KR102152905B1 - 부품 세정 방법 및 장치 - Google Patents

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KR102152905B1
KR102152905B1 KR1020190075037A KR20190075037A KR102152905B1 KR 102152905 B1 KR102152905 B1 KR 102152905B1 KR 1020190075037 A KR1020190075037 A KR 1020190075037A KR 20190075037 A KR20190075037 A KR 20190075037A KR 102152905 B1 KR102152905 B1 KR 102152905B1
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plasma
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gas
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조순천
성진일
장주용
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 기판 처리 장치의 부품을 세정하는 방법은 상기 부품은 세정 가스로부터 발생된 플라즈마로 세정 처리되되, 상기 세정 가스는 에어와 수소 가스를 포함한다. 이로 인해 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

Description

부품 세정 방법 및 장치{Method and Apparatus for cleaning component}
본 발명은 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 이온 주입, 그리고 세정 공정에는 공정 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.
일반적으로 건식 처리 공정은 외부로부터 밀폐된 기판 처리 장치에서 진행된다. 기판 처리 장치는 챔버, 기판 지지 유닛, 가스 공급 유닛, 그리고 챔버를 개폐하는 도어 등 다양한 부품들을 포함한다.
이러한 부품들에는 건식 처리 공정이 진행 중 또는 진행 후에 다량의 공정 가스가 잔류된다. 잔류된 공정 가스는 다음의 건식 처리 공정에서 기판을 오염시키는 오염 물질로 작용된다. 이로 인해 건식 처리 공정이 복수 회 진행된 후에는 각 부품들을 세정 처리하는 메인터넌스 작업이 진행된다.
메인터넌스 작업은 각 부품은 장치로부터 분리하여 액 처리한다. 액 처리는 부품에 케미칼을 공급하여 부품을 세정 처리한다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액으로 제공된다.
도 1은 케미칼로 부품을 세정 처리 시 세정 전후에 따른 촬영 데이터이다. 도 1을 참조하면, 부품은 케미칼에 의해 액 처리되고, 세정 전에 비해 성분은 줄어든다. 그러나 세정 전과 비교하여 세정 후에는 불소(F) 및 텅스텐(W) 성분이 감소하였더라도, 불소(F) 및 텅스텐(W) 성분이 여전히 잔류된 상태로, 그 제거 효율은 미흡하다.
이에 반해 부품에 잔류된 탄소(C)는 세정 전에 비해 잔류량이 증가되었으며, 이는 부품의 손상이나, 케미칼에 의해 역오염을 예상할 수 있다.
또한 케미칼로 부품을 세정 처리하는 경우에는 다량의 폐액이 발생되며, 이를 처리하기 위한 환경 안정성 및 많은 비용을 요구한다.
한국 공개 특허 2013-0115099
본 발명은 기판 처리 장치의 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치의 부품을 세정하는 방법은 상기 부품은 세정 가스로부터 발생된 플라즈마로 세정 처리되되, 상기 세정 가스는 에어와 수소 가스를 포함한다.
상기 플라즈마 발생은 대기압 분위기에서 이루어지며, 상기 에어는 플라즈마 소스에서 제공되는 전기장에 의해 직접 여기되고, 상기 수소 가스는 여기된 상기 에어가 상기 부품으로 공급되는 중에 상기 에어와 혼합될 수 있다.
상기 플라즈마는 플라즈마 토치에 의해 제공될 수 있다.
상기 부품에는 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하는 파티클이 부착되고, 상기 플라즈마는 상기 부품에서 상기 탄소 및 상기 불소를 제거할 수 있다.
또한 기판 처리 장치의 부품을 세정하는 장치는 에어가 유입되는 제1유입구 및 상기 에어가 토출되는 토출구를 가지는 내부 공간이 형성되는 바디와 상기 내부 공간의 일부인 제1공간으로 전기장을 형성하여 상기 에어로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 바디는 상기 내부 공간의 다른 일부인 제2공간으로 수소 가스가 유입되는 제2유입구를 더 가지고, 상기 제2공간은 상기 제1공간에서 생성된 플라즈마가 상기 토출구를 향해 흐르는 경로 상에 제공될 수 있다.
상기 제1유입구와 상기 토출구는 서로 마주하도록 배치되고, 상기 제2유입구는 상기 제1유입구와 상기 토출구가 배열되는 방향에 대해 수직 또는 경사진 방향으로 상기 수소 가스를 상기 제2공간에 공급하도록 제공될 수 있다.
