JPH06215714A - 電界放出型透過電子顕微鏡 - Google Patents

電界放出型透過電子顕微鏡

Info

Publication number
JPH06215714A
JPH06215714A JP4145128A JP14512892A JPH06215714A JP H06215714 A JPH06215714 A JP H06215714A JP 4145128 A JP4145128 A JP 4145128A JP 14512892 A JP14512892 A JP 14512892A JP H06215714 A JPH06215714 A JP H06215714A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
condenser lens
field emission
lens
electron microscope
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4145128A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisaya Murakoshi
久弥 村越
Mikio Ichihashi
幹雄 市橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP4145128A priority Critical patent/JPH06215714A/ja
Priority to US08/069,838 priority patent/US5373158A/en
Priority to NL9300952A priority patent/NL9300952A/nl
Publication of JPH06215714A publication Critical patent/JPH06215714A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049Focusing means
    • H01J2237/0492Lens systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06Sources
    • H01J2237/063Electron sources
    • H01J2237/06325Cold-cathode sources
    • H01J2237/06341Field emission
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/25Tubes for localised analysis using electron or ion beams

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高輝度な電顕像観察と微小部分析を両立でき
る電界放出型透過電子顕微鏡を実現する。 【構成】 試料7から一番遠い位置に低収差コンデンサ
ーレンズ4をおき、試料7とコンデンサーレンズ4の中
点位置に短焦点コンデンサーレンズ5をおき、電顕像観
察ではコンデンサーレンズ4とコンデンサーレンズ5を
連動させてコンデンサーレンズの倍率を拡大系として動
作させる。また、スポットを試料7上で小さく絞るに
は、コンデンサーレンズ5と試料7の間の試料に近い位
置の低収差レンズコンデンサーレンズ6を駆動させて、
コンデンサーレンズの倍率を縮小系で動作させる。 【効果】 小さな照射角と小さなスポット径の試料照射
を両立することにより、電界放出型透過電子顕微鏡の高
輝度な電顕像観察と元素分析を両立できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電界放出型透過電子顕
微鏡、更に詳しく言えば、電界放出陰極から電子を電界
放出させ所望の加速電圧まで加速する静電レンズに加
え、コンデンサーレンズにより試料上に収束電子ビーム
を照射する電界放出型透過電子顕微鏡、特に、試料への
照射条件を制御するコンデンサーレンズ部の構成及び操
作に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の透過形電子顕微鏡は、電子ビーム
を発生する電子源として、例えばタングステンやLaB
6を加熱して熱電子放出させる熱電子源や曲率半径の小
さい針状陰極に強電界を印加して陰極から電子を電界放
出させる電界放出電子源を用いてる。熱電子源を用いる
ものでは、熱電子源の光源径は2〜10μmもあり、高
倍率観察で試料上の電子ビーム照射領域を1μm以下に
にするためには、照射系の倍率は縮小となっている。こ
