JPH0250387A

JPH0250387A - 磁気記憶素子

Info

Publication number: JPH0250387A
Application number: JP63201614A
Authority: JP
Inventors: Yasuharu Hidaka; 桧高　靖治
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-08-11
Filing date: 1988-08-11
Publication date: 1990-02-20
Also published as: US4926377A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は不揮発性の超高密度固体磁気記憶素子に関する
。

（従来の技術）本素子においてもっとも重要な部分は情報書き込み部お
よび情報読み出し部である。本磁気記憶素子は情報読み
出し手段と情報書き込み手段と情報蓄積手段を備えてな
り、かつ該ブロッホライン（以下、ＶＢＬと称する）の
対をブロッホ磁壁（以下、磁壁と称する）内で転送する
手段を有している。このような磁気記憶素子においては
情報をＶＢＬ対の形でストライプドメイン磁壁内に書き
込む手段およびＶＢＬ対の形でストライプドメイン磁壁
内に書き込んだ情報を読み出す手段が不可欠である。情
報書き込みにおいては、ｖＢＬを全く持たないストライ
プドメイン（以下、χ−ストライプと称する）先端領域
を切断してＶＢＬ対を注入していた。該χ−ストライプ
の長手方向に沿って面内磁界Ｈｔｐを加える。そうする
と、）（ｔｐと逆向きの磁化をもつ側壁では、膜の上、
下両面から水平ブロッホライン（ＨＢＬ）が発生する。

この状態に膜上面に２本の導体パターンを配置し、該２
本の導体パターンに挟まれた領域にストライプドメイン
安定化用バイアス磁界Ｈ２と同じ向きの磁界を発生する
ように、導体パターンにパルス電流を与える。そうする
と、磁壁がダイナミックに移動し、それに伴い、ＨＢＬ
にジャイロ力が働き、ＨＢＬが膜下面からパンチスルー
する。そして、２本のＶＢＬが入ったトランジェントな
状態が得られる。この状態ではストライプドメインの２
つの側壁の中心磁化は互いに平行になっている。この状
態に引き続きパルス磁界を加えることにより、ストライ
プドメインは最終的に切断され、２つのドメインになる
。それぞれのドメイン磁壁内には負同士のＶＢＬまたは
異符号のＶＢＬがそれぞれ２本ずつ注入されている。こ
こで見出した１つのドメイン磁壁内に２本の負のＶＢＬ
を注入する機構を本素子に於けるＶＢＬ対の書き込みに
利用したのが本発明の骨子である。

従来方法の内容を具体的に説明する。第７図（ａ）〜（
ｂ）はストライプドメイン先端部に形成したＶＢＬ対書
き込み部の基本構成である。１はストライプドメイン、
２は磁壁である。３はストライプドメイン先端部であり
、先端にあるＶＢＬ４は初期状態に必然的に入っている
ものである。

７はＶＢＬ対の書き込み時にストライプドメインを引き
伸ばすために用いる導体パターンである。

１０．１１．１２は該ストライプドメイン先端部にドメ
イン長手方向に局所面内磁界を発生するための導体パタ
ーンである。８．９はドメイン先端部切断用の導体パタ
ーンである。５は膜厚中心における磁壁中心の磁化、６
はストライプドメイン内の磁化である。次に動作につい
て説明する。チップにはストライプドメイン磁壁中のＶ
ＢＬ対を安定化するため、ドメイン長手方向に１４で示
す面内磁界Ｈ＋ｎｏが加えられている。先端のＶＢＬ４
を情報書き込み時に側壁へ移動させ、ドメイン先端部を
予め定められたχ−状態にするため、導体パターン１０
．１１．１２に平行電流を与え、ストライプドメイン先
端部に長手方向に左向きの面内磁界Ｈ１ｐを与えつつ、
導体パターン７にパルス電流を与えて、ストライプドメ
イン先端部を該書き込み部に導く。そうすると、該ＶＢ
Ｌ４はジャイロ力によって、この場合下側の側壁１３“
に沿って、導体パターン１０の左端まで移動し、Ｈ５，
との相互作用で、その位置に安定化される。そして、導
体パターン１０から右の部分の磁壁構造は第７図（ａ）
に示すように、予め定められたχ−状態になっている。

