JPH06188182A - 荷電ビーム照射方法及び装置 - Google Patents
荷電ビーム照射方法及び装置Info
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- JPH06188182A JPH06188182A JP34009492A JP34009492A JPH06188182A JP H06188182 A JPH06188182 A JP H06188182A JP 34009492 A JP34009492 A JP 34009492A JP 34009492 A JP34009492 A JP 34009492A JP H06188182 A JPH06188182 A JP H06188182A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 鏡筒の真空容器１内にはその構成部品である
ビーム収束用電磁コイル２と整形アパーチャ３が取り付
けられており、外部には洗浄用ガス導入系４が設けられ
ている。洗浄用ガス導入系４には洗浄用ガス導入系４よ
り真空容器１の内部へ洗浄用ガスを導入するノズル５が
接続されている。ノズル５は整形アパーチャ３上の電子
ビーム８の被照射領域６に局所的に吹き付け可能な開口
部７を有している。ビーム照射と同時に、洗浄用ガス導
入系４でＯ2 ガスを高周波放電によって活性化し、その
結果発生する原子状酸素Ｏ* をノズル５により導入し、
堆積物が付きやすい電子ビーム照射領域６に局所的に吹
き付ける。 【効果】 荷電ビーム照射装置内の汚染された部品、内
壁、及び狭い隙間の内部を、他の部品を損傷せずに洗浄
することができる。
ビーム収束用電磁コイル２と整形アパーチャ３が取り付
けられており、外部には洗浄用ガス導入系４が設けられ
ている。洗浄用ガス導入系４には洗浄用ガス導入系４よ
り真空容器１の内部へ洗浄用ガスを導入するノズル５が
接続されている。ノズル５は整形アパーチャ３上の電子
ビーム８の被照射領域６に局所的に吹き付け可能な開口
部７を有している。ビーム照射と同時に、洗浄用ガス導
入系４でＯ2 ガスを高周波放電によって活性化し、その
結果発生する原子状酸素Ｏ* をノズル５により導入し、
堆積物が付きやすい電子ビーム照射領域６に局所的に吹
き付ける。 【効果】 荷電ビーム照射装置内の汚染された部品、内
壁、及び狭い隙間の内部を、他の部品を損傷せずに洗浄
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造時に
用いられる荷電ビーム照射方法及び装置に関し、特に電
子照射によって堆積する汚染物を除去することができる
荷電ビーム照射方法及び装置に関する。
用いられる荷電ビーム照射方法及び装置に関し、特に電
子照射によって堆積する汚染物を除去することができる
荷電ビーム照射方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電ビーム照射装置においては、電子の
照射により炭化水素系堆積物が装置内の部品等に付着す
ることが問題となっている。この堆積物は電子ビームを
用いる電子ビーム露光装置や各種分析装置のみならずイ
オンビーム照射装置においても、イオンビーム照射の際
発生する二次電子等によっても付着する。
照射により炭化水素系堆積物が装置内の部品等に付着す
ることが問題となっている。この堆積物は電子ビームを
用いる電子ビーム露光装置や各種分析装置のみならずイ
オンビーム照射装置においても、イオンビーム照射の際
発生する二次電子等によっても付着する。
【０００３】炭化水素系堆積物はチャージアップの原因
となるため、大きな問題となっていた。例えば、電子ビ
ーム露光装置においてはチャージアップはビームドリフ
トの原因になるので露光精度に直接係わるものである。
となるため、大きな問題となっていた。例えば、電子ビ
ーム露光装置においてはチャージアップはビームドリフ
トの原因になるので露光精度に直接係わるものである。
【０００４】従来は、問題になる程度のドリフトが生じ
た時点で真空容器を大気開放し、鏡筒を分解し、清浄な
部品と交換していた。しかしながら、電子ビーム露光装
置の鏡筒は極めて複雑に構成され、かつ高精度で組み立
てられているので、前記鏡筒を構成する部品の交換には
多大の労力と時間を要する。
た時点で真空容器を大気開放し、鏡筒を分解し、清浄な
部品と交換していた。しかしながら、電子ビーム露光装
置の鏡筒は極めて複雑に構成され、かつ高精度で組み立
てられているので、前記鏡筒を構成する部品の交換には
多大の労力と時間を要する。
【０００５】その結果、運転が中断する時間が増え、装
置の使用効率が大幅に低下するという問題が生じてい
た。
置の使用効率が大幅に低下するという問題が生じてい
た。
【０００６】上記した問題を解決する方法及び装置とし
て、堆積物と反応して揮発性の化合物を形成すべく選択
