JPS59162683A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents
磁気バブルメモリデバイスInfo
- Publication number
- JPS59162683A JPS59162683A JP58034632A JP3463283A JPS59162683A JP S59162683 A JPS59162683 A JP S59162683A JP 58034632 A JP58034632 A JP 58034632A JP 3463283 A JP3463283 A JP 3463283A JP S59162683 A JPS59162683 A JP S59162683A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- pattern
- pulse
- minor
- conductor pattern
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
- G11C19/0891—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子計算装置あるいはその端末機等の記憶装置
として用いられる磁気バブルメモリデバイスに関するも
のである。
として用いられる磁気バブルメモリデバイスに関するも
のである。
（２）技術の背景
磁気バブルメモリデバイスは磁気バブルが磁界によシー
軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動かすことができ
ることを利用したものであって、第１図に示す如く、磁
性ガーネット等の薄膜に・！−マロイ薄膜又はイオン注
入法によって形成されたバブル転送路をもつ素子ｌと、
バブルを転送路に沿って１ｊＡ７ｊＩＪするための回転
磁界を発生する直交した２個のコイル２及び３と、バブ
ルを安定に保持するためのバイアス磁界発生用の磁石４
及び５とシールドグー２６等により構成されている。
軸異方性を有する磁性薄膜内を自由に動かすことができ
ることを利用したものであって、第１図に示す如く、磁
性ガーネット等の薄膜に・！−マロイ薄膜又はイオン注
入法によって形成されたバブル転送路をもつ素子ｌと、
バブルを転送路に沿って１ｊＡ７ｊＩＪするための回転
磁界を発生する直交した２個のコイル２及び３と、バブ
ルを安定に保持するためのバイアス磁界発生用の磁石４
及び５とシールドグー２６等により構成されている。
このような磁気バブルメモリデバイスにおい゛て、バブ
ル転送路をノ９−マロイ薄膜で作成すると、そのホトリ
ングラフィの寸法精度に限度があシ、イオン注入法で作
成したパターンの方が小さくでき記憶密度を高くするこ
とができる。しかしメジャーマイナー構成の転送路をイ
オン注入法で作成しｆＣ場合、ソのトランスファ、レゾ
リケード等のファンクションダートの動作マー・シンは
パーマロイバブルデバイスの場合よシも小さい。そこで
バブル転送路をイオン注入法で形成したイオン注入バブ
ルデバイスと、ダート類をパーマロイで形成したパーマ
ロイバブルデバイスとを合成したバブルデバイスが開発
されている。
ル転送路をノ９−マロイ薄膜で作成すると、そのホトリ
ングラフィの寸法精度に限度があシ、イオン注入法で作
成したパターンの方が小さくでき記憶密度を高くするこ
とができる。しかしメジャーマイナー構成の転送路をイ
オン注入法で作成しｆＣ場合、ソのトランスファ、レゾ
リケード等のファンクションダートの動作マー・シンは
パーマロイバブルデバイスの場合よシも小さい。そこで
バブル転送路をイオン注入法で形成したイオン注入バブ
ルデバイスと、ダート類をパーマロイで形成したパーマ
ロイバブルデバイスとを合成したバブルデバイスが開発
されている。
（３）従来技術と問題点
＠ ２．［Ｕ イオン注入バブルデバイストノクーマロ
イパプルプ′バイスとを合成したバブルアバイスの従来
のレプリケートゲートを示す図であシ、ａは平面図、ｂ
は断面図をそれぞれ示す。同図において、７はビカクス
ノぐ−マロイパターン、８，８は棒状パーマロイパター
ン、９，９はハーフディスクツや一マロイパターン、１
０はマイナーループ、１１はコンダクタパターン、１２
は磁気バブル結晶、１３はイオン注入領域、１４及び１
５はスペーサをそれぞれ示している。
イパプルプ′バイスとを合成したバブルアバイスの従来
のレプリケートゲートを示す図であシ、ａは平面図、ｂ
