JP4543047B2 - 荷電ビーム装置および欠陥修正方法 - Google Patents
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Description
(i)ガス供給機構のノズルから基板表面へガスを供給すると、ノズルから噴出したガスが真空中を拡散し、チャンバや光学鏡筒内が汚染するため、配線ケーブルが腐食するほか、荷電ビーム源が劣化し、その結果、荷電ビームが不安定化する。
(ii)ガスと荷電ビームとの衝突によるビーム散乱により、基板上で荷電ビームを絞ることができなくなり、荷電ビームのフォーカス位置がズレてしまう。
(iii)ビーム照射位置の近傍にガス供給機構(ノズル)を配置すると、ビーム照射位置近傍に生ずるチャージアップにより不均一な電界がビーム照射位置およびその近傍で発生し、収差によるビーム径増大やビーム位置のシフトが生じてしまう。
(iv)基板の表面とガス供給機構との間はガス圧が高いために、基板またはステージに高電圧のリターディング電圧を印加すると、基板表面とガス供給機構の間で放電が起こってしまう。
荷電ビームを生成して基板の表面に照射する荷電ビーム源と、
前記荷電ビームの焦点合わせを行う対物レンズと、
前記基板に面して略平行となる底面を有し、前記対物レンズと前記基板との間に設けられて前記基板の表面にガスを供給するガス機構であって、前記荷電ビームの通過を可能にする開口部と、前記ガス機構の内部を経由して前記開口部直下の領域へ前記ガスを噴射するガス吹出口と、噴射される前記ガスを前記開口部直下の領域から吸い入れて前記ガス機構の内部を経由して排気するガス吸入口と、を有するガス機構と、
を含む鏡筒を備え、
前記ガス吹出口および前記ガス吸入口は、それぞれの開口面が前記ガス機構の前記底面と同一平面にあるように、前記ガス機構の前記底面に配置される、
ことを特徴とする荷電ビーム装置が提供される。
荷電ビームを生成する荷電ビーム源と、前記荷電ビームの焦点合わせを行う対物レンズと、前記基板に面して略平行となる底面を有し、前記対物レンズと前記基板との間に設けられて前記基板の表面にガスを供給するガス機構と、を含む鏡筒を備える荷電ビーム装置を用いて基板の欠陥を修正する欠陥修正方法であって、
前記ガス機構は、前記荷電ビームの通過を可能にする開口部と、その開口面が前記底面と同一平面にあるように前記底面に配置されて前記基板へ前記ガスを噴射するガス吹出口と、その開口面が前記底面と同一平面にあるように前記底面に配置され、噴射される前記ガスを吸い入れて排気するガス吸入口と、を有し、
前記荷電ビーム源により荷電ビームを生成して欠陥を有する基板の表面に照射する荷電ビーム照射工程と、
前記ガス機構の内部を経由して前記ガス吹出口から前記開口部直下の領域へガスを噴射するガス噴射工程と、
噴射された前記ガスを前記ガス吸入口により前記開口部直下の領域から前記ガス機構の内部を経由して吸い入れて排気するガス排気工程と、
前記荷電ビームの照射および前記ガスの噴射による、前記基板の一部の除去および前記基板の一部への膜の堆積の少なくともいずれかを介して前記欠陥を修正する工程と、
を備える欠陥修正方法が提供される。
荷電ビームを生成して欠陥を有する基板の表面に照射する荷電ビーム照射工程と、
前記荷電ビームの前記基板への照射位置の近傍に局所的にガスを噴射するガス噴射工程と、
噴射された前記ガスを前記照射位置の近傍で吸い入れて排気するガス排気工程と、
前記荷電ビームの照射および前記ガスの噴射により誘導される前記ガスの変化により、前記基板の一部を選択的に除去する工程と、
を備えるエッチング方法。
前記荷電ビーム照射工程は、前記ガス噴射工程で噴射される前記ガスの流量に応じて前記荷電ビームの焦点を補正する焦点補正工程を含むことを特徴とする付記1に記載のエッチング方法。
荷電ビームを生成して欠陥を有する基板の表面に照射する荷電ビーム照射工程と、
前記荷電ビームの前記基板への照射位置の近傍に局所的にガスを噴射するガス噴射工程と、
噴射された前記ガスを前記照射位置の近傍で吸い入れて排気するガス排気工程と、
前記荷電ビームの照射および前記ガスの噴射により誘導される前記ガスの変化により、前記基板の一部へ膜を選択的に堆積させる工程と、
を備えるデポジション方法。
基板の表面にガスを噴出しながら前記基板の表面を前記荷電ビームで走査することにより、ガスの荷電ビームアシストによって前記基板の表面層を選択的に除去し、または、前記基板の表面に膜を堆積させる荷電ビーム装置を用いた前記基板の処理において前記基板の表面の帯電を防止する方法であって、