された反応性ガスを真空容器内に導入しその揮発性の化
合物を真空容器から除去する方法及び装置がある（特開
昭６０−７７３４０号公報、特開平４−９４５２４号公
報参照）。
て、堆積物と反応して揮発性の化合物を形成すべく選択
された反応性ガスを真空容器内に導入しその揮発性の化
合物を真空容器から除去する方法及び装置がある（特開
昭６０−７７３４０号公報、特開平４−９４５２４号公
報参照）。
【０００７】しかし、これら方法及び装置では真空容器
内全域に反応性ガスが充満するため、最も厚く堆積して
いるところを完全に除去するためには洗浄不要な部品ま
でも長時間反応性ガスにさらす結果になる。
内全域に反応性ガスが充満するため、最も厚く堆積して
いるところを完全に除去するためには洗浄不要な部品ま
でも長時間反応性ガスにさらす結果になる。
【０００８】電子ビーム露光装置等の場合、汚染はビー
ム軌道近傍に集中的に生じるものであり、このような方
式は無駄である。一方、真空容器内には様々な材質の部
品やリード線などがあるため、必要以上に反応性ガスを
導入すると、表面が酸化される等の欠点があった。
ム軌道近傍に集中的に生じるものであり、このような方
式は無駄である。一方、真空容器内には様々な材質の部
品やリード線などがあるため、必要以上に反応性ガスを
導入すると、表面が酸化される等の欠点があった。
【０００９】別の欠点として、荷電ビーム照射装置内の
狭い隙間の奥に反応性ガスを供給して洗浄を行おうとし
ても、途中で消費されたり、壁と衝突をして失活してし
まう。このため、静電偏向レンズの内部や細長いスリー
ブ等の筒形状の部品の内部を洗浄するのは困難であっ
た。
狭い隙間の奥に反応性ガスを供給して洗浄を行おうとし
ても、途中で消費されたり、壁と衝突をして失活してし
まう。このため、静電偏向レンズの内部や細長いスリー
ブ等の筒形状の部品の内部を洗浄するのは困難であっ
た。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の荷電ビーム照射
方法及び装置では、真空容器内全域に反応性ガスが充満
するため、洗浄不要な部品までも反応性ガスにさらさ
れ、表面が酸化されたり、狭い隙間を洗浄するのが困難
であるという問題があった。
方法及び装置では、真空容器内全域に反応性ガスが充満
するため、洗浄不要な部品までも反応性ガスにさらさ
れ、表面が酸化されたり、狭い隙間を洗浄するのが困難
であるという問題があった。
【００１１】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、洗浄が不必要な他部品を損傷することなく、真
空容器に付着した汚染物のみを除去する事ができ、さら
に狭い隙間を洗浄可能な荷電ビーム照射方法及び装置を
提供することを目的とする。
であり、洗浄が不必要な他部品を損傷することなく、真
空容器に付着した汚染物のみを除去する事ができ、さら
に狭い隙間を洗浄可能な荷電ビーム照射方法及び装置を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述した問題を解決する
ため、本発明の荷電ビーム照射方法は、荷電ビーム照射
装置の鏡筒内に設けられている該鏡筒の構成部品あるい
は該鏡筒の真空容器の内壁に付着した汚染物に、この汚
染物と反応して揮発性の化合物を形成する洗浄用ガス
を、該真空容器内圧力よりも高圧力で局所的に吹き付
け、前記汚染物を除去する工程を含むことを特徴として
いる。
ため、本発明の荷電ビーム照射方法は、荷電ビーム照射
装置の鏡筒内に設けられている該鏡筒の構成部品あるい
は該鏡筒の真空容器の内壁に付着した汚染物に、この汚
染物と反応して揮発性の化合物を形成する洗浄用ガス
を、該真空容器内圧力よりも高圧力で局所的に吹き付
け、前記汚染物を除去する工程を含むことを特徴として
いる。
【００１３】あるいは本発明の荷電ビーム照射方法は、
荷電ビーム照射装置の鏡筒内に設けられている該鏡筒の
構成部品あるいは該鏡筒の真空容器の内壁の汚染物が付
着する領域に、汚染物と反応して揮発性の化合物を形成
する洗浄用ガスを、該真空容器内圧力よりも高圧力で局
所的に荷電ビーム照射と同時に吹き付け、前記汚染物の
付着を防止する工程を含むことを特徴としている。
荷電ビーム照射装置の鏡筒内に設けられている該鏡筒の
構成部品あるいは該鏡筒の真空容器の内壁の汚染物が付
着する領域に、汚染物と反応して揮発性の化合物を形成
する洗浄用ガスを、該真空容器内圧力よりも高圧力で局
所的に荷電ビーム照射と同時に吹き付け、前記汚染物の
付着を防止する工程を含むことを特徴としている。
【００１４】また、本発明の荷電ビーム照射装置は、鏡
筒の真空容器の外部に設けられ、該真空容器内部へ洗浄
用ガスを導入するガス導入手段と、該ガス導入手段と接
続され、該ガス導入手段より前記真空容器内部へ導入す
る洗浄用ガスを、該真空容器内の構成部品あるいは該真
