JP2000231897A - 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 - Google Patents
光学鏡筒及びそのクリーニング方法Info
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- JP2000231897A JP2000231897A JP11031359A JP3135999A JP2000231897A JP 2000231897 A JP2000231897 A JP 2000231897A JP 11031359 A JP11031359 A JP 11031359A JP 3135999 A JP3135999 A JP 3135999A JP 2000231897 A JP2000231897 A JP 2000231897A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子線縮小転写装置等において、開口の裏面
や下流もクリーニングされ、さらに酸化膜が形成され難
い光学鏡筒及びそのクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光学鏡筒は、エネルギ線光源か
ら試料に至る光学系を収容するもので、（i ）放電室１
８で酸素ラジカルを発生させ、排気配管９から排気する
手段、（ii）酸素を酸素ガスボンベ２０’から鏡筒内に
導入し、鏡筒内の絶縁されたブランキング偏向器９と接
地されたライナチューブ７の間に高周波数放電を起こす
手段、（iii ）酸素を酸素ガスボンベ２０’から鏡筒内
に導入し、鏡筒内の開口の周辺を電子銃からのエネルギ
線で走査しながら照射する手段、のうち少なくとも２つ
を備える。
や下流もクリーニングされ、さらに酸化膜が形成され難
い光学鏡筒及びそのクリーニング方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光学鏡筒は、エネルギ線光源か
ら試料に至る光学系を収容するもので、（i ）放電室１
８で酸素ラジカルを発生させ、排気配管９から排気する
手段、（ii）酸素を酸素ガスボンベ２０’から鏡筒内に
導入し、鏡筒内の絶縁されたブランキング偏向器９と接
地されたライナチューブ７の間に高周波数放電を起こす
手段、（iii ）酸素を酸素ガスボンベ２０’から鏡筒内
に導入し、鏡筒内の開口の周辺を電子銃からのエネルギ
線で走査しながら照射する手段、のうち少なくとも２つ
を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、線幅が０．１μm
以下の微細・高密度パターンを高スループットで形成す
る電子線転写縮小装置等の光学鏡筒及びそのクリーニン
グ方法に関する。特には、電子線縮小転写装置等で鏡筒
内部がコンタミネーションによって汚れ、ビーム不安定
が生じるのを防止する方法等に関する。
以下の微細・高密度パターンを高スループットで形成す
る電子線転写縮小装置等の光学鏡筒及びそのクリーニン
グ方法に関する。特には、電子線縮小転写装置等で鏡筒
内部がコンタミネーションによって汚れ、ビーム不安定
が生じるのを防止する方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線露光装置を例に採って説明する。
従来、鏡筒を分解せずに光学鏡筒内のコンタミネーショ
ンに起因するchargingを防止する方法として、次の４つ
の方法が行われている。 （１）鏡筒内部に酸化性ガスを流した状態で電子線を汚
れた部分に照射してクリーニングを行う。 （２）鏡筒内部に酸化性ガスを導入し、アースに対して
絶縁された金属部品とアース間に高周波電圧を印加し、
内部で放電を起こしてプラズマを作り、酸素プラズマで
汚れを分解除去する。 （３）鏡筒にラジカルを流す導入口と反応生成物を排気
する排気口とを設け、鏡筒外部で放電を起こし、酸素ラ
ジカルを鏡筒内部に電子銃側から流して汚れを除去する
（ダウンフローアッシング）。これらの方法は、特開平
