JPH0727855B2 - 電子ビーム露光装置のクリーニング方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置のクリーニング方法Info
- Publication number
- JPH0727855B2 JPH0727855B2 JP59182063A JP18206384A JPH0727855B2 JP H0727855 B2 JPH0727855 B2 JP H0727855B2 JP 59182063 A JP59182063 A JP 59182063A JP 18206384 A JP18206384 A JP 18206384A JP H0727855 B2 JPH0727855 B2 JP H0727855B2
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- Japan
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- electron beam
- column
- exposure apparatus
- beam exposure
- cleaning
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子ビーム露光装置のクリーニング方法に係
り、特にそのコラム部の汚れを除去する技術に関する。
り、特にそのコラム部の汚れを除去する技術に関する。
電子ビーム露光装置は、半導体デバイスパターンの微細
化に対する実現手段として着目され利用されている。
化に対する実現手段として着目され利用されている。
第３図に電子ビーム露光装置の一例を示す、第３図にお
いて、電子銃１から発生する電子線をアパーチャ2,5、
電子レンズ3,4,6、偏向電極７等から成る電子光学系を
介して電子線レジスト10が塗布されたSi等の基板８に照
射する。
いて、電子銃１から発生する電子線をアパーチャ2,5、
電子レンズ3,4,6、偏向電極７等から成る電子光学系を
介して電子線レジスト10が塗布されたSi等の基板８に照
射する。
９は基板８を支持するステージである。このような電子
ビーム露光装置において、真空内部品や電極、例えば偏
向電極７はビーム電流によって著しく汚れ易い。この汚
れは、主として炭素化合物である。偏向電極の他に汚れ
易い部分として、アパーチャ2,5等電子線をカットする
ものの上面も汚れ易い。これらの汚れにチャージアップ
することによってビームは位置ドリフトを受ける。この
ような現象はチャージアップドリフトと呼ばれコラムの
不安定要因としては最も重要なものであり、特に大電流
コラムでは、その防止のため部品掃除を頻繁にする必要
が生ずる。このチャージアップドリフトは、汚れの上の
チージにより不要な電界ができて、電子線が変動するも
のであるが、チャージの溜り方は電子線を出す時間とと
もに増加し、電子線を止めるとチャージがリークして減
少する等で、大きな不安定要因となるのである。そのた
め、コラムを分解して頻繁に、例えば１週間〜１か月に
１回掃除をしなければならないが、このように頻繁に分
解したり、掃除のために部品を洗浄したりする時間のロ
ス及び保守の手間は計り知れない損失である。
ビーム露光装置において、真空内部品や電極、例えば偏
向電極７はビーム電流によって著しく汚れ易い。この汚
れは、主として炭素化合物である。偏向電極の他に汚れ
易い部分として、アパーチャ2,5等電子線をカットする
ものの上面も汚れ易い。これらの汚れにチャージアップ
することによってビームは位置ドリフトを受ける。この
ような現象はチャージアップドリフトと呼ばれコラムの
不安定要因としては最も重要なものであり、特に大電流
コラムでは、その防止のため部品掃除を頻繁にする必要
が生ずる。このチャージアップドリフトは、汚れの上の
チージにより不要な電界ができて、電子線が変動するも
のであるが、チャージの溜り方は電子線を出す時間とと
もに増加し、電子線を止めるとチャージがリークして減
少する等で、大きな不安定要因となるのである。そのた
め、コラムを分解して頻繁に、例えば１週間〜１か月に
１回掃除をしなければならないが、このように頻繁に分
解したり、掃除のために部品を洗浄したりする時間のロ
ス及び保守の手間は計り知れない損失である。
本発明も目的は、従来、コラム等の汚れを除去するため
に、コラムを頻繁に分解して掃除しなけれならず、電子
ビーム露光装置の稼働率を上げることができず、保守の
手間が大変であるという問題を解決し、コラムを非分解
にしてクリーニングでき、稼働率の向上する、電子ビー
ム露光装置のクリーニング方法を提供することにある。
に、コラムを頻繁に分解して掃除しなけれならず、電子
ビーム露光装置の稼働率を上げることができず、保守の
手間が大変であるという問題を解決し、コラムを非分解
にしてクリーニングでき、稼働率の向上する、電子ビー
ム露光装置のクリーニング方法を提供することにある。
本発明においては、電子ビーム露光装置内のコラムの真
空内部品を電極をアースから絶縁し、高周波電圧を印加
し、ここへO2ガスを流し、炭素化合物の汚れをアッシン
グし、コラムを分解することなくクリーニングする。
空内部品を電極をアースから絶縁し、高周波電圧を印加
し、ここへO2ガスを流し、炭素化合物の汚れをアッシン
グし、コラムを分解することなくクリーニングする。