空容器の内壁に付着した汚染物に、該真空容器内圧力よ
りも高圧力で局所的に吹き付け可能な開口部を有するノ
ズルとを具備している。
筒の真空容器の外部に設けられ、該真空容器内部へ洗浄
用ガスを導入するガス導入手段と、該ガス導入手段と接
続され、該ガス導入手段より前記真空容器内部へ導入す
る洗浄用ガスを、該真空容器内の構成部品あるいは該真
空容器の内壁に付着した汚染物に、該真空容器内圧力よ
りも高圧力で局所的に吹き付け可能な開口部を有するノ
ズルとを具備している。
【００１５】なお、本発明の荷電ビーム照射方法及び装
置において、真空容器の外部に該真空容器と隔離可能な
洗浄室を設け、汚染された構成部品を真空度を保ったま
ま前記洗浄室へ搬送し、該洗浄室で洗浄した後、再び前
記真空容器へ部品を搬送するようにしても良い。
置において、真空容器の外部に該真空容器と隔離可能な
洗浄室を設け、汚染された構成部品を真空度を保ったま
ま前記洗浄室へ搬送し、該洗浄室で洗浄した後、再び前
記真空容器へ部品を搬送するようにしても良い。
【００１６】また、前記ノズルの開口は、洗浄しようと
している狭い隙間の内部に向けられるか、あるいは挿入
されるのがよく、さらに外側が金属、内側が非金属であ
るのが理想的である。
している狭い隙間の内部に向けられるか、あるいは挿入
されるのがよく、さらに外側が金属、内側が非金属であ
るのが理想的である。
【００１７】
【作用】本発明においては、荷電ビーム照射装置の真空
容器内で、ノズルにより洗浄用ガスを汚染された部分に
局所的に吹き付けるので、汚染物は効率よく除去され、
かつ洗浄が不必要な部分は反応性ガスにほとんどさらさ
れない。
容器内で、ノズルにより洗浄用ガスを汚染された部分に
局所的に吹き付けるので、汚染物は効率よく除去され、
かつ洗浄が不必要な部分は反応性ガスにほとんどさらさ
れない。
【００１８】また本発明によれば、ノズルの先端を光学
系の静電偏向レンズやスリーブ等の狭い隙間の内部に挿
入し、洗浄ガスの活性種を失活させることなく奥まで十
分に供給する。
系の静電偏向レンズやスリーブ等の狭い隙間の内部に挿
入し、洗浄ガスの活性種を失活させることなく奥まで十
分に供給する。
【００１９】さらに本発明によれば、洗浄用ガスとして
放電により生成した活性種を用い、外側が金属、内側が
非金属であるノズルを用い電子ビームによるチャージア
ップを防止しながら活性種を失活させず、小流量の洗浄
ガスで効果的に洗浄することができる。
放電により生成した活性種を用い、外側が金属、内側が
非金属であるノズルを用い電子ビームによるチャージア
ップを防止しながら活性種を失活させず、小流量の洗浄
ガスで効果的に洗浄することができる。
【００２０】さらにまた、真空容器と隔離可能な洗浄室
を設ければ、汚染された部品を荷電ビーム照射装置の真
空容器内の真空度を保ったまま、真空容器に外部に設け
られた洗浄室へ搬送し、真空室と洗浄室間を離隔してか
ら洗浄室内で洗浄ガスを吹き付けて部品を洗浄できるの
で、汚染された部品以外の部分を反応性ガスに全くさら
すことなく洗浄できる。
を設ければ、汚染された部品を荷電ビーム照射装置の真
空容器内の真空度を保ったまま、真空容器に外部に設け
られた洗浄室へ搬送し、真空室と洗浄室間を離隔してか
ら洗浄室内で洗浄ガスを吹き付けて部品を洗浄できるの
で、汚染された部品以外の部分を反応性ガスに全くさら
すことなく洗浄できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明による荷電ビーム照射装置方法
及び装置の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
及び装置の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明における荷電ビーム照射方法
及び装置の第１の実施例を説明するための鏡筒の一部の
断面図である。
及び装置の第１の実施例を説明するための鏡筒の一部の
断面図である。
【００２３】第１の実施例では、鏡筒の構成部品である
整形アパーチャへの汚染を防止する方法を示す。
整形アパーチャへの汚染を防止する方法を示す。
【００２４】図１に示すように、鏡筒の真空容器１内に
は鏡筒の構成部品であるビーム収束用電磁コイル２と整
形アパーチャ３が取り付けられている。真空容器１の外
部には洗浄用ガス導入系４が設けられており、この洗浄
用ガス導入系４には洗浄用ガス導入系４より真空容器１
の内部へ洗浄用ガスを導入するノズル５が接続されてい
る。
は鏡筒の構成部品であるビーム収束用電磁コイル２と整
形アパーチャ３が取り付けられている。真空容器１の外
部には洗浄用ガス導入系４が設けられており、この洗浄
用ガス導入系４には洗浄用ガス導入系４より真空容器１
の内部へ洗浄用ガスを導入するノズル５が接続されてい
る。
【００２５】ノズル５は、整形アパーチャ３上の電子ビ