６３−３０８８５６号等に公開されている。
従来、鏡筒を分解せずに光学鏡筒内のコンタミネーショ
ンに起因するchargingを防止する方法として、次の４つ
の方法が行われている。 （１）鏡筒内部に酸化性ガスを流した状態で電子線を汚
れた部分に照射してクリーニングを行う。 （２）鏡筒内部に酸化性ガスを導入し、アースに対して
絶縁された金属部品とアース間に高周波電圧を印加し、
内部で放電を起こしてプラズマを作り、酸素プラズマで
汚れを分解除去する。 （３）鏡筒にラジカルを流す導入口と反応生成物を排気
する排気口とを設け、鏡筒外部で放電を起こし、酸素ラ
ジカルを鏡筒内部に電子銃側から流して汚れを除去する
（ダウンフローアッシング）。これらの方法は、特開平
６３−３０８８５６号等に公開されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法は
以下の問題点を有する。 （１）の方法では電子線が入射しない面（例えばアパー
チャの裏面や偏向器の裏面）の汚れが取り難い。 （２）の方法では、絶縁されていない金属部品がクリー
ニングされない。また、金属部品が酸化され、酸化膜に
よって逆にchargingが生じることがある。 （３）の方法では、ラジカルの流れが直接当らない開口
の裏面等がクリーニングされ難い。また、ラジカルの流
れの中に小さい開口があると、ラジカルが開口に当って
中性のガスになってしまい不安定となり、開口の下流側
がクリーニングされ難くなる。さらに、ラジカルとの反
応によって金属表面に酸化膜が形成され、それが新たな
chargingを起こすことがあるので、クリーニング後にＮ
2 ラジカルを流し、金属の酸化物を還元し、発生したＮ
Ｏx を排気除去する必要があった。
以下の問題点を有する。 （１）の方法では電子線が入射しない面（例えばアパー
チャの裏面や偏向器の裏面）の汚れが取り難い。 （２）の方法では、絶縁されていない金属部品がクリー
ニングされない。また、金属部品が酸化され、酸化膜に
よって逆にchargingが生じることがある。 （３）の方法では、ラジカルの流れが直接当らない開口
の裏面等がクリーニングされ難い。また、ラジカルの流
れの中に小さい開口があると、ラジカルが開口に当って
中性のガスになってしまい不安定となり、開口の下流側
がクリーニングされ難くなる。さらに、ラジカルとの反
応によって金属表面に酸化膜が形成され、それが新たな
chargingを起こすことがあるので、クリーニング後にＮ
2 ラジカルを流し、金属の酸化物を還元し、発生したＮ
Ｏx を排気除去する必要があった。
【０００４】さらに、いずれの方法においても酸素ガス
を導入するため、白金等の酸化され難い材料でコーティ
ングされていない金属部品は酸化されてしまう。そのた
め、その酸化物がビームドリフトを引き起こしたり、機
械部品を故障させる原因となる場合があった。また、大
部分の真空部品はうず電流を防ぐため絶縁物の表面にの
み白金等でコーティングされている。あまり過剰に放電
処理すると、温度上昇等でコーティングがはがれるおそ
れがあった。
を導入するため、白金等の酸化され難い材料でコーティ
ングされていない金属部品は酸化されてしまう。そのた
め、その酸化物がビームドリフトを引き起こしたり、機
械部品を故障させる原因となる場合があった。また、大
部分の真空部品はうず電流を防ぐため絶縁物の表面にの
み白金等でコーティングされている。あまり過剰に放電
処理すると、温度上昇等でコーティングがはがれるおそ
れがあった。
【０００５】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたもので、電子線縮小転写装置等において、開口の裏
面や下流もクリーニングされ、酸化膜が形成され難く、
さらにコーティングがはがれるおそれのない光学鏡筒及
びそのクリーニング方法を提供することを目的とする。
れたもので、電子線縮小転写装置等において、開口の裏
面や下流もクリーニングされ、酸化膜が形成され難く、
さらにコーティングがはがれるおそれのない光学鏡筒及