の例に関しては、例えば特許公開公報 特開昭55−1
26951号に開示されている。また、電界放出電子源
を用いるものは、照射系は静電レンズと一段のコンデン
サーレンズより構成されている。この例に関しては、例
えば特許公開公報 特開昭60−117534号にに開
示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、高分解能像観察
と微小部分析の機能を兼ね備えた透過電子顕微鏡が要求
されている。これを実現するため、熱電子源を用いる透
過電子顕微鏡の従来例では、高倍率観察及び微小部分析
の両方において照射系の倍率は縮小になる。これは熱電
子源の大きさが2〜10μmもあるため、高倍率観察時
には像の明るさの低減を防ぐために、微小部分析には光
源を大きく縮小するために必要となるのである。しか
し、光源の輝度不足のため、分析に必要な照射電流を得
るためには、試料上で電子ビームの径を10nm以下に
することはほとんど不可能である。
【0004】一方、熱電子源より高輝度で光源径の小さ
い電界放出電子源を搭載した電界放出型透過電子顕微鏡
は、より高分解能で極微小部の分析ができる可能性があ
る。この電界放出型透過電子顕微鏡でこの高分解能像観
察と微小部分析の二つの機能を実現する場合は、分析は
照射系倍率を縮小、観察は倍率を拡大で用いる必要があ
る。すなわち、電界放出電子源は光源径が約10nmと
小さいが、試料上で電子ビームを例えば1nm以下に小
さく絞って試料の極微小部の微小部分析をするために
は、照射系を1/10以下の縮小で用いる必要がある。
【0005】他方、高分解能の電子顕微鏡像を得るため
には試料照射角を小さくする必要がある。図2に示すよ
うに、静電レンズ2によって電界放出電子源1から引き
出し電圧V1で放出された電子線が加速電圧V0まで加
速されて、コンデンサーレンズ8により試料7に結像す
るとし、絞り9で制限される陰極出射角をα、試料照射
角をβとおく。照射系の倍率Mは、ヘルムホルツの関係
式より、
【数1】 となる。電界放出陰極1の放出角電流密度(単位立体角
当たりの放出電流)をωとすると、絞り9で制限される
ビーム電流IはI=πα2ωとなる。
【0006】ここで、電界放出陰極1として[310]
方位のタングステンWを用いる場合は、最大でω〜50
μA/srである。また、螢光板上で明るい拡大像を得
るためにはI=4nA 程度のビーム電流が必要とな
り、その条件でのαを計算すると、α=5mradとな
る。引き出し電圧V1は通常4kVから6kVの条件で
使用する。引き出し電圧V1=6kV、加速電圧V0=
200kV、α=5mradとして、倍率Mを計算する
と、 M=0.86/β(ただし、βの単位はmrad) となる。したがって、高分解能観察に必要な0.5mr
ad以下の照射角βを得るためには倍率Mをできるだけ
拡大にして用いる必要がある。
【0007】しかし、従来例ではコンデンサーレンズ8
が一段構成であるため、コンデンサーレンズ8を用いて
縮小から拡大まで倍率を大きく変化することはできな
い。このため、微小部分析において1nm以下の電子ビ
ームを得るようなレンズ配置にした場合には、高倍率観
察において拡大倍率が不足となるため、0.5mrad
以下の照射角は得られず高分解能観察ができなくなる。
また逆に、拡大倍率が大きくとれるレンズ配置にした場
合には、1nm以下の微小部分析が不可能になってしま
う。従って、この従来例では高分解能観察と極微小部分
析を同一のコンデンサーレンズで両立することはできな
い。このように、従来の電界放出型透過電子顕微鏡は、
照射系の拡大と縮小を同一のレンズ構成で実現するコン
デンサの構成は全く存在しなかった。従って、本発明の
目的は高輝度な電顕像観察と微小部分析を両立できる電
界放出型透過電子顕微鏡を実現することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明よる電界放出型透過電子顕微鏡では、コンデ
ンサーレンズを試料から一番遠い位置に配置された低収
差の第1のコンデンサーレンズと、試料と第1のコンデ
ンサーレンズとのほぼ中点位置に配置された短焦点の第
2のコンデンサーレンズと、第2のコンデンサーレンズ
と試料との間に配置された低収差の第3のコンデンサー
レンズの少なくとも3段の複合コンデンサで構成し、上
記3つコンデンサーレンズを選択して駆動する駆動手段
を設けた。そして、試料の電顕像観察では第1及び第2
ののコンデンサーレンズを同時に連動させて駆動して複
合コンデンサーレンズの倍率を拡大系で動作させる。ま
た試料上でスポットを細く絞ってX線分析などを行う場
合には、第3のコンデンサーレンズを駆動し、コンデン
サーレンズの倍率を縮小系で動作させる。
【0009】