上側の側壁１３には第７図（ｂ）に横から見たときの様
子を示した水平ブロッホライン（以下、ＨＢＬと称する
）１８．１９が入る。ＩＦ５．１７はそれぞれ膜上、膜
下面の磁壁磁化である。このドメインに導体パターン８
．９に矢印で示す向きに互いに反平行の電流を与え、８
．９に挟まれた領域にＨ２と同じ向きのパルス磁界を与
えて、ＨＢＬ１９を膜上面からパンチスルーさせる。そ
うすると、第７図（Ｃ）に示す様に２本のＶＢＬ２０，
２１が磁壁の中に書き込まれた状態がトランジェントに
形成される。この状態に対して、８．９の電流による磁
界を引き続き加えて、ドメインを切断する。この結果、
ストライプドメイン先端部に２本の負のＶＢＬ２０．２
２が書き込まれる。

つぎに第８図（ａ）〜（ｄ）により読み出し部について
述べる。従来は第８図（ａ）に示すように、導体パター
ン７により、ドメイン先端３にパルス磁界を与えて、磁
壁を矢印の向きへまず移動し、３本のＶＢＬ２３を−Ｈ
ドメイン先端からずらす。そうすると、３本のＶＢＬ２
３’の中でドメイン先端にもっとも近いＶＢＬだけが面
内磁界Ｈ＋ｎｏとの相互作用で先端に戻る。そのタイミ
ングを捕らえて導体パターン１０．１１．１２に平行電
流を与え、ストライプドメイン先端部に長手方向に左向
きの面内磁界）（ｔ＋ｅを与えつつ、導体パターン７に
パルス電流を与えて、ストライプドメイン先端部を該読
み出しゲート部へ引き伸ばし、この時誘起されるジャイ
ロ力によって該ＶＢＬを予め定められた側壁へ移動させ
、最終的に第８図（Ｃ）に示すようなＶＢＬ、が３本に
分離した４、２６を作っていた。しかし、従来方式では
必ずしもこの状態を得られなかった。ドメイン先端のＶ
ＢＬをドメイン引き伸ばし時のジャイロ力で所望の側壁
１３′へ移動させるためには、引き伸ばし動作に先立っ
てＶＢＬを精度よくドメイン先端に位置させておくこと
が重要であることがわかった。しかし、ＨｌｎＯは通常
チップ外から加えるようにするので、その方向はドメイ
ン長手方向に正確に一致させて加えることは非常に難し
く、シばしば問題を生じた。他方、第９図（ａ）〜（ｄ
）に示すような先端にＶＢＬ対がない場合は先端のＶＢ
Ｌが上、下どちらの側壁へ移動しても問題がないので、
以下ではドメイン先端にＶＢＬ対がない場合は特に議論
しない。

（発明が解決しようとする問題）従来の書き込み法では、書き込み時にドメイン先端部の
カイラリティが一定になっているようにするため、スト
ライプドメイン先端部磁壁をダイナミックに移動させる
際にＶＢＬに働くジャイロ力を利用してストライプドメ
イン先端のＶＢＬを定められた側の側壁（この場合１３
′）に移動させる方法を用いていた。この方法では、ス
トライプドメイン磁壁に記憶されている情報を安定に保
持するためにストライプドメイン長手方向に加えている
市内磁界の向きが何等かの原因で僅かに傾くことによっ
て、ドメイン先端のＶＢＬが先端からずれてしまい、上
記ジャイロ力によって期待する側の側壁へのＶＢＬ移動
が不成功に終わることがしばしばあり、制御性がいま一
つであった。この点を解決する手段を見出すことがこの
素子の実用化上、重要であった。本発明ではこの問題を
解決する新しい方法を提示する。

