JPH03203313A - 半導体装置の露光方法 - Google Patents
半導体装置の露光方法Info
- Publication number
- JPH03203313A JPH03203313A JP1342857A JP34285789A JPH03203313A JP H03203313 A JPH03203313 A JP H03203313A JP 1342857 A JP1342857 A JP 1342857A JP 34285789 A JP34285789 A JP 34285789A JP H03203313 A JPH03203313 A JP H03203313A
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- JP
- Japan
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- shot
- marks
- exposure
- exposed
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- Pending
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の露光方法に関する。
従来の縮小投影露光装置を用いた半導体装置の露光方法
は、第７図に示すように、−度の露光工程において１つ
のエチクル１を使用し、このレチクルｌのパターンを第
９図に示すように、チップ領域に形成された位置合せマ
ーク７を使用し、半導体基板（以下ウェハーという）上
にステップアライン方式により縮小投影を行って、第８
図に示すように、ウェハ−３全体に複数のレチクルの縮
小パターンを同一条件で露光していた。
は、第７図に示すように、−度の露光工程において１つ
のエチクル１を使用し、このレチクルｌのパターンを第
９図に示すように、チップ領域に形成された位置合せマ
ーク７を使用し、半導体基板（以下ウェハーという）上
にステップアライン方式により縮小投影を行って、第８
図に示すように、ウェハ−３全体に複数のレチクルの縮
小パターンを同一条件で露光していた。
上述した従来の半導体装置の露光方法は、−度の露光工
程において、一つのレチクルを使用し、そのレチクルの
パターンを位置合せマーク７を使ってウェハー３上にス
テップアライン方式により縮小投影を行い、ウェハー全
体に複数のレチクル縮小パターンを同一の条件で露光す
ることになっている。
程において、一つのレチクルを使用し、そのレチクルの
パターンを位置合せマーク７を使ってウェハー３上にス
テップアライン方式により縮小投影を行い、ウェハー全
体に複数のレチクル縮小パターンを同一の条件で露光す
ることになっている。
このため、ＧａＡｓＩＣなどの化合物半導体のように、
多品種でかつ少量の生産を行う場合、同一ウニバー上に
１種類のレチクルパターンしか露光できずまた、同一条
件でしか露光できないため、効率が悪いという欠点があ
る。
多品種でかつ少量の生産を行う場合、同一ウニバー上に
１種類のレチクルパターンしか露光できずまた、同一条
件でしか露光できないため、効率が悪いという欠点があ
る。
本発明の半導体装置の露光方法は、コンタクト露光方法
により半導体ウェハー上の１ショット領域に位置合せマ
ーク及びショット情報を含むマークを形成し、縮小投影
露光を行う場合上記マークを検出し、ショット情報によ
りショット条件を選択し、かつ所定のレチクルを選択し
て１種類以上の縮小パターンを半導体ウェハー上に露光
するものである。
により半導体ウェハー上の１ショット領域に位置合せマ
ーク及びショット情報を含むマークを形成し、縮小投影
露光を行う場合上記マークを検出し、ショット情報によ
りショット条件を選択し、かつ所定のレチクルを選択し
て１種類以上の縮小パターンを半導体ウェハー上に露光
するものである。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための縮小投
影露光装置のｎ４戒図、第２図及び第３図は第１の実施
例により露光されたウェハーの上面図及びＸ部拡大図で
ある。
影露光装置のｎ４戒図、第２図及び第３図は第１の実施
例により露光されたウェハーの上面図及びＸ部拡大図で
ある。
半導体装置の製造方法の位置合せマーク形成工程におい
て、第３図に示すように各ショット領域１０に位置合せ
マーク７及びショット情報マーク６をコンタクト露光法
により形成する。
て、第３図に示すように各ショット領域１０に位置合せ
マーク７及びショット情報マーク６をコンタクト露光法
により形成する。
それ以後の縮小投影露光工程では第１図に示した露光装
置を用い、位置合せマーク７の検出と同時にショット情
報マーク６を読み取り、ショット条件を選定し、例えば
第２図に示すように、ウェハー３の外周部のショットの
露光量を第１図に示した制御部８により補正しながら、
ステップアライン露光を行う。
置を用い、位置合せマーク７の検出と同時にショット情
報マーク６を読み取り、ショット条件を選定し、例えば
第２図に示すように、ウェハー３の外周部のショットの
露光量を第１図に示した制御部８により補正しながら、
ステップアライン露光を行う。
この第１の実施例によれば、フォトレジストの塗布の際
その膜厚が中央部より２０００Ａ〜３０００Ａ程度厚く
なるウェハー外周部においても、補正露光量情報ａによ
り露光量を補正できるため、歩留りよく露光することが
できる。
その膜厚が中央部より２０００Ａ〜３０００Ａ程度厚く
なるウェハー外周部においても、補正露光量情報ａによ
り露光量を補正できるため、歩留りよく露光することが
できる。
第４図は本発明の第２の実施例を説明するため程におい
て、第６図に示すように、各ショット領域１０に位置合
せマーク７及び使用レチクルのショット情報マーク７を
コンタクト露光法により形成する。
て、第６図に示すように、各ショット領域１０に位置合
せマーク７及び使用レチクルのショット情報マーク７を
コンタクト露光法により形成する。
それ以後の縮小投影露光工程では、第４図に示した露光
装置を用い、各ショットで位置合せマーク７の検出と同
時に使用レチクルの情報を読み取り、制御部８でレチク
ルステージ９を回転させて、使用レチクル１（Ａ−Ｄ）
