JPS61216194A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS61216194A JPS61216194A JP61064074A JP6407486A JPS61216194A JP S61216194 A JPS61216194 A JP S61216194A JP 61064074 A JP61064074 A JP 61064074A JP 6407486 A JP6407486 A JP 6407486A JP S61216194 A JPS61216194 A JP S61216194A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- ion implantation
- transfer
- bubbles
- transfer path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオン打込み方式と軟磁性体を使用した転送
方式を併用する磁気バブル素子において、転送路の配置
に関するものである。
方式を併用する磁気バブル素子において、転送路の配置
に関するものである。
従来のパーマロイ転送方式に代わって高密度磁気バブル
素子に有利なイオン打込み方式が研究されている。これ
は磁気バブル膜の表面にｌＩＣ’や■１□゛などのイオ
ンを打込んで、打込み部分と非打込み部分を作成して転
送路を形成し、膜面内方向に回転磁界を印加してバブル
を転送する方式である。
素子に有利なイオン打込み方式が研究されている。これ
は磁気バブル膜の表面にｌＩＣ’や■１□゛などのイオ
ンを打込んで、打込み部分と非打込み部分を作成して転
送路を形成し、膜面内方向に回転磁界を印加してバブル
を転送する方式である。
第１図に示すようにバブル膜の（１１１）面上に転送路
を形成した場合、面内の結晶方向に対して、バブルが■
転送しにくい方向（バンド方向）５、■転送し易い方向
（スーパ一方向）６、＋；９’＋ ｒＤ ＋■の中間の
転送し易さをもつ方向（グツド方向）７の存在が知られ
ている。そのためバブルを貯えておくための転送路であ
るマイナループ部の転送がグツド方向となるように配置
したチップが知られている。それを第２図に示す。
を形成した場合、面内の結晶方向に対して、バブルが■
転送しにくい方向（バンド方向）５、■転送し易い方向
（スーパ一方向）６、＋；９’＋ ｒＤ ＋■の中間の
転送し易さをもつ方向（グツド方向）７の存在が知られ
ている。そのためバブルを貯えておくための転送路であ
るマイナループ部の転送がグツド方向となるように配置
したチップが知られている。それを第２図に示す。
マイナループ部を前述の配置にしてイオン打込み方式と
パーマロイ転送方式を併用した磁気バブル素子を製作し
検討した。そこで、第３図に示すようなレプリケータを
用いたところ、第４図に示すようにバブルがパーマロイ
素片１７に沿って伸びることがなく、第５図に示すよう
に転送路端に垂直方向に伸び易いことがわかった。レプ
リケータの必要条件は、第４図のようにバブルが転送路
端に沿って伸びることであり、このままでは使えない。
パーマロイ転送方式を併用した磁気バブル素子を製作し
検討した。そこで、第３図に示すようなレプリケータを
用いたところ、第４図に示すようにバブルがパーマロイ
素片１７に沿って伸びることがなく、第５図に示すよう
に転送路端に垂直方向に伸び易いことがわかった。レプ
リケータの必要条件は、第４図のようにバブルが転送路
端に沿って伸びることであり、このままでは使えない。
この原因は、イオン打込み方式の転送路ではバブルを駆
動しているチャージドウオールの安定点が（了〒２）、
（２Ｔ丁）、（１２了）の３方向に存在しているためで
ある。チャージドウオールは転送路端から、垂直方向に
存在し、バブルはその方向に伸び易しためである。以上
の原因により、バブルは転送路端に沿って伸びず、垂直
方向に伸び易くなっている。
動しているチャージドウオールの安定点が（了〒２）、
（２Ｔ丁）、（１２了）の３方向に存在しているためで
ある。チャージドウオールは転送路端から、垂直方向に
存在し、バブルはその方向に伸び易しためである。以上
の原因により、バブルは転送路端に沿って伸びず、垂直
方向に伸び易くなっている。
