JPS622388B2 - - Google Patents
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- JPS622388B2 JPS622388B2 JP58034632A JP3463283A JPS622388B2 JP S622388 B2 JPS622388 B2 JP S622388B2 JP 58034632 A JP58034632 A JP 58034632A JP 3463283 A JP3463283 A JP 3463283A JP S622388 B2 JPS622388 B2 JP S622388B2
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- bubble
- permalloy
- transfer pattern
- pattern
- ion implantation
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- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 18
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 2
- 241000047703 Nonion Species 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
- G11C19/0891—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置あるいはその端末機等の
記憶装置として用いられる磁気バブルメモリデバ
イスに関するものである。
記憶装置として用いられる磁気バブルメモリデバ
イスに関するものである。
(2) 技術の背景
磁気バブルメモリデバイスは磁気バブルが磁界
により一軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動
かすことができることを利用したものであつて、
第１図に示す如く、磁性ガーネツト等の薄膜にパ
ーマロイ薄膜又はイオン注入法によつて形成され
たバブル転送路をもつ素子１と、バブルを転送路
に沿つて駆動するための回転磁界を発生する直交
した２個のコイル２及び３と、バブルを安定に保
持するためのバイアス磁界発生用の磁石４及び５
とシールドケース６等により構成されている。
により一軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動
かすことができることを利用したものであつて、
第１図に示す如く、磁性ガーネツト等の薄膜にパ
ーマロイ薄膜又はイオン注入法によつて形成され
たバブル転送路をもつ素子１と、バブルを転送路
に沿つて駆動するための回転磁界を発生する直交
した２個のコイル２及び３と、バブルを安定に保
持するためのバイアス磁界発生用の磁石４及び５
とシールドケース６等により構成されている。
このような磁気バブルメモリデバイスにおい
て、バブル転送路をパーマロイ薄膜で作成する
と、そのホトリソグラフイの寸法精度に限度があ
り、イオン注入法で作成したパターンの方が小さ
くでき記憶密度を高くすることができる。しかし
メジヤーマイナー構成の転送路をイオン注入法で
作成した場合、そのトランスフア、レプリケート
等のフアンクシヨンゲートの動作マージンはパー
マロイバブルデバイスの場合よりも小さい。そこ
でバブル転送路をイオン注入法で形成したイオン
注入バブルデバイスと、ゲート類をパーマロイで
形成したパーマロイバブルデバイスとを合成した
バブルデバイスが開発されている。
て、バブル転送路をパーマロイ薄膜で作成する
と、そのホトリソグラフイの寸法精度に限度があ
り、イオン注入法で作成したパターンの方が小さ
くでき記憶密度を高くすることができる。しかし
メジヤーマイナー構成の転送路をイオン注入法で
作成した場合、そのトランスフア、レプリケート
等のフアンクシヨンゲートの動作マージンはパー
マロイバブルデバイスの場合よりも小さい。そこ
でバブル転送路をイオン注入法で形成したイオン
注入バブルデバイスと、ゲート類をパーマロイで
形成したパーマロイバブルデバイスとを合成した
バブルデバイスが開発されている。
(3) 従来技術と問題点
第２図はイオン注入バブルデバイスとパーマロ
イバブルデバイスとを合成したバブルデバイスの
従来のレプリケートゲートを示す図であり、ａは
平面図、ｂは断面図をそれぞれ示す。同図におい
て、７はピカクスパーマロイパターン、８，８′
は棒状パーマロイパターン、９，９′はハーフデ
イスクパーマロイパターン、１０はマイナールー
プ、１１はコンダクタパターン、１２は磁気バブ