상기 플라즈마를 발생시키는 것은 대기압에서 이루어질 수 있다.
상기 플라즈마 소스는 마이크로파를 인가할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 세정 가스로부터 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판 처리 장치의 부품을 세정 처리한다. 이로 인해 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정 가스는 오염 물질을 선택적으로 목표하여 제거한다. 이로 인해 부품의 세정 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 세정 가스 중 에어의 공급 경로는 전기장을 포함하는 반면, 에어에 비해 분자량이 낮은 수소 가스는 공급 경로에 전기장을 포함하지 않는다. 이로 인해 안정적인 전기장을 형성하며, 안정적인 플라즈마를 형성할 수 있다.
도 1은 케미칼로 부품을 세정 처리 시 세정 전후에 따른 촬영 데이터이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다.
도 4는 부품 세정 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 2의 장치의 부품을 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 장치의 부품을 세정 처리하는 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 처리 장치의 부품을 세정 처리 방법이라면, 다양하게 적용 가능하다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 링 어셈블리(250), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 라이너(500), 그리고 배플(550)을 포함한다.
챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(112)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110), 커버(120), 그리고 도어(170)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 몸체(110)는 플라즈마로부터 노출되는 면과 비노출되는 면이 서로 상이한 재질로 제공된다. 몸체(110)의 노출면인 내측면은 세라믹 재질로 제공되고, 비노출면인 외측면은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)의 외측면은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 커버(120)는 유전체로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압 부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반출입되는 출입구로 기능한다. 개구(130)는 수평방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(130)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다.
도어(170)는 처리 공간(112)을 개폐한다. 도어(170)는 몸체(110)의 외측면에서 개구(130)에 인접하게 위치된다. 도어(170)는 개방 위치와 차단 위치 간에 이동 가능하다. 여기서 차단 위치는 도어(170)와 개구(130)가 서로 마주보는 위치이고, 개방 위치는 도어(170)가 차단 위치를 벗어난 위치이다.
기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(112)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.
정전척(200)은 유전판(210) 및 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버(100)의 개구(130)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀 홀들(미도시)이 형성된다. 핀 홀들은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀 홀들은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀 홀들 각각에는 리프트 핀(미도시)이 위치되며, 리프트 핀은 승강 이동되어 기판을 들어올리거나 내려놓을 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부 전극(212)이 설치된다. 하부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 유전판(210)은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각 유로(232)는 냉각 가스가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 유전판(210)의 상면에 형성된 홈(211)과 통하도록 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다.
링 어셈블리(250)는 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 링 어셈블리(250)는 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 포커스링은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)와 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 메탄 가스(CH4) 및 삼불화질소(NF3)일 수 있다.
플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(112)에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
라이너(500)는 챔버(100)의 내측벽을 보호한다. 라이너(500)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 라이너(500)는 챔버(100) 내에서 기판 지지 유닛(200)과 챔버(100)의 내측벽 사이에 위치된다. 라이너(500)는 기판 지지 유닛(200)에 비해 챔버(100)에 더 가깝게 위치된다. 라이너(500)는 플라즈마로부터 노출되는 면과 비노출되는 면이 서로 상이한 재질로 제공된다. 예컨대, 라이너(500)의 노출면인 내측면은 세라믹 재질로 제공되고, 비노출면인 외측면은 금속 재질로 제공될 수 있다.
배플(550)은 공정 가스의 배기량이 영역 별로 균일하도록 조절한다. 도 3은 도 2의 배플을 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 배플(550)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플(550)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플(550)에는 복수의 배플홀들(552)이 형성된다. 배플홀들(552)은 배플(550)의 원주방향을 따라 순차적으로 배열된다. 배플홀들(552) 각각은 배플(550)의 반경 방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 각각의 배플홀(552)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 예컨대, 배플(550)은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치의 부품을 세정 처리하는 방법에 대해 설명한다. 여기서 기판 처리 장치의 부품은 챔버(100), 유전판(210), 링 어셈블리(250), 라이너(500), 그리고 도어(600)일 수 있다. 즉 본 실시예에는 플라즈마에 노출되는 부품을 세정 처리하는 방법을 제공한다.