ーム被照射領域６に局所的に吹き付け可能な開口部７を
有している。なお、８は照射される電子ビームを示して
いる。
ーム被照射領域６に局所的に吹き付け可能な開口部７を
有している。なお、８は照射される電子ビームを示して
いる。
【００２６】まず、ビーム照射と同時に、洗浄用ガス導
入系４においてＯ2 ガスを高周波放電によって活性化
し、その結果発生する原子状酸素Ｏ* をノズル５により
導入、堆積物が付きやすい整形アパーチャ３の電子ビー
ム照射領域６に吹き付けた。
入系４においてＯ2 ガスを高周波放電によって活性化
し、その結果発生する原子状酸素Ｏ* をノズル５により
導入、堆積物が付きやすい整形アパーチャ３の電子ビー
ム照射領域６に吹き付けた。
【００２７】実験の結果、洗浄用ガス０．５ｓｃｃｍを
ノズル５から吹き付けることにより整形アパーチャ３上
でのガス圧力は１０-3Ｔｏｒｒ程度になったが直ちに拡
散し、真空容器１内の他の場所での真空度は１０-6Ｔｏ
ｒｒ台に保たれ、図示しない試料上の電子ビーム精度に
変化は認められなかった。
ノズル５から吹き付けることにより整形アパーチャ３上
でのガス圧力は１０-3Ｔｏｒｒ程度になったが直ちに拡
散し、真空容器１内の他の場所での真空度は１０-6Ｔｏ
ｒｒ台に保たれ、図示しない試料上の電子ビーム精度に
変化は認められなかった。
【００２８】ノズル５を使用しない従来の方法、つま
り、真空容器壁から洗浄ガスの導入を行った場合は同程
度の汚染防止効果を得るためには洗浄ガスの流量を５ｓ
ｃｃｍに増やして圧力１０-3Ｔｏｒｒで真空容器１内を
充満させる必要があり、特に洗浄ガス充満空間中の電子
ビーム軌道が長い場合は電子ビームの収束に影響するの
で望ましくなかった。
り、真空容器壁から洗浄ガスの導入を行った場合は同程
度の汚染防止効果を得るためには洗浄ガスの流量を５ｓ
ｃｃｍに増やして圧力１０-3Ｔｏｒｒで真空容器１内を
充満させる必要があり、特に洗浄ガス充満空間中の電子
ビーム軌道が長い場合は電子ビームの収束に影響するの
で望ましくなかった。
【００２９】第１の実施例のようにして露光を行うこと
により整形アパーチャ３上に堆積物が全く付かなくなっ
た。
により整形アパーチャ３上に堆積物が全く付かなくなっ
た。
【００３０】図２は、本発明における荷電ビーム照射方
法及び装置の第２の実施例を説明するための真空容器の
一部の断面図である。図２において、図１と同一の部分
には同一符号を付している。
法及び装置の第２の実施例を説明するための真空容器の
一部の断面図である。図２において、図１と同一の部分
には同一符号を付している。
【００３１】第２の実施例では、光学系の静電偏向レン
ズ内部を洗浄する方法を示す。
ズ内部を洗浄する方法を示す。
【００３２】図２に示すように、鏡筒の真空容器１内に
は鏡筒の構成部品であるビーム収束用電磁コイル２が取
り付けられ、ビーム照射の軌道上には静電偏向レンズ９
が配置されている。
は鏡筒の構成部品であるビーム収束用電磁コイル２が取
り付けられ、ビーム照射の軌道上には静電偏向レンズ９
が配置されている。
【００３３】真空容器１の外部には駆動装置１０が設け
られ、駆動装置１０には洗浄用ガス導入系４が接続され
ている。さらに駆動装置１０には、洗浄用ガス導入系４
より駆動装置１０を介して真空容器１の内部へ洗浄用ガ
スを導入するノズル５が接続されている。
られ、駆動装置１０には洗浄用ガス導入系４が接続され
ている。さらに駆動装置１０には、洗浄用ガス導入系４
より駆動装置１０を介して真空容器１の内部へ洗浄用ガ
スを導入するノズル５が接続されている。
【００３４】ノズル５は、偏向レンズ９の開口部から狭
い内部に局所的に吹き付け可能な開口部７を有してい
る。
い内部に局所的に吹き付け可能な開口部７を有してい
る。
【００３５】このノズル５は駆動装置１０によって、洗
浄時にはその開口部７が偏向レンズ９の開口部に相対す
るように位置し（図中ａ）、電子ビーム照射時には電子
ビームの軌道から充分離れた位置ｂへと移動される。な
お、排気は下方向に行った。また、１１は反射電子によ
る広範囲に及ぶ汚染物を示している本実施例において
は、電子ビーム露光装置を運転中、ノズル５の位置は待
機位置ｂとし、堆積物によるビームドリフト量が許容量
に近づいた時点で電子ビーム照射を停止し、駆動装置１
０によりノズル５を洗浄位置ａへ移動した。
浄時にはその開口部７が偏向レンズ９の開口部に相対す
るように位置し（図中ａ）、電子ビーム照射時には電子
ビームの軌道から充分離れた位置ｂへと移動される。な
お、排気は下方向に行った。また、１１は反射電子によ
る広範囲に及ぶ汚染物を示している本実施例において
は、電子ビーム露光装置を運転中、ノズル５の位置は待
機位置ｂとし、堆積物によるビームドリフト量が許容量
に近づいた時点で電子ビーム照射を停止し、駆動装置１
０によりノズル５を洗浄位置ａへ移動した。
