JPS6120321A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
- Publication number
- JPS6120321A JPS6120321A JP59140935A JP14093584A JPS6120321A JP S6120321 A JPS6120321 A JP S6120321A JP 59140935 A JP59140935 A JP 59140935A JP 14093584 A JP14093584 A JP 14093584A JP S6120321 A JPS6120321 A JP S6120321A
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- JP
- Japan
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- column
- exposure
- electrode
- electron beam
- gas
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子ビーム露光方法に係り、′Ｉ、１に電ｒヒ
ー１、露光装置におけるフラノ、内部の→−中−シノ′
ノブによるヒーｌ、］リットをＩ坊１１する力ｌ去に関
゛４る。
ー１、露光装置におけるフラノ、内部の→−中−シノ′
ノブによるヒーｌ、］リットをＩ坊１１する力ｌ去に関
゛４る。
極度に微細化され高密度高４ｔｉ冒ヒされＪ、 Ｌ Ｓ
Ｉや超ＬＳＩ等のパターン形成に４；ｉ 、電子ビー
ムによる直接ｉ＋Ｗ光技術が用いられる。
Ｉや超ＬＳＩ等のパターン形成に４；ｉ 、電子ビー
ムによる直接ｉ＋Ｗ光技術が用いられる。
電子ヒーム公）光においては、露光装置６“の：コラム
内に付着した、該コラムを排気する真空ポンプの油、被
露光基板から飛散したレジスト、等の帯電によってビー
ムが曲げられる、所謂電子ビームのチャージアップドリ
フトによって露光精度が低下せしめられるという問題が
ある。
内に付着した、該コラムを排気する真空ポンプの油、被
露光基板から飛散したレジスト、等の帯電によってビー
ムが曲げられる、所謂電子ビームのチャージアップドリ
フトによって露光精度が低下せしめられるという問題が
ある。
特に上記直接露光においては露光スピードを上げてスル
ープ・７トを高めるために、通常のマスク製作の際の露
光等に比べて２桁以上大きい高電流の電子ビームを用い
て露光がなされる。そのためビーム照射を受けたレジス
ト面がバブリングを起こして飛散するのでコラム内に付
着するレジストの量が増大し、それに伴ってチャージア
ップドリフトの量も増大する。
ープ・７トを高めるために、通常のマスク製作の際の露
光等に比べて２桁以上大きい高電流の電子ビームを用い
て露光がなされる。そのためビーム照射を受けたレジス
ト面がバブリングを起こして飛散するのでコラム内に付
着するレジストの量が増大し、それに伴ってチャージア
ップドリフトの量も増大する。
このビームドリフト量の増大は、ＬＳＩや超１．３１等
のパターンを形成する際に必要な０．１ｐｍ程度以上の
露光精度を維持することを困難にするので、上記チャー
ジアップトリフ１−４Ｊを減少せしめる手段の開発が強
く要望されている。
のパターンを形成する際に必要な０．１ｐｍ程度以上の
露光精度を維持することを困難にするので、上記チャー
ジアップトリフ１−４Ｊを減少せしめる手段の開発が強
く要望されている。
従来上記チャージアップドリフトの量を少なく抑えて露
光を行うためには、問題になる程度のドリフトが生じて
きた時点で、コラムを分解し、コラムを構成する部品を
清浄化された部品と交換する方法が行われていた。
光を行うためには、問題になる程度のドリフトが生じて
きた時点で、コラムを分解し、コラムを構成する部品を