びそのクリーニング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】上
記の課題を解決するため、本発明の第１態様の光学鏡筒
は、 エネルギ線光源から試料に至る光学系を収容する
光学鏡筒であって； 絶縁物の表面に薄く導体をコーテ
ィングした真空部品を含み、 （i ）鏡筒内の真空容器
の一方から酸素ラジカルを導入して真空容器の他方から
排気する手段、（ii）酸素を鏡筒内に導入し、鏡筒内の
絶縁された金属部品と接地された金属部品の間に高周波
数放電を起こす手段、（iii ）酸素を鏡筒内に導入し、
鏡筒内の開口の周辺をエネルギ線で走査しながら照射す
る手段、 のうち少なくとも２つを備えることを特徴と
する。この態様においては、上記（i ）において、酸素
ラジカルを導入するのは試料側であり排気するのが光源
側とするのが好ましい。さらに上記（ii）において、高
周波を印加するのはブランキング偏向器あるいはビーム
検出電極とすることができる。
記の課題を解決するため、本発明の第１態様の光学鏡筒
は、 エネルギ線光源から試料に至る光学系を収容する
光学鏡筒であって； 絶縁物の表面に薄く導体をコーテ
ィングした真空部品を含み、 （i ）鏡筒内の真空容器
の一方から酸素ラジカルを導入して真空容器の他方から
排気する手段、（ii）酸素を鏡筒内に導入し、鏡筒内の
絶縁された金属部品と接地された金属部品の間に高周波
数放電を起こす手段、（iii ）酸素を鏡筒内に導入し、
鏡筒内の開口の周辺をエネルギ線で走査しながら照射す
る手段、 のうち少なくとも２つを備えることを特徴と
する。この態様においては、上記（i ）において、酸素
ラジカルを導入するのは試料側であり排気するのが光源
側とするのが好ましい。さらに上記（ii）において、高
周波を印加するのはブランキング偏向器あるいはビーム
検出電極とすることができる。
【０００７】すなわち、開口の周辺部は、酸素ガスを鏡
筒内に導入して、開口付近をエネルギ線で照射してクリ
ーニングする（上記（iii ）の手段）。開口の裏面は、
鏡筒の下部から酸素ラジカルを導入してクリーニングす
る（上記（i ）の手段）。静電偏向器等は、酸素を鏡筒
内に導入し、高周波放電を起こして酸素プラズマを発生
させてクリーニングする（上記（ii）の手段）。
筒内に導入して、開口付近をエネルギ線で照射してクリ
ーニングする（上記（iii ）の手段）。開口の裏面は、
鏡筒の下部から酸素ラジカルを導入してクリーニングす
る（上記（i ）の手段）。静電偏向器等は、酸素を鏡筒
内に導入し、高周波放電を起こして酸素プラズマを発生
させてクリーニングする（上記（ii）の手段）。
【０００８】複数の方法でクリーニングを行うので、各
方法の短所を互いに補い、一つの方法でクリーニングし
たときに生じる局部的なコンタミネーションが残ること
がない。また、一つの方法でクリーニングされ難い場所
を他の方法でクリーニングするため、各方法でのクリー
ニング時間は短く、長時間の過剰なクリーニングによる
金属部品の酸化あるいは金属コーティングのはがれを防
ぐことができる。なお、（i ）及び（ii）の手段で、鏡
筒内に導入されてラジカルを発生させる気体は酸素でも
酸素を含む気体であってもよい。
方法の短所を互いに補い、一つの方法でクリーニングし
たときに生じる局部的なコンタミネーションが残ること
がない。また、一つの方法でクリーニングされ難い場所
を他の方法でクリーニングするため、各方法でのクリー
ニング時間は短く、長時間の過剰なクリーニングによる
金属部品の酸化あるいは金属コーティングのはがれを防
ぐことができる。なお、（i ）及び（ii）の手段で、鏡
筒内に導入されてラジカルを発生させる気体は酸素でも
酸素を含む気体であってもよい。
【０００９】本発明の第２態様の光学鏡筒は、 エネル
ギ線光源から試料に至る光学系を収容する光学鏡筒であ
って； 試料を収容する試料チャンバ、又は試料に転写
するパターン原板（レチクル）を収容するレチクルチャ