【００３６】次に、洗浄用ガス導入系４においてＯ2 及
びＣＦ4 ガスを高周波放電によって活性化し、その結果
発生するＯ* 及びＦ* をノズル５から、堆積物が付着し
た偏向レンズ９の上面及び内壁に吹き付けた。
びＣＦ4 ガスを高周波放電によって活性化し、その結果
発生するＯ* 及びＦ* をノズル５から、堆積物が付着し
た偏向レンズ９の上面及び内壁に吹き付けた。
【００３７】ここで、図３に、内径４ｍｍの細長いパイ
プ内部でのレジスト灰化速度分布を示す。横軸はパイプ
先端からの奥行き、縦軸はパイプ内部のレジスト灰化速
度である。
プ内部でのレジスト灰化速度分布を示す。横軸はパイプ
先端からの奥行き、縦軸はパイプ内部のレジスト灰化速
度である。
【００３８】ａはパイプを洗浄用ガスのＯ* 及びＦ* を
均一に真空容器内に充満させた雰囲気中に置いた場合、
ｂは内径７ミリのノズルをパイプの先端上２ミリの位置
に置きガスを吹き付けた場合である。但し、いずれの場
合もガスの流量は一定とした。
均一に真空容器内に充満させた雰囲気中に置いた場合、
ｂは内径７ミリのノズルをパイプの先端上２ミリの位置
に置きガスを吹き付けた場合である。但し、いずれの場
合もガスの流量は一定とした。
【００３９】ノズル５を使わない場合は全体的に灰化速
度が低く、しかもパイプ内部の奥行きに伴って低下して
いるが、ノズル５を用いた場合は灰化速度は非常に高
く、パイプの奥まで充分な灰化速度が保たれている。
度が低く、しかもパイプ内部の奥行きに伴って低下して
いるが、ノズル５を用いた場合は灰化速度は非常に高
く、パイプの奥まで充分な灰化速度が保たれている。
【００４０】このように、従来の方法では、偏向レンズ
９やスリーブ等の細長い形状をした部品の内部は先端の
開口部から遠くなる程、活性種の供給量が減少するため
上述のレジスト灰化速度のように堆積物の除去速度も遅
くなり、場合によっては全く除去されなかった。
９やスリーブ等の細長い形状をした部品の内部は先端の
開口部から遠くなる程、活性種の供給量が減少するため
上述のレジスト灰化速度のように堆積物の除去速度も遅
くなり、場合によっては全く除去されなかった。
【００４１】第２の実施例のように、ノズル５を用いれ
ば方向性を持つ局所的に高い圧力で多量の洗浄ガスを汚
染箇所に供給できるため、少量の洗浄ガスで効率良く、
しかも他の部品にはほとんど影響なく細長い形状の内部
まで活性種を供給できる。
ば方向性を持つ局所的に高い圧力で多量の洗浄ガスを汚
染箇所に供給できるため、少量の洗浄ガスで効率良く、
しかも他の部品にはほとんど影響なく細長い形状の内部
まで活性種を供給できる。
【００４２】図４は、本発明における荷電ビーム照射方
法及び装置の第３の実施例を説明するための断面図であ
る。
法及び装置の第３の実施例を説明するための断面図であ
る。
【００４３】第１及び第２の実施例では、共に真空容器
内で部品を洗浄する方法を示したが、第３の実施例では
真空容器の外部に設けられた洗浄室で部品を洗浄する方
法を示す。
内で部品を洗浄する方法を示したが、第３の実施例では
真空容器の外部に設けられた洗浄室で部品を洗浄する方
法を示す。
【００４４】図４に示すように、鏡筒の真空容器１の外
部に洗浄室１２が設けられており、この洗浄室１２は洗
浄ガス導入系４と、これに接続されたノズル５と、真空
室１３と、真空室１３と真空容器１とを隔離する離隔バ
ルブ１４と、排気系１５と、搬送機構１６とから構成さ
れている。
部に洗浄室１２が設けられており、この洗浄室１２は洗
浄ガス導入系４と、これに接続されたノズル５と、真空
室１３と、真空室１３と真空容器１とを隔離する離隔バ
ルブ１４と、排気系１５と、搬送機構１６とから構成さ
れている。
【００４５】洗浄ガス導入系４に接続されたノズル５の
先端が、真空室１３に挿入されており、真空室１３の下
部には真空室１３を真空に保ったり、ノズル５より供給
された洗浄用ガスを排気するための排気系１５が取り付
けられている。
先端が、真空室１３に挿入されており、真空室１３の下
部には真空室１３を真空に保ったり、ノズル５より供給
された洗浄用ガスを排気するための排気系１５が取り付
けられている。
【００４６】搬送機構１６には、真空室１３と鏡筒の真
空容器１との間で整形アパーチャ３を搬送するアパーチ
ャ・ホルダー１７が取り付けられている。整形アパーチ
ャ３は、このアパーチャ・ホルダー１７に固定され、真
空が保たれたまま真空室１３と真空容器１との間を搬送
される。
空容器１との間で整形アパーチャ３を搬送するアパーチ
ャ・ホルダー１７が取り付けられている。整形アパーチ
ャ３は、このアパーチャ・ホルダー１７に固定され、真
空が保たれたまま真空室１３と真空容器１との間を搬送
される。
【００４７】第３実施例によって、整形アパーチャ３の
洗浄を行うには、洗浄が必要になった時点で運転を停止
し、洗浄室１３内の真空度を１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排
