JPS5837893A - 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 - Google Patents
磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法Info
- Publication number
- JPS5837893A JPS5837893A JP56135166A JP13516681A JPS5837893A JP S5837893 A JPS5837893 A JP S5837893A JP 56135166 A JP56135166 A JP 56135166A JP 13516681 A JP13516681 A JP 13516681A JP S5837893 A JPS5837893 A JP S5837893A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は連接形転送路（コンフィギ為アス・ディスク・
パターン）を備えてなる磁気バブルメモリデバイスのマ
イナループ構成法に関する。
パターン）を備えてなる磁気バブルメモリデバイスのマ
イナループ構成法に関する。
近年、磁気バブルメモリの記憶媒体として動作する磁気
パズル（以下バブル）として直径が１ハ以下の所謂のナ
プきりｐンパプルを用いて記憶容量を増加し九メ篭りデ
バイスの開発が進められており、これにはバブルの転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。
パズル（以下バブル）として直径が１ハ以下の所謂のナ
プきりｐンパプルを用いて記憶容量を増加し九メ篭りデ
バイスの開発が進められており、これにはバブルの転送
を連接形転送回路により行う方法がとられている。
この方法はバブルを保持する磁性膜が一定方向の磁化容
易軸を有する第１領域とこの領域を囲みこれと直交し九
磁化容異軸をもつ第２領域とによ〉形成され、第１領域
によシバプル情報転送用のメジャ・ループパターンとバ
ブル情報格納用の数多くのマイナ・ループパターンとが
形成されているもので、第２領域はバブル保持膜へのイ
オン注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁性
膜の形成などの方法により作ることができる。
易軸を有する第１領域とこの領域を囲みこれと直交し九
磁化容異軸をもつ第２領域とによ〉形成され、第１領域
によシバプル情報転送用のメジャ・ループパターンとバ
ブル情報格納用の数多くのマイナ・ループパターンとが
形成されているもので、第２領域はバブル保持膜へのイ
オン注入或は第１領域とは磁化容易軸の方向が異る磁性
膜の形成などの方法により作ることができる。
ここで、メジャ拳ループパターンおよびマイナループパ
ターンは多数のディスクパターンまたは角形パターンを
連接した形状をとるため連接形転送回路（コンティギ龜
アスＯディスクパターン）と云われている。
ターンは多数のディスクパターンまたは角形パターンを
連接した形状をとるため連接形転送回路（コンティギ龜
アスＯディスクパターン）と云われている。
第１図および第２図は連接形転送回路の説明図で囚は正
面図、また（６）は、、Ａ−Ａ’ 線における断面図で
ある。
面図、また（６）は、、Ａ−Ａ’ 線における断面図で
ある。
バブルメモリ用磁性膜は非磁性ガーネットであるガドリ
ニウム・ガリク＾ガーネット（ＧｄｉＧａｍＯｕ略称Ｇ
ＧＧ）よりなるウニ八１の上にバブル保持膜となる磁性
ガーネット薄膜２を液相エピタキシャル成長させた後、
第１図の場合は転送ノくターン３を除く部分に水素イオ
ン（Ｈ＋）、ヘリウムイオン（Ｈ＠”）、ネオンイオン
（Ｎｅ＋）などのイオンを注入するととべより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネット
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。。
ニウム・ガリク＾ガーネット（ＧｄｉＧａｍＯｕ略称Ｇ
ＧＧ）よりなるウニ八１の上にバブル保持膜となる磁性
ガーネット薄膜２を液相エピタキシャル成長させた後、
第１図の場合は転送ノくターン３を除く部分に水素イオ
ン（Ｈ＋）、ヘリウムイオン（Ｈ＠”）、ネオンイオン
（Ｎｅ＋）などのイオンを注入するととべより磁化容易
軸が膜面に対し垂直方向に配列している磁性ガーネット
薄膜２の内イオン注入部４の磁化容易軸の方向を面方向
に倒したものである。。
また、第２図の場合は磁性ガーネット薄膜２の基板上に
磁化容易軸を面内に４つガーネット例えばイツトニウム
争アイアン・ガーネット（ＹＩＧ）６をエピタキシャル
成長させ連接形転送パターン５を形成したもので、イオ
ン注入を施したと同様な特性をもつバブル転送回路を得
ることができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場合、
第１図囚および第２図（４）Ｋ示すようにバブル７は駆
動磁界の回転に従って連接形転送回路に従りて順次転送
が行われる。
磁化容易軸を面内に４つガーネット例えばイツトニウム