각 부품은 장치로부터 분리되어 부품을 세정 처리하는 세정 설비로 이동된다. 세정 설비는 기판 처리 장치의 외부에 위치된다. 세정 설비는 세정 가스로부터 발생된 플라즈마를 이용하여 부품을 세정 처리한다. 본 실시예에는 기판을 처리하는 플라즈마와 부품을 세정 처리하는 플라즈마를 구분하기 위해, 기판 처리 플라즈마를 공정 플라즈마로 칭하고 부품 세정 플라즈마를 세정 플라즈마로 칭한다. 세정 설비는 세정 가스로부터 세정 플라즈마를 발생시켜 부품을 세정 처리한다. 세정 설비는 상온보다 높은 온도의 대기압에서 마이크로 웨이브를 이용한 세정 플라즈마 처리 장치를 일 예로 설명한다.
도 4는 부품 세정 장치를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 2의 장치의 부품을 세정 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 부품 세정 장치(1000)는 바디(1200), 플라즈마 소스(1400), 제1가스 공급 라인(1250), 그리고 제2가스 공급 라인(1260)을 포함한다. 바디(1200)는 내부에 가스가 공급되는 공간(1220)을 형성되며, 가스가 토출되는 토출구가 그 내부 공간과 연통되게 형성된다. 바디(1200)에는 제1가스가 유입되는 제1유입구(1230) 및 제2가스가 유입되는 제2유입구(1240)를 가진다. 제1유입구(1230)에는 제1가스 공급 라인(1250)이 연결되고, 제2유입구(1240)에는 제2가스 공급 라인(1260)이 연결된다. 예컨대, 제1유입구(1230)는 토출구와 마주하도록 위치될 수 있다. 제2유입구(1240)는 제1유입구(1230)와 토출구가 배열되는 방향에 대해 수직 또는 사선 방향으로 제공될 수 있다. 제1유입구(1230)와 토출구가 배열되는 방향은 바디(1200)의 길이 방향과 평행하도록 제공될 수 있다. 제1가스는 에어이고, 제2가스는 수소 가스일 수 있다.
바디(1200)의 내부 공간(1220)은 제1공간(1222)과 제2공간(1224)을 가진다. 제1공간(1222)은 토출구보다 제1유입구(1230)에 더 가깝게 위치되고, 제2공간(1224)은 제1유입구(1230)보다 토출구에 더 가깝게 위치되는 공간으로 제공된다. 제1공간(1222)은 상부 공간이고, 제2공간(1224)은 하부 공간일 수 있다. 제1공간(1222)과 제2공간(1224)은 서로 연통되는 공간으로 제공된다. 따라서 제1가스는 제1공간(1222), 제2공간(1224), 그리고 토출구를 순차적으로 통해 이동된다. 이에 반해 제2유입구(1240)는 제2공간(1224)에 마주하게 위치된다. 제2유입구(1240)를 통해 유입되는 제2가스는 제1공간(1222)을 거치지 않고 제2공간(1224)으로 공급된다. 따라서 제2가스는 제2공간(1224) 및 토출구를 순차적으로 통해 이동된다.
플라즈마 소스(1400)는 제1공간(1222)에 전기장을 형성한다. 일 예에 의하면, 플라즈마 소스(1400)는 제1공간(1222)에 마이크로파를 인가할 수 있다. 따라서 에어는 전기장을 통과하여 세정 플라즈마를 형성한다. 에어는 대기 상에 다량으로 제공되는 질소 가스(N2) 및 산소 가스(O2)를 포함할 수 있다. 질소 가스(N2)는 세정 설비에 의해 질소 라디칼(N2*)을 발생시키고, 산소 가스(O2)는 세정 설비에 의해 산소 라디칼(O2*)를 발생시킨다. 이에 반해 수소 가스는 전기장을 거치지 않는다. 다만, 수소 가스는 여기된 에어에 의해 일부 또는 전부가 여기되어 세정 플라즈마를 형성한다. 즉, 세정 플라즈마는 질소 라디칼(N2*), 산소 라디칼(O2*), 그리고 수소 라디칼(H2*)을 포함한다. 각각의 라디칼은 서로 다른 오염 물질을 타켓으로 한다. 일 예에 의하면, 질소 라디칼(N2*)는 탄소(C)를 타겟으로 제거하고, 산소 라디칼(O2*)은 구리(Cu), 카드뮴(Cd), 그리고 탄소(C)를 타겟으로 제거할 수 있다. 또한 수소 라디칼(H2*)은 불소(F)를 타겟으로 제거할 수 있다. 이러한 세정 플라즈마의 제거는 부품에 잔류 오염 물질들 중 잔류 탄소(C)량 및 잔류 불소(F)량을 완전 제거할 수 있다.
