JPH022556A - 半導体デバイス製造用ステッパーレティクル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、オプチカルステッパーレティクルヤＸ線ステ
ッパーレティクルなどの半導体デバイス製造用ステッパ
ーレティクルに関する。

（従来の技術） 従来、オプチカルステッパーレティクルやＸ線ステッパ
ーレティクルなどの半導体デバイス製造用ステッパーレ
ティクルは、ステッパーレティクル本体に、半導体デバ
イス製造のために必要とする同一種類のフォトプロセス
のチップパターンを複数形成して作成されている。そし
て、半導体デバイスを製造するには、各フォトプロセス
毎にチップパターンが形成されたステッパーレティクル
を複数枚（１０数枚程度）作成しておき、それぞれのス
テッパーレティクルをフォトプロセスに応じて順次交換
して使用するようにしている。

ところで、チップパターンをウェハ上に形成した後、フ
ォトエツチング工程、レジストの全面剥離工程、イオン
インプランテーションの各工程が行われると、ウェハ上
にイオンインプランテーションが残るだけで、ウェハ上
にチップパターンが残らない場合がある。このようにな
ると、半導体デバイスの機種名を目視にて認識すること
ができないので、半導体デバイスの機種名をウェハ上で
認識できるようにするために、従来ではエツチングパタ
ーン用ステッパーレティクルを別途必要としていた。

例えば、マスクＲＯＭにおける機種（製品）名をウェハ
上で認識可能とするために、ＲＯ？Ｉパターン（イオン
インプランテーション用）とは別に、機種名パターン（
エツチング用）のステッパーレティクルを必要としてい
た。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来では半導体デバイスの機能を付与する
上で本来不要であるエツチングのみのステッパーレティ
クルを別途作成する必要があって、そのステッパーレテ
ィクル分だけコスト高となる欠点がある。また、上記し
たように半導体デバイスを作成するにあたって、各フォ
トプロセス毎に多数枚のステッパーレティクルを作成す
る必要があるので、ΔＳＩＣ化による少量多品種生産に
おいても従来の多量生産と同じ枚数のステッパーレティ
クルを作成する必要があり、コスト面で不利である。

本発明は上記欠点を解決するものであり、その目的は、
合理的にステッパーレティクルを作成することにより、
生産コストを低減することができ、しかも少量多品種生
産においては生産コストを低減することができる半導体
デバイス製造用ステッパーレティクルを提供することに
ある。

（課題を解決するための手段） 本発明の半導体デバイス製造用ステッパーレティクルは
、ステッパーレティクル本体に、複数種類のフォトプロ
セスのためのチップパターンが形成されてなり、１その
ことにより上記目的が達成される。

（作用） 半導体デバイスを製造する場合には、上記構成の半導体
デバイス製造用ステッパーレティクルをステッパー装置
にセットし、該ステ、ンパーレテイクルに形成されてい
るいずれか一種類のチップパターンを除いて、他の種類
のチップパターンをブラインドアパチャーにてマスクし
、この状態で露光することにより、ウェハ上に該いずれ
か一種類のチップパターンを描画する。次に、該いずれ
か一種類のチップパターン以外のいずれか一種類のチッ
プパターンを除いて、他の種類のチップパターンをブラ
インドアパチャーにてマスクし、この状態で露光するこ
とにより、ウェハ上に該チップパターンを描画する。

このように、−枚のステッパーレティクル上に、半導体
デバイスの製造上必要とする複数種類のフォトプロセス
のチップパターンが形成されているので、半導体デバイ
スを製造するに必要なステッパーレティクルの枚数が少
なくなる。また、例えば、機種名パターンをウェハに形
成する場合には、ステッパーレティクルの一部に機種名
パターンを形成するだけで良い。

（実施例） 以下に本発明を実施例に基づいて説明する。

第１図に示すように、半導体デバイス製造用ステッパー
レティクルは、矩形状のステッパーレティクル本体１に
、種類の異なるフォトプロセスのチップパターン２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ−・−２２を形成して構成され
ている。

各チップパターン２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ・・・
２Ｉ！、はステッパーレティクル本体１の四辺に沿って
縦及び横方向に順次配置されている。この実施例では、
各フォトプロセス順に互いに異なった種類のチップパタ
ーン２ａ、２ｂ１２Ｃ１２ｄ。