ル結晶、１３はイオン注入領域、１４及び１５は
スペーサをそれぞれ示している。
イバブルデバイスとを合成したバブルデバイスの
従来のレプリケートゲートを示す図であり、ａは
平面図、ｂは断面図をそれぞれ示す。同図におい
て、７はピカクスパーマロイパターン、８，８′
は棒状パーマロイパターン、９，９′はハーフデ
イスクパーマロイパターン、１０はマイナールー
プ、１１はコンダクタパターン、１２は磁気バブ
ル結晶、１３はイオン注入領域、１４及び１５は
スペーサをそれぞれ示している。
このレプリケートゲートは磁気バブル結晶１２
にイオン注入法によつて、非イオン注入領域のマ
イナーループ１０が形成され、その上にスペーサ
１４を介してＵ字状のコンダクタパターン１１が
形成され、さらにその上にスペーサ１５を介して
パーマロイパターン７，８，８′，９，９′で構成
されるメジヤーラインが形成されており、ピカク
スパーマロイパターン７はマイナーループ１０の
カスプと対向し、コンダクタパターン１１は両者
を結んだ線上に配置されている。
にイオン注入法によつて、非イオン注入領域のマ
イナーループ１０が形成され、その上にスペーサ
１４を介してＵ字状のコンダクタパターン１１が
形成され、さらにその上にスペーサ１５を介して
パーマロイパターン７，８，８′，９，９′で構成
されるメジヤーラインが形成されており、ピカク
スパーマロイパターン７はマイナーループ１０の
カスプと対向し、コンダクタパターン１１は両者
を結んだ線上に配置されている。
このような従来のレプリケートゲートではその
動作時にバブルをストレツチする電流と、バブル
を切断する電流の両極性のパルスが必要であり、
このため周辺回路が複雑化するという欠点があつ
た。
動作時にバブルをストレツチする電流と、バブル
を切断する電流の両極性のパルスが必要であり、
このため周辺回路が複雑化するという欠点があつ
た。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、単極性のパル
ス電流で駆動されるレプリケートゲートを有する
磁気バブルメモリデバイスを提供することを目的
とするものである。
ス電流で駆動されるレプリケートゲートを有する
磁気バブルメモリデバイスを提供することを目的
とするものである。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、情報を格納
するマイナーループを形成したイオン注入転送パ
ターンのカスプ部とメジヤーラインのパーマロイ
転送パターンとをコンダクタパターンとで接続し
て非破壊読み出しゲートを構成し、該ゲートは回
転駆動磁界の一周期内で前記コンダクタパターン
へバブル伸長パルスとバブル切断パルスが通電さ
れることにより、前記イオン注入転送パターン上
の磁気バブルを前記パーマロイ転送パターン上で
分割すると共に、一方の分割バブルを再び前記イ
オン注入転送パターンへ戻し且つ他方の分割バブ
ルを前記メジヤーライン上へ転送させるゲート機
能を有する磁気バブルメモリデバイスであつて、 前記コンダクタパターンは前記パーマロイ転送
パターンより前記イオン注入転送路のカスプへ到
り、そこでヘアピンループを形成して折り返し、
再び該パーマロイ転送パターンに戻り、さらに該
パーマロイ転送パターン内で折り返して形成され
たつづら折れ形のコンダクタパターンによつて形
成されていることを特徴とした磁気バブルメモリ
デバイスを提供することによつて達成される。
するマイナーループを形成したイオン注入転送パ
ターンのカスプ部とメジヤーラインのパーマロイ
転送パターンとをコンダクタパターンとで接続し
て非破壊読み出しゲートを構成し、該ゲートは回
転駆動磁界の一周期内で前記コンダクタパターン
へバブル伸長パルスとバブル切断パルスが通電さ
れることにより、前記イオン注入転送パターン上
の磁気バブルを前記パーマロイ転送パターン上で
分割すると共に、一方の分割バブルを再び前記イ
オン注入転送パターンへ戻し且つ他方の分割バブ
ルを前記メジヤーライン上へ転送させるゲート機
能を有する磁気バブルメモリデバイスであつて、 前記コンダクタパターンは前記パーマロイ転送
パターンより前記イオン注入転送路のカスプへ到
り、そこでヘアピンループを形成して折り返し、
再び該パーマロイ転送パターンに戻り、さらに該
パーマロイ転送パターン内で折り返して形成され
たつづら折れ形のコンダクタパターンによつて形
成されていることを特徴とした磁気バブルメモリ
デバイスを提供することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スを説明するための図であり、ａはそのレプリケ
ートゲートの平面図、ｂは結晶の磁化容易軸方向
及び駆動磁界の回転方向を示す図である。同図に
おいて、２０はイオン注入領域、２１はマイナー