清浄化された部品と交換する方法が行われていた。
然しなから、電子ビーム露光装置の二１ラムは極めて複
雑に構成され、且つ高精度で組立られているので、該コ
ラムを構成する部品の交換には熱線した技術や多大の労
力と時間を要し、史には前記のように高い露光精度を得
るために交換頻度も非常に高まるために、作業が中断す
る時間が増大して、装置の使用効率が大幅に低下すると
いう問題を生じていた。
雑に構成され、且つ高精度で組立られているので、該コ
ラムを構成する部品の交換には熱線した技術や多大の労
力と時間を要し、史には前記のように高い露光精度を得
るために交換頻度も非常に高まるために、作業が中断す
る時間が増大して、装置の使用効率が大幅に低下すると
いう問題を生じていた。
」−記聞照点は、電子ビーム露光装置のコラムの内部に
該コラムの軸方向に沿って電極を挿入し、該電極とコラ
ム内壁との間に高周波電圧を印加して該コラムの内部に
プラズマを発４卜せしめ、該プラスマにより該コラム内
壁面の付着物をアッシング除去する工程を含む本発明に
よる電子ビーフ。露光方法によって解決される。
該コラムの軸方向に沿って電極を挿入し、該電極とコラ
ム内壁との間に高周波電圧を印加して該コラムの内部に
プラズマを発４卜せしめ、該プラスマにより該コラム内
壁面の付着物をアッシング除去する工程を含む本発明に
よる電子ビーフ。露光方法によって解決される。
即ち本発明の方法においては、電子ビームのチャージア
ンプドリフト量が所要の許容限界に近づいた時点で一時
露光処理を停止し、該露光装置のコラム内の中心軸近傍
領域にその軸方向に沿って該コラムと絶縁された電極を
挿入し、コラム内をガスの流量と真空排気量とのバラン
スによって所定のガス圧に保った状態において、該電極
とコラム内壁との間に高周波電圧を印加して該コラム内
にガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマによりコラ
ム内壁面に付着しているレジスト、オイル等の打機汚染
物質をアッシング除去した後、再び該コラム内を高真空
に排気して、引続き露光処理を行うものである。
ンプドリフト量が所要の許容限界に近づいた時点で一時
露光処理を停止し、該露光装置のコラム内の中心軸近傍
領域にその軸方向に沿って該コラムと絶縁された電極を
挿入し、コラム内をガスの流量と真空排気量とのバラン
スによって所定のガス圧に保った状態において、該電極
とコラム内壁との間に高周波電圧を印加して該コラム内
にガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマによりコラ
ム内壁面に付着しているレジスト、オイル等の打機汚染
物質をアッシング除去した後、再び該コラム内を高真空
に排気して、引続き露光処理を行うものである。
此の方法によれば、コラムを分解せずその侭の状態で、
極く短時間露光処理を中断して上記アッシング処理を行
うだけで、極めて容易にチャージアップドリフト量を減
少させて高精度の２＠光処理に復帰ができるので、電子
ビーム露光装置の使用効率及び作業能率の向上が図よ１
イ）と同１１．′Ｉに、十ト−ン゛メノプ］リフトの除
去操作を＄ｉ！’）；’、に行も、二とが０１能になる
ので露光ｆｌ′ＩＩｎも向ト°Ｊイ、。
極く短時間露光処理を中断して上記アッシング処理を行
うだけで、極めて容易にチャージアップドリフト量を減
少させて高精度の２＠光処理に復帰ができるので、電子
ビーム露光装置の使用効率及び作業能率の向上が図よ１
イ）と同１１．′Ｉに、十ト−ン゛メノプ］リフトの除
去操作を＄ｉ！’）；’、に行も、二とが０１能になる
ので露光ｆｌ′ＩＩｎも向ト°Ｊイ、。
以下本発明に係わる′電子ビーム藷光装；１°１゛、Ｊ
うＪ、内面の清浄化方法を、第１図及び第２図に示す一
つの実施例により具体的に説明する。
うＪ、内面の清浄化方法を、第１図及び第２図に示す一
