JPH01205527A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
- Publication number
- JPH01205527A JPH01205527A JP63030313A JP3031388A JPH01205527A JP H01205527 A JPH01205527 A JP H01205527A JP 63030313 A JP63030313 A JP 63030313A JP 3031388 A JP3031388 A JP 3031388A JP H01205527 A JPH01205527 A JP H01205527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- alignment
- mark
- semiconductor substrate
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 206010073150 Multiple endocrine neoplasia Type 1 Diseases 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に投影露光装
置によるホ１へマスクの合せ方法に関する。
置によるホ１へマスクの合せ方法に関する。
従来、この種の投影露光装置によるホトマスクの合せは
先行する工程で半導体基板上に形成された単一のフライ
メン１−マークを検出し、該アライメントマークに対し
て誤差がＯになるようにホトマスクの合せを行っていた
。第２図でこの説明を行う。
先行する工程で半導体基板上に形成された単一のフライ
メン１−マークを検出し、該アライメントマークに対し
て誤差がＯになるようにホトマスクの合せを行っていた
。第２図でこの説明を行う。
半導体基板１上に第１のホｌ−マスクによって作られる
第」−のプライメン１〜マーク２と第１のプライメン１
〜マーク２を利用して合せを行う第２のホトマスクによ
って作られる第２のアライメントマーク３がある。第３
のホトマスクを第２のホｌ−マスクに対して合せる際に
、第２のアライメントマーク３の座標を検出し、それに
対して誤差Ｏとなるような第３のホトマスクの合せを行
う位置４を求めることが必要であるか、この位置は第ｊ
のホ１へマスクによるアライメントマーク２に対して第
１及び第２のアライメントマーク１と２の誤差を含んで
いる。
第」−のプライメン１〜マーク２と第１のプライメン１
〜マーク２を利用して合せを行う第２のホトマスクによ
って作られる第２のアライメントマーク３がある。第３
のホトマスクを第２のホｌ−マスクに対して合せる際に
、第２のアライメントマーク３の座標を検出し、それに
対して誤差Ｏとなるような第３のホトマスクの合せを行
う位置４を求めることが必要であるか、この位置は第ｊ
のホ１へマスクによるアライメントマーク２に対して第
１及び第２のアライメントマーク１と２の誤差を含んで
いる。
上述した従来のホトマスク合せ方法では、合せ毎に生し
る幾つかの誤差を補正する方法がないので、誤差は単純
に累積していくという欠点がある。
る幾つかの誤差を補正する方法がないので、誤差は単純
に累積していくという欠点がある。
本発明の目的は前記課題を解決した投影露光方法を提供
することにある。
することにある。
」二連した従来の合せ方法に列し、本発明は先行する複
数の工程で半導体基板上に形成された複数のプライメン
１〜マークを同時に検出してホ１−マクスの合せを行う
という相違点を有する。
数の工程で半導体基板上に形成された複数のプライメン
１〜マークを同時に検出してホ１−マクスの合せを行う
という相違点を有する。
上記１」的を達成するため、本発明は投影露光方法にお
いては、半導体基板」−に形成された第１のホＩ−マス
クによる第１のアライメントマークと第２のホＩ−マス
クによる第２のアライメントマークの座標を同時に検出
し、その検出した座標から第３のホトマスクを合せる最
適座標を計算し、ホトマスクの合せを行うものである。
いては、半導体基板」−に形成された第１のホＩ−マス
クによる第１のアライメントマークと第２のホＩ−マス
クによる第２のアライメントマークの座標を同時に検出
し、その検出した座標から第３のホトマスクを合せる最
適座標を計算し、ホトマスクの合せを行うものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する図である。
半導体基板］−Ｈに第１のホトマスクによって作られる
第１のフライメン１ヘマーク２と、第コ−のアライメン
１へマークを利用して合せを行う第２のホｌ−マスクに
よって作られる第２のプライメン１〜マーク３がある。
第１のフライメン１ヘマーク２と、第コ−のアライメン
１へマークを利用して合せを行う第２のホｌ−マスクに
よって作られる第２のプライメン１〜マーク３がある。
本発明は第１−のプライメン１〜マーク２及び第２のフ
ライメン１ヘマーク３を同時に検出することにより第１
のホ１−マスクに列する第２のホ１−マスクの基板上で
の合せ誤差を求め、第１のホｌ−マスク及び第２のホト
マスクに対する誤差を最小にするような第３のポ１ヘマ
スクの合せを行う位置４を求めるものである。
ライメン１ヘマーク３を同時に検出することにより第１
のホ１−マスクに列する第２のホ１−マスクの基板上で
の合せ誤差を求め、第１のホｌ−マスク及び第２のホト
マスクに対する誤差を最小にするような第３のポ１ヘマ
スクの合せを行う位置４を求めるものである。
本発明によれは、ホトマスクの合せは先行する工程での
複数のアライメン）へマークを利用するため、先行する
工程における合せ誤差を最小限に抑えることが可能とな
る。
複数のアライメン）へマークを利用するため、先行する
工程における合せ誤差を最小限に抑えることが可能とな
る。
〔発明の効果Ｊ
以上説明したように本発明は、ホｌ−マスクの合せを行
う際に検出するパターンとして先行する工程で半導体基
板上に作られた複数のプライメン１〜マークを利用する
ことにより、先行する工程に対する合せ誤差位少なくす
ることができるという効果かある。
う際に検出するパターンとして先行する工程で半導体基
板上に作られた複数のプライメン１〜マークを利用する
ことにより、先行する工程に対する合せ誤差位少なくす
ることができるという効果かある。
第１ Ｉ’、／Ｉは本発明の一実施例を説明する平面図
、第２図は従来例を説明する平面図である。 １ ・半導体基板
、第２図は従来例を説明する平面図である。 １ ・半導体基板
Claims (1)
- １、半導体基板上に形成された第１のホトマスクによる
第１のアライメントマークと第２のホトマスクによる第
２のアライメントマークの座標を同時に検出し、その検
出した座標から第３のホトマスクを合せる最適座標を計
算し、ホトマスクの合せを行うことを特徴とする投影露
光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030313A JPH01205527A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63030313A JPH01205527A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205527A true JPH01205527A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12300299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63030313A Pending JPH01205527A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205527A (ja) |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63030313A patent/JPH01205527A/ja active Pending
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