【作用】以下、本発明の原理を説明する。コンデンサー
レンズとして通常用いる磁界形の薄肉レンズは、レンズ
上磁極と下磁極との孔径の平均値をD、上磁極と下磁極
の間隔をSとおくと、焦点距離f、球面収差係数Cs
は、それぞれ次式で近似される。 f/(S+D)=25/Ex2 (1)
【数2】 Cs=5.0f3/(S+D)2 (2) ここで、Φ0は電子線の加速電圧(単位はボルト)、N
Iはレンズコイルのアンペア巻数である。(1)式よ
り、同じレンズ励磁では(S+D)値が小さいレンズに
すれば、短焦点が得られ、また、(2)式より、同じ焦
点距離では(S+D)の大きいレンズを用いれば球面収
差を小さくできることがわかる。
【0010】コンデンサーレンズを拡大で用いるために
は、レンズ一段より少なくとも二段以上の構成としたほ
うが倍率を大きくできる。図3に示すように、試料から
一番遠い第1のコンデンサーレンズ4、二番目に遠い第
2コンデンサーレンズ5で試料7上に結像させる条件で
の照射系の倍率Mcは、レンズ4の物面−レンズ間距
離、像面−レンズ間距離、焦点距離をそれぞれa1、b
1、f1、レンズ5の物面−レンズ間距離、像面−レン
ズ間距離、焦点距離をそれぞれa2、b2、f2、C1
−試料間距離をL1とすると、 Mc=(b1/a1)*(b2/a2)=(1/a1)
{(−1/f2)b22+(l/f2)b2−L1}
(3)で表わされる。
【0011】(3)式をb2について偏微分すると、 ∂Mc/∂b2=(1/a1f2)(L1−2b2) となる。したがって、Mcはb2=2/L1の場合に最
大値(L1/a1f2)*(L1/4−f2)をとる。
すなわち、レンズ5の焦点距離が同じ条件では、レンズ
5をレンズ4と試料の中点位置に置けば倍率が最大にな
る。また、レンズ4は試料から遠ざけ、レンズ5を短焦
点で用いる方が倍率を大きくとることができる。ここで
レンズ励磁Exは、レンズの磁路の磁気飽和で定まる上
限値があるので、できるだけ小さな焦点距離を得るため
には同じレンズ励磁で短焦点となる(S+D)の小さい
レンズを用いた方が有利である。また、レンズ4は、レ
ンズ収差によるぼけがレンズ5により大きく拡大される
ので、できるだけ低収差のレンズを用いた方が良い。
【0012】次に試料7面上でスポットを絞る場合につ
いて述べる。最終段レンズで大きく縮小をとると、最終
段レンズ以前の収差によるぼけは大きく縮小されるの
で、試料面上の収差によるぼけは主に最終段レンズから
の寄与のみとなる。ここで、照射系を第1及び第2のコ
ンデンサレンズ4、5のみの構成とすると、最終段は第
2のレンズ5になる。しかし、第2のコンデンサレンズ
5は短焦点を得るための寸法の小さいレンズであれば、
(2)式より球面収差は寸法の小さいレンズほど大きく
なってしまい、試料面上で小さなスポットが得られなく
なる。
【0013】従って、小さなスポットを得るためには、
短焦点の第2のコンデンサレンズとは異なる低収差のレ
ンズを別に配置するのが必須となる。また、コンデンサ
ーレンズをできるだけ試料に近づければ、コンデンサー
レンズの倍率がより小さくなり、また焦点距離fも小さ
くなるのでレンズ収差も小さくなる。そこで第2のコン
デンサレンズ5と試料7の間のできるだけ試料7に近い
位置に第3のコンデンサーレンズを置き、第3のコンデ
ンサーレンズを低収差の(S+D)の大きなレンズにす
れば、試料7面上で大きく縮小された、収差によるぼけ
の小さい極微小スポットを得ることができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて説明す
る。図1は本発明による電界放出型透過電子顕微鏡の1
実施例の要部構成を示す図である。電界放出電子源1か
ら放出された電子線は、静電レンズ2により所望の加速
電圧V0まで加速された後、コンデンサーレンズで試料
7へ照射される。コンデンサーレンズは、試料7から遠
い位置から順に第1のコンデンサーレンズ4第2のコン
デンサーレンズ5及び第3のコンデンサーレンズ6で構
成される。
【0015】コンデンサーレンズ4と試料7間の距離L
1はできるだけ大きい方が倍率を拡大にできるが、装置
の全高を考慮に入れてここでは300mmとする。コン
デンサーレンズ5は距離L1の中点位置、コンデンサー
レンズ5−試料間距離L2=150mmの位置に置く。
コンデンサーレンズ6は、試料7にできるだけ近い位
置、ここではコンデンサーレンズ6−試料間距離L3=
50mmに置く。コンデンサーレンズ4、5及び6の上
磁極、下磁極間距離をそれぞれS1、S2及びS3、上
磁極と下磁極との孔径の平均値をそれぞれD1、D2及
びD3とする。コンデンサーレンズ5の寸法はできるだ
け短焦点にするために、S2+D2を小さくとり、ここ