気系１５で排気してから離隔バルブ１４を開け、アパー
チャ３を洗浄室１３内へ搬送する。
洗浄を行うには、洗浄が必要になった時点で運転を停止
し、洗浄室１３内の真空度を１０-6Ｔｏｒｒ程度まで排
気系１５で排気してから離隔バルブ１４を開け、アパー
チャ３を洗浄室１３内へ搬送する。
【００４８】その後、離隔バルブ１４を閉めて真空容器
１と洗浄室１３を完全に離隔してから洗浄ガス導入系４
により洗浄用ガスを導入し、ノズル５でアパーチャ３に
吹き付けて洗浄を行う。
１と洗浄室１３を完全に離隔してから洗浄ガス導入系４
により洗浄用ガスを導入し、ノズル５でアパーチャ３に
吹き付けて洗浄を行う。
【００４９】洗浄終了後、洗浄用ガスを排気系１５で完
全に排気してからアパーチャ３を真空容器１内の定位置
へ戻す。
全に排気してからアパーチャ３を真空容器１内の定位置
へ戻す。
【００５０】第３の実施例によれば、電子ビーム露光装
置の真空を保ち、真空容器１内に反応性ガスを導入しな
くても、他の部品に影響を与えること無く必要な部品の
洗浄を行うことができる。
置の真空を保ち、真空容器１内に反応性ガスを導入しな
くても、他の部品に影響を与えること無く必要な部品の
洗浄を行うことができる。
【００５１】以上、第１〜３の実施例で、本発明の荷電
ビーム照射方法及び装置を示したが、ノズルの形状は図
１，２，４に示した形状に限ること無く、形状や開口部
の大きさ・配置・数等は必要に応じて決定することがで
きる。
ビーム照射方法及び装置を示したが、ノズルの形状は図
１，２，４に示した形状に限ること無く、形状や開口部
の大きさ・配置・数等は必要に応じて決定することがで
きる。
【００５２】以下に、ノズル形状の例を示す。
【００５３】図５は、図２で示した偏向レンズ９の内部
をさらに効率よく洗浄するためのノズル形状を示したも
のである。ノズル５の全長にわたって、開口部７が設け
られており、偏向レンズ９の内壁にまんべんなく活性種
を供給できる。
をさらに効率よく洗浄するためのノズル形状を示したも
のである。ノズル５の全長にわたって、開口部７が設け
られており、偏向レンズ９の内壁にまんべんなく活性種
を供給できる。
【００５４】この場合の待機位置ｂから洗浄位置へのノ
ズル５の動きは、水平方向に位置ａへ移動した後、下方
向へ移動することにより、偏向レンズ９の開口部７から
狭い隙間へ挿入される。
ズル５の動きは、水平方向に位置ａへ移動した後、下方
向へ移動することにより、偏向レンズ９の開口部７から
狭い隙間へ挿入される。
【００５５】さらに、図２で示した反射電子による広範
囲に及ぶ汚染物１１に対しては、図６に示すような、円
形のノズル５の円周上に設けられた複数個の開口部７、
あるいは図７に示すような、円形のノズル５の円周上に
設けられた円形の開口部７が、広範囲に洗浄ガスを供給
することができ、効果的である。
囲に及ぶ汚染物１１に対しては、図６に示すような、円
形のノズル５の円周上に設けられた複数個の開口部７、
あるいは図７に示すような、円形のノズル５の円周上に
設けられた円形の開口部７が、広範囲に洗浄ガスを供給
することができ、効果的である。
【００５６】また、図８の断面図に示すように、ノズル
５の材質は、内面が非金属の石英管１８でできており、
外面が金の薄膜１９でめっきされているのが理想的であ
る。これにより、散乱電子よるノズル５のチャージアッ
プが防止され、全体が金属性のノズルに比べ、ノズル５
内を通る活性種が失活しにくくなり、より少ない洗浄ガ
ス量で効果が得られる。
５の材質は、内面が非金属の石英管１８でできており、
外面が金の薄膜１９でめっきされているのが理想的であ
る。これにより、散乱電子よるノズル５のチャージアッ
プが防止され、全体が金属性のノズルに比べ、ノズル５
内を通る活性種が失活しにくくなり、より少ない洗浄ガ
ス量で効果が得られる。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ノ
ズルを用いて洗浄用ガスを汚染物に高圧力で局所的に吹
き付けるようにしたので、荷電ビーム照射装置内の汚染
された部品、内壁、及び狭い隙間の内部を、他の部品を
損傷せずに洗浄することができる。
ズルを用いて洗浄用ガスを汚染物に高圧力で局所的に吹
き付けるようにしたので、荷電ビーム照射装置内の汚染
された部品、内壁、及び狭い隙間の内部を、他の部品を
損傷せずに洗浄することができる。
【図１】本発明における荷電ビーム照射方法及び装置の
第１の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
第１の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
【図２】本発明における荷電ビーム照射方法及び装置の
第２の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