本発明の構成は以下に示す通りである。即ち、電子銃
（１）から発生し、アパーチャにより整形された電子線
をコラム内で偏向用の電源（12）に接続された偏向電極
（７）により偏向して電子線レジスト（10）が塗布され
た基板（８）に照射する電子ビーム露光装置のクリーニ
ング方法であって、 コラム内に酸素を含むガスを導入する工程と、 該コラム内に該ガスのプラズマを発生させ得る高周波電
源（11）を該偏向電極（７）に接続し、該偏向電極
（７）の汚れを該プラズマによりアッシング除去する工
程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置のク
リーニング方法としての構成を有する。
（１）から発生し、アパーチャにより整形された電子線
をコラム内で偏向用の電源（12）に接続された偏向電極
（７）により偏向して電子線レジスト（10）が塗布され
た基板（８）に照射する電子ビーム露光装置のクリーニ
ング方法であって、 コラム内に酸素を含むガスを導入する工程と、 該コラム内に該ガスのプラズマを発生させ得る高周波電
源（11）を該偏向電極（７）に接続し、該偏向電極
（７）の汚れを該プラズマによりアッシング除去する工
程とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置のク
リーニング方法としての構成を有する。
第１図は本発明の電子ビーム露光装置のクリーニング方
法の実施例を示す部分図であって、電極をクリーニング
する実施例を示す。第１図には偏向電極７の部分を示
し、クリーニング時に高周波電圧、例えば13.56MHzで50
0〜1000Vの高周波電圧電圧を高周波電源11により偏向電
極７に印加する。このとき、電子ビーム露光装置には酸
素（O2）ガスを導入し、その圧力は1torr程度とする。
するとO2ガスはプラズマ化され、偏向電極７の表面の炭
素化合物の汚れはアッシングされて除去される。偏向電
極７には高周波電圧を印加するには、偏向用の電源12に
接続しているコネクタ13をはずし、これに高周波電力を
印加する高周波電源11を接続すればよい（第３図参
照）。
法の実施例を示す部分図であって、電極をクリーニング
する実施例を示す。第１図には偏向電極７の部分を示
し、クリーニング時に高周波電圧、例えば13.56MHzで50
0〜1000Vの高周波電圧電圧を高周波電源11により偏向電
極７に印加する。このとき、電子ビーム露光装置には酸
素（O2）ガスを導入し、その圧力は1torr程度とする。
するとO2ガスはプラズマ化され、偏向電極７の表面の炭
素化合物の汚れはアッシングされて除去される。偏向電
極７には高周波電圧を印加するには、偏向用の電源12に
接続しているコネクタ13をはずし、これに高周波電力を
印加する高周波電源11を接続すればよい（第３図参
照）。
第２図は本発明の参考例を示す部分図であって、管壁の
汚れを除去する様子を示す。管壁はA,B,Cの３部分に分
かれ、Ｏリング14でシールされており,A,Cはアースに接
続され、Ｂは絶縁されている。そして、クリーニング時
にＢに高周波電圧が高周波電源11から印加される。この
ときＡ−Ｂ間,B−Ｃ間に電界が生じ、該部でO2ガスがプ
ラズマ化される。管壁の場合、構造上軸対称で同電位と
なるから、単に高周波電圧を加えるだけではプラズマが
内部に生じないので、適当に区切って、各部を絶縁し、
上記のごとく電界が内部に生ずるようにする必要があ
る。なお管壁の高周波電圧をかける部分（上記例では
Ｂ）は通常はアースに落しておいてクリーニングする時
のみ高周波電源11に接続するようにするとよい。
汚れを除去する様子を示す。管壁はA,B,Cの３部分に分
かれ、Ｏリング14でシールされており,A,Cはアースに接
続され、Ｂは絶縁されている。そして、クリーニング時
にＢに高周波電圧が高周波電源11から印加される。この
ときＡ−Ｂ間,B−Ｃ間に電界が生じ、該部でO2ガスがプ
ラズマ化される。管壁の場合、構造上軸対称で同電位と
なるから、単に高周波電圧を加えるだけではプラズマが
内部に生じないので、適当に区切って、各部を絶縁し、
上記のごとく電界が内部に生ずるようにする必要があ
る。なお管壁の高周波電圧をかける部分（上記例では
Ｂ）は通常はアースに落しておいてクリーニングする時
のみ高周波電源11に接続するようにするとよい。
なお、部品によっては本発明の処理により酸化するもの
があるが、これは処理後H2ガスを流してプラズマを発生
させ、還元すればよい。
があるが、これは処理後H2ガスを流してプラズマを発生
させ、還元すればよい。
本発明の電子ビーム露光装置のクリーニング方法によれ
ば、上述のごとく、コラムを分解することなく、コラム
へO2ガスを引込み、偏向電極に高周波電圧を印加するだ
けで炭素化合物のアッシングを行い汚れを除去すること
ができるから、コラムを非分解にしてクリーニングで
き、電子ビーム露光装置の稼働率向上に益するところ大
である。
ば、上述のごとく、コラムを分解することなく、コラム
へO2ガスを引込み、偏向電極に高周波電圧を印加するだ
けで炭素化合物のアッシングを行い汚れを除去すること
ができるから、コラムを非分解にしてクリーニングで
き、電子ビーム露光装置の稼働率向上に益するところ大
である。
第１図は本発明の実施例としての電子ビーム露光装置の