は断面図をそれぞれ示す。同図において、７はビカクス
ノぐ−マロイパターン、８，８は棒状パーマロイパター
ン、９，９はハーフディスクツや一マロイパターン、１
０はマイナーループ、１１はコンダクタパターン、１２
は磁気バブル結晶、１３はイオン注入領域、１４及び１
５はスペーサをそれぞれ示している。
このレゾリケードダートは磁気バブル結晶１２にイオン
注入法によって、非イオン注入領域のマイナーループ１
０が形成され、その上にスペーサ１４を介してＵ字状の
コンダクタパターン１１が形成され、さらにその上にス
波−サ１５を介してパーマロイ・やターン７．８．８’
、９．９’で構成されるメジャーラインが形成されてお
シ、ビヵクスノ＋−マロイパターン７はマイナールーフ
’１ＯＣｌカスプと対向し、コンダクタパターン１１は
両者を結んだ線上に配置されている。
注入法によって、非イオン注入領域のマイナーループ１
０が形成され、その上にスペーサ１４を介してＵ字状の
コンダクタパターン１１が形成され、さらにその上にス
波−サ１５を介してパーマロイ・やターン７．８．８’
、９．９’で構成されるメジャーラインが形成されてお
シ、ビヵクスノ＋−マロイパターン７はマイナールーフ
’１ＯＣｌカスプと対向し、コンダクタパターン１１は
両者を結んだ線上に配置されている。
このような従来のレゾリケードゲートではその動作時に
パズルをストレッチする電流ト、バフルを切断する電流
の両極性の７ｅルスが必要であり、このため周辺回路が
複雑化するという欠点があった。
パズルをストレッチする電流ト、バフルを切断する電流
の両極性の７ｅルスが必要であり、このため周辺回路が
複雑化するという欠点があった。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑与、単極性のパルス電流で
駆動されるレゾ、リケードヶートを有する磁気バブルメ
モリデバイスを提供することを目的とするものである。
駆動されるレゾ、リケードヶートを有する磁気バブルメ
モリデバイスを提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれは、情報を格納するマイ
ナーループをイオン注入転送・Ｐターンで構成し、且つ
メジャーラインのうち少なくトモフート部を・ぐ−マロ
イ転送パターンで構成したメジャーマイナー構成の磁気
バブルメモリデバイスにおいて、そのレプリケートダー
トは、メジャーラインにダート用のパーマロイパターン
を配設すると共に、該ダート用ノぞターンよシマイナー
ループのカスブへ到シ、そこでヘアピンルーズを形成し
て折り返し、再びデート用パターン内−ン、さらにｒ−
）用パターン内で折シ返して形成されたつづら折れ形の
コンダクタパターンを設けたことを％徴とする磁気バブ
ルメモリデバイスを提供することによって達成される。
ナーループをイオン注入転送・Ｐターンで構成し、且つ
メジャーラインのうち少なくトモフート部を・ぐ−マロ
イ転送パターンで構成したメジャーマイナー構成の磁気
バブルメモリデバイスにおいて、そのレプリケートダー
トは、メジャーラインにダート用のパーマロイパターン
を配設すると共に、該ダート用ノぞターンよシマイナー
ループのカスブへ到シ、そこでヘアピンルーズを形成し
て折り返し、再びデート用パターン内−ン、さらにｒ−
）用パターン内で折シ返して形成されたつづら折れ形の
コンダクタパターンを設けたことを％徴とする磁気バブ
ルメモリデバイスを提供することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって畦述する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイスを説明
するための図であり、ａはそのレプリケートゲートの平
面図、ｂは結晶の磁化容易軸方向及び駆動磁界の回転方
向を示す図である。同図において、２０はイオン注入領
域、２１はマイナーループ、２２はビカクスパーマロイ
パターン、２３はコンタクタノやターン、２４ｉｄパー
マロイノハーフデイスクノセターンによるメジャーライ
ン、ＨＲは駆動磁界をそれぞれ示す。
するための図であり、ａはそのレプリケートゲートの平
面図、ｂは結晶の磁化容易軸方向及び駆動磁界の回転方
向を示す図である。同図において、２０はイオン注入領
域、２１はマイナーループ、２２はビカクスパーマロイ
パターン、２３はコンタクタノやターン、２４ｉｄパー
マロイノハーフデイスクノセターンによるメジャーライ
ン、ＨＲは駆動磁界をそれぞれ示す。
本実施例は図に示す如く磁気バブル結晶のイオン注入転
送２０にマイナーループ２１が形成され、非イオン注入
領域にメジャーラインの一部を構成するピカクヌパーマ
ロイパターン２２及びメジャーライン２４が形成され、
さらにマイナーループ２１とビカクスパターン２２との
間にケ゛−トとなるコンダクタノやターフ２３が設けら
れている。このコンダクタパターン２３はビカクスパタ
ーン２２の頂部の中心より外れた位置からマイナールー
ｆ２１のカスプ２１ａに到り、ここでヘアピンルーズを
形成して折シ返し、再びビヵクスノやターン２２へ戻Ｃ
１−，＝らにビカクス／ＮＵターンのＪＡ 部のほぼ中
央にヘアピンループを形成するように折り返して、いわ
ゆるつづら折シ状に形成されている。
送２０にマイナーループ２１が形成され、非イオン注入
領域にメジャーラインの一部を構成するピカクヌパーマ
ロイパターン２２及びメジャーライン２４が形成され、
さらにマイナーループ２１とビカクスパターン２２との
間にケ゛−トとなるコンダクタノやターフ２３が設けら
れている。このコンダクタパターン２３はビカクスパタ
ーン２２の頂部の中心より外れた位置からマイナールー
ｆ２１のカスプ２１ａに到り、ここでヘアピンルーズを
形成して折シ返し、再びビヵクスノやターン２２へ戻Ｃ
１−，＝らにビカクス／ＮＵターンのＪＡ 部のほぼ中
央にヘアピンループを形成するように折り返して、いわ
ゆるつづら折シ状に形成されている。
このように構成された本実施例の動作を第４因及び第５
図を用いて説明する。纂４図は本実施例のレプリケート
ゲートを駆動するパルス車派波形を示す図であり、パル
スＩとノぐルス■の同極性の２つの７４’ルスで構成さ
れ、ノソルス■は台座付きパルスである。第５図Ｂ−ｆ
は動作説明図であシ、ａ〜ｆはａｘｆに対応する回転駆
動磁界の方向を示す図である。
図を用いて説明する。纂４図は本実施例のレプリケート
ゲートを駆動するパルス車派波形を示す図であり、パル
スＩとノぐルス■の同極性の２つの７４’ルスで構成さ
れ、ノソルス■は台座付きパルスである。第５図Ｂ−ｆ
は動作説明図であシ、ａ〜ｆはａｘｆに対応する回転駆
動磁界の方向を示す図である。
第５図において、まずａ、ａ図の如く駆動磁界が−９０
の方向のとき、バブルはマイナールーフ２１のカスプ２
１ａに来るが、このときコンダクタノやターン２３に／
４’ルスＩを流スとバブル２５はヘアピン状のコンダク
タパターン内に引き伸ばされビカクスノＲターン２２の
右肩に達する。そこでパルスＩがＯＦＦトなるとす、ｂ
図の如くバブル２５はビカクスパターン２２の右肩部に
吸引される。次いでＣ・Ｃ−の如ぐ駆動磁界が０°の方
向となるとバブル２５はビカクスパターン２２の頂部に
伸長される。次に駆動磁界がｄ図の如き位置となると、
ｄ図の如くコンダクタパターン２３にノやルス■が流れ
ることにより、バブルはピカクス・ぐターン２２の中央
に位置するコンダクタパターンのヘアピンルーズによ多
切断され２５及び２５′となる。次いで駆動磁界の進行
によシバプル２５はｅ図の如くピカクスパターン２２上
を移動し、さらに／ｊルス■がＯＦＦとなるとｆ図の如
くバブル２５はメジャーライン２４へ転送され、パズル
２５′はマイナールーフ２１のカスｆ２１ａに戻る。
の方向のとき、バブルはマイナールーフ２１のカスプ２
１ａに来るが、このときコンダクタノやターン２３に／
４’ルスＩを流スとバブル２５はヘアピン状のコンダク
タパターン内に引き伸ばされビカクスノＲターン２２の
右肩に達する。そこでパルスＩがＯＦＦトなるとす、ｂ
図の如くバブル２５はビカクスパターン２２の右肩部に
吸引される。次いでＣ・Ｃ−の如ぐ駆動磁界が０°の方
向となるとバブル２５はビカクスパターン２２の頂部に
伸長される。次に駆動磁界がｄ図の如き位置となると、
ｄ図の如くコンダクタパターン２３にノやルス■が流れ
ることにより、バブルはピカクス・ぐターン２２の中央
に位置するコンダクタパターンのヘアピンルーズによ多
切断され２５及び２５′となる。次いで駆動磁界の進行
によシバプル２５はｅ図の如くピカクスパターン２２上
を移動し、さらに／ｊルス■がＯＦＦとなるとｆ図の如
くバブル２５はメジャーライン２４へ転送され、パズル
２５′はマイナールーフ２１のカスｆ２１ａに戻る。
このトキマイナールーゾ２１のカスｆ ２１ ａは吸引
であシ、ピカクス・ぞターン２２の肩部は反撥であるた
めマイナールーフ’２１へのバブルの返還ハ円滑に行な
われる。このようにしてレプリケート動作は完了する。
であシ、ピカクス・ぞターン２２の肩部は反撥であるた
