別してレーザ発生手段と金属薄膜の析出を行
なう加工セルと基板（フォトマスク）の位置決めを行な
うＸ−Ｙステージ及びその制御回路から構成されている
。レーザ光発生手段は、例えばＡｒ＋レーザ光及びその
＠２高調波。
なう加工セルと基板（フォトマスク）の位置決めを行な
うＸ−Ｙステージ及びその制御回路から構成されている
。レーザ光発生手段は、例えばＡｒ＋レーザ光及びその
＠２高調波。
エキシマレーザ光、ＹＡＧレーザ光及びその高調波等の
発生手段８とそれらの′４源回路３４とで構成される１
、発生したレーザ光は、ダイクロイックミラー２１及び
対物レンズ１０より成る照射光学系３９によりフォトマ
スク１の欠損欠陥位置に照射される。レーザ照射位置と
フォトマスク１の欠損欠陥の位置決めは、フォトマスク
１のパターン及び欠損欠陥位置を記憶し念記憶回路３５
と記憶回路３５より出される信号によりＸ−Ｙステージ
２７を移動させるためのＸＹステージ制御回路５６によ
り行ない、その様子は観察光学系５３にてモニターされ
る。前記説明にある加工セル２はフォトマスク１の下面
に密着し、ベローズ２９を介して排気手段２９に連結さ
れ、さらに修正に使用される金８薄膜析出用のガスを無
害化して大気に放出するための除害装置３７に連結され
ている。金属薄膜析出用のガスの貯蔵ないし発生手段７
は前記の如く排気管と二重構造になっており、加工セル
２に連結されている。なおフォトマスクの修正及び位置
決めの際、床面ないし排気系からの振動を防ぐためにＸ
−Ｙステージ２７ハインシユレータ３１を介して設置さ
れる。
発生手段８とそれらの′４源回路３４とで構成される１
、発生したレーザ光は、ダイクロイックミラー２１及び
対物レンズ１０より成る照射光学系３９によりフォトマ
スク１の欠損欠陥位置に照射される。レーザ照射位置と
フォトマスク１の欠損欠陥の位置決めは、フォトマスク
１のパターン及び欠損欠陥位置を記憶し念記憶回路３５
と記憶回路３５より出される信号によりＸ−Ｙステージ
２７を移動させるためのＸＹステージ制御回路５６によ
り行ない、その様子は観察光学系５３にてモニターされ
る。前記説明にある加工セル２はフォトマスク１の下面
に密着し、ベローズ２９を介して排気手段２９に連結さ
れ、さらに修正に使用される金８薄膜析出用のガスを無
害化して大気に放出するための除害装置３７に連結され
ている。金属薄膜析出用のガスの貯蔵ないし発生手段７
は前記の如く排気管と二重構造になっており、加工セル
２に連結されている。なおフォトマスクの修正及び位置
決めの際、床面ないし排気系からの振動を防ぐためにＸ
−Ｙステージ２７ハインシユレータ３１を介して設置さ
れる。
以上、前記実施例の加工セルを用いた基板の所定箇所に
金属薄膜を析出する装置、即ちフォトマスクの欠損欠陥
修正装置全体の構成を示したが、その効果は、前記加工
セルの説明において触れた如く、排気系の小型化が主た
るものであり、それに供ない、基板の移動手段であるＸ
−Ｙステージが大気中にて使用出来ること、及び基板の
搬入、搬出が楽である等の効果がある０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、排気系の小型化に
よる装置コストの低減と、真空引に要する時間の短縮と
、反応室、減圧室の二重構造による反応室からの金属析
出用ガスの漏出防止とがはかれる効果を有する。
金属薄膜を析出する装置、即ちフォトマスクの欠損欠陥
修正装置全体の構成を示したが、その効果は、前記加工
セルの説明において触れた如く、排気系の小型化が主た
るものであり、それに供ない、基板の移動手段であるＸ
−Ｙステージが大気中にて使用出来ること、及び基板の
搬入、搬出が楽である等の効果がある０ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、排気系の小型化に
よる装置コストの低減と、真空引に要する時間の短縮と
、反応室、減圧室の二重構造による反応室からの金属析
出用ガスの漏出防止とがはかれる効果を有する。
第１図は本発明に係る金属薄膜析出装置の一実施例を示
す断面図、第２図は本発明に係る金属薄膜析出装置の他
の一実施例を示す断面図、第３図は＄２図を補足説明す
る図で、上面から加工、セルを見た図、第４図は本発明
の実施例を用いてフォトマスク欠損欠陥修正を行う場合
の装置の全体構成図、第５図は従来技術を説明するため
略図である。 １・・・ホトマスク ２・・・加工セル ７・・・金属
薄膜析出用ガスの貯蔵手段 ８・・・レーザ光発生手段
１１・・・排気手段 １２・・・減圧室 １５・・・
反応室 ２０・・・ウィンドー ２７・・・Ｘ−Ｙステ
ージ２８．２９・・・ベローズ ３５・・・観察光学系
６５・・・記憶回路 ３６・・・Ｘ−Ｙステージ制御
回路 ３７・・・除害装置 ヶＮＡｊｆオオ ７１、Ｊｌｌ ゎ ヵ（、−第 ）
図 箭 ２呪 第 ４目
す断面図、第２図は本発明に係る金属薄膜析出装置の他
の一実施例を示す断面図、第３図は＄２図を補足説明す
る図で、上面から加工、セルを見た図、第４図は本発明
の実施例を用いてフォトマスク欠損欠陥修正を行う場合
の装置の全体構成図、第５図は従来技術を説明するため
略図である。 １・・・ホトマスク ２・・・加工セル ７・・・金属
薄膜析出用ガスの貯蔵手段 ８・・・レーザ光発生手段
１１・・・排気手段 １２・・・減圧室 １５・・・
反応室 ２０・・・ウィンドー ２７・・・Ｘ−Ｙステ
ージ２８．２９・・・ベローズ ３５・・・観察光学系
６５・・・記憶回路 ３６・・・Ｘ−Ｙステージ制御
回路 ３７・・・除害装置 ヶＮＡｊｆオオ ７１、Ｊｌｌ ゎ ヵ（、−第 ）
図 箭 ２呪 第 ４目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザ光を発生する手段と、観察、位置合せ及び上
記レーザ光発生手段から発生されたレーザ光を集光照射
するための光学系と、上記レーザ光を透過するウインド
ーを有し、かつ内部が金属薄膜を析出させる反応室と、
大気との圧力差により反応室と基板とを密着させるため
の減圧室の２室から成る加工セルと、反応室及び減圧室
を排気する排気手段と、上記反応室及び減圧室と上記排
気手段を開閉自由なバルブを介して連結する排気管と、
上記反応室にレーザ光照射により分解して金属薄膜を析
出する気体を発生あるいは貯蔵する手段を有し、基板の
所定個所に上記加工セルを用いて金属薄膜析出用の気体