争アイアン・ガーネット（ＹＩＧ）６をエピタキシャル
成長させ連接形転送パターン５を形成したもので、イオ
ン注入を施したと同様な特性をもつバブル転送回路を得
ることができ、駆動磁界の回転方向が時計方向の場合、
第１図囚および第２図（４）Ｋ示すようにバブル７は駆
動磁界の回転に従って連接形転送回路に従りて順次転送
が行われる。
さて、このような連接形転送回路が用いられていゐバブ
ルメモリデバイスにはシングルループ構成とメジャーマ
イナルーグ構成とがあり、後者においては転送回路とし
てパズル情報の書き込みと読み出しを行うメジャループ
とバブル情報の格納を行うマイナループとがあシ、また
、バブルの転送回路と導体＠路とが相互作用をする発生
器（ジェネレータ）、検出器（デテクタ）、トランスフ
ァゲート表どの機能ゲート（）了ンクーＰＩ／、還ンゲ
ート）がある。
ルメモリデバイスにはシングルループ構成とメジャーマ
イナルーグ構成とがあり、後者においては転送回路とし
てパズル情報の書き込みと読み出しを行うメジャループ
とバブル情報の格納を行うマイナループとがあシ、また
、バブルの転送回路と導体＠路とが相互作用をする発生
器（ジェネレータ）、検出器（デテクタ）、トランスフ
ァゲート表どの機能ゲート（）了ンクーＰＩ／、還ンゲ
ート）がある。
さて、バブルの転送回路゛がメジャ・マイナループ構成
をとり、連接形転送回路で構成されるマイナループ社従
来第３図に示すようにパターン形成されている。
をとり、連接形転送回路で構成されるマイナループ社従
来第３図に示すようにパターン形成されている。
すなわち、Ｏｄｄ・Ｅマ・ｎの回路構成をとる実施例の
場合、書き込みメジャループ８を形成する連接形転送パ
ターンの１つ置きにこれと直角にマイナループ９があり
、とのメジャおよび！イナループの中間で、基板上に導
体パターン１０がそのヘアピン形状の先端部１１がメジ
ャループを形成する連接形転送バターｙｏカスプ１２を
囲む形で形成されてＦランスファインゲートが形成され
ている。
場合、書き込みメジャループ８を形成する連接形転送パ
ターンの１つ置きにこれと直角にマイナループ９があり
、とのメジャおよび！イナループの中間で、基板上に導
体パターン１０がそのヘアピン形状の先端部１１がメジ
ャループを形成する連接形転送バターｙｏカスプ１２を
囲む形で形成されてＦランスファインゲートが形成され
ている。
また、１イナルーブ９を挾んでこれと反対位置には図示
していないがトランスファアウトゲートおよび読み出し
メジャラインが類似の構造でパターン形成されている。
していないがトランスファアウトゲートおよび読み出し
メジャラインが類似の構造でパターン形成されている。
ここで連接形転送回路はもと亀と直径１声−程度の微少
バブルの転送に適するパターンとして開発されたｔので
あや、そのためマイナループ間の間隔が狭くまた機能ゲ
ートを形成する導体パターン幅も狭く、ゲート抵抗が上
昇する喪めに駆動電圧を高くして使用することが必要で
、このことは導体パターンの信頼度の面から問題であっ
た。
バブルの転送に適するパターンとして開発されたｔので
あや、そのためマイナループ間の間隔が狭くまた機能ゲ
ートを形成する導体パターン幅も狭く、ゲート抵抗が上
昇する喪めに駆動電圧を高くして使用することが必要で
、このことは導体パターンの信頼度の面から問題であっ
た。
本発明状従来と較べて記憶密度を低下させることなく、
バブルメモリデバイス設計の自由度を増すと共にゲート
回路の駆動電圧を低下さすことを目的とし、これを実現
する方法として従来の直線状のマイナループの複数個を
この両端部で連結することによりループの結合体を形成
し、このループよりなるｉイナループを形成するもので
ある。
バブルメモリデバイス設計の自由度を増すと共にゲート
回路の駆動電圧を低下さすことを目的とし、これを実現
する方法として従来の直線状のマイナループの複数個を
この両端部で連結することによりループの結合体を形成
し、このループよりなるｉイナループを形成するもので
ある。
以後、図面によ〉本発明を説明する。
第４図は本発明にかかる実施例の１つで、（ＩＬ）。
伽）２つのマイナループが両端部で接続後に上端部ＯＷ
Ｎ！続パターンを除去して開放端を設けたマイナループ
である。
Ｎ！続パターンを除去して開放端を設けたマイナループ
である。
図において書も込みメジャライン６を形成する連接形転
送回路に副い、駆動磁界により転送されンスファインゲ
ートを形成している連接形転送パターンのカスプ位置１
２にまで転送されてくるがこの状態で導体パターン１０
にパルス電流を流し、これによる誘導磁界によってヘア
ピン状導体パターンｌｌ内のバイアス磁界が弱まるとバ
ブルはストライ１アウトしてその先端が連接形転送パタ
ーン（ｂ）の下端にまで達し、以後駆動磁界の回転に従
って連接形転送パターンに副って１３’、１３” と
矢印の方向に転送され、（ａ） 、 （ｂ）２つの！イ
ナループ、を１つの！イナループとして転送が行われる
。
送回路に副い、駆動磁界により転送されンスファインゲ
ートを形成している連接形転送パターンのカスプ位置１
２にまで転送されてくるがこの状態で導体パターン１０
にパルス電流を流し、これによる誘導磁界によってヘア