ストライプドメイン先端部３にＶＢＬ対があると、予め
先端部にある１本のＶＢＬと合わせて第８図（ａ）に２
３で示す３本のＶＢＬがある。読み出し時には、該３本
のＶＢＬを先端に１本、その両側の側壁にそれぞれ１本
ずつに分離する技術が必要である。従来はドメイン先端
に１度引き伸ばすパルス磁界と逆向きのパルス磁界を加
えてＶＢＬを−Ｈドメイン先端からずらす。その後、市
内磁界Ｈ＋ｎＯとの相互作用で先端にもっとも近いＶＢ
Ｌだけが先端に戻る。そのタイミングを捕らえて導体パ
ターン７を使って、パルス磁界を加えてドメインをゲー
ト部へ引き伸ばす。この時のジャイロ力によって該ＶＢ
Ｌを予め定められた側壁へ移動させる機構を使っていた
。しかし、この方法では必ずしも所望の動作特性を得ら
れなかった。大きな原因はドメイン先端のｖＢＬをドメ
イン引き伸ばし時のジャイロ力で所望の側壁へ移動させ
るのが難しかったためである。つまり、引き伸ばし動作
（こ先立ってＶＢＬをドメイン先端に位置させてお（こ
とが非常に難しいことがわかった。

（問題点を解決するための手段）本発明では、情報担体であるＶＢＬ対安定化のため、従
来ストライプドメイン長手方向に加えていた面内磁界Ｈ
ｌｎｏの向きを制御することで上記問題点を解決してい
る。以下、実施例を使って発明の内容を詳細に説明する
。

（実施例１）ＶＢＬ対の書き込みの際、ドメイン先端に予め存在して
いるＶＢＬをＶＢＬ対の書き込み時に側壁へ移動させる
ため、従来情報記憶用のＶＢＬ対保持用に素子全体にド
メイン長手方向に一致させて加えられていた面内磁界Ｈ
ｌｎｏをドメイン長手方向に一致した向きから第１図１
４で示すように、予め定められた角度だけ傾けた向きに
加えているのが特徴である。動作を第２図（ａ）〜（ｄ
）で説明する。Ｈ＋ｎｏがドメイン長手方向から傾けで
あるので、ドメイン先端のＶＢＬの第２図（ａ）の４に
示すようにドメイン先端からずれた位置にある。この状
態に対して、１５で示すＨＩｎ１、と逆向きの局所面内
磁界ＨＩｐを導体パターン１０．１１．１２を使ってド
メイン引き伸ばし部ニ与えて、導体パターン７にパルス
電流を与えて、ストライプドメイン先端部を該書き込み
部に導く。そうすると、該ＶＢＬ４はジャイロ力および
ＨＩＰとの相互作用により、この場合、第２図の下側の
側壁に沿って、導体パターン１０の左端まで移動し、そ
の位置に安定化される。そして、導体パターン１０から
右の部分の磁壁構造は第２図（ａ）に示す予め定められ
たχ−状態になっている。上側の側壁にはＨｉｐの作用
で横から見た様子を第２図（ｂ）に示すＨＢＬ１８．１
９が形成されている。このドメインに導体パターン８．
９に矢印で示す向きに互いに反平行の電流を与え、８．
９に挟まれた領域にＨアと同じ向きのパルス磁界を与え
て、ＨＢＬ１９をパンチスルーさせる。そうすると、第
２図（Ｃ）に示す様に２本のＶＢＬ２０．２１が磁壁の
中に書き込まれた状態がトランジェントに形成される。

この状態に対して、８．９の電流による磁界が引き続き
加わり、ドメインが切断される。この結果、ストライブ
ドメイン先端部に２本の負のＶＢＬ２０．２２が書き込
まれる（第２図（ｄ））。