ンバが付設されており、 酸素又は酸素ラジカルを鏡筒
内に導入する手段、及び、鏡筒内に導入された酸素又は
酸素ラジカルが試料チャンバ又はレチクルチャンバに流
れ込むのを阻害する手段を備えることを特徴とする。阻
害する手段の一例として、通常稼働中の鏡筒内における
レチクル又は試料のある位置にダミーを置くことができ
る。このような構成によって、鏡筒内に導入された酸素
又は酸素ラジカルは、各チャンバへ流れにくくなり（コ
ンダクタンスが小さくなる）、チャンバ内の酸化を防ぐ
ことができる。
ギ線光源から試料に至る光学系を収容する光学鏡筒であ
って； 試料を収容する試料チャンバ、又は試料に転写
するパターン原板（レチクル）を収容するレチクルチャ
ンバが付設されており、 酸素又は酸素ラジカルを鏡筒
内に導入する手段、及び、鏡筒内に導入された酸素又は
酸素ラジカルが試料チャンバ又はレチクルチャンバに流
れ込むのを阻害する手段を備えることを特徴とする。阻
害する手段の一例として、通常稼働中の鏡筒内における
レチクル又は試料のある位置にダミーを置くことができ
る。このような構成によって、鏡筒内に導入された酸素
又は酸素ラジカルは、各チャンバへ流れにくくなり（コ
ンダクタンスが小さくなる）、チャンバ内の酸化を防ぐ
ことができる。
【００１０】本発明の第３態様の光学鏡筒は、上記エネ
ルギ線光源を酸素又は酸素ラジカルに対して遮蔽する手
段をさらに備えることを特徴とする。上述の手段のう
ち、酸素を鏡筒内に導入し、高周波放電を起こして酸素
プラズマを発生させてクリーニングする（上記（ii））
手段、及び、鏡筒の下部から酸素ラジカルを導入してク
リーニングする（上記（i ））手段においては、電子銃
等のエネルギ線光源を用いる必要がない。したがって、
この手段を使用する場合は、エネルギ線光源である電子
銃を鏡筒内部と遮蔽し、電子銃のカソードを酸素や酸素
ラジカルによる酸化から保護することができる。
ルギ線光源を酸素又は酸素ラジカルに対して遮蔽する手
段をさらに備えることを特徴とする。上述の手段のう
ち、酸素を鏡筒内に導入し、高周波放電を起こして酸素
プラズマを発生させてクリーニングする（上記（ii））
手段、及び、鏡筒の下部から酸素ラジカルを導入してク
リーニングする（上記（i ））手段においては、電子銃
等のエネルギ線光源を用いる必要がない。したがって、
この手段を使用する場合は、エネルギ線光源である電子
銃を鏡筒内部と遮蔽し、電子銃のカソードを酸素や酸素
ラジカルによる酸化から保護することができる。
【００１１】以下、図を参照しつつ説明する。図１は、
本発明の実施例に係る光学鏡筒の概略を示す図である。
電子銃は、カソード加熱ヒータ１、カソード２、ウェー
ネルト３、アノード４等により構成されており、電子銃
のすぐ下にはバルブ５が設けられている。このバルブ５
は、電子銃と、その下方に位置する光学鏡筒のライナチ
ューブ７の間を選択的に遮蔽する。
本発明の実施例に係る光学鏡筒の概略を示す図である。
電子銃は、カソード加熱ヒータ１、カソード２、ウェー
ネルト３、アノード４等により構成されており、電子銃
のすぐ下にはバルブ５が設けられている。このバルブ５
は、電子銃と、その下方に位置する光学鏡筒のライナチ
ューブ７の間を選択的に遮蔽する。
【００１２】ライナチューブ７は電子銃から真っ直ぐ下
方に伸び、ほぼ中央部にレチクルチャンバ１５が設けら
れ、最下部にウェハチャンバ２４が設けられている。レ
チクル１３は、レチクルチャンバ１５内をレチクルステ
ージ１４上に載置されて移動する。レチクル１３が、電
子銃の光軸から外れてレチクルチャンバ１５内に移動し
たとき、レチクルステージ１４の一部（ダミー部１４
ａ）はライナチューブ７を塞ぐように光軸付近に位置す
る。このとき、ダミー部１４ａの上下面とライナチュー
ブ７間には、狭いオリフィス１１が形成される。レチク
ルチャンバ１５には排気管２５を介して、真空ポンプが
接続されている。また、レチクルステージ１４の光軸周
辺の部分には孔１２が設けられており、エネルギ線やラ
ジカルは容易にレチクルステージ１４の上下の空間の間