前記荷電ビームの前記基板への照射位置の近傍に局所的にガスを噴射するガス噴射工程と、
噴射された前記ガスを前記照射位置の近傍で吸い入れて排気するガス排気工程と、
を備える方法。
前記荷電ビーム装置は、前記基板に近接するように設けられて前記基板にガスを供給するガス機構であって、前記荷電ビームの通過を可能にする開口部と、前記荷電ビームの前記基板への照射位置の近傍に局所的に前記ガスを噴射するガス吹出口と、噴射される前記ガスを前記照射位置の近傍で吸い入れて排気するガス吸入口と、を有するガス機構をさらに備え、
前記基板にリターディング電圧を印加する第1の電圧印加工程と、
前記第1の電圧印加工程により印加される前記リターディング電圧と前記ガス噴射工程で噴射される前記ガスの流量との関係に基づいて、前記リターディング電圧および前記ガス流量に応じた電圧を前記ガス機構に印加する第2の電圧印加工程をさらに備える付記4に記載の帯電防止方法。
10:光学鏡筒
12:電子銃
14:コンデンサレンズ
16:偏向器
18:対物レンズ
22:ステージ
32:二次電子検出器
34:二次電子コントローラ
40:ガス源
52:ガス流量計
60:制御コンピュータ
70:ディスプレイ
AP:アパーチャ
BO2,BO6a,BO6b,BO8a〜BO8d:ガス吹出口
BN2,BN6a,BN6b,BN8a〜BN8d:ガス吹出ノズル
MG2,MG4,MG6,MG8:ガス機構
PS2,PS4,PS6,PS8,PS10,PS12:電源
PV:圧力調整弁
SC1〜SC3:ガスボンベ
SN2,SN4,SN6a,SN6b,SN8a〜SN8d:ガス吸入ノズル
SO2,SO4,SO6a,SO6b,SO8a〜SO8d:ガス吸入口
V1〜V3:バルブ
VP2,VP4:真空ポンプ
Claims (4)
- 荷電ビームを生成して基板の表面に照射する荷電ビーム源と、
前記荷電ビームの焦点合わせを行う対物レンズと、
前記基板に面して略平行となる底面を有し、前記対物レンズと前記基板との間に設けられて前記基板の表面にガスを供給するガス機構であって、前記荷電ビームの通過を可能にする開口部と、前記ガス機構の内部を経由して前記開口部直下の領域へ前記ガスを噴射するガス吹出口と、噴射される前記ガスを前記開口部直下の領域から吸い入れて前記ガス機構の内部を経由して排気するガス吸入口と、を有するガス機構と、
を含む鏡筒を備え、
前記ガス吹出口および前記ガス吸入口は、それぞれの開口面が前記ガス機構の前記底面と同一平面にあるように、前記ガス機構の前記底面に配置される、
ことを特徴とする荷電ビーム装置。 - 噴射される前記ガスの流量に応じて前記対物レンズの焦点位置を補正する焦点位置補正手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の荷電ビーム装置。
- 前記基板を支持し、電圧印加が可能なステージをさらに備え、
前記ガス機構は、電圧印加が可能な電極として機能する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の荷電ビーム装置。 - 荷電ビームを生成する荷電ビーム源と、前記荷電ビームの焦点合わせを行う対物レンズと、前記基板に面して略平行となる底面を有し、前記対物レンズと前記基板との間に設けられて前記基板の表面にガスを供給するガス機構と、を含む鏡筒を備える荷電ビーム装置を用いて基板の欠陥を修正する欠陥修正方法であって、
前記ガス機構は、前記荷電ビームの通過を可能にする開口部と、その開口面が前記底面と同一平面にあるように前記底面に配置されて前記基板へ前記ガスを噴射するガス吹出口と、その開口面が前記底面と同一平面にあるように前記底面に配置され、噴射される前記ガスを吸い入れて排気するガス吸入口と、を有し、
前記荷電ビーム源により荷電ビームを生成して欠陥を有する基板の表面に照射する荷電ビーム照射工程と、
前記ガス機構の内部を経由して前記ガス吹出口から前記開口部直下の領域へガスを噴射するガス噴射工程と、
噴射された前記ガスを前記ガス吸入口により前記開口部直下の領域から前記ガス機構の内部を経由して吸い入れて排気するガス排気工程と、
前記荷電ビームの照射および前記ガスの噴射による、前記基板の一部の除去および前記基板の一部への膜の堆積の少なくともいずれかを介して前記欠陥を修正する工程と、
を備える欠陥修正方法。
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