なお、磁気バブルメモリ素子については、例えば特開昭
５７−５５５８５号に記載されている。
５７−５５５８５号に記載されている。
上記従来技術では、レプリケータ部においてバブルが転
送路端に沿って伸びないため、円滑なレブリケ−１へ動
作ができないという問題点がある。
送路端に沿って伸びないため、円滑なレブリケ−１へ動
作ができないという問題点がある。
本発明の目的は、イオン打込み方式と軟磁性体を用いた
転送方式を併用した磁気バブル素子において、レプリケ
ー１〜動作を実現するためにバブルを転送路端に伸ばし
易くする方法を提供することにある。
転送方式を併用した磁気バブル素子において、レプリケ
ー１〜動作を実現するためにバブルを転送路端に伸ばし
易くする方法を提供することにある。
本発明では」二部問題点を解決するための手段として下
記の手段をとる。
記の手段をとる。
イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、その」二
に軟磁性体からなる素片を作成して軟磁性体を使った転
送方式を併用したバブル素子のうち、２メージャライン
・マイナループ方式をとるもので、マイナループを結晶
軸の（１丁２）または（２丁丁）または（〒２１）のい
ずれかの方向に平行に配置し、かつマイナループの書き
込みライン側の部分が結晶軸の（１１２）または（２１
了）または（１２１，）のいずれかの方向を向かせる。
に軟磁性体からなる素片を作成して軟磁性体を使った転
送方式を併用したバブル素子のうち、２メージャライン
・マイナループ方式をとるもので、マイナループを結晶
軸の（１丁２）または（２丁丁）または（〒２１）のい
ずれかの方向に平行に配置し、かつマイナループの書き
込みライン側の部分が結晶軸の（１１２）または（２１
了）または（１２１，）のいずれかの方向を向かせる。
バブルを駆動するチャージドウオールは（１１２）、（
２〒１）、（〒２丁）の３方向を安定点として持ち、バ
ブルはこれらの方向に伸び易い特徴がある。しかし、前
述の３方向と逆方向、（１１医）、（Σ１．１）、（１
２１）の３方向では、チャージドウオールは不安定点と
なりバブルは転送路端に垂直な方向に伸びにくくなる。
２〒１）、（〒２丁）の３方向を安定点として持ち、バ
ブルはこれらの方向に伸び易い特徴がある。しかし、前
述の３方向と逆方向、（１１医）、（Σ１．１）、（１
２１）の３方向では、チャージドウオールは不安定点と
なりバブルは転送路端に垂直な方向に伸びにくくなる。
したがって、この特徴を考慮してレプリケータを配置す
ることにより、バブルを転送路端に沿って伸ばすことが
容易になる。
ることにより、バブルを転送路端に沿って伸ばすことが
容易になる。
以下、本発明の一実施例を第６図、第７図を用いて説明
する。本発明によれば、バブルを貯蔵するマイナループ
群を、結晶軸に対して（ＩＦ５）。
する。本発明によれば、バブルを貯蔵するマイナループ
群を、結晶軸に対して（ＩＦ５）。
（２１丁）ｔ （１２１）のいずれかに平行に配置し
、かつ読み出し側のメージャラインが（１１２）。
、かつ読み出し側のメージャラインが（１１２）。
（２１１）、（１２１）のいずれかの方向に配置する第
６図に示すチップ構成になる。
６図に示すチップ構成になる。
レプリケータ部１５を拡大したものが第７図に示すもの
である。このような配置によりバブルは転送路端に沿っ
て伸びることができ、レプリケート動作が実現できる。
である。このような配置によりバブルは転送路端に沿っ
て伸びることができ、レプリケート動作が実現できる。
すなわち、第４図に示したような状態ができ、コンダク
タ１６に電流パルスを流してバブルを分割し、一方はマ
イナループに貯蔵し一方は、読み出しメージャラインを
転送させて検出するという非破壊読み出しが可能となる
。
タ１６に電流パルスを流してバブルを分割し、一方はマ
イナループに貯蔵し一方は、読み出しメージャラインを
転送させて検出するという非破壊読み出しが可能となる
。
本発明によれば、高密度化に有利ではあるが、ブロック
レプリケ−１−ができずに実用化に近づけなかったイオ
ン打込み方式磁気バブル素子が実用化できる効果がある
。すなわち、イオン打込み方式と従来のパーマロイ方式
の利点を組み合わせた素子により、−早く高密度磁気バ
ブル素子が実現できる。
レプリケ−１−ができずに実用化に近づけなかったイオ