を通過する。ライナチューブ７の外側には偏向器があ
り、偏向磁場の高速の変化が真空内へ時間遅れなく入る
ように、このライナチューブはセラミックの内側に白金
をコーティングした構造になっている。
方に伸び、ほぼ中央部にレチクルチャンバ１５が設けら
れ、最下部にウェハチャンバ２４が設けられている。レ
チクル１３は、レチクルチャンバ１５内をレチクルステ
ージ１４上に載置されて移動する。レチクル１３が、電
子銃の光軸から外れてレチクルチャンバ１５内に移動し
たとき、レチクルステージ１４の一部（ダミー部１４
ａ）はライナチューブ７を塞ぐように光軸付近に位置す
る。このとき、ダミー部１４ａの上下面とライナチュー
ブ７間には、狭いオリフィス１１が形成される。レチク
ルチャンバ１５には排気管２５を介して、真空ポンプが
接続されている。また、レチクルステージ１４の光軸周
辺の部分には孔１２が設けられており、エネルギ線やラ
ジカルは容易にレチクルステージ１４の上下の空間の間
を通過する。ライナチューブ７の外側には偏向器があ
り、偏向磁場の高速の変化が真空内へ時間遅れなく入る
ように、このライナチューブはセラミックの内側に白金
をコーティングした構造になっている。
【００１３】ウェハ２１は、ウェハチャンバ２４内をウ
ェハステージ２２上に載置されて移動する。ウェハ２１
が光軸から外れてウェハチャンバ２４内に移動したと
き、ウェハステージ２２の一部（ダミー部２２ａ）はラ
イナチューブ７を塞ぐよう光軸付近に位置する。このと
き、ダミー部２２ａの上面とライナチューブ７間には、
狭いオリフィス２３が形成される。ウェハチャンバ２４
には排気管２７を介して真空ポンプが接続されている。
ェハステージ２２上に載置されて移動する。ウェハ２１
が光軸から外れてウェハチャンバ２４内に移動したと
き、ウェハステージ２２の一部（ダミー部２２ａ）はラ
イナチューブ７を塞ぐよう光軸付近に位置する。このと
き、ダミー部２２ａの上面とライナチューブ７間には、
狭いオリフィス２３が形成される。ウェハチャンバ２４
には排気管２７を介して真空ポンプが接続されている。
【００１４】電子銃とレチクルチャンバ１５間には、上
から偏向器２５、成形開口８、ブランキング偏向器９が
配置されている。ブランキング偏向器９には高周波電源
１０から高周波電圧が供給される。レチクルチャンバ１
５とウェハチャンバ２４間には、上から偏向器２６、コ
ントラスト開口１６、偏向器２８が配置されている。偏
向器２８には高周波電源１７から高周波電圧が供給され
る。
から偏向器２５、成形開口８、ブランキング偏向器９が
配置されている。ブランキング偏向器９には高周波電源
１０から高周波電圧が供給される。レチクルチャンバ１
５とウェハチャンバ２４間には、上から偏向器２６、コ
ントラスト開口１６、偏向器２８が配置されている。偏
向器２８には高周波電源１７から高周波電圧が供給され
る。
【００１５】偏向器２８とウェハチャンバ２４の間に
は、放電室１８を介して酸素ガスボンベ２０が接続され
ている。放電室１８と酸素ガスボンベ２０間にはバルブ
１９が設けられている。放電室１８には高周波電源１７
が接続されており、酸素ガスボンベ２０から供給された
酸素に高周波放電を与え酸素ラジカルを発生させる。ま
た、上方のブランキング偏向器９とレチクルチャンバ１
５間には、バルブ１９’を介して酸素ガスボンベ２０’
が接続されている。また、電子銃と成形開口８の間には
排気配管６が接続されている。
は、放電室１８を介して酸素ガスボンベ２０が接続され
ている。放電室１８と酸素ガスボンベ２０間にはバルブ
１９が設けられている。放電室１８には高周波電源１７
が接続されており、酸素ガスボンベ２０から供給された
酸素に高周波放電を与え酸素ラジカルを発生させる。ま
た、上方のブランキング偏向器９とレチクルチャンバ１
５間には、バルブ１９’を介して酸素ガスボンベ２０’
が接続されている。また、電子銃と成形開口８の間には
排気配管６が接続されている。
【００１６】クリーニングを行う際は、まず、レチクル
ステージ１４とウェハステージ２２を、これらのステー