（実施例２）本発明の読み出し法を第３図（ａ）〜（ｄ）に示す。書
き込みのときと同様に情報担体であるＶＢＬ対安定化の
ため、従来素子全体にドメイン長手方向に一致させて加
えられていた面内磁界ＨＩｎ、をドメイン長手方向に一
致した向きから１４で示すように、予め定められたイき
に定められた大きさたけ傾けた向きに加えることにより
、ドメイン先端に２３で示す３本のＶＢＬはドメイン先
端からずれた位置に安定化されている。読み出し動作を
説明する。まず、ドメイン先端にドメインを引き伸ばす
のと逆向きのパルスバイアス磁界を加えて、ドメイン先
端を第３図（ａ）に矢印で示す向きに移動させ、３本の
ＶＢＬを２３から２３′へ一旦移動させる。そうすると
、先端にもっとも近いＶＢＬだけがＨＩｎＯとの相互作
用で第３図（Ｃ）に４“で示すＨＩｎＯの向きと該ＶＢ
Ｌの中心磁化との向きが一致する位置までドメインに沿
って戻る。この位置はドメイン先端からずれている。こ
の状態に対して、ＨＩｎＯと逆向きの１５で示す局所面
内磁界ＨＩｐを導体パターン１０．１１．１２を使って
ドメイン引き伸ばし都に与えておいて、導体パターン７
にパルス電流を与えて、ストライブドメイン先端部を該
読み出し部に導（。そうすると、該ＶＢＬ４’はジャイ
ロ力お上びＨｉｐとの相互作用により、この場合、第３
図（ｂ）の下側の側壁１３゛に沿って、導体パターン１
０の左端まで移動し、第３図（Ｃ）に示すように、その
位置に安定化される。その結果、先端部に３本のＶＢＬ
がある場合、３本の該ＶＢＬは引き伸ばしたドメインの
先端に１本、両側の側壁の導体線の脇に、各１本ずつ保
持される。その結果、先端と他の２本のＶＢＬが保持さ
れている位置との間の領域では２つの側壁の磁化は互い
に平行になる。この状態に対してパルス磁界を与えてド
メインを切断する。そうすると、バブルができ、もとの
ドメイン先端にあった第３図（Ｃ）に２２で示すＶＢＬ
と同じタイプのＶＢＬが切断後のストライプドメイン先
端に第３図（ｄ）に２２’　としてレプリケートされて
いる。従来はＨｌｎＯの向きをドメイン長手方向に一致
させていたので、何等かの理由でＨｉｎＯの向きが僅か
にずれると、そのずれかたによっては該ＶＢＬはその後
のドメイン先端引き伸ばしによるジャイロ力によって安
定性よく予め定められ側壁へ移動せず、上記のように先
端の３本のＶＢＬを孤立した３本のＶＢＬに分離するこ
とが難しかった。他方、先端にＶＢＬが１本しかない場
合、ＶＢＬ安定化位置をドメイン先端から制御してずら
すことで、ストライプドメイン先端部を該読み出し部に
導くときのジャイロ力により、ＶＢＬを所定の側壁に移
動させ先端部をユニカイラル状態にして、上記パルス磁
界では切断させないようにする。以上の改良により、従
来方法に比べて、動作が格段に安定した。また、ＨＩｎ
ｏの設定精度もドメイン長手方向に正確に一致させよう
としていた従来法と比べて大幅に緩和されることになる
。

（実施例３）ジャイロ力によるＶＢＬの移動向きを常に一定にする°
ため、ＨｌｎＯの向きをドメイン長手方向から傾けてド
メイン先端のＶＢＬの安定位置を移動し、さらにＶＢＬ
対を転送する方法として、ドメインにドメイン保持用の
バイアス磁界と逆向きのパルスバイアス磁界を印加方法
を用いると、コーナーから側壁部への転送の安定性が大
幅に改善された。従来のドメイン先端にＶＢＬの安定位
置を設けていた方法ではＶＢＬ対がドメイン先端（コー
ナー）を回るとき、コーナーから側壁部に出て行くとこ
ろが非常に不安定であった。