をセットして、ステップアライン露光を行う。
装置を用い、各ショットで位置合せマーク７の検出と同
時に使用レチクルの情報を読み取り、制御部８でレチク
ルステージ９を回転させて、使用レチクル１（Ａ−Ｄ）
をセットして、ステップアライン露光を行う。
この第２の実施例によれば、ＧａＡｓＩＣなどの多品種
少量製品及び新製品試作時における少量生産を効率良く
できるという利点があり、また第１の実施例と組み合せ
ることにより、更に歩留り良く生産することができる。
少量製品及び新製品試作時における少量生産を効率良く
できるという利点があり、また第１の実施例と組み合せ
ることにより、更に歩留り良く生産することができる。
以上説明したように本発明は、ウェハー上の１ショット
領域に位置合せマーク及びショット情報を含むマークを
形成することにより、縮小投影露光を行う場合これらの
マークを同時に検出し、ショット情報により選択的にシ
ョット条件を変更し、かつ所定のレチクルを選択して１
種類以上の縮小パターンを異った条件で露光できるため
、ＧａＡｓＩＣなどの化合物半導体のような、多品種少
量生産及び新製品試作時における少量生産を効率良くか
つ歩留り良くできるという効果がある。
領域に位置合せマーク及びショット情報を含むマークを
形成することにより、縮小投影露光を行う場合これらの
マークを同時に検出し、ショット情報により選択的にシ
ョット条件を変更し、かつ所定のレチクルを選択して１
種類以上の縮小パターンを異った条件で露光できるため
、ＧａＡｓＩＣなどの化合物半導体のような、多品種少
量生産及び新製品試作時における少量生産を効率良くか
つ歩留り良くできるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を説明するための縮小投
影露光装置の構成図、第２図及び第３図は第１の実施例
により露光されたウェハーの上面図及びＸ部拡大図、第
４図は本発明の第２の実施例を説明するための縮小投影
露光装置の構成図、第５図及び第６図は第２の実施例に
より露光されたウェハーの上面図及びＹ部拡大図、第７
図は従来例を説明するための縮小投影露光装置の構成図
、第８図及び第９図は従来例により露光されたウェハー
の上面図及び２部拡大図である。 １・・・レチクル、２・・・主レンズ、３・・・ウェハ
ー４・・・ステージ、５・・・光源、６・・・ショット
情報マーク、７・・・位置合せマーク、８用制御部、９
・・・レチクルステージ、１ｏ・・・ショット領域。
影露光装置の構成図、第２図及び第３図は第１の実施例
により露光されたウェハーの上面図及びＸ部拡大図、第
４図は本発明の第２の実施例を説明するための縮小投影
露光装置の構成図、第５図及び第６図は第２の実施例に
より露光されたウェハーの上面図及びＹ部拡大図、第７
図は従来例を説明するための縮小投影露光装置の構成図
、第８図及び第９図は従来例により露光されたウェハー
の上面図及び２部拡大図である。 １・・・レチクル、２・・・主レンズ、３・・・ウェハ
ー４・・・ステージ、５・・・光源、６・・・ショット
情報マーク、７・・・位置合せマーク、８用制御部、９
・・・レチクルステージ、１ｏ・・・ショット領域。
Claims (1)
- コンタクト露光方法により半導体ウェハー上の１ショッ
ト領域に位置合せマーク及びショット情報を含むマーク
を形成し、縮小投影露光を行う場合上記マークを検出し
、ショット情報によりショット条件を選択し、かつ所定
のレチクルを選択して１種類以上の縮小パターンを半導
体ウェハー上に露光することを特徴とする半導体装置の
露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342857A JPH03203313A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置の露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342857A JPH03203313A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置の露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203313A true JPH03203313A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18357031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342857A Pending JPH03203313A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 半導体装置の露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03203313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549859A (en) * | 1992-08-11 | 1996-08-27 | E. Khashoggi Industries | Methods for the extrusion of novel, highly plastic and moldable hydraulically settable compositions |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1342857A patent/JPH03203313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5549859A (en) * | 1992-08-11 | 1996-08-27 | E. Khashoggi Industries | Methods for the extrusion of novel, highly plastic and moldable hydraulically settable compositions |
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