ジのダミー部１４ａ、２２ａとライナチューブ７間に狭
いオリフィス１１、２３が形成させるように移動させて
固定する。なお、通常の転写を行っているときは、レチ
クル１３やウェハ２１とライナチューブ７間は十分間隔
が広いので高速でステージを移動させても問題はない。
ステージ１４とウェハステージ２２を、これらのステー
ジのダミー部１４ａ、２２ａとライナチューブ７間に狭
いオリフィス１１、２３が形成させるように移動させて
固定する。なお、通常の転写を行っているときは、レチ
クル１３やウェハ２１とライナチューブ７間は十分間隔
が広いので高速でステージを移動させても問題はない。
【００１７】この状態で排気配管６のバルブを閉じて、
酸素ガスボンベ２０’から酸素を鏡筒内に供給する。供
給された酸素はレチクルステージ１４の孔１２を通って
レチクルチャンバ１５の下方の鏡筒内にも送られる。次
に、バルブ５を開き、電子銃からエネルギ線を照射す
る。このとき、電子線が開口８、１６の周辺を走査する
よう偏向器２５、２６で制御する。この作業によって開
口８、１６の周辺部上面がクリーニングされる。
酸素ガスボンベ２０’から酸素を鏡筒内に供給する。供
給された酸素はレチクルステージ１４の孔１２を通って
レチクルチャンバ１５の下方の鏡筒内にも送られる。次
に、バルブ５を開き、電子銃からエネルギ線を照射す
る。このとき、電子線が開口８、１６の周辺を走査する
よう偏向器２５、２６で制御する。この作業によって開
口８、１６の周辺部上面がクリーニングされる。
【００１８】次にバルブ５を閉じ、酸素ガスボンベ２
０’からさらに酸素ガスを供給する。上下の静電偏向器
９、２８に高周波電源１０、１７から高周波電圧を与
え、設置されたライナチューブ７と静電偏向器９、２８
間に高周波放電を起こさせ、酸素ラジカルを発生させ
る。この作業によって各偏向器やその周辺の部品のクリ
ーニングを行う。
０’からさらに酸素ガスを供給する。上下の静電偏向器
９、２８に高周波電源１０、１７から高周波電圧を与
え、設置されたライナチューブ７と静電偏向器９、２８
間に高周波放電を起こさせ、酸素ラジカルを発生させ
る。この作業によって各偏向器やその周辺の部品のクリ
ーニングを行う。
【００１９】この作業が所定の時間行われた後、下方の
酸素ガスボンベ２０から放電室１８に酸素を供給し、放
電室１８に高周波電源１７から高周波電圧を与え、酸素
ラジカルを発生させる。排気配管６のバルブを開くと酸
素ラジカルは光学鏡筒内を下方から上方に流れる。した
がって、開口８、１６の下面や偏向器９、２８から遠い
位置にある部品がクリーニングされる。このとき、レチ
クルステージ１４及びウェハステージ２２とライナチュ
ーブ７間には狭いオリフィス１１、２３が形成されてい
るので、ライナチューブ７からレチクルチャンバ１５や
ウェハチャンバ２４へ酸素が流れにくい。このとき、レ
チクルチャンバ１５及びウェハチャンバ２４の排気管２
５、２７のバルブを開け、真空ポンプから排気すること
によって、レチクルチャンバ１５やウェハチャンバ２４
の酸素分圧が高くならないように制御する。これらの真
空ポンプはクリーニング時のみ使用されるもので、低真
空度で高速排気可能な性能を有するものが使用される。
酸素ガスボンベ２０から放電室１８に酸素を供給し、放
電室１８に高周波電源１７から高周波電圧を与え、酸素
ラジカルを発生させる。排気配管６のバルブを開くと酸
素ラジカルは光学鏡筒内を下方から上方に流れる。した
がって、開口８、１６の下面や偏向器９、２８から遠い
位置にある部品がクリーニングされる。このとき、レチ
クルステージ１４及びウェハステージ２２とライナチュ
ーブ７間には狭いオリフィス１１、２３が形成されてい
るので、ライナチューブ７からレチクルチャンバ１５や
ウェハチャンバ２４へ酸素が流れにくい。このとき、レ
チクルチャンバ１５及びウェハチャンバ２４の排気管２
５、２７のバルブを開け、真空ポンプから排気すること
によって、レチクルチャンバ１５やウェハチャンバ２４
の酸素分圧が高くならないように制御する。これらの真