つの実施例により具体的に説明する。
全図を通じ同一対称物は同一符号で示す。
第１図は本発明を実施する際に一例として用いた可変整
形ビーム方式の電子ヒームｉｌ′８光装置を模式的に示
した側断面図である。
形ビーム方式の電子ヒームｉｌ′８光装置を模式的に示
した側断面図である。
同図において、ｌは電子ビームを発生ずる電子銃、２は
電子ビームを遮断するビームブランキング電極、３は第
１の電子レンズを形成する電磁コイル、４はスリット、
５ばビーム整形用のデフレクタ、６は第２の電子レンズ
を形成する電＆［コイル、７は第１のビーム整形用アパ
ーチャ、８は第３の電子レンズを形成する電磁コイル、
９は第２のビームＨＢ用アパーチャ、１０はビームデフ
レクションコイル、１１は第４の電子レンズを形成する
電磁コイル、１２はビームデフレクタ、１３は非磁性体
金属で構成され内面に非酸化性金属が被着されているコ
ラム（電子ビーム鏡筒）、１４は露光用チャンバ、１５
は反射電子検出器、１６はＸ−Ｙ移動ステージ、１７は
ステージ移動手段、１８はウェーハホルダ、１９は被露
光基板、２０．２］、 ２２は真空排気管、２３はガス
導入管、２４は表面に非酸化性金属が被着されているロ
ッド状電極、２５はエアシリンダ等のロッド状電極挿入
引出し手段、２６は真空パツキンを示す。
電子ビームを遮断するビームブランキング電極、３は第
１の電子レンズを形成する電磁コイル、４はスリット、
５ばビーム整形用のデフレクタ、６は第２の電子レンズ
を形成する電＆［コイル、７は第１のビーム整形用アパ
ーチャ、８は第３の電子レンズを形成する電磁コイル、
９は第２のビームＨＢ用アパーチャ、１０はビームデフ
レクションコイル、１１は第４の電子レンズを形成する
電磁コイル、１２はビームデフレクタ、１３は非磁性体
金属で構成され内面に非酸化性金属が被着されているコ
ラム（電子ビーム鏡筒）、１４は露光用チャンバ、１５
は反射電子検出器、１６はＸ−Ｙ移動ステージ、１７は
ステージ移動手段、１８はウェーハホルダ、１９は被露
光基板、２０．２］、 ２２は真空排気管、２３はガス
導入管、２４は表面に非酸化性金属が被着されているロ
ッド状電極、２５はエアシリンダ等のロッド状電極挿入
引出し手段、２６は真空パツキンを示す。
該実施例においては、ビームドリフトｕが所定の許容量
に近づいた時点で露光作業を一時停止し、Ｘ−Ｙ移動ス
テージ１６を側方に移動し、図示被昂光基板１９をウェ
ーハホルダ１８と共に装置外部に取り除いた状態で、露
光用チャンバ１４の底面から例えば直径５１程度のロッ
ド状電極２５をコラム１３の中心軸にそって第２のビー
ム整形用アパーチャ９の下部まで挿入する。
に近づいた時点で露光作業を一時停止し、Ｘ−Ｙ移動ス
テージ１６を側方に移動し、図示被昂光基板１９をウェ
ーハホルダ１８と共に装置外部に取り除いた状態で、露
光用チャンバ１４の底面から例えば直径５１程度のロッ
ド状電極２５をコラム１３の中心軸にそって第２のビー
ム整形用アパーチャ９の下部まで挿入する。
次いでガス導入管２３から酸素（０２）を含むガ゛ス、
例えば０□にプラズマ発生を促進するためのアルボン（
Ａｒ）及び活性寿命を延ばすための四弗化炭素（ＣＦ、
）を加えた混合ガスを所定の流量で流入しながら、主と
して真空排気管２１から所定量の真空排気を行ってコラ
ム１３及び露光用チャンバ１４の内部をｌ Ｔｏｒｒ程
度のカス圧に維持する。
例えば０□にプラズマ発生を促進するためのアルボン（
Ａｒ）及び活性寿命を延ばすための四弗化炭素（ＣＦ、
）を加えた混合ガスを所定の流量で流入しながら、主と
して真空排気管２１から所定量の真空排気を行ってコラ
ム１３及び露光用チャンバ１４の内部をｌ Ｔｏｒｒ程
度のカス圧に維持する。
なお上記０２を含むガスは、０２単体であっても良く、
又清浄化され乾燥された空気でも差支えない。
又清浄化され乾燥された空気でも差支えない。
