CN116088265A - 掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，该装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。本申请提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力。

Description

掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备。

背景技术

随着半导体制造技术地不断发展，用户对掩模版的缺陷修复提出了更高的要求。

现有的掩模版缺陷处理装置一般采用激光修打的方式，即用一定波长和能量的激光，与设计图形对比，将多余的铬图形打掉，实现掩模版的修复。但是这种修复方式存在着极大的缺陷，即现有的修复方式需要先通过掩模版缺陷处理装置与掩模版检测设备之间的通信连接，获取掩模版上的缺陷面积，然而当掩模版上的缺陷面积过大，采用激光修打的方式进行修复，会在掩模版上残留修复印痕，进而影响掩模版的产品良率。

也就是说，现有的掩模版缺陷处理装置对掩模版的缺陷进行修复时存在着修复性能差的技术问题。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种掩模版缺陷处理装置、方法以及终端设备，旨在提高掩模版缺陷处理装置对掩模版缺陷进行处理的修复性能。

为实现上述目的，本申请提供一种掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，所述修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；

所述图像识别单元与所述修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；

所述图像识别单元与所述滴液控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述滴液控制单元，以供所述滴液控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述蚀刻液滴头滴漏在所述缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；

所述图像识别单元与所述风刀控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述风刀控制单元，以供所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

可选地，所述修补单元还包括：图像采集系统；

所述图像采集系统与所述缺陷尺寸的中心位置之间设置有所述蚀刻液滴头和所述风刀系统，其中，所述风刀系统设置于所述蚀刻液滴头的中心下。

可选地，所述图像采集系统包括：图像处理模块和显微镜，其中，所述显微镜包括：第一连接部和第二连接部；

所述第一连接部与所述第二连接部连接；

所述图像处理模块设置在所述第一连接部与所述第二连接部连接的一侧。

可选地，所述风刀系统包括多个微型正方形风孔。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种掩模版缺陷处理方法，所述掩模版缺陷处理方法应用于上述的掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理方法包括：

通过图像识别单元采集掩模版上的缺陷尺寸，并通过所述图像识别单元将所述缺陷尺寸分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元；

在所述滴液控制单元接收到所述缺陷尺寸后，根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积；

在所述风刀控制单元接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

可选地，所述滴液控制单元设置有映射表，其中，所述映射表存储有多个缺陷阈值区间；

所述根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积的步骤，包括：

根据所述滴液控制单元从所述映射表中查找所述缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，其中，所述目标缺陷阈值区间是指多个所述缺陷阈值区间中的任意一个；

确定所述目标缺陷阈值区间对应的目标液体积，并将所述目标液体积作为蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积。

可选地，所述通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：

通过风刀控制单元确定所述缺陷尺寸的轮廓边界；

将风刀系统中与所述轮廓边界对应的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定所述风刀系统的风路路径；

按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

可选地，所述其它微型正方形风孔包括第一区域风孔和第二区域风孔，其中，所述第一区域风孔是指所述轮廓边界内的多个微型正方形风孔，所述第二区域风孔是指所述轮廓边界外的多个微型正方形风孔；

所述按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：

根据所述风路路径确定所述第一区域风孔的第一出风力度，并确定所述第二区域风孔中与所述第一出风力度相对的第二出风力度，其中，所述第一出风力度是指将所述蚀刻液体积从所述蚀刻液滴头的中心向外扩散的作用力；

当所述蚀刻液滴头按照所述蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏时，按照所述第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成所述风刀系统的风圈；