ループ、２２はパーマロイ転送パターン、２３は
コンダクタパターン、２４はパーマロイのハーフ
デイスクパターンによるメジヤーライン、ＨRは
駆動磁界をそれぞれ示す。
スを説明するための図であり、ａはそのレプリケ
ートゲートの平面図、ｂは結晶の磁化容易軸方向
及び駆動磁界の回転方向を示す図である。同図に
おいて、２０はイオン注入領域、２１はマイナー
ループ、２２はパーマロイ転送パターン、２３は
コンダクタパターン、２４はパーマロイのハーフ
デイスクパターンによるメジヤーライン、ＨRは
駆動磁界をそれぞれ示す。
本実施例は図に示す如く磁気バブル結晶のイオ
ン注入領域２０にマイナーループ２１が形成さ
れ、非イオン注入領域にメジヤーラインの一部を
構成するピカクス形のパーマロイ転送パターン２
２及びメジヤーライン２４が形成され、さらにマ
イナーループ２１とパーマロイ転送パターン２２
との間にゲートとなるコンダクタパターン２３が
設けられている。このコンダクタパターン２３は
パーマロイ転送パターン２２の頂部の中心より外
れた位置からマイナーループ２１のカスプ２１ａ
に到り、ここでヘアピンループを形成して折り返
し、再びパーマロイ転送パターン２２へ戻り、さ
らにパーマロイ転送パターンの頂部のほぼ中央に
ヘアピンループを形成するように折り返して、い
わゆるつづら折り状に形成されている。
ン注入領域２０にマイナーループ２１が形成さ
れ、非イオン注入領域にメジヤーラインの一部を
構成するピカクス形のパーマロイ転送パターン２
２及びメジヤーライン２４が形成され、さらにマ
イナーループ２１とパーマロイ転送パターン２２
との間にゲートとなるコンダクタパターン２３が
設けられている。このコンダクタパターン２３は
パーマロイ転送パターン２２の頂部の中心より外
れた位置からマイナーループ２１のカスプ２１ａ
に到り、ここでヘアピンループを形成して折り返
し、再びパーマロイ転送パターン２２へ戻り、さ
らにパーマロイ転送パターンの頂部のほぼ中央に
ヘアピンループを形成するように折り返して、い
わゆるつづら折り状に形成されている。
このように構成された本実施例の動作を第４図
及び第５図を用いて説明する。第４図は本実施例
のレプリケートゲートを駆動するパルス電流波形
を示す図であり、パルスとパルスの同極性の
２つのパルスで構成され、パルスは台座付きパ
ルスである。第５図ａ〜ｆは動作説明図であり、
a′〜f′はａ〜ｆに対応する回転駆動磁界の方向を
示す図である。
及び第５図を用いて説明する。第４図は本実施例
のレプリケートゲートを駆動するパルス電流波形
を示す図であり、パルスとパルスの同極性の
２つのパルスで構成され、パルスは台座付きパ
ルスである。第５図ａ〜ｆは動作説明図であり、
a′〜f′はａ〜ｆに対応する回転駆動磁界の方向を
示す図である。
第５図において、まずａ，a′図の如く駆動磁界
が−90゜の方向のとき、バブルはマイナーループ
２１のカスプ２１ａに来るが、このときコンダク
タパターン２３にパルスを流すとバブル２５は
ヘアピン状のコンダクタパターン内に引き伸ばさ
れパーマロイ転送パターン２２の右肩に達する。
そこでパルスがOFFとなるとｂ，b′図の如く
バブル２５はパーマロイ転送パターン２２の右肩
部に吸引される。次いでｃ，c′図の如く駆動磁界
が０゜の方向となるとバブル２５はパーマロイ転
送パターン２２の頂部に伸長される。次に駆動磁
界がd′図の如き位置となると、ｄ図の如くコンダ
クタパターン２３にパルスが流れることによ
り、バブルはパーマロイ転送パターン２２の中央
に位置するコンダクタパターンのヘアピンループ
により切断され２５′及び２５″となる。次いで駆
動磁界の進行によりバブル２５′はｅ図の如くパ
ーマロイ転送パターン２２上を移動し、さらにパ
ルスがOFFとなるとｆ図の如くバブル２５′は
メジヤーライン２４へ転送され、バブル２５″は
マイナーループ２１のカスプ２１ａに戻る。この
ときマイナーループ２１のカスプ２１ａは吸引で
あり、パーマロイ転送パターン２２の肩部は反撥
であるためマイナーループ２１へのバブルの返還
は円滑に行なわれる。このようにしてレプリケー
ト動作は完了する。
が−90゜の方向のとき、バブルはマイナーループ
２１のカスプ２１ａに来るが、このときコンダク
タパターン２３にパルスを流すとバブル２５は
ヘアピン状のコンダクタパターン内に引き伸ばさ
れパーマロイ転送パターン２２の右肩に達する。
そこでパルスがOFFとなるとｂ，b′図の如く
バブル２５はパーマロイ転送パターン２２の右肩
部に吸引される。次いでｃ，c′図の如く駆動磁界
が０゜の方向となるとバブル２５はパーマロイ転
送パターン２２の頂部に伸長される。次に駆動磁
界がd′図の如き位置となると、ｄ図の如くコンダ
クタパターン２３にパルスが流れることによ