ピン状導体パターンｌｌ内のバイアス磁界が弱まるとバ
ブルはストライ１アウトしてその先端が連接形転送パタ
ーン（ｂ）の下端にまで達し、以後駆動磁界の回転に従
って連接形転送パターンに副って１３’、１３” と
矢印の方向に転送され、（ａ） 、 （ｂ）２つの！イ
ナループ、を１つの！イナループとして転送が行われる
。
第５図は＜８）、 （ｂ） ２つのマイナループよやな
る連結パターンを（ｂ）パターンの中央部で切断して開
放端を設けたマイナループで、（ｂ）パターンの下端部
１４がトランスファインゲーＦに対向した転送パターン
とするとバブルは駆動磁界によシ図の矢印の方向に連接
形転送パターンに細って転送が行われる。また、第６図
は（ａ） 、 Ｃｂ） 、 （＋りの３個のマイナび（
６）パターンの中央部で切断し、２組の開放端を設けて
１側のｉイナループとしたもので（Ｃ）パターンの下端
１５をトランスファインゲートに対向した転送パターン
とすると、パズルは矢印で示した転送パターンに副って
転送が行われる。
る連結パターンを（ｂ）パターンの中央部で切断して開
放端を設けたマイナループで、（ｂ）パターンの下端部
１４がトランスファインゲーＦに対向した転送パターン
とするとバブルは駆動磁界によシ図の矢印の方向に連接
形転送パターンに細って転送が行われる。また、第６図
は（ａ） 、 Ｃｂ） 、 （＋りの３個のマイナび（
６）パターンの中央部で切断し、２組の開放端を設けて
１側のｉイナループとしたもので（Ｃ）パターンの下端
１５をトランスファインゲートに対向した転送パターン
とすると、パズルは矢印で示した転送パターンに副って
転送が行われる。
ここで本発明は従来の直線状の連接形転送パターンを複
数個例えばｎ個連結することにより（鳳−１）Ｉｔより
なるループ群を作り、各ループ上の任意の１ケ所で切断
することにより（ｎ−１）個の開放端を設けることを本
旨とするものであるが、この開放端紘共通パターン上に
設けることはこＯ条件に含まれない。
数個例えばｎ個連結することにより（鳳−１）Ｉｔより
なるループ群を作り、各ループ上の任意の１ケ所で切断
することにより（ｎ−１）個の開放端を設けることを本
旨とするものであるが、この開放端紘共通パターン上に
設けることはこＯ条件に含まれない。
例えば、第６図において（１）、（ｂ）パターンよシな
るループは（ａ）パターン上に開放端を、また（ｂ）、
（ｏ）パターンよシなるループは（ａ）パターン上に開
放端を設けているが、との場合（ａ）、（ｂ）パターン
よりなるループおよび（ｂ）、（ａ）パターンよりなる
ループが（ｂ）／（ターン上の開放端を共有するか或は
（ｂ）ノ（ターン上に相互に開放端を設けることは含ま
れない。
るループは（ａ）パターン上に開放端を、また（ｂ）、
（ｏ）パターンよシなるループは（ａ）パターン上に開
放端を設けているが、との場合（ａ）、（ｂ）パターン
よりなるループおよび（ｂ）、（ａ）パターンよりなる
ループが（ｂ）／（ターン上の開放端を共有するか或は
（ｂ）ノ（ターン上に相互に開放端を設けることは含ま
れない。
本発明の特徴は記憶密度を変えることなく設計の自由度
を拡げ、またデバイスの信頼度を向上できる点にある。
を拡げ、またデバイスの信頼度を向上できる点にある。
すなわち、本発明の実施例である第４図を従来の構成を
とる第３図と比較すると、従来は直線状のマイナループ
毎にゲート回路が設けであるが、マイナループ相互の間
隔が接近しているため導体パターン１０を幅広く設計す
ることが困難である。
とる第３図と比較すると、従来は直線状のマイナループ
毎にゲート回路が設けであるが、マイナループ相互の間
隔が接近しているため導体パターン１０を幅広く設計す
ることが困難である。
それで導体パターン１００線幅を小にして設計すゐ結果
、ゲート抵抗の増加による駆動電圧の上昇は避けること
ができず、発熱新約等の障害が生じていた。
、ゲート抵抗の増加による駆動電圧の上昇は避けること
ができず、発熱新約等の障害が生じていた。
然し、本発明を実施すればゲート回路は（ａ） 、 （
ｂ）パターン下端のいずれかの対向位置に設ければよく
、そのため設計の自由度が増すと共に導体パターン１０
も従来より幅広く設計することができ、従って駆動電圧
を下げて信頼度を向上することができる。
ｂ）パターン下端のいずれかの対向位置に設ければよく
、そのため設計の自由度が増すと共に導体パターン１０
も従来より幅広く設計することができ、従って駆動電圧
を下げて信頼度を向上することができる。
本発明の特徴はｎ個の直線状連接形転送パターンを連結
する場合に（ｎ−１）側の開放点を各閉ループ中に必ず
１個存在するように形成するととによりて成る位置よシ
出発したパズルが全てのルー 本ゝ 一プを必ず１回通過して再傅元の出発点に戻るように構
成されていることが条件である。
する場合に（ｎ−１）側の開放点を各閉ループ中に必ず
１個存在するように形成するととによりて成る位置よシ
出発したパズルが全てのルー 本ゝ 一プを必ず１回通過して再傅元の出発点に戻るように構
成されていることが条件である。
上記のように本発明の実施によシ設計の自由度の増加シ
よび信頼度の向上が達成できた。
よび信頼度の向上が達成できた。