根据所述风圈对所述蚀刻液体积进行变形处理，得到所述蚀刻液体积对应的形状尺寸，其中，所述形状尺寸是指与所述缺陷尺寸相同的形状；

将所述形状尺寸重叠在所述缺陷尺寸上，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

可选地，所述掩模版缺陷处理方法还包括：

在通过图像采集系统中的显微镜获取到所述掩模版上的缺陷坐标信息后，确定所述缺陷坐标信息对应的中心坐标点；

将所述蚀刻液滴头和所述风刀系统移动到所述中心坐标点与所述显微镜中心之间的轴线上。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种终端设备，所述终端设备包括上述的掩模版缺陷处理装置、存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的掩模版缺陷处理程序，所述处理器执行所述掩模版缺陷处理程序时实现如上述掩模版缺陷处理方法的步骤。

本申请的掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；另外，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。

区别于现有的接入机制，本申请在不依赖掩模版检测设备的情况下，直接通过掩模版缺陷处理装置中的图像识别单元可以快速准确地获取掩模版上的缺陷尺寸，在将缺陷尺寸通过图像识别单元分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元后，通过滴液控制单元和风刀控制单元分别可以实时准确地获取蚀刻液体积和风刀系统的风圈，然后当蚀刻液滴头滴漏该蚀刻液体积时，通过风刀控制单元控制风刀系统的风圈，进而准确地将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠后，对掩模版上的缺陷进行消除处理，从而对掩模版进行无痕修复，以提高对掩模版的缺陷进行修复的性能。

附图说明

图1是本申请第一实施例涉及的掩模版缺陷处理装置结构图；

图2是本申请掩模版缺陷处理装置涉及的修补单元结构示意图；

图3为本申请第二实施例涉及的位置关系结构图；

图4为本申请第三实施例涉及的方法流程图；

图5为本申请第三实施例涉及的风圈示意图；

图6为本申请实施例方案涉及的终端设备的结构示意图。

本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种掩模版缺陷处理方法，参照图1所示，图1是图1是本申请第一实施例涉及的掩模版缺陷处理装置结构图。

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。

本申请掩模版缺陷处理装置包括：修补单元10、图像识别单元20、滴液控制单元30和风刀控制单元40，其中，所述修补单10元包括：掩模版101、蚀刻液滴头102和风刀系统103；

在本实施例中，掩模版101是指一种由表面记载着图形、文字等信息的金属层薄膜或光阻层薄膜和材质为高纯度融石英或其它材质的玻璃载板组合而成的广泛用于IC、FPD、MEMS、光学器件等行业的模具。

在具体实施例中，参照图2所示，图2是本申请掩模版缺陷处理装置涉及的修补单元结构示意图。掩模版101可以包括：玻璃基板和铬层，其中铬层上有铬残留（即黑缺陷，也称缺陷）。

所述图像识别单元20与所述修补单元10建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；

在本实施例中，参照图2，先通过修补单元10中的图像采集系统104获取掩模版101上的缺陷尺寸，然后根据图像识别单元20与修补单元10中的图像采集系统104建立通信连接，将图像采集系统104获取到的缺陷尺寸上传至图像识别单元20，以供图像识别单元20采集掩模版上的缺陷尺寸。

需要说明的是，缺陷尺寸是指掩模版101上的黑缺陷面积，其中，黑缺陷面积包含铬残留面积和线条短接面积等。

在具体实施例中，通过修补单元10中的图像采集系统104获取掩模版101上的缺陷尺寸，可以包括：根据图像采集系统104和AOI（Automatic Optic Inspection，自动光学检测）设备之间的通信连接，通过图像采集系统104接收到AOI设备上传的缺陷坐标信息，然后控制图像采集系统104中的显微镜根据该缺陷坐标信息确定掩模版101上的缺陷对应的中心坐标点，并将该中心坐标点发送至图像采集系统104中的照相系统，以供照相系统以该中心坐标点为中心采集掩模版上的缺陷图像，并对采集到的缺陷图像进行计算处理，得到掩模版101上的缺陷尺寸。