り、バブルはパーマロイ転送パターン２２の中央
に位置するコンダクタパターンのヘアピンループ
により切断され２５′及び２５″となる。次いで駆
動磁界の進行によりバブル２５′はｅ図の如くパ
ーマロイ転送パターン２２上を移動し、さらにパ
ルスがOFFとなるとｆ図の如くバブル２５′は
メジヤーライン２４へ転送され、バブル２５″は
マイナーループ２１のカスプ２１ａに戻る。この
ときマイナーループ２１のカスプ２１ａは吸引で
あり、パーマロイ転送パターン２２の肩部は反撥
であるためマイナーループ２１へのバブルの返還
は円滑に行なわれる。このようにしてレプリケー
ト動作は完了する。
第６図は本実施例を１μｍバブルについて実施
した場合に得られたパルス及びパルスの立上
り位相マージンであり、ａはパルス、ｂはパル
スの位相マージンをそれぞれ示した。なおパル
スの駆動条件は図中に示した。
した場合に得られたパルス及びパルスの立上
り位相マージンであり、ａはパルス、ｂはパル
スの位相マージンをそれぞれ示した。なおパル
スの駆動条件は図中に示した。
第７図は他の実施例を示す図であり、同図にお
いて前実施例と同一部分は同一符号を付して示し
た。
いて前実施例と同一部分は同一符号を付して示し
た。
本実施例が前実施例と異なるところは、パーマ
ロイ転送パターン２２におけるバブルの引出し点
２６とバブル分割点２７との距離を前実施例より
大なるようにパーマロイ転送パターン２２及びコ
ンダクタパターン２３を変形したものである。こ
のように構成された本実施例はパルスはより早
い位相で、パルスはより遅い位相が最適とな
り、パルスとパルスの間隔に十分な時間がと
れる。従つてバブルがパーマロイ転送パターンの
頂部で伸長するための時間に余裕が生ずる。その
結果、第６図ｂに示したパルスの位相マージン
において位相の早い方の領域にマージンが拡大さ
れる。
ロイ転送パターン２２におけるバブルの引出し点
２６とバブル分割点２７との距離を前実施例より
大なるようにパーマロイ転送パターン２２及びコ
ンダクタパターン２３を変形したものである。こ
のように構成された本実施例はパルスはより早
い位相で、パルスはより遅い位相が最適とな
り、パルスとパルスの間隔に十分な時間がと
れる。従つてバブルがパーマロイ転送パターンの
頂部で伸長するための時間に余裕が生ずる。その
結果、第６図ｂに示したパルスの位相マージン
において位相の早い方の領域にマージンが拡大さ
れる。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バ
ブルメモリデバイスは、イオン注入バブルデバイ
スとパーマロイバブルデバイスとを合成した磁気
バブルメモリデバイスにおいて、そのフアンクシ
ヨンゲートを単極性のパルスで駆動可能にしたも
のであり、その周辺回路を簡単化し得るといつた
効果大なるものである。
ブルメモリデバイスは、イオン注入バブルデバイ
スとパーマロイバブルデバイスとを合成した磁気
バブルメモリデバイスにおいて、そのフアンクシ
ヨンゲートを単極性のパルスで駆動可能にしたも
のであり、その周辺回路を簡単化し得るといつた
効果大なるものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスを説
明するための図、第２図は従来のイオン注入バブ
ルデバイスとパーマロイバブルデバイスとを合成
したバブルデバイスにおけるレプリケートゲート
を説明するための図、第３図は本発明による磁気
バブルメモリデバイスのレプリケートゲートを説
明するための図、第４図はその駆動パルスの波形
を示す図、第５図はその動作説明図、第６図はそ
のパルスの位相マージンを示す図、第７図は他の
実施例を説明するための図である。 図面において、２０はイオン注入領域、２１は
マイナーループ、２２はパーマロイ転送パター
ン、２３はコンダクタパターン、２４はメジヤー
ラインをそれぞれ示す。
明するための図、第２図は従来のイオン注入バブ
ルデバイスとパーマロイバブルデバイスとを合成
したバブルデバイスにおけるレプリケートゲート
を説明するための図、第３図は本発明による磁気
バブルメモリデバイスのレプリケートゲートを説
明するための図、第４図はその駆動パルスの波形
を示す図、第５図はその動作説明図、第６図はそ
のパルスの位相マージンを示す図、第７図は他の
実施例を説明するための図である。 図面において、２０はイオン注入領域、２１は
マイナーループ、２２はパーマロイ転送パター
ン、２３はコンダクタパターン、２４はメジヤー
ラインをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 情報を格納するマイナーループを形成したイ
オン注入転送パターンのカスプ部とメジヤーライ
ンのパーマロイ転送パターンとをコンダクタパタ
ーンとで接続して非破壊読み出しゲートを構成
