JPS62188228A - 集積回路の製造方法 - Google Patents
集積回路の製造方法Info
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- JPS62188228A JPS62188228A JP61030077A JP3007786A JPS62188228A JP S62188228 A JPS62188228 A JP S62188228A JP 61030077 A JP61030077 A JP 61030077A JP 3007786 A JP3007786 A JP 3007786A JP S62188228 A JPS62188228 A JP S62188228A
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- Japan
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- wafer
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- glass
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路の製造方法に関し、特に1ウエーハ上
に多品種の集積回路を1括製造する方法に関する。
に多品種の集積回路を1括製造する方法に関する。
従来、集積回路を製造する際1ウエーハ上に単一品種を
形成する方法がとられていた。
形成する方法がとられていた。
また、1ウエーハ上に複数品種を形成する場合には、パ
ターン形成のガラスマスク1枚の中に複数品種をバター
ニングする方法がとられていた。
ターン形成のガラスマスク1枚の中に複数品種をバター
ニングする方法がとられていた。
上述した従来のウェーハ単一品種製造方法は、最近の集
積回路の集積規模増大に伴う一品種当りの使用数減少の
結果の少量生産の必要性に対し、少量ロット生産という
対応策しかない。しかし現在の集積回路生産設備は多量
生産向きに出来てpする為、少量ロット生産は生産量の
縮小を余儀無くされるという欠点がある。
積回路の集積規模増大に伴う一品種当りの使用数減少の
結果の少量生産の必要性に対し、少量ロット生産という
対応策しかない。しかし現在の集積回路生産設備は多量
生産向きに出来てpする為、少量ロット生産は生産量の
縮小を余儀無くされるという欠点がある。
次に上述の従来技術の1ガラスマスク複数品種パターン
製造方法は、1括で複数品種の集積回路を形成出来るが
、品種の組合せ及び組合せの量比率は、ガラスマスク上
に形成されているパターンに限定されており、少量生産
化の限度もあり、かつ品種組合せのうち、不要な品種が
出来た場合及び所要生産費率がガラスマスク上に形成さ
れた品種パターン比率と異なる場合には不要な製品の生
産3余儀無くされるという欠点がある。
製造方法は、1括で複数品種の集積回路を形成出来るが
、品種の組合せ及び組合せの量比率は、ガラスマスク上
に形成されているパターンに限定されており、少量生産
化の限度もあり、かつ品種組合せのうち、不要な品種が
出来た場合及び所要生産費率がガラスマスク上に形成さ
れた品種パターン比率と異なる場合には不要な製品の生
産3余儀無くされるという欠点がある。
本発明の集積回路の製造方法は、所望パターンを得るた
めの、フォトレジスト膜パターン形成に際し、露光機と
して縮小投影露光機を用い、n種のパターンを同一ウェ
ハー上に作る露光工程が、(+)ガラスマスク毎に異な
るパターンを形成したn種のガラスマスクと、露光工程
に供するm枚のウェーハ3準fIiiiする工程、 (2)第1枚目のガラスマスクを縮小投影露光機にセッ
トする工程、 (3)1枚目のウェーハを縮小投影露光機にセ・ソトシ
、第1枚目のガラスマスクパターンをウェーハの一部分
に露光する工程、 (4)2枚目からrn枚目のウェーハを工程(3)と同
様に第1枚目のガラスマスクパターンを露光する工程、 (5)第2枚目から第n枚目のガラスマスクにつき、工
程<2) 、 (3) 、 (4)を繰り返してウェー
ハ上未露光部分に露光する工程、 以上の工程(1)〜工程(5)を有して構成される。
めの、フォトレジスト膜パターン形成に際し、露光機と
して縮小投影露光機を用い、n種のパターンを同一ウェ
ハー上に作る露光工程が、(+)ガラスマスク毎に異な
るパターンを形成したn種のガラスマスクと、露光工程
に供するm枚のウェーハ3準fIiiiする工程、 (2)第1枚目のガラスマスクを縮小投影露光機にセッ
トする工程、 (3)1枚目のウェーハを縮小投影露光機にセ・ソトシ
、第1枚目のガラスマスクパターンをウェーハの一部分
に露光する工程、 (4)2枚目からrn枚目のウェーハを工程(3)と同