在本实施例中，先通过AOI设备采集缺陷坐标信息以对掩模版101上的缺陷位置进行大致定位，然后将缺陷坐标信息上传到图像采集系统中，以控制图像采集系统104中的显微镜根据该缺陷坐标信息确定中心坐标点，进而实现对掩模版101上的缺陷进行精准定位，最后将该中心坐标点发送至图像采集系统104中的照相系统，以控制照相系统可以精准地获取掩模版101上的缺陷尺寸。

所述图像识别单元20与所述滴液控制单元30建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述滴液控制单元，以供所述滴液控制单元30根据所述缺陷尺寸控制所述蚀刻液滴头102滴漏在所述缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；

在本实施例中，图像识别单元20与滴液控制单元30建立通信连接，用于将掩模版101上的缺陷尺寸上传至滴液控制单元30，在滴液控制单元30接收到掩模版101上的缺陷尺寸后，通过滴液控制单元30确定该缺陷尺寸对应的蚀刻液体积，然后根据滴液控制单元30和修补单元10中蚀刻液滴头102之间的通信连接，即在滴液控制单元30获取到蚀刻液体积后，直接通过滴液控制单元30控制修补单元10中蚀刻液滴头102所需滴漏的蚀刻液体积。

在另一实施例中，滴液控制单元30也和修补单元10建立有通信连接，在通过滴液控制单元30将该蚀刻液体积反馈至修补单元10后，则通过修补单元10指示修补单元10中蚀刻液滴头102所需滴漏的蚀刻液体积（即蚀刻液用量）。

所述图像识别单元20与所述风刀控制单元40建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述风刀控制单元40，以供所述风刀控制单元40根据所述缺陷尺寸控制所述风刀系统103的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对所述掩模版101上的缺陷进行处理。

在本实施例中，图像识别单元20与风刀控制单元40建立通信连接，用于将掩模版101上的缺陷尺寸上传至风刀控制单元40，在风刀控制单元40接收到掩模版101上的缺陷尺寸后，确定缺陷尺寸对应的风路路径，然后根据风刀控制单元40和修补单元10中的风刀系统103之间的通信连接，即通过风刀控制单元40根据风路路径控制风刀系统103的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠以对掩模版101上的缺陷进行处理。

在又一实施例中，风刀控制单元40也和修补单元10建立有通信连接，在修补单元10接收到风刀控制单元40反馈的风路路径后，则通过修补单元10根据风路路径控制风刀系统103的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠以对掩模版101上的缺陷进行处理。

综上，本申请的掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；另外，图像识别单元与修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；图像识别单元与滴液控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至滴液控制单元，以供滴液控制单元根据缺陷尺寸控制蚀刻液滴头滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；图像识别单元与风刀控制单元建立通信连接，用于将缺陷尺寸上传至风刀控制单元，以供风刀控制单元根据缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠以对掩模版上的缺陷进行处理。

区别于现有的接入机制，本申请在不依赖掩模版检测设备的情况下，直接通过掩模版缺陷处理装置中的图像识别单元可以快速准确地获取掩模版上的缺陷尺寸，在将缺陷尺寸通过图像识别单元分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元后，通过滴液控制单元和风刀控制单元分别可以实时准确地获取蚀刻液体积和风刀系统的风圈，然后当蚀刻液滴头滴漏该蚀刻液体积时，通过风刀控制单元控制风刀系统的风圈，进而准确地将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠后，对掩模版上的缺陷进行消除处理，从而对掩模版进行无痕修复，以提高对掩模版的缺陷进行修复的性能。

进一步地，基于本申请掩模版缺陷处理装置的第一实施例，提出本申请掩模版缺陷处理转置的第二实施例。

进一步地，在一些可行的实施例中，所述修补单元还包括：图像采集系统104；

所述图像采集系统104与所述缺陷尺寸的中心位置之间设置有所述蚀刻液滴头102和所述风刀系统103，其中，所述风刀系统103设置于所述蚀刻液滴头102的中心下。

在本实施例中，参照图2，将风刀系统103设置于蚀刻液滴头102的中心下，可以保障蚀刻液滴头102滴漏的蚀刻液仅在风刀系统103的风圈范围内活动，避免了因蚀刻液溢出而存在着掩模版上附近pattern（图案）区域受到破坏的现象发生。