めマイナールーフ’２１へのバブルの返還ハ円滑に行な
われる。このようにしてレプリケート動作は完了する。
第６図は本実施例を１μｍバブルについて実施した場合
に得られたパルスＩ及びパルス■の立上シ位相マージン
であり、ａはパルス１．ｂｈパルス■の位相マーノンを
それぞれ示した。なおパルスの駆動粂件は図中に示した
。
に得られたパルスＩ及びパルス■の立上シ位相マージン
であり、ａはパルス１．ｂｈパルス■の位相マーノンを
それぞれ示した。なおパルスの駆動粂件は図中に示した
。
第７図は他の実施例を示す図であり、同図において前実
施例と同一部分は同一符号を付して示した。
施例と同一部分は同一符号を付して示した。
本実施例が前実施例と異なるところは、ビカクスノ！タ
ーン２２におけるバブルの引出し点２６とバブル分割点
２７との距離を前実施例よシ太なるようにピカクスパタ
ーン２２及びコンダクタノやターン２３を変形したもの
である。このように構成された本実施例はパルスＩはよ
シ早い位相で、・ぞルス■はよシ遅い位相が最適となシ
、ノ９ルスＩとパルス■の間隔に十分な時間がとれる。
ーン２２におけるバブルの引出し点２６とバブル分割点
２７との距離を前実施例よシ太なるようにピカクスパタ
ーン２２及びコンダクタノやターン２３を変形したもの
である。このように構成された本実施例はパルスＩはよ
シ早い位相で、・ぞルス■はよシ遅い位相が最適となシ
、ノ９ルスＩとパルス■の間隔に十分な時間がとれる。
従って・々プルがビカクス・やターンの頂部で伸長する
ための時間に余裕が生ずる。その結果、第６図すに示し
タノクルス■の位相マージンにおいて位相の早い方の領
域にマージンが拡大される。
ための時間に余裕が生ずる。その結果、第６図すに示し
タノクルス■の位相マージンにおいて位相の早い方の領
域にマージンが拡大される。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気ノ々プルメ
モリデバイスは、イオン注入ｉｉブルデノマイスとパー
マロイバブルデバイスとを合成した磁気バブルメモリデ
バイスにおいて、そのファンクシ言ングートを単極性の
ノやルスで駆動可能にしたものであり、その周辺回路を
簡単化し得るといつだ効果大なるものである。
モリデバイスは、イオン注入ｉｉブルデノマイスとパー
マロイバブルデバイスとを合成した磁気バブルメモリデ
バイスにおいて、そのファンクシ言ングートを単極性の
ノやルスで駆動可能にしたものであり、その周辺回路を
簡単化し得るといつだ効果大なるものである。
第１図は従来の磁気ノ々ブルメモリデノ々イスを説明す
るだめの図、第２図は従来のイオン注入／？プルデバイ
スとパーマロイ／（ブルデｌ＜イスとｉ’ｉＸしたバブ
ルデバイスにおけるレプリケートケゝ−トを説明するた
めの図、第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スのレゾリケードゲートを説明するだめの図、第４図は
その駆動ｉ？パルス波形を示す図、第５図はその動作説
明図、第６図はそのパルスの位相マージンを示す図、第
７図は他の実施例を説明するだめの図である。 図面において、２０はイオン注入領域、２１はマイナー
ルーフ’、２２ｆｄビカクスノや−マロイノ臂ターン、
２３はコンダクタ／ぞターン、２４はメジャーラインを
それぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （ａ） 第 ３図 （Ｑ） 第４図 一９０’ ０’ ９０゜ 第５回 （ａ） （ｂ） （ａ’） （ｂ） ４５６− （Ｃ）
るだめの図、第２図は従来のイオン注入／？プルデバイ
スとパーマロイ／（ブルデｌ＜イスとｉ’ｉＸしたバブ
ルデバイスにおけるレプリケートケゝ−トを説明するた
めの図、第３図は本発明による磁気バブルメモリデバイ
スのレゾリケードゲートを説明するだめの図、第４図は
その駆動ｉ？パルス波形を示す図、第５図はその動作説
明図、第６図はそのパルスの位相マージンを示す図、第
７図は他の実施例を説明するだめの図である。 図面において、２０はイオン注入領域、２１はマイナー
ルーフ’、２２ｆｄビカクスノや−マロイノ臂ターン、
２３はコンダクタ／ぞターン、２４はメジャーラインを
それぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士青水 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之 （ａ） 第 ３図 （Ｑ） 第４図 一９０’ ０’ ９０゜ 第５回 （ａ） （ｂ） （ａ’） （ｂ） ４５６− （Ｃ）