空ポンプはクリーニング時のみ使用されるもので、低真
空度で高速排気可能な性能を有するものが使用される。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、複数の方法を組み合わせてクリーニングを行
うため、各方法の短所を互いに補ったクリーニングを行
うことができる。したがって、開口の裏面や下流、偏向
器の周辺もクリーニングされ、さらに酸化膜が形成され
難い光学鏡筒及びそのクリーニング方法を提供すること
ができる。
によれば、複数の方法を組み合わせてクリーニングを行
うため、各方法の短所を互いに補ったクリーニングを行
うことができる。したがって、開口の裏面や下流、偏向
器の周辺もクリーニングされ、さらに酸化膜が形成され
難い光学鏡筒及びそのクリーニング方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明の実施例に係る光学鏡筒の概略を示す図
である。
である。
１ カソード加熱ヒータ ２ カソード ３ ウェーネルト ４ アノード ５ バルブ ６ 排気配管 ７ ライナチューブ ８ 成形開口 ９ ブランキング偏向器 １０、１７ 高周波
電源 １１、２３ オリフィス １２ 孔 １３ レチクル １４ レチクルス
テージ １５ レチクルチャンバ １６ コントラス
ト開口 １８ 放電室 １９ バルブ ２０ 酸素ガスボンベ ２１ ウェハ ２２ ウェハステージ ２４ ウェハチャ
ンバ ２５、２７ 排気管 ２６ 偏向器 ２８ 偏向器
電源 １１、２３ オリフィス １２ 孔 １３ レチクル １４ レチクルス
テージ １５ レチクルチャンバ １６ コントラス
ト開口 １８ 放電室 １９ バルブ ２０ 酸素ガスボンベ ２１ ウェハ ２２ ウェハステージ ２４ ウェハチャ
ンバ ２５、２７ 排気管 ２６ 偏向器 ２８ 偏向器
Claims (8)
- 【請求項１】 エネルギ線光源から試料に至る光学系を
収容する光学鏡筒であって；絶縁物の表面に薄く導体を
コーティングした真空部品を含み、（i ）鏡筒内の真空
容器の一方から酸素ラジカルを導入して真空容器の他方
から排気する手段、（ii）酸素を鏡筒内に導入し、鏡筒
内の絶縁された金属部品と接地された金属部品の間に高
周波数放電を起こす手段、（iii ）酸素を鏡筒内に導入
し、鏡筒内の開口の周辺をエネルギ線で走査しながら照
射する手段、 のうち少なくとも２つを備えることを特徴とする光学鏡
筒。 - 【請求項２】 上記（i ）において、酸素ラジカルを試
料側から導入し光源側から排気することを特徴とする請
求項１記載の光学鏡筒。 - 【請求項３】 上記（ii）において、ブランキング偏向
器あるいはビーム検出電極に高周波を印加することを特
徴とする請求項１記載の光学鏡筒。 - 【請求項４】 エネルギ線光源から試料に至る光学系を
収容する光学鏡筒であって；試料を収容する試料チャン
バ、又は、試料に転写するパターン原板（レチクル）を
収容するレチクルチャンバが付設されており、 酸素又は酸素ラジカルを鏡筒内に導入する手段、及び、
鏡筒内に導入された酸素又は酸素ラジカルが試料チャン
バ又はレチクルチャンバに流れ込むのを阻害する手段を
備えることを特徴とする光学鏡筒。 - 【請求項５】 通常稼働中の鏡筒内におけるレチクル又
は試料のある位置にダミーを置くことを特徴とする請求
項１〜４いずれか１項記載の光学鏡筒。 - 【請求項６】 上記エネルギ線光源を酸素又は酸素ラジ
カルに対して遮蔽する手段をさらに備えることを特徴と
する請求項１〜５いずれか１項記載の光学鏡筒。 - 【請求項７】 エネルギ線光源から試料に至る光学系を
収容する光学鏡筒のクリーニング方法であって； （i ）鏡筒内の真空容器の一方から酸素ラジカルを導入
して真空容器の他方から排気する、（ii）酸素を鏡筒内
に導入し、鏡筒内の絶縁された金属部品と接地された金
属部品の間に高周波数放電を起こす、（iii ）酸素を鏡
筒内に導入し、鏡筒内の開口の周辺をエネルギ線で走査
しながら照射する、 のうち少なくとも２つを行うことを特徴とする光学鏡筒