具体实施例中，参照图3，图3为本申请第二实施例涉及的位置关系结构图。风刀系统103包括多个微型正方形风孔，即风刀系统103是由若干个微型正方形风孔组成的正方吹气装置。且蚀刻液滴头102与该风刀系统中处于中心位置的微型正方形风孔相对应。

进一步地，在另一些可行的实施例中，图像处理模块和显微镜，其中，所述显微镜包括：第一连接部和第二连接部；

所述第一连接部与所述第二连接部连接；

所述图像处理模块设置在所述第一连接部与所述第二连接部连接的一侧。

在本实施例中，图像处理模块是指照相系统，包括：微型照相机、微型摄像头等。

进一步地，在一些可行的实施例中，所述风刀系统包括多个微型正方形风孔。

进一步地，基于本申请掩模版缺陷处理装置的第一实施例和第二实施例，提出本申请掩模版缺陷处理转置的第三实施例，参照图4所示，图4为本申请第三实施例涉及的方法流程图。

进一步地，在一些可行的实施例中，所述掩模版缺陷处理方法应用于所述掩模版缺陷处理装置，具体是由掩模版缺陷处理装置中的控制中枢来执。

所述掩模版缺陷处理方法包括：

步骤S10：通过图像识别单元20采集掩模版101上的缺陷尺寸，并通过所述图像识别单元20将所述缺陷尺寸分别上传至滴液控制单元102和风刀控制单元103；

在本实施例中，根据图像识别单元20与修补单元10中的图像采集系统104建立通信连接，通过图像识别单元20采集图像采集系统104上传的缺陷尺寸，然后将采集到的缺陷尺寸同时上传至滴液控制单元102和风刀控制单元103。

在本实施例中，将采集到的缺陷尺寸同时上传至滴液控制单元102和风刀控制单元103，可以使得滴液控制单元102和风刀控制单元103同时对接收到的缺陷尺寸进行相关操作处理，以保证滴液控制单元102和风刀控制单元103进行相关操作处理的同步一致性。

步骤S20：在所述滴液控制单元30接收到所述缺陷尺寸后，根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积；

在本实施例中，滴液控制单元30可以包括映射表，其中，映射表存储有多个缺陷阈值区间。根据图像识别单元20与滴液控制单元30之间建立的通信连接，在滴液控制单元30接收到图像识别单元20上传的缺陷尺寸后，此时，通过滴液控制单元30从映射表中的多个缺陷阈值区间内查找该缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，然后再确定目标缺陷阈值区间对应的目标液体积，并将该目标液体积作为蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积。

步骤S30：在所述风刀控制单元40接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元40根据所述缺陷尺寸控制风刀系统103的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

在本实施例中，根据图像识别单元20与风刀控制单元40之间建立的通信连接，在风刀控制单元40接收到图像识别单元20上传的缺陷尺寸后，通过风刀控制单元40确定缺陷尺寸的轮廓边界，然后根据风刀控制单元40与修补单元10中的风刀系统103之间的通信连接，通过风刀控制单元40将风刀系统104中与轮廓边界对应的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定风刀系统103的风路路径，然后通过风刀控制单元40根据风路路径控制风刀系统103的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠，以对掩模版101上的缺陷进行处理；或者，根据风刀控制单元40与修补单元10之间的通信连接，在风刀控制单元40将风刀系统103的风路路径发送给修补单元10后，修补单元10根据该风路路径对应的微型正方形风孔开关情况控制风刀系统103的风圈将蚀刻液体积与缺陷尺寸重叠，以对掩模版101上的缺陷进行处理。

在本实施例中，通过风刀控制单元40根据缺陷尺寸控制风刀系统103的风圈将蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对掩模版上的缺陷进行处理，不仅通过解决了掩模版在工艺中产生的黑缺陷现象提升了产品的良率，还解决了现有技术中通过激光修补大面积黑缺陷而导致产品报废率高的现象，即本申请的掩模版缺陷处理装置提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力，且整个修补过程不会造成玻璃损伤，降低了因修补造成报废的概率，同时解决了一些特殊黑缺陷，如“连线”等黑缺陷利用激光修补机无法修复的问题。

在又一实施例中，在上述步骤S30：在所述风刀控制单元40接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元40根据所述缺陷尺寸控制风刀系统103的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的之后，掩模版缺陷处理方法还包括：

当蚀刻液在缺陷尺寸对应的区域反应预设的消除时间后，掩模版缺陷处理装置发出语音提示或者第一报警提示，以提醒操作者通过显微镜对掩模版上的缺陷进行观察，并将缺陷被修复的信息通过人机交互的界面输入至掩模版缺陷处理装置，此时，掩模版缺陷处理装置则控制蚀刻液滴头向下移动预设的距离，以将反应后的溶液吸入，进而完成整个缺陷的无损修复过程。

需要说明的是，预设的距离是指蚀刻液滴头到掩模版上的缺陷的距离。

进一步地，在另一些可行的实施例中，上述步骤S20：根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积，还可以包括以下实施步骤：

步骤S201：根据所述滴液控制单元30从所述映射表中查找所述缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，其中，所述目标缺陷阈值区间是指多个所述缺陷阈值区间中的任意一个；

在本实施例中，通过滴液控制单元30确定缺陷尺寸对应的第一缺陷阈值区间，然后，判断映射表中是否存储有与第一缺陷阈值区间相同的缺陷阈值区间，若映射表中存储有与第一缺陷阈值区间相同的缺陷阈值区间，则将映射表中与第一缺陷阈值区间相同的缺陷阈值区间作为缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间。

在另一实施例中，若映射表中未存储有与第一缺陷阈值区间相同的缺陷阈值区间，则发出第二报警提示，以提醒用户通过掩模版缺陷处理装置中的人机交互界面输入该缺陷尺寸对应的蚀刻液体积，当掩模版缺陷处理装置中的控制中枢通过人机交互界面接收到用户输入的蚀刻液体积时，则将用户输入的蚀刻液体积发送给滴液控制单元30，以供滴液控制单元30根据用户输入的蚀刻液体积控制蚀刻液滴头102滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；或者，将用户输入的蚀刻液体积发送给滴液控制单元30后，根据滴液控制单元30和修补单元10之间的通信连接，在滴液控制单元30将用户输入的蚀刻液体积发送给修补单元10后，此时，修补单元10根据用户输入的蚀刻液体积控制蚀刻液滴头102滴漏在缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积。

在又一实施例中，映射表中的多个缺陷阈值区间可以按照降序序次进行存储，每一降序序次对应着一个缺陷阈值区间，判断映射表中是否存储有与第一缺陷阈值区间相同的缺陷阈值区间，还可以包括以下实施步骤：

判断第一缺陷阈值区间是否与第一降序序次对应的缺陷阈值区间相同，若第一缺陷阈值区间与第一降序序次对应的缺陷阈值区间不相同，则判断第一缺陷阈值区间是否下一降序序次对应的缺陷阈值区间相同。

需要说明的是，判断次数与降序序次对应的序次数目有关，例如，当降序序次对应的序次数目为2，即降序序次包括：第一降序序次和第二降序序次时，判断第一缺陷阈值区间是否与第一降序序次对应的缺陷阈值区间相同，若第一缺陷阈值区间与第一降序序次对应的缺陷阈值区间不相同，则判断第一缺陷阈值区间是否第二降序序次对应的缺陷阈值区间相同。