Claims (1)
- １、情報を格納するマイナールーゾをイオン注入転送パ
ターンで構成し、且つメジャーラインのうち少なくとも
ケ゛−ト部をパーマロイ転送パターンで構成したメジャ
ーマイナー構成の磁気バブルメモリデバイスにおいて、
そのレグリケードダートは、メジャーラインにダート用
のノや−マロイノやターンを配設すると共に、該ダート
用パターンよりマイナールーゾのカスプへ到シ、そこで
ヘアピンルーグを形成して折シ返し、再びダート用・や
ターンに戻υ、さらにダート用ｉ＋ターン内で折り返し
て形成されたつづら折れ形のコンダクタパターンを設け
たことを％徴とする磁気バブルメモリｆノ々イス。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034632A JPS59162683A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
| CA000430571A CA1197924A (en) | 1982-06-23 | 1983-06-16 | Magnetic bubble memory device |
| US06/505,978 US4561069A (en) | 1982-06-23 | 1983-06-20 | Magnetic bubble memory device gates |
| EP83303563A EP0097524B1 (en) | 1982-06-23 | 1983-06-21 | Magnetic bubble memory device |
| DE8383303563T DE3380503D1 (en) | 1982-06-23 | 1983-06-21 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58034632A JPS59162683A (ja) | 1983-03-04 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59162683A true JPS59162683A (ja) | 1984-09-13 |
| JPS622388B2 JPS622388B2 (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=12419777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58034632A Granted JPS59162683A (ja) | 1982-06-23 | 1983-03-04 | 磁気バブルメモリデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59162683A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202194U (ja) * | 1987-06-16 | 1988-12-27 | ||
| JPH033682A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Japan Atom Power Co Ltd:The | 熱電発電装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173192U (ja) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | ||
| JPS57186287A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
-
1983
- 1983-03-04 JP JP58034632A patent/JPS59162683A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57173192U (ja) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | ||
| JPS57186287A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622388B2 (ja) | 1987-01-19 |
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