様に第1枚目のガラスマスクパターンを露光する工程、 (5)第2枚目から第n枚目のガラスマスクにつき、工
程<2) 、 (3) 、 (4)を繰り返してウェー
ハ上未露光部分に露光する工程、 以上の工程(1)〜工程(5)を有して構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した平面図である。本発明の第1の実
施例は、予め形成されたトランジスタ、抵抗等の素子ア
レーを有するウェーハ上に所望の品種を得る為のフ第1
・レジストパターンを得る為の露光工程において、 工程<1)として、ウェーハ上に形成しようとする、A
、B、C,D4種類のパターンを各々を有するガラスマ
スクA、B、C,Dを単幅する。
。第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明する
ために工程順に示した平面図である。本発明の第1の実
施例は、予め形成されたトランジスタ、抵抗等の素子ア
レーを有するウェーハ上に所望の品種を得る為のフ第1
・レジストパターンを得る為の露光工程において、 工程<1)として、ウェーハ上に形成しようとする、A
、B、C,D4種類のパターンを各々を有するガラスマ
スクA、B、C,Dを単幅する。
次に、工程(2)として、縮小投影露光機にガラスマス
クAをセットする。
クAをセットする。
次に、工程(3)としてA品種のパターンを1ガラスマ
スク分露光する。次に3ガラスマスク分露光でスキップ
し更に1ガラスマスク分露光すると第1図(a)が得ら
れる。次いで、工程(3)を繰り返して、A品種のパタ
ーンをウェーハ上に露光する。然る時は第1図(b)の
パターンが形成される。
スク分露光する。次に3ガラスマスク分露光でスキップ
し更に1ガラスマスク分露光すると第1図(a)が得ら
れる。次いで、工程(3)を繰り返して、A品種のパタ
ーンをウェーハ上に露光する。然る時は第1図(b)の
パターンが形成される。
次に、工程(4)としてウェーハを交換して工程(3)
を繰り返し必要ウェーハ分A品種を露光する。
を繰り返し必要ウェーハ分A品種を露光する。
次に、工程(5)として縮小投影露光機にガラスマスク
Bをセットし、工程(3)、工程(4)と同様にウェー
ハ上の未露光部に、B品種のパターンを露光する。然る
時は第1図(c)に示すようにA品種、B品種のパター
ンの露光が完了した必要枚数のウェーハが得られる。次
いで、同様にC品種。
Bをセットし、工程(3)、工程(4)と同様にウェー
ハ上の未露光部に、B品種のパターンを露光する。然る
時は第1図(c)に示すようにA品種、B品種のパター
ンの露光が完了した必要枚数のウェーハが得られる。次
いで、同様にC品種。
D品種のパターンを露光するとうウェーハ上に第1図(
d)を経て第1図(e)に示すようなA。
d)を経て第1図(e)に示すようなA。
B、C,D4種のパターンの露光が完了する。
次に、得られたウェーハのフォトレジストの現1亀。
導体又はスルーホールのエツチングによってA。
B、C,D4種のパターンの形成をする。
第2図は本発明の第2の実施例により露光形成されたパ
ターンを示す図である。第2の実施例においては、第1
の実施例の工程(3)においてA品種のパターンを2ガ
ラスマスク分露光し、次に6ガラスマスク分未露光でス
キップし、更に2ガラスマスク分露光するという方法で
露光し、次いで、B品種、C品種、D品種のパターンに
於ても第1の実施例と同様の工程で異なった配置のパタ
ーンを露光することができ第2の実施例は完成する。
ターンを示す図である。第2の実施例においては、第1
の実施例の工程(3)においてA品種のパターンを2ガ
ラスマスク分露光し、次に6ガラスマスク分未露光でス
キップし、更に2ガラスマスク分露光するという方法で
露光し、次いで、B品種、C品種、D品種のパターンに
於ても第1の実施例と同様の工程で異なった配置のパタ
ーンを露光することができ第2の実施例は完成する。
第3図は本発明の第3の実施例により露光形成されたパ
ターンを示す図である。第1の実施例の工程(3)にお
いてA品種のパターンをウェーハのオリエンテーション
フラット(OF)側を下にして左上4半分の領域に順次
スキップ露光し、同様にしてB品種パターンは右上4半
分の領域に、C品種パターンは左下4半分の領域に、D
品種パターンは右下4半分の領域に順次スキップ露光す
ることにより第3の実施例は完成する。
ターンを示す図である。第1の実施例の工程(3)にお
いてA品種のパターンをウェーハのオリエンテーション
フラット(OF)側を下にして左上4半分の領域に順次
スキップ露光し、同様にしてB品種パターンは右上4半
分の領域に、C品種パターンは左下4半分の領域に、D
品種パターンは右下4半分の領域に順次スキップ露光す
ることにより第3の実施例は完成する。
