JPH05114538A - パターン露光方法 - Google Patents
パターン露光方法Info
- Publication number
- JPH05114538A JPH05114538A JP3275682A JP27568291A JPH05114538A JP H05114538 A JPH05114538 A JP H05114538A JP 3275682 A JP3275682 A JP 3275682A JP 27568291 A JP27568291 A JP 27568291A JP H05114538 A JPH05114538 A JP H05114538A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- substrate
- exposure
- masks
- exposure method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パターンに応じた専用のマスクを必要とせず
に、各種のパターンを簡単に形成するパターン露光方法
を提供する。 【構成】予め基準マスク１２、１３を用意しておき、露
光すべきパターン１４、１５に応じて基準マスク１２、
１３を組み合わせながら露光を繰り返すことにより、基
板１１上にパターン１４、１５を形成する。これによ
り、専用のマスクを必要とせずに、パターン１４、１５
を形成できる。
に、各種のパターンを簡単に形成するパターン露光方法
を提供する。 【構成】予め基準マスク１２、１３を用意しておき、露
光すべきパターン１４、１５に応じて基準マスク１２、
１３を組み合わせながら露光を繰り返すことにより、基
板１１上にパターン１４、１５を形成する。これによ
り、専用のマスクを必要とせずに、パターン１４、１５
を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体製造方法
の１つである基板へのパターン露光方法に関する。
の１つである基板へのパターン露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】露光プロセスは、プレーナ技術を用いた
半導体製造等の１工程に用いられている。ここで、従来
は、図５に示すように、レジスト感光剤を塗布した基板
１１上にマスク２０のパターン２１を光により焼き付
け、後処理を行ってパターンの形成を実施していた。
半導体製造等の１工程に用いられている。ここで、従来
は、図５に示すように、レジスト感光剤を塗布した基板
１１上にマスク２０のパターン２１を光により焼き付
け、後処理を行ってパターンの形成を実施していた。
【０００３】この場合のプロセスフローを図６に示す。
すなわち、まず、ステップＳ１で基板１１へレジスト感
光剤を塗布し、ステップＳ２でマスク２０を用いて基板
１１を露光し、基板１１にパターン２１を焼き付け、ス
テップＳ４で現像処理を実施し、ステップＳ５で洗浄
し、ステップＳ６で基板１１を乾燥させ、露光プロセス
を終了していた。
すなわち、まず、ステップＳ１で基板１１へレジスト感
光剤を塗布し、ステップＳ２でマスク２０を用いて基板
１１を露光し、基板１１にパターン２１を焼き付け、ス
テップＳ４で現像処理を実施し、ステップＳ５で洗浄
し、ステップＳ６で基板１１を乾燥させ、露光プロセス
を終了していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うな従来の露光方法では、露光するパターンの形状はマ
スクによって決定される。このため、少し違ったパター
ンを露光したい場合には、新たなマスクを用意する必要
があり、特に試作段階において、マスクの制作費や制作
時間等が無駄になる問題があった。
うな従来の露光方法では、露光するパターンの形状はマ
スクによって決定される。このため、少し違ったパター
ンを露光したい場合には、新たなマスクを用意する必要
があり、特に試作段階において、マスクの制作費や制作
時間等が無駄になる問題があった。
【０００５】本発明は上記のような点に鑑みなされたも
ので、パターンに応じた専用のマスクを必要とせずに、
各種のパターンを簡単に形成することのできるパターン
露光方法を提供することを目的とする。
ので、パターンに応じた専用のマスクを必要とせずに、
各種のパターンを簡単に形成することのできるパターン
露光方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るパターン露
光方法は、複数の異なる基準マスクを備え、露光すべき
パターンに応じて上記各基準マスクを組み合わせながら
露光を繰り返すことにより、基板上に上記パターンを形
成することを特徴とする。
光方法は、複数の異なる基準マスクを備え、露光すべき
パターンに応じて上記各基準マスクを組み合わせながら
露光を繰り返すことにより、基板上に上記パターンを形
成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記の方法によれば、基準マスクを１つ１つ使
用して露光を繰り返すことにより、その基準マスクを組
み合わせた新たなパターンが基板上に形成される。した
がって、露光すべきパターンに応じた専用のマスクを必
要とせずに、各種のパターンを簡単に形成することがで
きる。
用して露光を繰り返すことにより、その基準マスクを組
み合わせた新たなパターンが基板上に形成される。した
がって、露光すべきパターンに応じた専用のマスクを必
要とせずに、各種のパターンを簡単に形成することがで
きる。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に係
るパターン露光方法を説明する。
るパターン露光方法を説明する。
【０００９】図１は本発明のパターン露光方法を説明す
るための図である。図１において、１１は基板であり、
この基板１１上にパターンが形成される。１２および１
３は基準マスクであり、パターンを形成するための原版
である。１４は基準マスク１２で露光されたパターンを
示し、１５は基準マスク１３で露光されたパターンを示
す。
るための図である。図１において、１１は基板であり、
この基板１１上にパターンが形成される。１２および１
３は基準マスクであり、パターンを形成するための原版
である。１４は基準マスク１２で露光されたパターンを
示し、１５は基準マスク１３で露光されたパターンを示
す。
【００１０】このような構成において、図２のフローチ
ャートに示すように、まず、ステップＳ１で基板１１へ
レジスト感光剤を塗布する。次に、ステップＳ２および