（実施例４）本発明のもう１つのＶＢＬ対の書き込み方法を示す。Ｖ
ＢＬ対の書き込みの際、ドメイン先端に予め存在してい
るＶＢＬをＶＢＬ対の書き込み時に側壁へ移動させるた
め、第４図に示す導体パターン１５を配置し、さらに情
報担体であるＶＢＬ対安定化のため、素子全体にドメイ
ン長手方向に一致させて加えられている市内磁界Ｈ＋、
、ｏをドメイン長手方向に一致した向きに固定せず、第
４図に１４で示すように回転できるようにしている。書
き込み動作を第５図（ａ）〜（ｄ）を使って説明する。

まず、導体パターン２５に電流を与え、ドメイン先端部
にＨｌｎＯと逆向きの局所面内磁界ＨＩｎを加えておく
。その後、素子全体またはドメイン先端部にＨｌｎＯと
同じ向きの市内磁界を与え、その向きを第５図（ａ）の
１４で示すように、予め指定された向きにθ０°以内の
大きさたけ回転する。そうすると、ドメイン先端のＶＢ
Ｌは先端から移動し、かつＨＩｎとの相互作用で導体パ
ターン２５の左側に４′で示すようにトラップされる。

この状態に対して、ＨｉｎＯと逆向きの局所磁界Ｈｔｐ
を導体パターン１０．１工、１２を使ってドメイン引き
伸ばし部に与えて、導体パターン７にパルス電流を与え
て、ストライプドメイン先端部を該書き込み部に導く。

そうすると、導体パターン２５から右の部分の磁壁構造
は第５図（ａ）に示す予め定められたχ−状態になって
いる。上側の側壁にはＨｔｐの作用でＨＢＬ１８．１９
が形成されている。このドメインに導体パターン８．９
に矢印で示す向きに互いに反平行の電流を与え、８．９
に挟まれた領域にＨ２と同じ向きのパルス磁界を与えて
、ＨＢＬ１９をパンチスルーさせる。そして、２５の電
流を切ると、第５図（ｃ）に示す様に２本のＶＢＬ２０
．２１が磁壁の中に書き込まれた状態がトランジェント
に形成される。この状態に対して、８．９の電流による
磁界が引き続き加わり、ドメインが切断される。この結
果、ストライプドメイン先端ｇｌ＜に２本の負のＶＢＬ
２０．２２が書き込まれる。

（実施例５）ＶＢＬ対がドメイン先端にあるときの読み出し方法に関
するもう１つの例を示す。その動作を第６図（ａ）〜（
ｄ）を使って説明する。読み出しの際は書き込み時に使
用した導体線２５により、書き込み時と同じようにＨｌ
ｎＯと逆向きの局所面内磁界Ｈ１ｎを該ストライプドメ
イン先端部に加えておき、素子全体またはドメイン先端
部にＨ１ｔ＋０と同じ向きの市内磁界を与え、その向き
を第６図（ａ）に示すように、まず−９０°以内の予め
定められた大きさだけ回転する。そうすると、３本のＶ
ＢＬ２３の中の１本がＨｌｎＯと相互作用し、さらにＨ
ｌｎと相互作用して第６図（ａ）に示すように下側の側
壁上で、導体パターン２５の左側にトラップされる。引
き続き第６図（ｂ）に示すように、ＨｌｎＯの向きを今
と逆向きに＋９０’以内まで回転する。そうすると、３
本のＶＢＬの中の１本がＨＩ、、Ｏと相互作用し、さら
にＨＩｎと相互作用して第６図（ｂ）に示すように上側
の側壁上で、導体パターン２５の左側にトラップされる
。