次いで接地（Ｇ）されているコラム１３及びチャンバ１
４とロット状電極２５の間に、例えば１３．５６ Ｍｌ
ｌｚ ５０〜１００Ｗ程度の高周波電力（ＲＦ）を印加
し、コラム】３及びチャンバ１４内に０２ブうスマを発
生させる。
４とロット状電極２５の間に、例えば１３．５６ Ｍｌ
ｌｚ ５０〜１００Ｗ程度の高周波電力（ＲＦ）を印加
し、コラム】３及びチャンバ１４内に０２ブうスマを発
生させる。
そして該Ｏ，プラズマによって、Ｌとし’（′Ｊラム］
３及びチャンバ１４の内壁＋ｆ＋ｉ、デソレクタ１２及
び反射′心７−検出器の、表面番ご付二ン、Ｌ、（いる
レンス１及びオイルを、充分に時間をか番）（完全にア
ノンンゲ除去する。ごの際要４′る時間＃１Ｌ３０〜６
０秒稈度ｅある。
３及びチャンバ１４の内壁＋ｆ＋ｉ、デソレクタ１２及
び反射′心７−検出器の、表面番ご付二ン、Ｌ、（いる
レンス１及びオイルを、充分に時間をか番）（完全にア
ノンンゲ除去する。ごの際要４′る時間＃１Ｌ３０〜６
０秒稈度ｅある。
なお該゛７ノシング処理においで真空１）Ｆ気を排気管
２１から主として行ったのは、効果的なガスの流れを作
るためで、他の排気管から同時に真空排気を行っても勿
論差支えない。
２１から主として行ったのは、効果的なガスの流れを作
るためで、他の排気管から同時に真空排気を行っても勿
論差支えない。
上記ア・ノシング処理を終わったならば高周波の・印加
及びガスの流入を停止し、ロッド状電極２５を露光用チ
ャンバ１４の内部から引出し、総ての真空排気管２０，
２１．２２から所定の真空排気を行ってコラム１３及び
露光用チャンバ１４の内部を所定の高真空状態に復帰し
た後、被露光基板１９を固定したウェーハホルダ１８を
ステージ１６上に搭載し、該ステージ１６を所定の位置
へ移動して通常の露光処理を再開する。
及びガスの流入を停止し、ロッド状電極２５を露光用チ
ャンバ１４の内部から引出し、総ての真空排気管２０，
２１．２２から所定の真空排気を行ってコラム１３及び
露光用チャンバ１４の内部を所定の高真空状態に復帰し
た後、被露光基板１９を固定したウェーハホルダ１８を
ステージ１６上に搭載し、該ステージ１６を所定の位置
へ移動して通常の露光処理を再開する。
なお上記実施例の装置においては、第２のアパーチャ９
より上のコラム内面のアッシング処理は充分になされな
いが、レジスＩが多く被着しビームドリフトに大きく影
響するのは主とし′Ｃ第２のアパーチャ９より下部の領
域なので、該領域が充分に清浄化されればビームのチャ
ージアップドリフトは殆どなくなる。
より上のコラム内面のアッシング処理は充分になされな
いが、レジスＩが多く被着しビームドリフトに大きく影
響するのは主とし′Ｃ第２のアパーチャ９より下部の領
域なので、該領域が充分に清浄化されればビームのチャ
ージアップドリフトは殆どなくなる。
第２図は他の実施例に用いた装置を示したちのＣある。
此の例では表面に非酸化性金属がＨｉｆｆされた金属ワ
イヤ３１によって画周波電極が構成される。
イヤ３１によって画周波電極が構成される。
該金属ワイヤ３１は気密なワイヤ通路を有し且つ該金属
ワイヤ３１と導通する電極挿入管３２を介し゛（コラム
１３の内部に導入され、先端部に錘３３が垂下される。
ワイヤ３１と導通する電極挿入管３２を介し゛（コラム
１３の内部に導入され、先端部に錘３３が垂下される。
またコラム外部の端部は巻き取り手段３４に巻かれてい
る。
る。
該電極挿入管３２は真空パツキン３３を介してコ”ｙ）
・１３に差し込まれ、エアシリンダ等の駆動手段３５に
より矢印に示す図上左右方向に移動可能に形成されてい
る。
・１３に差し込まれ、エアシリンダ等の駆動手段３５に
より矢印に示す図上左右方向に移動可能に形成されてい
る。
該装置を用いコラム１３内部の７ノシング処理を行うに
際しては、コラム内をｌ Ｔｏｒｒ程度の前記ガス圧に
維持した状態で、電極挿入管３２の先端部をほぼコラム