し、該ゲートは回転駆動磁界の一周期内で前記コ
ンダクタパターンへバブル伸長パルスとバブル切
断パルスが通電されることにより、前記イオン注
入転送パターン上の磁気バブルを前記パーマロイ
転送パターン上で分割すると共に、一方の分割バ
ブルを再び前記イオン注入転送パターンへ戻し且
つ他方の分割バブルを前記メジヤーライン上へ転
送させるゲート機能を有する磁気バブルメモリデ
バイスであつて、 前記コンダクタパターンは前記パーマロイ転送
パターンより前記イオン注入転送路のカスプへ到
り、そこでヘアピンループを形成して折り返し、
再び該パーマロイ転送パターンに戻り、さらに該
パーマロイ転送パターン内で折り返して形成され
たつづら折れ形のコンダクタパターンによつて形
成されていることを特徴とした磁気バブルメモリ
デバイス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034632A JPS59162683A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
| CA000430571A CA1197924A (en) | 1982-06-23 | 1983-06-16 | Magnetic bubble memory device |
| US06/505,978 US4561069A (en) | 1982-06-23 | 1983-06-20 | Magnetic bubble memory device gates |
| EP83303563A EP0097524B1 (en) | 1982-06-23 | 1983-06-21 | Magnetic bubble memory device |
| DE8383303563T DE3380503D1 (en) | 1982-06-23 | 1983-06-21 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034632A JPS59162683A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162683A JPS59162683A (ja) | 1984-09-13 |
| JPS622388B2 true JPS622388B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=12419777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034632A Granted JPS59162683A (ja) | 1982-06-23 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162683A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202194U (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-27 | ||
| JPH033682A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Japan Atom Power Co Ltd:The | 熱電発電装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186287A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173192U (ja) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58034632A patent/JPS59162683A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57186287A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202194U (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-27 | ||
| JPH033682A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Japan Atom Power Co Ltd:The | 熱電発電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59162683A (ja) | 1984-09-13 |
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