여기서 수소 가스는 에어에 포함된 질소 및 산소 가스에 비해 분자량이 매우 작다. 이로 인해 수소 가스가 에어와 함께 전기장을 통과할 경우에는 전기장이 불안정한 상태를 가지며, 수소 가스의 유량이 증가될수록 전기장의 불안정도는 커진다. 수소 가스는 그 분자량이 에어에 비해 작으며, 에어에 비해 플라즈마 발생이 용이하다. 따라서 수소 가스의 공급 경로에는 전기장을 포함하지 않은 상태로, 여기된 에어를 통해 수소 라디칼(H2*)를 형성할 수 있으며, 이와 동시에 안정적인 전기장을 유지할 수 있다.
상술한 실시예에는 링 어셈블리(250), 챔버(100), 유전판(210), 라이너(500), 그리고 도어(600)를 세정 처리하는 것으로 설명하였으나, 커버(120), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 그리고 배플(550) 등 플라즈마에 노출되는 부품이라면 세정 처리할 수 있다.
또한 본 실시예에는 가스 처리 장치의 플라즈마 소스(400)가 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스로 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 플라즈마 소스(400)로는 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 기판 지지 유닛(200)과 마주보는 샤워 헤드를 가지고, 기판 지지 유닛(200)과 샤워 헤드 각각에는 전극이 제공될 수 있다. 양 전극 간에는 전자기장이 형성될 수 있다. 샤워 헤드는 세정 설비에 의해 세정 처리될 수 있다,
또한 본 실시예에는 플라즈마 처리 장치의 부품을 세정 처리하는 것으로 설명하였다. 그러나 본 실시예는 이에 한정되지 않으며, 공정 가스를 이용하여 기판(W)을 건식 처리하는 장치의 부품이라면 세정 처리 가능하다. 예컨대, 건식 처리는 플라즈마를 발생시키지 않고, 상온보다 높은 고온에서 가스를 분해하여 기판(W)을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 건식 처리는 기판(W)을 식각 처리하거나, 박막을 증착시키는 공정일 수 있다.
1000: 부품 세정 장치 1200: 바디
1400: 플라즈마 소스 1250: 제1가스 공급 라인
1260: 제2가스 공급 라인

Claims (8)

  1. 기판 처리 장치의 부품을 세정하는 방법에 있어서,
    상기 부품은 세정 가스로부터 발생된 플라즈마로 세정 처리되되,
    상기 세정 가스는 에어와 수소 가스를 포함하고,
    상기 플라즈마 발생은 대기압 분위기에서 이루어지며,
    상기 에어는 플라즈마 소스에서 제공되는 전기장에 의해 직접 여기되고,
    상기 수소 가스는 여기된 상기 에어가 상기 부품으로 공급되는 중에 상기 에어와 혼합되는 부품 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마는 플라즈마 토치에 의해 제공되는 부품 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 부품에는 탄소(C) 및 불소(F)를 포함하는 파티클이 부착되고, 상기 플라즈마는 상기 부품에서 상기 탄소 및 상기 불소를 제거하는 부품 세정 방법.
  5. 기판 처리 장치의 부품을 세정하는 장치에 있어서,
    에어가 유입되는 제1유입구 및 상기 에어가 토출되는 토출구를 가지는 내부 공간이 형성되는 바디와;
    상기 내부 공간의 일부인 제1공간으로 전기장을 형성하여 상기 에어로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하되,
    상기 바디는 상기 내부 공간의 다른 일부인 제2공간으로 수소 가스가 유입되는 제2유입구를 더 가지고,
    상기 제2공간은 상기 제1공간에서 생성된 플라즈마가 상기 토출구를 향해 흐르는 경로 상에 제공되는 부품 세정 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1유입구와 상기 토출구는 서로 마주하도록 배치되고,
    상기 제2유입구는 상기 제1유입구와 상기 토출구가 배열되는 방향에 대해 수직 또는 경사진 방향으로 상기 수소 가스를 상기 제2공간에 공급하도록 제공되는 부품 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 플라즈마를 발생시키는 것은 대기압에서 이루어지는 부품 세정 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 마이크로파를 인가하는 부품 세정 장치.



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