第２の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
【図３】細長いパイプ内部でのレジスト灰化速度分布を
示す特性図である。
示す特性図である。
【図４】本発明における荷電ビーム照射方法及び装置の
第３の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
第３の実施例を説明するための鏡筒の１部の断面図であ
る。
【図５】ノズルの形状の一例を示す図である。
【図６】ノズルの形状の一例を示す図である。
【図７】ノズルの形状の一例を示す図である。
【図８】ノズルの材質を説明するための断面図である。
１ 鏡筒の真空容器 ３ 整形アパーチャ ４ 洗浄用ガス導入系 ５ ノズル ７ ノズル開口部 ９ 偏向レンズ １０ 駆動装置 １２ 洗浄室 １３ 真空室 １４ 離隔バルブ １５ 排気系 １６ 搬送機構 １７ アパーチャ・ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/305 9172−5Ｅ (72)発明者 岡野 晴雄 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (3)
- 【請求項１】 荷電ビーム照射装置の鏡筒内に設けられ
ている該鏡筒の構成部品あるいは該鏡筒の真空容器の内
壁に付着した汚染物に、この汚染物と反応して揮発性の
化合物を形成する洗浄用ガスを、前記真空容器内圧力よ
りも高圧力で局所的に吹き付け、前記汚染物を除去する
工程を含むことを特徴とする荷電ビーム照射方法。 - 【請求項２】 荷電ビーム照射装置の鏡筒内に設けられ
ている該鏡筒の構成部品あるいは該鏡筒の真空容器の内
壁の汚染物が付着する領域に、汚染物と反応して揮発性
の化合物を形成する洗浄用ガスを、該真空容器内圧力よ
りも高圧力で局所的に荷電ビーム照射と同時に吹き付
け、前記汚染物の付着を防止する工程を含むことを特徴
とする荷電ビーム照射方法。 - 【請求項３】 鏡筒の真空容器の外部に設けられ、該真
空容器内部へ洗浄用ガスを導入するガス導入手段と、 該ガス導入手段と接続され、該ガス導入手段より前記真
空容器内部へ導入する洗浄用ガスを、該真空容器内の構
成部品あるいは該真空容器の内壁に付着した汚染物に、
該真空容器内圧力よりも高圧力で局所的に吹き付け可能
な開口部を有するノズルとを具備したことを特徴とする
荷電ビーム照射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34009492A JP3258104B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 荷電ビーム照射方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34009492A JP3258104B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 荷電ビーム照射方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188182A true JPH06188182A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3258104B2 JP3258104B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=18333660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34009492A Expired - Fee Related JP3258104B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 荷電ビーム照射方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3258104B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149449A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Horon:Kk | 帯電汚染防止装置および帯電汚染防止方法 |
| WO2007086254A1 (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Sii Nanotechnology Inc. | 荷電粒子ビーム装置 |
| JP2008130390A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電ビーム装置、及びそのクリーニング方法 |