Ｓ３で本発明の露光処理を行う。すなわち、ステップＳ
２において、図１（Ａ）に示すような基準マスク１２を
用いて基板１１上にパターン１４を露光する。続いて、
基板１１はそのままの状態で、ステップＳ３において、
図１（Ｂ）に示すような基準マスク１３を用いて基板１
１上にパターン１５を露光する。ステップＳ４以降は後
処理工程である。すなわち、ステップＳ４で現像、ステ
ップＳ５で基板１１のリンス洗浄、ステップＳ６で基板
１１の乾燥を行い、露光処理を終了する。
ャートに示すように、まず、ステップＳ１で基板１１へ
レジスト感光剤を塗布する。次に、ステップＳ２および
Ｓ３で本発明の露光処理を行う。すなわち、ステップＳ
２において、図１（Ａ）に示すような基準マスク１２を
用いて基板１１上にパターン１４を露光する。続いて、
基板１１はそのままの状態で、ステップＳ３において、
図１（Ｂ）に示すような基準マスク１３を用いて基板１
１上にパターン１５を露光する。ステップＳ４以降は後
処理工程である。すなわち、ステップＳ４で現像、ステ
ップＳ５で基板１１のリンス洗浄、ステップＳ６で基板
１１の乾燥を行い、露光処理を終了する。
【００１１】このようにして、基準マスク１２、１３を
１つ１つ使用して露光を繰り返すことにより、その基準
マスク１２、１３を組み合わせたパターン１４、１５が
基板１１上に形成される。したがって、露光すべきパタ
ーンに応じた専用のマスク（ここでは図５に示すマスク
２０）を必要とせずに、そのパターンを形成することが
できるものである。
１つ１つ使用して露光を繰り返すことにより、その基準
マスク１２、１３を組み合わせたパターン１４、１５が
基板１１上に形成される。したがって、露光すべきパタ
ーンに応じた専用のマスク（ここでは図５に示すマスク
２０）を必要とせずに、そのパターンを形成することが
できるものである。
【００１２】なお、上記実施例では、２枚の基準マスク
を組み合わせた場合の露光方法について説明したが、３
枚の基準マスクまたはさらに複数の基準マスクを組み合
わることもできる。３枚の基準マスクを組み合わせた場
合の露光方法を図３に示す。この場合には、３回の露光
が繰り返されることになる。また、ｎ枚の基準マスクを
組み合わせた場合の露光方法を図４に示す。この場合に
は、ｎ回の露光が繰り返されることになる。
を組み合わせた場合の露光方法について説明したが、３
枚の基準マスクまたはさらに複数の基準マスクを組み合
わることもできる。３枚の基準マスクを組み合わせた場
合の露光方法を図３に示す。この場合には、３回の露光
が繰り返されることになる。また、ｎ枚の基準マスクを
組み合わせた場合の露光方法を図４に示す。この場合に
は、ｎ回の露光が繰り返されることになる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基準マス
クの組み合わせにより新しいパターンを形成することが
できる。したがって、露光すべきパターンに応じた専用
のマスクを必要とせずに、各種のパターンを簡単に形成
することができるものであり、これにより例えば試作段
階等でパターン確認する場合において、マスクの制作費
や制作時間等の問題を解消することができる。
クの組み合わせにより新しいパターンを形成することが
できる。したがって、露光すべきパターンに応じた専用
のマスクを必要とせずに、各種のパターンを簡単に形成
することができるものであり、これにより例えば試作段
階等でパターン確認する場合において、マスクの制作費
や制作時間等の問題を解消することができる。
【００１４】さらに、今まで別々のプロセスで流れてい
たものを同一プロセスに併合して流す場合に本発明の方
法が有効となる。言い換えれば、複数種のマスクを１枚
にまとめなくとも、プロセスを流すことができる利点が
ある。
たものを同一プロセスに併合して流す場合に本発明の方
法が有効となる。言い換えれば、複数種のマスクを１枚
にまとめなくとも、プロセスを流すことができる利点が
ある。
【図１】本発明の第１の実施例に係る露光方法を説明す
るための図。
るための図。
【図２】上記第１の実施例における露光手順を示すフロ
ーチャート。
ーチャート。
【図３】本発明の第２の実施例に係る露光手順を示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図４】本発明の第３の実施例に係る露光手順を示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図５】従来の露光方法を説明するための図。
【図６】従来の露光手順を示すフローチャート。
１１…基板、１２および１３…基準マスク、１４および
１５…パターン。
１５…パターン。
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の異なる基準マスクを備え、露光す
べきパターンに応じて上記各基準マスクを組み合わせな
がら露光を繰り返すことにより、基板上に上記パターン
を形成することを特徴とするパターン露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275682A JPH05114538A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | パターン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3275682A JPH05114538A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | パターン露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114538A true JPH05114538A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17558885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3275682A Withdrawn JPH05114538A (ja) | 1991-10-23 | 1991-10-23 | パターン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114538A (ja) |
-
1991
- 1991-10-23 JP JP3275682A patent/JPH05114538A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |