JPS58164084A - 磁気バブルメモリ用スワツプゲ−ト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はイオン注入磁気バブルメモリのスワップダート
に関するものである。

（２）従来技術と問題点 最近、磁気バブルメモリデバイスにおいて、そのバブル
転送路をイオン注入法によ多形成し、記憶密度を高度化
する方法が用いられている。このイオン注入磁気バブル
デバイスは、第１図の平面図及び第２図の断面図に示す
如くがトリニウム・ガリウム・ガーネッ）（ＧＧＧ）基
鈑１の上に液相エピタキシャル成長させた磁性が−ネ、
ットの薄膜２に対し、パターン３以外の領域４に水素、
ネオン、ヘリウム等のイオンを注入したものである。

このようにパターン３を形成した素子はイオンが注入さ
れた領域４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、・９ターン３の磁化容易軸方向は矢印すの如く
もとのままの面内方向と垂直である。従ってバブル５は
回転磁界によってパターン３０周縁に沿って矢印Ｃの如
く転送される。そしてこのパターン３は円形や四角形を
一部が重なるようにして列状に配列した形状であるため
、ギャップを必要とした従来のバーマロイノ４’ターン
に比し寸法精度が緩くとも良く、従ってパターンが小さ
くでき高密度化が実現される。

このようなイオン注入磁気バブルメモリにおいては、従
来スワッゾｆ−トが実現されてぃなかったため、メジャ
ー・マイナー構成の場合にマイナーループの情報を誉き
換えるときは、双方向性ｒ−トを用いて一度マイナール
ーグの情報を消してから新しい情報を入れることになる
ので情報書き換えに時間を要するという欠点があった。

（３）発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、メジャー・マイナー間
の情報交換を同時に行なうことができるイオン注入磁気
バルブメモリ用スワップダートを提供することを目的と
するものでおる。

（４）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、メジャーラインとマ
イナーループ間の情報交換を同時に行なうことができる
イオン注入磁気バブルメモリのスワップダートであって
、メジャーラインのカスプ部とマイナーループのカスプ
部、及びメジャーラインのティップ部とマイナールーツ
のティップ部をそれぞれコンダクタパターンに沿って対
向して配置し、コンダクタノやターンに電流を適時に流
すことによυ発する局部磁界でバブルの交換を行々わせ
ることを特徴とする磁気バブルメモリ用スワップダート
を提供することによって達成される。

（５）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

第３図は本発明による磁気バブルメモリ用スワップダー
トの構造を示す図である。同図において、６はメジャー
ライン、７はマイナールーツ、８はコンダクタパターン
をそれぞれ示している。

本実施例は図に示す如く、メジャーライン６のカスプ部
Ａとマイナールーシフのカスプ部Ｂとはコンダクタパタ
ーン８に沿って対向して配置され、またメジャーライン
６のティップ部りとマイナールーｆ７のティップ部Ｃも
コンダクタノ４ターン８に沿って対向して配置されてい
る。

またコンダクタパターン８は、これに電流を流したとき
メジャーライン６のカスプ部Ａとマイナールーシフのカ
スプ部Ｂを結ぶ線上及びメジャー　　　　　　）ライン
６のティップ１ｕｌｌ　Ｃとマイナールーシフのティッ
プ部りを結ぶ線上にバブルをストライプする磁界方向に
形成され、また両者の線上の間に少なくとも１箇所以上
のバブルがコラップスする方向の磁界のラインＥが存在
するように折曲形成されている。

このように形成された本発明のスワップゲートの動作を
第３図を用いて酸１明する。

時刻ｔ１で回転磁界Ｈ，が上向きのとき、メジャーライ
ン６のカスプ部Ａにバブル９が、マイナールーｆ７のテ
ィップ部Ｃにバブル１０がそれぞれ転送されて来る。こ
こでコンダクタノ４ターン８に前記方向の電、流ＩＣを
流せばバブル９はマイナーループ７のカスプＢへ、バブ
ル１０はメジャーラインのティップＤにまでそれぞれス
トライプされる。

この後電流を流したｔまで時刻ｔ２で回転磁界Ｈ。

が反時計方向に回わって下向きにまで達したとき電流を
止めるとバブルは、この時メジャーラインのカス１ｍＡ
とマイナーループのティップ部Ｃが反撥、メジャーライ
ンのティップ部りとマイナーループのカスプｉＢが吸引
の磁極となるため、カスプ部Ａとカスプ部Ｂを結ぶ線上
で伸長したバブル９はマイナールーツのカスプ部Ｂへ吸
引され、ティップ部Ｃとティップ部りを結ぶ線上で伸長
したバブル１０はメジャーラインのティップ部りへ吸引
される。従ってバブル９及び１０はそれぞれメジャーラ
インのカスプ部Ａからマイナーループのカスプ部Ｂへ、
マイナールーツのティップ部Ｃからメジャーラインのテ
ィップ部りへと移動しスワップ動作が完了する。

第４図は他の実施例を３例示したものであり、同図にお
いて、６はメジャーライン、７はマイナールーツ、８は
コンダクタパターンをそれぞれ示している。

８図に示す実施例は、第３図に示した実施例のコンダク
タパターン８を１８００反転させて配置したものであシ
、ｂ図に示す実施例はカスプ同士及びティップ同士を結
ぶコンダクタパターンをそれぞれ１本としたものであシ
、０図に示す実施例はｂ図のコンダクタパターン８を１
８０°反転させたもので、それぞれ第３図に示した実施
例と同様な動作をすることが可能である。なおり及び０
図に示したものはｔ流値を大きくする必要があるがｒ−
ト抵抗を低くできる利点がある。

（６）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明はイオン注入磁気
バブルメモリにおいて、同時スワッｆｒ−トを構成する
ことができ、これによりバブルメモリの情報の書換えが
同時に行ガえるため、双方向性ｆ−）に比べ制御が簡単
になるといった効果大々るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はイオン注入磁気バブルメモリを説明するための
図、第２図は第１図の■−■純における断面図、第３図
は本発明による磁気バブルメモリ用スワップゲートの構
造を示す図、第４図は他の実施例を示す図である。 図面において、６はメジャーライン、７はマイナールー
プ、８はコンダクタパターン、９及び１ｏはバブル、Ａ
はメジャーラインのカスゾ部、Ｂはマイナーループのカ
スゾ部、Ｃはマイナールーツのティップ部、Ｄはメジャ
ーラインのティップ部をそれぞれ示す◎ 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　青　木　　　朗 弁理士西舘和之 弁理士　内　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　メジャーラインとマイナーループ間の情報交換を
   同時に行なうことができるイオン注入磁気バブルメモリ
   のスワップｒ−トであって、メジャーラインのカスプ部
   とマイナーループのカスプ部、及びメジャーラインのテ
   ィラグ部とマイナーループのティッゾ部をそれぞれコン
   ダクタノリ―ンに沿って対向して配置し、コンダクタ／
   ４’ターンに電流を適時に流すことによシ発する局部磁
   界でバブルの交換を行なわせることを特徴とする磁気ｉ
   ４プルメモリ用スワ９．プグート。