ではS2+D2=10mmとする。コンデンサーレンズ
4とコンデンサーレンズ5は収差を小さくする為に、寸
法を大きくとる。ここではS1+D1=S3+D3=5
0mmとする。
【0016】電界放出電子源1から放出された電子線
は、静電レンズ2によりレンズ作用を受ける。しかし、
静電レンズ2はレンズ収差が大きいので、通常はレンズ
作用が弱くなるように使用し、電子源1位置の後方10
0mmから2000mmに虚像で結像する条件で使用す
る。さらに、コンデンサーレンズ4と静電レンズ2との
間の距離は静電レンズ2で所望の加速電圧まで加速する
空間をとる必要があり、通常は500mm以上必要であ
る。ここでは、静電レンズ2の結像位置とコンデンサー
レンズ4との間の距離a1=1000mmとおいて、以
下の計算を行う。
【0017】複合レンズを拡大系で用いるときは、コン
デンサーレンズ4及び5を同時に駆動する。ここで、コ
ンデンサーレンズ5のレンズ励磁Exを最大10までと
れるとすると、コンデンサーレンズ5の最小の焦点距離
fは(1)式より、f=2.5mmとなり、コンデンサ
ーレンズ4及び5で拡大にしたときの倍率Mcは(3)
式より、Mc=8850a1=8.85となる。ここ
で、コンデンサーレンズ5の位置をコンデンサーレンズ
4−試料間の中点位置から10パーセントほどずらした
場合、すなわちL2=0.4L1=120mm、L2=
0.6L1=180mmの場合のコンデンサーレンズの
倍率を計算すると、それぞれMc=8.46、8.52
となり、約5パーセント倍率が小さくなるが、レンズの
実装上コンデンサーレンズ5を中点位置におけない場合
にはL2=0.5(1±0.1)L1の範囲に配置して
もよい。
【0018】また、コンデンサーレンズ5の位置をさら
にずらしたい場合には、コンデンサーレンズ5の寸法を
さらに小さくすることで対応することができる。コンデ
ンサーレンズ5の寸法S2+D2を、S2+D2=8m
mとすると、コンデンサーレンズ5の最小の焦点距離f
は(1)式より、f=2mmとなり、L1=300m
m、L2=220mmの場合でも、コンデンサーレンズ
の倍率Mcは、Mc=8580a1=8.58となり、
コンデンサーレンズ5レンズを試料7とコンデンサーレ
ンズ4のほぼ中点位置におけない場合の倍率の劣化をコ
ンデンサーレンズ5の寸法をさらに小さくすることで対
応することができる。試料7上でできるだけスポットを
絞るためにはコンデンサーレンズ6を駆動させる。コン
デンサーレンズ6単独で駆動させた場合の倍率Mcは、
Mc=b2/(a1+250)=0.04 となり、光
源1を試料面7上で小さく縮小することができる。
【0019】試料7上の収差によるぼけdはコンデンサ
ーレンズ6の縮小を大きくとれば、高加速電圧では、ほ
ぼコンデンサーレンズ6の球面収差と回折収差で定ま
る。試料7上の照射角をβ、コンデンサーレンズ6の球
面収差係数をCs、電子線の波長をλとすれば、球面収
差、回折収差によるぼけds,dλは、それぞれ、 ds=0.5Csβ3 dλ=0.61λ/β となる。dはdsとdλの二乗和平方根より定まり、そ
の最小値dminは次式となる。
【数3】 ここで、(2)式に上記の値を代入すれば、Cs=25
0mmとなる。波長λとして、例えば、加速電圧200
kVにおける値λ=0.0025nmを用いて(4)式
に代入すると、dmin=1.08nmとなり、コンデ
ンサーレンズ6に低収差レンズを用いれば、収差による
ぼけも非常に小さくすることができる。
【0020】以上の構成を図4のレイダイヤグラムで示
す。図4(a)、(b)、(c)、(d)において駆動
されるレンズは太線で、駆動されない不稼働のレンズは
細線で示す。コンデンサーレンズは三段レンズ構成と
し、倍率の拡大は(a)に示すようにコンデンサーレン
ズ4とコンデンサーレンズ5を連動させて動作させる。
縮小は(b)に示すようにコンデンサーレンズ6単独で
駆動させる。ここで縮小については、(c)及び(d)
にそれぞれ示すように、コンデンサーレンズ6に加え、
コンデンサーレンズ4あるいはコンデンサーレンズ4、
コンデンサーレンズ5を一緒に駆動させても良い。ま
た、照射系の最終段に対物前方前磁場レンズを用いる場
合でも、コンデンサーレンズは上記の構成のままで上述
の機能を達成することが出来る。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明でコンデン
サーレンズを三段構成とし、試料から一番遠い位置に低
収差レンズコンデンサーレンズ4を置き、試料7とコン
デンサーレンズ4のほぼ中点位置に短焦点コンデンサー
レンズ5を置き、電顕像観察では、コンデンサーレンズ
4とコンデンサーレンズ5を連動させてコンデンサーレ
ンズの倍率を拡大系として動作させる。また、スポット