第１図および第２図は連接形転送回路の説明図で、囚は
正面図、（Ｂ）はとのＡ−Ａ’ 線における断施した！
イナループの構睨例である。 図において、８はメジャループ、９はマイナルーブ、１
０は集体パターン、１２はカスプ、１３゜１３’、１３
”ぼ躾プル。 拳 １ 口 ” （８） 第 ２ 暖 （Ａ）
ＣＢノ第 ３ 口 乎４ｃ８ （ａ）＜ｂ）
正面図、（Ｂ）はとのＡ−Ａ’ 線における断施した！
イナループの構睨例である。 図において、８はメジャループ、９はマイナルーブ、１
０は集体パターン、１２はカスプ、１３゜１３’、１３
”ぼ躾プル。 拳 １ 口 ” （８） 第 ２ 暖 （Ａ）
ＣＢノ第 ３ 口 乎４ｃ８ （ａ）＜ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 磁気パズルを保持する磁性膜が一定方向の磁化容易軸を
有する第１領域と該第１領域を囲み、且つその磁化容易
軸とほは直交した磁化容易軸を有する第２領域とを有し
、前記第１領域によ〉磁気パズル情報転送用のメジャ・
ループパターンと磁気バブル情報格納用の複数のマイナ
・ループパターンとが形成され、更に該メジャ・ループ
パターンとマイナ・ループパターンとの対向領域に絶縁
層を介して＝ンダクタパターンを積層形成してメジャ・
ループパターンとマイナΦループパターン間の磁気パズ
ル情報トランスファ用のトランスファゲートが形成され
た磁気パズルメモリデバイスにおいて、マイナ・ループ
パターンが端部において相互接続されると共に１該相互
接続されたパターンが適宜数の部分においてパターンが
一部削除され、これにより磁気バブル転送路がノ（ター
ンの成る１点から始まりて）（ターンの外側および内側
面 を周蓄して最初の点に戻るよう形成されていることを特
徴とする磁気バブルメモリデバイスのマイナループ構成
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135166A JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56135166A JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5837893A true JPS5837893A (ja) | 1983-03-05 |
| JPS592991B2 JPS592991B2 (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=15145366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56135166A Expired JPS592991B2 (ja) | 1981-08-28 | 1981-08-28 | 磁気バブルデバイスのマイナル−プ構成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592991B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180818A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-09-14 | デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ | ポリエチレンを基礎とするポリマーコンパウンドからのインフレートフイルムの製造法 |
| JPS60242036A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-12-02 | デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ | ポリエチレンを基礎とするポリマー組成物からインフレートフィルムを製造するための方法 |
-
1981
- 1981-08-28 JP JP56135166A patent/JPS592991B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60180818A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-09-14 | デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ | ポリエチレンを基礎とするポリマーコンパウンドからのインフレートフイルムの製造法 |
| JPS60242036A (ja) * | 1984-02-07 | 1985-12-02 | デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ | ポリエチレンを基礎とするポリマー組成物からインフレートフィルムを製造するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS592991B2 (ja) | 1984-01-21 |
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