この状態でＨｌ、、０のむきを第６図（Ｃ）に示すよう
にドメイン長手方向に戻す。そうすると、ドメイン先端
にあった３本のＶＢＬは第６図（ｂ）に示すように、３
本の孤立ＶＢＬに分離される。この状態に対して、第６
図（Ｃ）に示すように、ＨＩｎＯと逆向きの局所磁界Ｈ
１ｐを導体パターン１０１１１．１２を使ってドメイン
引き伸ばし部に与えて、導体パターン７にパルス電流を
与えて、ストライプドメイン先端部を該読み出し部に導
く。そうすると、該ＶＢＬ４’はジャイロ力およびＨｌ
ｐとの相互作用により、この場合、第３図の下側の側壁
に沿って、導体パターン１０の左端まで移動し、第３図
（Ｃ）に示すように、その位置に安定化される。その結
果、先端部に３本のＶＢＬがある場合、３本の該ＶＢＬ
は引き伸ばしたドメインの先端に１本、両側の側壁の導
体線の脇に各１本ずつ保持される。その結果、先端と他
の２本のＶＢＬが保持されている位置との間の領域では
２つの側壁の磁化は互いに平行になる。この状態に対し
てパルス磁界を与えてドメインを切断する。そうすると
、バブルができ、もとのドメイン先端にあった第３図（
Ｃ）に２２で示すＶＢＬと同じタイプのＶＢＬが切断後
のストライプドメイン先端に第３図（ｄ）に２２°とし
てレプリケートされている。従来はＨＩｎＯの向きをド
メイン長手方向に一致させていたので、何等かの理由で
Ｈｌｎｏの向きが僅かにずれると、そのずれかたによっ
ては該ＶＢＬはその後のドメイン先端引き伸ばしによる
ジャイロ力によって安定性よく予め定められた側壁へ移
動せず、上記のように先端の３本のＶＢＬを孤立した３
本のＶＢＬに分離することが難しかった。他方、先端に
ＶＢＬが１本しかない場合、ＶＢＬ安定化位置をドメイ
ン先端から制御じてずらしておくことで、ストライプド
メイン先端部を該読み出し部に導くときのジャイロ力に
より、ＶＢＬは所定の側壁に移動させ先端部をユニカイ
ラル状態にして、上記パルス磁界では切断させないよう
にする。以上の改良により、従来方法に比べて、動作が
格段に安定した。その後はＨＩｎ。と逆向きの局所磁界
Ｈ＋ｐをドメイン引き伸ばし部に与えて、導体パターン
７にパルス電流を与えて、ストライプドメイン先端部を
該読み出し部に導く。そうすると、先端部３本のＶＢＬ
がある場合、３本の該ＶＢＬは引き伸ばしたドメインの
先端に１本、両側の側壁の導体線１０の脇にＨＩｌ＋と
の相互作用で各１本ずつ保持される。その結果、先端と
他の２本のＶＢＬが保持されている位置との間の領域で
は上側と下側の側壁の磁化は互いに平行になる。この状
態に対してパルス磁界を与えてドメインを切断する。他
方、先端にＶＢＬが１本しかない場合は前述の局所面内
磁界によってそのＶＢＬは先端を挾むどちらかの側壁に
移動させ、先端部をユニカイラル状態にして、上記パル
ス磁界では切断させないようにする。以上の改良により
、従来方法に比べて、動作が格段に安定した。

（発明の効果）本発明により、ストライプドメイン磁壁を情報記憶部と
するブロッホラインメモリにおいて、安定した情報書き
込み法が確立され、従来のストライプドメイン先端部を
ダイナミックに押して情報を書き込んでいたのに比べて
、動作が格段に安定化された。