| JP2012238623A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-06 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置およびデバイスの製造方法 |
| JP2014165169A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Applied Materials Israel Ltd | 真空チャンバをクリーニングする方法及びシステム |
| JP2015178048A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 偏向器用クリーニング装置及び偏向器のクリーニング方法 |
| KR20180132884A (ko) * | 2016-04-21 | 2018-12-12 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 대전 입자 빔 시스템들에서의 오염의 제거 및/또는 회피를 위한 방법 및 시스템 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6239583B2 (ja) * | 2012-03-20 | 2017-11-29 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | ラジカルを輸送するための装置および方法 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP34009492A patent/JP3258104B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007149449A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Horon:Kk | 帯電汚染防止装置および帯電汚染防止方法 |
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| US7804066B2 (en) | 2006-01-25 | 2010-09-28 | Sii Nanotechnology Inc. | Charged-particle beam apparatus |
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| JP2015178048A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-10-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 偏向器用クリーニング装置及び偏向器のクリーニング方法 |
| KR20180132884A (ko) * | 2016-04-21 | 2018-12-12 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 대전 입자 빔 시스템들에서의 오염의 제거 및/또는 회피를 위한 방법 및 시스템 |
| JP2019507951A (ja) * | 2016-04-21 | 2019-03-22 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | 荷電粒子ビームシステムにおける汚染の除去及び／又は回避のための方法及びシステム |
| US10632509B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
| US10987705B2 (en) | 2016-04-21 | 2021-04-27 | Asml Netherlands B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
| TWI765884B (zh) * | 2016-04-21 | 2022-06-01 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 用以移除和/或避免帶電粒子束系統中的汙染的方法和系統 |
| US11738376B2 (en) | 2016-04-21 | 2023-08-29 | Asml Netherlands, B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
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| JP3258104B2 (ja) | 2002-02-18 |
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