を供給し、レーザ光照射を行ない金属薄膜を析出させる
ことを特徴とした金属薄膜析出装置。 ２、上記装置において、金属薄膜析出を行なう反応室と
、該反応室を基板に密着させるための減圧室を有する加
工セルを、レーザ光に対し、基板の裏側に密着させて、
基板の表側からレーザ光を照射し、金属薄膜を析出させ
ることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の金属薄膜
析出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158118A JPS6220871A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 金属薄膜析出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60158118A JPS6220871A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 金属薄膜析出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220871A true JPS6220871A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15664691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60158118A Pending JPS6220871A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 金属薄膜析出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220871A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5001960A (en) * | 1988-06-10 | 1991-03-26 | Casio Computer Co., Ltd. | Apparatus for controlling reproduction on pitch variation of an input waveform signal |
| US5014589A (en) * | 1988-03-31 | 1991-05-14 | Casio Computer Co., Ltd. | Control apparatus for electronic musical instrument for generating musical tone having tone pitch corresponding to input waveform signal |
| US5018427A (en) * | 1987-10-08 | 1991-05-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Input apparatus of electronic system for extracting pitch data from compressed input waveform signal |
| US5018428A (en) * | 1986-10-24 | 1991-05-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic musical instrument in which musical tones are generated on the basis of pitches extracted from an input waveform signal |
| US5048391A (en) * | 1988-06-27 | 1991-09-17 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic musical instrument for generating musical tones on the basis of characteristics of input waveform signal |
| US5147970A (en) * | 1989-08-11 | 1992-09-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic musical instrument for generating musical tones on the basis of characteristics of input waveform signal |
| JP2013128074A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Tosoh Corp | 基体表面の傷の修復方法 |
| CN108570665A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60158118A patent/JPS6220871A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018428A (en) * | 1986-10-24 | 1991-05-28 | Casio Computer Co., Ltd. | Electronic musical instrument in which musical tones are generated on the basis of pitches extracted from an input waveform signal |
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| JP2013128074A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Tosoh Corp | 基体表面の傷の修復方法 |
| CN108570665A (zh) * | 2017-03-14 | 2018-09-25 | Hb技术有限公司 | 薄膜形成装置 |
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