２ｅ・・・２１が順に形成され、−枚のステッパーレテ
ィクル本体１には１２種類のフォトプロセスのチップパ
ターン２が形成されている。

次に、上記構成の半導体デバイス製造用ステッパーレテ
ィクルを用いて、半導体デバイスを製造する方法を説明
する。

第１図に示すステッパーレティクルのチップパターン２
ａを除いて、他のチップパターン２ｂ、２ｃ、２ｄ、２
ｅ・・・２２をブラインドアパチャーにてマスクし、こ
の状態で露光することにより、ウェハ上にチップパター
ン２ａを描画する。次に、チップパターン２ｂを露光す
る場合には、チップパターン２ｂを除いて、他のチップ
パターン２ａ及び２ｃ、２ｄ、２ｅ・・・２１をブライ
ンドアパチャーにてマスクし、この状態で露光すること
により、ウェハ上にチップパターン２ｂだけを描画する
。次に、上記方法と同様にチップパターン２Ｃをウェハ
上に描画し、次いでチップパターン２ｄをウェハ上に描
画する。

上記構成によれば、−枚のステッパーレティクルには１
２種類のフォトプロセスのチップパターン２ａ、２ｂ、
２ｃ、２ｄ、２　ｅ　・２１が形成されているので、１
２種のフォトプロセスを一枚のステッパーレティクルで
行うことができる。また、例えば、ステッパーレティク
ルに機種名パターンを形成する場合には、上記チップパ
ターン２の一種類を機種名パターンにすれば良い。

なお、フォトプロセスのチップパターン２ａ、２ｂ、２
ｃ、２ｄ、２ｅ・２１の配置は適宜変更しても良い。

第２図には他の実施例が示されている。

この実施例では、複数種類のフォトプロセスのチップパ
ターン２が複数形成され、かつ同一種類のフォトプロセ
スのチップパターン２の複数が同一のステッパーレティ
クル本体１上に形成されている。

具体的に説明すると、第２図に示すように、同一種類の
フォトプロセスのチップパターン２ａ、２ａ、２ａがス
テッパーレティクル本体１の一辺に沿って配置され、他
の種類のフォトプロセスのチップパターン２ｂ、２ｂ・
・・　２ａ％２Ｃ・・・及ヒ２ｄ、２ｄ・・・がそのチ
ップパターン２ａと平行に配置されている。

このように、−枚のステッパーレティクル本体１には４
種類のフォトプロセスのチップパターン２ａ、２ｂ、２
Ｃ１２ｄがそれぞれ複数形成されている。

上記構成の半導体デバイス製造用ステッパーレティクル
を用いて、半導体デバイスを製造するには、同一種類の
チップパターン２ａ、２ａ、２ａを除いて、他の種類の
チップパターン２ｂ〜２ｄを全てブラインドアパチャー
にてマスクし、この状態で露光することにより、゛ウェ
ハ上に同一種類のフォトプロセスのチップパターン２ａ
、２ａ。

２ａを複数同時に描画する。次に、上記チップパターン
２ａとは異なる種類のフォトプロセスのチップパターン
、例えば２ｂ、２ｂ、２ｂを除いて、他の種類のチップ
パターン２ａ、２ｃ、２ｄを全てブラインドアパチャー
にてマスクし、この状態で露光することにより、ウェハ
上にチップパターン２ｂ、２ｂ、２ｂだけを描画する。

次に、上記方法と同様にして順次他のチップパターン２
ｃ、２ｄをウェハ上に描画することができる。

なお、フォトプロセスのチップパターンの種類の数及び
同一種類のフォトプロセスのチップパターン２の数は適
宜変更しても良い。

（発明の効果） このように、本発明によれば、フォトプロセス毎にステ
ッパーレティクルを作成する必要がなくなる。従って、
半導体デバイスを製造するに必要なステッパーレティク
ルの枚数が少なくなり、コストを低減することができる
。また、例えば、機種名パターンをウェハに形成する場
合には、ステッパーレティクルの一部に機種名パターン
を形成するだけで良く、−枚のステッパーレティクルを
エンチング用ステッパーレティクルとして作成する必要
がなくなり、生産コストを低減することもできる。

４、　パ　　の　　　な量日 第１図は本発明の半導体デバイス製造用ステッパーレテ
ィクルの一実施例の拡大説明図、第２図は他の実施例の
拡大説明図である。

１・・・ステッパーレティクル本体、２・・・チップパ
ターン。

以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ステッパーレティクル本体に、複数種類のフォトプ
   ロセスのためのチップパターンが形成されている半導体
   デバイス製造用ステッパーレティクル。