以上説明したように本発明は、ウェーハ上に複数品種の
パターンを縮小投影露光機で順次各品種用のガラスマス
クを交換していく事により形成し、複数品種を1ウエー
ハで一括製造できる効果がある。
パターンを縮小投影露光機で順次各品種用のガラスマス
クを交換していく事により形成し、複数品種を1ウエー
ハで一括製造できる効果がある。
また、本発明の方法で複数品種を一括製造する事により
、製品不具合が生じた場合に問題の原因が、物作りに起
因するのか、品種特有の問題なのかの切り別けが容易に
なるという効果がある。
、製品不具合が生じた場合に問題の原因が、物作りに起
因するのか、品種特有の問題なのかの切り別けが容易に
なるという効果がある。
第1図(a)〜(e)は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した平面図である。第2図、第3図は本
発明の第2.第3の実施例により形成されたパターンを
示す図である。 1・・・ウェーハ、2・・・へ品種のパターンが露光さ
れた1ガラスマスク部分、3・・・オリエンテーション
フラット(OF)、4・・・8品種のパターンが露光さ
れな1ガラスマスク部分、5・・・C品種のパターンが
露光された1ガラスマスク部分、6・・・D品種のパタ
ーンが露光された1ガラスマスク部分。
めに工程順に示した平面図である。第2図、第3図は本
発明の第2.第3の実施例により形成されたパターンを
示す図である。 1・・・ウェーハ、2・・・へ品種のパターンが露光さ
れた1ガラスマスク部分、3・・・オリエンテーション
フラット(OF)、4・・・8品種のパターンが露光さ
れな1ガラスマスク部分、5・・・C品種のパターンが
露光された1ガラスマスク部分、6・・・D品種のパタ
ーンが露光された1ガラスマスク部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 所望パターンを得るための、フォトレジスト膜パターン
形成に際し、露光機として縮小投影露光機を用い、n種
のパターンを同一ウェハー上に作る露光工程が、 (1)ガラスマスク毎に異なるパターンを形成したn種
のガラスマスクと、露光工程に供するm枚のウェーハを
準備する工程、 (2)第1枚目のガラスマスクを縮小投影露光機にセッ
トする工程、 (3)1枚目のウェーハを縮小投影露光機にセットし、
第1枚目のガラスマスクパターンをウェーハの一部分に
露光する工程、 (4)2枚目からm枚目のウェーハを工程(3)と同様
に第1枚目のガラスマスクパターンを露光する工程、 (5)第2枚目から第n枚目のガラスマスクにつき、工
程(2)、(3)、(4)を繰り返してウェーハ上未露
光部分に露光する工程、 以上の工程(1)〜工程(5)よりなる事を特徴とする
集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61030077A JPS62188228A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61030077A JPS62188228A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62188228A true JPS62188228A (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=12293736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61030077A Pending JPS62188228A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62188228A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148823A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04352411A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP61030077A patent/JPS62188228A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148823A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04352411A (ja) * | 1991-05-30 | 1992-12-07 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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