步骤S202：确定所述目标缺陷阈值区间对应的目标液体积，并将所述目标液体积作为蚀刻液滴头102滴漏的蚀刻液体积。

在本实施例中，通过滴液控制单元30将查找到的目标缺陷阈值区间指向的液态体积作为蚀刻液滴头102滴漏的蚀刻液体积。

需要说明的是，目标缺陷阈值区间对应的目标液体积是指目标缺陷阈值区间指向的液态体积。

进一步地，在一些可行的实施例中，上述步骤S30：通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统103的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版101上的缺陷进行处理，还可以包括以下实施步骤：

步骤S301：通过风刀控制单元40确定所述缺陷尺寸的轮廓边界；

在本实施例中，通过风刀控制单元40获取缺陷尺寸的多个边缘坐标，然后根据多个边缘坐标联合呈现的图形确定缺陷尺寸的轮廓边界。

需要说明的是，多个边缘坐标是指缺陷尺寸边缘上的若干个坐标，参照图5，图5为本申请第三实施例涉及的风圈示意图，除风刀系统103中心位置的阴影小方块之外的多个阴影小方块是缺陷尺寸的多个边缘坐标，其中，风刀系统103中心位置的阴影小方块为蚀刻液滴头102。

步骤S302：将风刀系统103中与所述轮廓边界对应的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定所述风刀系统的风路路径；

在本实施例中，确定风刀系统103中处于与轮廓边界中的各个边缘坐标点具有相同位置的多个微型正方形风孔，并将这些与边缘坐标点具有相同位置的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定风刀系统103的风路路径。例如，参照图5，图5中的阴影方块即代表多个处于关闭状态的微型正方形风孔。

步骤S303：按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

在本实施例中，需要说明的是，其它微型正方形风孔包括第一区域风孔和第二区域风孔，其中，第一区域风孔是指轮廓边界内的多个微型正方形风孔，第二区域风孔是指所述轮廓边界外的多个微型正方形风孔。

在本实施例中，在风刀系统103接收到风刀控制单元103发送的风路路径后，通过风刀系统103根据风路路径确定第一区域风孔的第一出风力度，并确定第二区域风孔中与第一出风力度相对的第二出风力度，当蚀刻液滴头按照蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏时，通过风刀系统103根据第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成风刀系统103的风圈，然后根据风圈对蚀刻液体积进行变形处理，得到蚀刻液体积对应的形状尺寸，并将形状尺寸重叠在缺陷尺寸上，以对掩模版上的缺陷进行处理。

需要说明的是，形状尺寸可以理解为与缺陷尺寸相同的形状图案；第一出风力度是指将蚀刻液体积从蚀刻液滴头的中心向外扩散的作用力，且当越靠近缺陷尺寸对应的轮廓边界时，第一出风力度和第二出风力度都越来越小。

进一步地，在一些可行的实施例中，所述其它微型正方形风孔包括第一区域风孔和第二区域风孔，其中，所述第一区域风孔是指所述轮廓边界内的多个微型正方形风孔，所述第二区域风孔是指所述轮廓边界外的多个微型正方形风孔，上述步骤S303：按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理，还可以包括以下实施步骤：

步骤S3031：根据所述风路路径确定所述第一区域风孔的第一出风力度，并确定所述第二区域风孔中与所述第一出风力度相对的第二出风力度，其中，所述第一出风力度是指将所述蚀刻液体积从所述蚀刻液滴头的中心向外扩散的作用力；

在本实施例中，在风刀系统103接收到风刀控制单元103发送的风路路径后，通过风刀系统103根据风路路径确定第一区域风孔的第一出风力度，并确定第二区域风孔中与第一出风力度相对的第二出风力度。

步骤S3032：当所述蚀刻液滴头按照所述蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏时，按照所述第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成所述风刀系统103的风圈；

在本实施例中，在蚀刻液滴头按照蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏的同一时刻，通过风刀系统103根据第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成风刀系统103的风圈。