ン打込み方式磁気バブル素子が実用化できる効果がある
。すなわち、イオン打込み方式と従来のパーマロイ方式
の利点を組み合わせた素子により、−早く高密度磁気バ
ブル素子が実現できる。
第１図〜第５図は従来の例の説明図で、第１図は、イオ
ン打込み方式転送路の転送のし易い方向を示す説明図、
第２図はイオン打込み方式のチップ構成図、第３図はイ
オン打込み方式とパーマロイ方式を組み合わせた素子の
レプリケータ図、第４図と第５図はバブルの伸び方の説
明図、第６図は本発明の一実施例のイオン打込み方式と
パーマロイ方式を組み合わせた素子のチップ構成図、第
７図は第６図のレプリケータ部の拡大図である。 １・・・バイアス磁界、２・・回転磁界、３・・・イオ
ン打込み方式転送路、４・・・（Ｔ丁２）または（２１
丁）または（１，２１）の結晶方向、５・・・パッド方
向、６・・スーパ一方向、７・・・グツド方向、８・・
・マイナループ、９・・・書き込みメージャライン、１
０・・・読み出しメージャライン、１１・・・発生器、
１２ｔ・・検出器、１３・・・トランスファアウｌ−ゲ
ー１−１１４・・・トランスファインゲ−１〜、１５・
・・レプリケータ、１６・・・コンダクタ、１７・・・
パーマロイ素片、１８・・・バブル。 −７＝ 畢 ３ 図 ′ｆＪ、！ 図 第 ５ 間 第 ６ 旧 葛 ７ ｎ Ａ
ン打込み方式転送路の転送のし易い方向を示す説明図、
第２図はイオン打込み方式のチップ構成図、第３図はイ
オン打込み方式とパーマロイ方式を組み合わせた素子の
レプリケータ図、第４図と第５図はバブルの伸び方の説
明図、第６図は本発明の一実施例のイオン打込み方式と
パーマロイ方式を組み合わせた素子のチップ構成図、第
７図は第６図のレプリケータ部の拡大図である。 １・・・バイアス磁界、２・・回転磁界、３・・・イオ
ン打込み方式転送路、４・・・（Ｔ丁２）または（２１
丁）または（１，２１）の結晶方向、５・・・パッド方
向、６・・スーパ一方向、７・・・グツド方向、８・・
・マイナループ、９・・・書き込みメージャライン、１
０・・・読み出しメージャライン、１１・・・発生器、
１２ｔ・・検出器、１３・・・トランスファアウｌ−ゲ
ー１−１１４・・・トランスファインゲ−１〜、１５・
・・レプリケータ、１６・・・コンダクタ、１７・・・
パーマロイ素片、１８・・・バブル。 −７＝ 畢 ３ 図 ′ｆＪ、！ 図 第 ５ 間 第 ６ 旧 葛 ７ ｎ Ａ
Claims (1)
- １、イオン打込み方式による磁気バブル転送路と、その
上に軟磁性体からなる素片を作成して軟磁性体を使った
転送方式を併用したバブル素子のうち、２メージャライ
ン・マイナループ方式をとるもので、マイナループを結
晶軸の（＠１＠＠１＠２）または（２＠１＠＠１＠）ま
たは（＠１＠２＠１＠）のいずれかの方向に平行に配置
し、かつマイナループの書き込みライン側の部分が結晶
軸の（＠１＠＠１＠２）または（２＠１＠＠１＠）また
は（＠１＠２＠１＠）のいずれかの方向を向いているこ
とを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064074A JPS61216194A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61064074A JPS61216194A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216194A true JPS61216194A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13247571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61064074A Pending JPS61216194A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216194A (ja) |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61064074A patent/JPS61216194A/ja active Pending
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