を試料上で小さく絞るには、コンデンサーレンズ5と試
料の間のできるだけ試料に近い位置の低収差レンズコン
デンサーレンズ6を駆動させて、コンデンサーレンズの
倍率を縮小系で動作させる。以上の構成により、高輝度
な電顕像観察と元素分析を両立できる電界放出型透過電
子顕微鏡のコンデンサーレンズを実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による電界放出型透過電子顕微鏡の1実
施例の構成を示す図である。
【図2】電界放出型透過電子顕微鏡の照射系の一般的構
成を示す図である。
【図3】本発明の原理説明のための照射系の動作を示す
レイダイアグラムである。
【図4】本発明による電界放出型透過電子顕微鏡の1実
施例の動作を示すレイダイアグラムである。
【符号の説明】
1…電界放出電子源 2…静電レンズ 3…高圧電源 4…コンデンサ
ーレンズ 5…コンデンサーレンズ 6…コンデンサ
ーレンズ 7…試料 8…コンデンサ
ーレンズ 9…絞り

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電界放出陰極から電子を電界放出させ所
    望の加速電圧まで加速する静電レンズと、コンデンサー
    レンズにより試料上に収束電子ビームを照射する手段と
    を備えた電界放出型透過電子顕微鏡において、上記コン
    デンサーレンズが、倍率の拡大と縮小を行う複合レンズ
    構成で構成されたことを特徴とする電界放出型透過電子
    顕微鏡。
  2. 【請求項2】 電界放出陰極から電子を電界放出させ所
    望の加速電圧まで加速する静電レンズと、コンデンサー
    レンズにより試料上に収束電子ビームを照射する手段と
    を備えた電界放出型透過電子顕微鏡において、上記コン
    デンサーレンズが上記試料から位置番遠い方から順に配
    置された第1、第2及び第3のコンデンサーレンズとを
    もち、上記試料と第1のコンデンサーレンズとの間の距
    離をL1とし、上記第2のコンデンサーレンズが試料か
    ら0.5L1(1±0.1)の位置に配置されることを
    特徴とする電界放出型透過電子顕微鏡。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の電界放出型透過電子顕微
    鏡のコンデンサーレンズの倍率を拡大で用いるとき、上
    記第1及び第2のコンデンサーレンズを駆動することを
    特徴とする電界放出型透過電子顕微鏡の操作方法。
  4. 【請求項4】 請求項2記載の電界放出型透過電子顕微
    鏡のコンデンサーレンズの倍率を縮小で用いるとき、少
    なくとも上記第3のコンデンサーレンズを駆動すること
    を特徴とする電界放出型透過電子顕微鏡の操作方法。
  5. 【請求項5】 電界放出陰極から電子を電界放出させ所
    望の加速電圧まで加速する静電レンズと、三つ以上の磁
    界型コンデンサーレンズにより試料上に収束電子ビーム
    を照射する手段とを備えた電界放出型透過電子顕微鏡に
    おいて、上記三つ以上の磁界型コンデンサーレンズの中
    で試料から遠い順に配置された少なくとも第1、第2及
    び第3の磁界型コンデンサーレンズのそれぞれの上磁極
    と下磁極の間隔をそれぞれ、S1、S2及びS3とし、
    上記第1、第2及び第3の磁界型コンデンサーレンズの
    それぞれの上磁極と下磁極の孔径の平均値をそれぞれD
    1、D2、D3とし、S2+D2<S1+D1及びS2
    +D2<S3+D3が成り立つように上磁極と下磁極の
    間隔と上磁極と下磁極の孔径が設定されたことを特徴と
    する電界放出型透過電子顕微鏡。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の電界放出型透過電子顕微
    鏡の磁界型コンデンサーレンズの倍率を拡大で用いると
    き、上記第1及び第2の磁界型コンデンサーレンズを駆
    動することを特徴とする電界放出型透過電子顕微鏡の操
    作方法。
  7. 【請求項7】 請求項5記載の電界放出型透過電子顕微
    鏡の磁界型コンデンサーレンズの倍率を縮小で用いると
    き、少なくとも第3の磁界型コンデンサーレンズを駆動
    することを特徴とする電界放出型透過電子顕微鏡の操作
    方法。
JP4145128A 1992-06-05 1992-06-05 電界放出型透過電子顕微鏡 Pending JPH06215714A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4145128A JPH06215714A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 電界放出型透過電子顕微鏡