本発明により、ストライプドメイン磁壁を情報記憶部と
するブロッホラインメモリにおいて、安定した情報読み
出し法が確立され、従来のストライプドメイン先端部に
単に面内磁界を加える方法に比べて動作が安定化された
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＶＢＬ対をストライプドメイン先端部
に書き込む部分の基本構成の１つの例を示す図。第２図
（ａ）〜（ｄ）は本発明に使われているＶＢＬ対の書き
込み動作を示す図。第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明に使
われているＶＢＬ対の読み出し動作の１例を示す図。第
４図は本発明のＶＢＬ対をストライプドメイン先端部に
書き込む部分の基本構成の１つの例を示す図。第５図（
ａ）〜（ｄ）は本発明に使われているＶＢＬ対の書き込
み動作を示す図。第６図（ａ）〜（ｄ）は本発明に使わ
れているＶＢＬ対の読み出し動作の１例を示す図。第７
図（ａ）〜（ｄ）は従来のＶＢＬ対書き込み法の１例を
示す図。第８図（ａ）〜（ｄ）、第９図（ａ）　〜（ｄ
）は従来のＶＢＬ対読み出し法の１例を示す図。１、ストライプドメイン。２．ストライプドメイン磁壁
、３．３’　　ストライプドメイン先端部、４．４’　
、ＶＢＬ、５．膜厚中心における磁壁中心の磁化、６．
ストライプドメイン内の磁化、７．ストライプドメイン
先端部引き伸ばし用導体パターン、８．９．ストライプ
ドメイン先端部切断用導体パターン、１０．１１．１２
０局所面内磁界発生用パターン、１３．１３’　、側壁
、１４、情報担体であるＶＢＬ対安定化用面内磁界Ｈ，
ｎｏｌ　１５．　　ドメイン引き伸ばし時にゲート部に
加えるＨ＋ｖ＋ｏと逆向きの磁界、１６．膜上面の磁壁
磁化、１７．膜下面の磁壁磁化、１８．１９、水平ブロ
ッホライン、２０．負のＶＢＬ。２１、正のＶＢＬ、２２．　　ドメイン切断によって入
った負のＶＢＬ１２３．２３゛、ドメイン先端＋７）３
本（７）ＶＢ　Ｌ、　２４．　バフルトメ４７．２５゜
導体パターン。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）情報読み出し手段、情報書き込み手段および情報
蓄積手段を有し、且つ、膜面に垂直な方向を磁化容易方
向とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在する
ストライプドメインの境界のブロッホ磁壁（以下、磁壁
と称する）中に作った相隣る２本の垂直ブロッホライン
（以下、ＶＢＬと称する）の対を情報担体として用い、
該ＶＢＬ対を安定化する面内磁界印加手段、前記ストラ
イプドメイン先端部の外周磁壁の一部をメイジャライン
部に向かって引き伸ばして安定化させる手段と、この引
き伸ばしたストライプドメイン長手方向に面内磁界を加
える手段およびこの局所面内磁界が加わっている領域に
おいて、ストライプドメインを切断する手段を備えてい
る磁気記憶素子において、ＶＢＬ対を安定化する面内磁
界をストライプドメイン長手方向から傾いた方向に加え
る手段を備えていることを特徴とする磁気記憶素子。
（２）情報読み出し手段、情報書き込み手段および情報
蓄積手段を有し、かつ膜面に垂直な方向を磁化容易方向
とする強磁性体（フェリ磁性体を含む）膜に存在するス
トライプドメインの境界のブロッホ磁壁（以下、磁壁と
称する）中に作った相隣る２本の垂直ブロッホライン（
以下、ＶＢＬと称する）の対を情報担体として用い、該
ＶＢＬ対を安定化する面内磁界印加手段、前記ストライ
プドメイン先端部の外周磁壁の一部をメイジャライン部
に向かって引き伸ばして安定化させる手段と、この引き
伸ばしたストライプドメイン長手方向に面内磁界を加え
る手段およびこの面内磁界が加わっている領域において
、ストライプドメインを切断する手段を備えている磁気
記憶素子において、ＶＢＬ対を安定化する面内磁界をス
トライプドメイン長手方向を中心としてその両側に±９
０°その向きを回転できる面内磁界印加手段とストライ
プドメイン先端部に該ストライプドメイン長手方向に局
所面内磁界を加える手段とを備えていることを特徴とす
る磁気記憶素子。