１３の中心軸位置まで挿入し、前記巻き取り手段３４か
ら金属ワイヤ３１を繰り出して該金属ツイヤ３１をコラ
ム１３のほぼ中心軸位置に垂下させ、該金属ワイヤ３１
に電極挿入管３２を介して高周波電力（ＲＦ）を印加し
７、該金属ツイヤ３１の垂下部よりなる高周波電極と接
地（Ｇ）されたコラム１３及びチャンバ１４の内壁との
間に０□プラズマを発生させる。
際しては、コラム内をｌ Ｔｏｒｒ程度の前記ガス圧に
維持した状態で、電極挿入管３２の先端部をほぼコラム
１３の中心軸位置まで挿入し、前記巻き取り手段３４か
ら金属ワイヤ３１を繰り出して該金属ツイヤ３１をコラ
ム１３のほぼ中心軸位置に垂下させ、該金属ワイヤ３１
に電極挿入管３２を介して高周波電力（ＲＦ）を印加し
７、該金属ツイヤ３１の垂下部よりなる高周波電極と接
地（Ｇ）されたコラム１３及びチャンバ１４の内壁との
間に０□プラズマを発生させる。
そしてアッシング処理を終わったならば、高周波電力（
ＲＦ）の印加をよびガス流入を停止し、金属ワイヤ３１
を前記巻き取り手段によって引き上げ、電極挿入管３２
の先端部を露光操作の邪魔にならない位置まで移動した
後、コラム１３及びナヤンハ１４の内部を所定の高真空
に排気して通常の露光処理を再開する。なおこの方法に
おいてはステージ１６は露光位置に置いた状態でアッシ
ング処理を行うことが可能であり、ステージ１６．１−
面の清浄化も同時に充分に行われる。
ＲＦ）の印加をよびガス流入を停止し、金属ワイヤ３１
を前記巻き取り手段によって引き上げ、電極挿入管３２
の先端部を露光操作の邪魔にならない位置まで移動した
後、コラム１３及びナヤンハ１４の内部を所定の高真空
に排気して通常の露光処理を再開する。なおこの方法に
おいてはステージ１６は露光位置に置いた状態でアッシ
ング処理を行うことが可能であり、ステージ１６．１−
面の清浄化も同時に充分に行われる。
この方法においてもアッシング処理に必要な時間は前記
実施例同様３０〜６０秒程度であり、ガス圧調整等の種
々の準備時間を含めても、第１．第２の実施例のアッシ
ング処理によって通常の露光処理が中断されるロス時間
は１時間もあれば充分である。
実施例同様３０〜６０秒程度であり、ガス圧調整等の種
々の準備時間を含めても、第１．第２の実施例のアッシ
ング処理によって通常の露光処理が中断されるロス時間
は１時間もあれば充分である。
以上説明したように本発明によれば、電子ビーム露光装
置のコラム及び露光用チャンバ内面に被着し電子ビーム
のチャージアップドリフＩ・の原因になるレジストやオ
イル等の有機汚染物質を、掻く短時間で容易に除去する
ことができる。
置のコラム及び露光用チャンバ内面に被着し電子ビーム
のチャージアップドリフＩ・の原因になるレジストやオ
イル等の有機汚染物質を、掻く短時間で容易に除去する
ことができる。
従って本発明は電子ビーム露光における作業効率の向上
、及び露光精度の向上に大きな効果を有する。
、及び露光精度の向上に大きな効果を有する。
第１図及び第２図は本発明の異なる実施例に用いた電子
ビーム露光装置の模式側断面図である。 図において、 １は電子銃、 ２はビームブランキング電極、 ３は第１の電子レンズを形成する電磁コイル、４はスリ
ット、 ５はビーム整形用のデフレクタ、 ６は第２の電子レンズを形成する電磁コイル、７は第１
のビーム整形用アパーチャ、 ８は第３の電子レンズを形成′する電磁コイル、９は第
２のビーム整形用アパーチャ、 １０ハヒームデフレクシヨンコイル、 １１は第４の電子レンズを形成する電磁コイル、１２は
ビームデフレクタ、 １３はコラム（電子ビーム鏡筒）、 １４は露光用チャンバ、 １５は反射電子検出器、 １６はｘ−Ｙ移動ステージ、 １７はステージ移動手段、 １８はウェーハホルダ、 １９は被露光基板、 ２０、２１．２２は真空排気管、 ２３はガス導入管、 ２４はロッド状電極、 ２５はロッド状電極挿入引出し手段、 ２６は真空パツキン、 ＲＦは高周波電力、 Ｇは接地を示す。 昂 １ 図 第 、２ 図