步骤S3032：根据所述风圈对所述蚀刻液体积进行变形处理，得到所述蚀刻液体积对应的形状尺寸，其中，所述形状尺寸是指与所述缺陷尺寸相同的形状；

在本实施例中，根据风圈对蚀刻液体积进行变形处理，得到蚀刻液体积对应的形状尺寸，其中，形状尺寸是指与缺陷尺寸相同的形状。

步骤S3033：将所述形状尺寸重叠在所述缺陷尺寸上，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

在本实施例中，将形状尺寸重叠在缺陷尺寸上，以对掩模版上的缺陷进行处理。

在本实施例中，通过风圈限制蚀刻液体积所呈现的形状尺寸，进而可以准确地让蚀刻液与掩模版上的缺陷完全重叠，进一步消除了激光修补对掩模板玻璃基版的破坏，降低了产品的报废率。

进一步地，在另一些可行的实施例中，掩模版缺陷处理方法还包括以下实施步骤：

步骤A10：在通过图像采集系统104中的显微镜获取到所述掩模版101上的缺陷坐标信息后，确定所述缺陷坐标信息对应的中心坐标点；

在本实施例中，在通过图像采集系统104中的显微镜获取到掩模版101上的缺陷坐标信息后，控制显微镜根据该缺陷坐标信息进行定位，得到该缺陷坐标信息对应的中心坐标点。

步骤A20：将所述蚀刻液滴头102和所述风刀系统103移动到所述中心坐标点与所述显微镜中心之间的轴线上。

在本实施例中，将蚀刻液滴头102和风刀系统103移动到中心坐标点与显微镜中心之间的轴线上，进而可以准确有效地保证蚀刻液滴头102对准蚀刻液滴头102，且风刀系统103始终位于蚀刻液滴头102的中心下。

综上，本申请提高了掩模版表面黑缺陷的修补能力，且整个修补过程不会造成玻璃损伤，降低了因修补造成报废的概率，还解决了激光修补机无法修复面积较大黑缺陷的技术问题，进而降低了产品报废率。

此外，本申请还提供一种终端设备。请参照图6，图6为本申请实施例方案涉及的终端设备的结构示意图。本申请实施例终端设备具体可以是为本地运行掩模版缺陷处理的设备。

如图6所示，本申请实施例终端设备可以包括：处理器1001，例如CPU，通信总线1002，用户接口1003，网络接口1004，存储器1005和掩模版缺陷处理装置1006。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏（Display）、输入单元比如键盘（Keyboard），可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如Wi-Fi接口）。

存储器1005设置在终端设备主体上，存储器1005上存储有程序，该程序被处理器1001执行时实现相应的操作。存储器1005还用于存储供终端设备使用的参数。存储器1005可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器（non-volatile memory），例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图6中示出的终端设备结构并不构成对终端设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图6所示，作为一种存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及终端设备的掩模版缺陷处理程序。

在图6所示的终端设备中，处理器1001可以用于调用存储器1005中存储的终端设备的掩模版缺陷处理程序以实现上述掩模版缺陷处理方法的步骤。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上述的一个计算机存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。

以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述掩模版缺陷处理装置包括：修补单元、图像识别单元、滴液控制单元和风刀控制单元，其中，所述修补单元包括：掩模版、蚀刻液滴头和风刀系统；

所述图像识别单元与所述修补单元建立通信连接，用于采集掩模版上的缺陷尺寸；

所述图像识别单元与所述滴液控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述滴液控制单元，以供所述滴液控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述蚀刻液滴头滴漏在所述缺陷尺寸的中心位置上的蚀刻液体积；

所述图像识别单元与所述风刀控制单元建立通信连接，用于将所述缺陷尺寸上传至所述风刀控制单元，以供所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