US08/069,838 US5373158A (en) 1992-06-05 1993-06-01 Field-emission transmission electron microscope and operation method thereof
NL9300952A NL9300952A (nl) 1992-06-05 1993-06-03 Veld-emissie transmissie-electronenmicroscoop en werkwijze voor bedrijven daarvan.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4145128A JPH06215714A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 電界放出型透過電子顕微鏡

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06215714A true JPH06215714A (ja) 1994-08-05

Family

ID=15378054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4145128A Pending JPH06215714A (ja) 1992-06-05 1992-06-05 電界放出型透過電子顕微鏡

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5373158A (ja)
JP (1) JPH06215714A (ja)
NL (1) NL9300952A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100206A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Ebara Corporation 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2021144789A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 日本電子株式会社 磁界レンズの制御方法および荷電粒子線装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1105914B1 (en) * 1999-06-22 2007-03-07 Fei Company Particle-optical apparatus including a particle source that can be switched between high brightness and large beam current
DE19945344A1 (de) * 1999-09-22 2001-03-29 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenoptisches Beleuchtungs- und Abbildungssystem mit einer Kondensor-Objektiv-Einfeldlinse
JP3968334B2 (ja) * 2002-09-11 2007-08-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線照射方法
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
JP4822925B2 (ja) * 2006-04-28 2011-11-24 日本電子株式会社 透過型電子顕微鏡

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5126227B2 (ja) * 1971-09-21 1976-08-05
JPS5420828B2 (ja) * 1972-06-09 1979-07-25
JPS5248964A (en) * 1975-10-17 1977-04-19 Hitachi Ltd Transmission-type scanning electronic microscope
NL175245C (nl) * 1977-05-26 1984-10-01 Philips Nv Elektronenmicroscoop met hulplens en elektromagnetische lens hiervoor.