クリーニング方法。 - 【請求項８】 エネルギ線光源から試料に至る光学系を
収容する光学鏡筒のクリーニング方法であって；該光学
鏡筒には、試料を収容する試料チャンバ、又は、試料に
転写するパターン原板（レチクル）を収容するレチクル
チャンバが付設されており、 酸素又は酸素ラジカルを鏡筒内に導入するとともに、鏡
筒内に導入された酸素又は酸素ラジカルが試料チャンバ
又はレチクルチャンバに流れ込むのを阻害することを特
徴とする光学鏡筒クリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031359A JP2000231897A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11031359A JP2000231897A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000231897A true JP2000231897A (ja) | 2000-08-22 |
Family
ID=12329054
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11031359A Pending JP2000231897A (ja) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 光学鏡筒及びそのクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000231897A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034659A1 (ja) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Advantest Corporation | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
| JP4758431B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2011-08-31 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
| JP2016081802A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社 テクネックス工房 | 電子線放射管 |
-
1999
- 1999-02-09 JP JP11031359A patent/JP2000231897A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007034659A1 (ja) * | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Advantest Corporation | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
| US7737421B2 (en) | 2005-09-26 | 2010-06-15 | Advantest Corp. | Electron beam exposure apparatus and method for cleaning the same |
| JP4758431B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2011-08-31 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
| JP2016081802A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社 テクネックス工房 | 電子線放射管 |
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