2.如权利要求1所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述修补单元还包括：图像采集系统；

所述图像采集系统与所述缺陷尺寸的中心位置之间设置有所述蚀刻液滴头和所述风刀系统，其中，所述风刀系统设置于所述蚀刻液滴头的中心下。

3.如权利要求2所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述图像采集系统包括：图像处理模块和显微镜，其中，所述显微镜包括：第一连接部和第二连接部；

所述第一连接部与所述第二连接部连接；

所述图像处理模块设置在所述第一连接部与所述第二连接部连接的一侧。

4.如权利要求1所述掩模版缺陷处理装置，其特征在于，所述风刀系统包括多个微型正方形风孔。

5.一种掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述掩模版缺陷处理方法应用于如权利要求1-4任一项所述的掩模版缺陷处理装置，所述掩模版缺陷处理方法包括：

通过图像识别单元采集掩模版上的缺陷尺寸，并通过所述图像识别单元将所述缺陷尺寸分别上传至滴液控制单元和风刀控制单元；

在所述滴液控制单元接收到所述缺陷尺寸后，根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积；

在所述风刀控制单元接收到所述缺陷尺寸后，通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

6.如权利要求5所述掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述滴液控制单元设置有映射表，其中，所述映射表存储有多个缺陷阈值区间；

所述根据所述滴液控制单元按照所述缺陷尺寸确定蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积的步骤，包括：

根据所述滴液控制单元从所述映射表中查找所述缺陷尺寸所属的目标缺陷阈值区间，其中，所述目标缺陷阈值区间是指多个所述缺陷阈值区间中的任意一个；

确定所述目标缺陷阈值区间对应的目标液体积，并将所述目标液体积作为蚀刻液滴头滴漏的蚀刻液体积。

7.如权利要求5所述掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述通过所述风刀控制单元根据所述缺陷尺寸控制风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：

通过风刀控制单元确定所述缺陷尺寸的轮廓边界；

将风刀系统中与所述轮廓边界对应的多个微型正方形风孔关闭，并将其它微型正方形风孔打开以确定所述风刀系统的风路路径；

按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

8.如权利要求7所述掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述其它微型正方形风孔包括第一区域风孔和第二区域风孔，其中，所述第一区域风孔是指所述轮廓边界内的多个微型正方形风孔，所述第二区域风孔是指所述轮廓边界外的多个微型正方形风孔；

所述按照所述风路路径控制所述风刀系统的风圈将所述蚀刻液体积与所述缺陷尺寸重叠，以对所述掩模版上的缺陷进行处理的步骤，包括：

根据所述风路路径确定所述第一区域风孔的第一出风力度，并确定所述第二区域风孔中与所述第一出风力度相对的第二出风力度，其中，所述第一出风力度是指将所述蚀刻液体积从所述蚀刻液滴头的中心向外扩散的作用力；

当所述蚀刻液滴头按照所述蚀刻液体积进行蚀刻液滴漏时，按照所述第一出风力度和第二出风力度之间的相对作用力生成所述风刀系统的风圈；

根据所述风圈对所述蚀刻液体积进行变形处理，得到所述蚀刻液体积对应的形状尺寸，其中，所述形状尺寸是指与所述缺陷尺寸相同的形状；

将所述形状尺寸重叠在所述缺陷尺寸上，以对所述掩模版上的缺陷进行处理。

9.如权利要求5-8任一项所述的掩模版缺陷处理方法，其特征在于，所述掩模版缺陷处理方法还包括：

在通过图像采集系统中的显微镜获取到所述掩模版上的缺陷坐标信息后，确定所述缺陷坐标信息对应的中心坐标点；

将所述蚀刻液滴头和所述风刀系统移动到所述中心坐标点与所述显微镜中心之间的轴线上。

10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括权利要求1-4任一项所述的掩模版缺陷处理装置、存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的掩模版缺陷处理程序，所述处理器执行所述掩模版缺陷处理程序时实现如权利要求5至9中任一项所述掩模版缺陷处理方法的步骤。

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