ビーム露光装置の模式側断面図である。 図において、 １は電子銃、 ２はビームブランキング電極、 ３は第１の電子レンズを形成する電磁コイル、４はスリ
ット、 ５はビーム整形用のデフレクタ、 ６は第２の電子レンズを形成する電磁コイル、７は第１
のビーム整形用アパーチャ、 ８は第３の電子レンズを形成′する電磁コイル、９は第
２のビーム整形用アパーチャ、 １０ハヒームデフレクシヨンコイル、 １１は第４の電子レンズを形成する電磁コイル、１２は
ビームデフレクタ、 １３はコラム（電子ビーム鏡筒）、 １４は露光用チャンバ、 １５は反射電子検出器、 １６はｘ−Ｙ移動ステージ、 １７はステージ移動手段、 １８はウェーハホルダ、 １９は被露光基板、 ２０、２１．２２は真空排気管、 ２３はガス導入管、 ２４はロッド状電極、 ２５はロッド状電極挿入引出し手段、 ２６は真空パツキン、 ＲＦは高周波電力、 Ｇは接地を示す。 昂 １ 図 第 、２ 図
Claims (1)
- 電子ビーム露光装置のコラムの内部に該コラムの軸方向
に沿って電極を挿入し、該電極とコラム内壁との間に高
周波電圧を印加して該コラムの内部にプラズマを発生せ
しめ、該プラズマにより該コラム内壁面の付着物をアッ
シング除去する工程を含むことを特徴とする電子ビーム
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140935A JPS6120321A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59140935A JPS6120321A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120321A true JPS6120321A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15280237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59140935A Pending JPS6120321A (ja) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120321A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5312519A (en) * | 1991-07-04 | 1994-05-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning a charged beam apparatus |
| US5401974A (en) * | 1993-03-18 | 1995-03-28 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure apparatus and method of cleaning the same |
| EP0757373A2 (en) * | 1995-07-17 | 1997-02-05 | Eaton Corporation | In situ removal of contaminants from the interior surfaces of an ion beam implanter |
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-
1984
- 1984-07-06 JP JP59140935A patent/JPS6120321A/ja active Pending
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