DE2827085C2 (de) * 1978-06-16 1980-07-24 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren und Vorrichtung zur Brennweitenbestimmung langbrennweitiger elektronenoptischer Linsen
US4210806A (en) * 1979-01-18 1980-07-01 International Business Machines Corporation High brightness electron probe beam and method
JPS55126951A (en) * 1979-03-23 1980-10-01 Hitachi Ltd Electron microscope
JPS55128243A (en) * 1979-03-28 1980-10-03 Hitachi Ltd Electron microscope
JPH0766772B2 (ja) * 1983-11-30 1995-07-19 株式会社日立製作所 多段加速方式電界放射形電子顕微鏡
JPS614142A (ja) * 1984-06-16 1986-01-10 Jeol Ltd 電子顕微鏡
US4713543A (en) * 1984-08-13 1987-12-15 Siemens Aktiengesellschaft Scanning particle microscope
JPS63298949A (ja) * 1987-05-28 1988-12-06 Jeol Ltd 広狭領域が同時観察可能な分析電子顕微鏡
DE3825103A1 (de) * 1988-07-23 1990-01-25 Zeiss Carl Fa Verfahren zum beleuchten eines objektes in einem transmissions-elektronenmikroskop

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004100206A1 (ja) * 2003-05-09 2004-11-18 Ebara Corporation 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
JP2021144789A (ja) * 2020-03-10 2021-09-24 日本電子株式会社 磁界レンズの制御方法および荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
NL9300952A (nl) 1994-01-03
US5373158A (en) 1994-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6329659B1 (en) Correction device for correcting the lens defects in particle-optical apparatus
JP2919170B2 (ja) 走査電子顕微鏡
US6259094B1 (en) Electron beam inspection method and apparatus
US6740877B2 (en) Scanning electron microscope and sample observation method using the same
WO2015045476A1 (ja) 電子顕微鏡
US6967328B2 (en) Method for the electron-microscopic observation of a semiconductor arrangement and apparatus therefor
JP2023110072A (ja) 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法
JPH06215714A (ja) 電界放出型透過電子顕微鏡
JP3153391B2 (ja) 集束イオンビーム装置
JPH11242943A (ja) 検査装置
JP2003151484A (ja) 走査型荷電粒子ビーム装置
JP2002367552A (ja) 荷電粒子線装置
JP2001229868A (ja) ホログラフィ電子顕微鏡
JP2003092078A (ja) 電子顕微鏡の球面収差補正装置
JP4334159B2 (ja) 基板検査システムおよび基板検査方法
JP2000208089A (ja) 電子顕微鏡装置
JP3517596B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP3730041B2 (ja) 複合放出電子顕微鏡における放出電子加速方法
JPH08138600A (ja) 荷電粒子光学系
JP2001243904A (ja) 走査形電子顕微鏡
JP3814968B2 (ja) 検査装置
JPH03230464A (ja) 走査型電子顕微鏡
JP3854751B2 (ja) 電子顕微鏡装置
JP2004247321A (ja) 走査形電子顕微鏡
JP2005158642A (ja) パターンを評価する方法及びデバイス製造方法