クリーニング方法を示す部分図、 第２図は本発明の参考例を示す部分図、 第３図は電子ビーム露光装置の一例の全体構成を示す
図。 １……電子銃 2,5……アパーチャ 2,4,6……電子レンズ ７……偏向電極 ８……基板 ９……ステージ 10……電子線レジスト 11……高周波電源 12……偏向用の電源 13……コネクタ 14……Ｏリング
クリーニング方法を示す部分図、 第２図は本発明の参考例を示す部分図、 第３図は電子ビーム露光装置の一例の全体構成を示す
図。 １……電子銃 2,5……アパーチャ 2,4,6……電子レンズ ７……偏向電極 ８……基板 ９……ステージ 10……電子線レジスト 11……高周波電源 12……偏向用の電源 13……コネクタ 14……Ｏリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−43069（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−60061（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−145641（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−20268（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】電子銃から発生し、アパーチャにより整形
された電子線をコラム内で偏向用の電源に接続された偏
向電極により偏向して電子線レジストが塗布された基板
に照射する電子ビーム露光装置のクリーニング方法であ
って、 コラム内に酸素を含むガスを導入する工程と、 該コラム内に該ガスのプラズマを発生させ得る高周波電
源を該偏向電極に接続し、該偏向電極の汚れを該プラズ
マによりアッシング除去する工程とを有することを特徴
とする電子ビーム露光装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182063A JPH0727855B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182063A JPH0727855B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159826A JPS6159826A (ja) | 1986-03-27 |
| JPH0727855B2 true JPH0727855B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=16111691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182063A Expired - Lifetime JPH0727855B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | 電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727855B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664025B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1997-10-15 | 日本電信電話株式会社 | 電子ビーム装置のクリーニング方法 |
| JP3253675B2 (ja) * | 1991-07-04 | 2002-02-04 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム照射装置及び方法 |
| US5401974A (en) * | 1993-03-18 | 1995-03-28 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same |
| JP3827359B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置 |
| JP2007088386A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
| JP4758431B2 (ja) * | 2006-08-29 | 2011-08-31 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143069A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-13 | Hitachi Ltd | Denshisensochinoshiborikuriininguho oyobi sochi |
| JPS5620268U (ja) * | 1979-07-24 | 1981-02-23 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59182063A patent/JPH0727855B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159826A (ja) | 1986-03-27 |
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