JPS5928290A - イオン注入バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明はイオン注入バブルメモリ菓子に関し。

特にそのレプリケータに関するものである。

（２）技術の背景 最近、磁気バブルメモリ素子において、そのバブル転送
路をイオン注入法により形成し、記憶密度を大きくする
方法が用いられている。このイオン注入バブルメモリ素
子は、第１図の平面図及び第２図の断面図に示す如くガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板１の
上に液相エピタキシャル成長させた磁性ガーネットの薄
膜２に対し、パターン３以外の領域４に水素、ネオン。

ヘリウム等のイオンを注入したものである。このように
パターン３を形成した素子はイオンが注入された領域４
の磁化容易方向が矢印ａの如く面内方向と一致し、パタ
ーン３の磁化容易軸方向は矢印すの如く面内方向と垂直
である。バブル５は回転磁界によってパターン３０周縁
に沿って矢印Ｃの如く転送される。そしてこのパターン
３は円形。

三角形や四角形を一部が重なるようにして列状に配列し
た形状であるため、ギャップを必要とした従来のパーマ
ロイパターンに比し寸法精度が緩くとも良く、従ってと
、ト長が小さくでき高密度化が実現される。

（３）従来技術と問題点 このよう々イオン注入磁気バブルメモリ素子においての
レプリケータとしては、電流がつくる磁界によって伸長
したバブルを保持し、非イオン注入領域が存在すること
によって発生する磁化によって前記のバブルを分割する
方式があるが、分割能力が弱いという欠点がおった。

（４）発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、バブル分割能力の大き
いレプリケータを有するイオン注入バブルメモリ素子を
提供することを目的とするものである。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル用結晶に
対し、バブルの駆動パターンと々る領域を除く該結晶の
全面にイオン注入層を形成して、該駆動パターンをバブ
ル転送路とし、該バブル転送路により情報のバブルを転
送するメジャーラインと、該バブルを記憶する複数個の
マイナーループ全構成し、且つマイナールーズに記憶さ
れたバブルを分割して一部のバブルを該マイナーループ
に残し、他方のバブル管メジャーラインに転送するため
のレプリケータが構成されたイオン注入磁気バブルメモ
リ菓子において、前記レプリケータは、マイナーループ
會転送されるバブルを伸長させるための導体パターンと
、伸長されたバブルを切断するため前記導体パターンの
途中におって、バブルが存在できないように加工された
結晶領域と、該領域に対向して設けられた強磁性体膜と
によって構成されたこと全特徴とするイオン注入バブル
メモリ素子を提供することによって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

第３図は本発明によるイオン注入バブルメモリ素子にお
けるレプリケータを示す図である。同図において％　１
０は非イオン注入領域によって形成されたマイナールー
プ、１１はバブル伸長用のコンダクタパターン、１２は
バブルが存在できないように加工された結晶領域、１３
は該結晶領域１２に対向して設けられた強磁性薄膜パタ
ーン、１４はバブルをメジャーラインへ転送する転送路
の強磁性薄膜パターン、Ｋ１　　け結晶磁気異方性の方
向をそれぞれ示している。

そしてコンダクタパターン１１はマイナーループ１０と
転送路の強磁性薄膜ノくターン１４との間に屈曲して設
けられ、その途中にバブルが存在できないように加工さ
れた結晶領域１２が設けられている。この結晶領域はイ
オンエツチングにより結晶に溝を設けるか、又はレーザ
ーアニールあるいは過剰イオンを注入してバブルの存在
全不可能としたものである。また一端がこの結晶領域１
２に対向し、他端が転送路の強磁性薄膜パターン１４と
対向する強磁性薄膜パターン１３が設けられている。

このように構成された本実施例の動作を第４図を用いて
説明する。

先ずａ図の如く回転駆動磁界Ｈ，が下向き（−１８０°
）Ｋ６るとき、−ｑイー）−−／ｌ／−ブ１０を転送さ
れるバブル１５はそれぞれマイナールーズのカスブに滞
在する。次にｂ図の如く回転駆動磁界ＨＲが回転し左向
き（−９Ｑ″′）になりバブル１５がマイナーループ１
０のティップに来たとき、コンダクタパターン１１に、
該コンダクタパターン１１のループ内のバイアス磁界が
弱く々る方向に第５図の如きパルス電流を流す。しかる
ときはバブル１５はコンダクタパターンのループ内を伸
長し転送路の強磁性薄膜パターン１３の上端部１３ａに
達する。次にＣ図の如く回転駆動磁界が上向き（０°　
）になると、強磁性薄膜パターン１３の下端部１３ｂは
反撥の磁極となりバブルを遠ざけようとする。ところが
バブルは強磁性薄膜パターン１３の下端部１３ｂに対向
して設けられたバブルが存在でき々い領域１２があるた
め強磁性薄膜パターンの下端部１３ｂ’（ｉ−遠回りす
ることができずここで切断される。次にｄ図の如く回転
駆動磁界が斜め右上向き（＋４５°）となったときコン
ダクタパターン１１に流れている′［流を切断すると、
バブル１５’、１５Ｎは収縮し５．一方の１５′は吸引
の磁極と外っているマイナーループ１０のティ、ブ１０
ａに、他方のバブル１５′は同じく吸引の磁極となって
いる強磁性薄膜パターン１３の上端部１３ａに吸引され
る。その後は駆動磁界の回転に伴ってバブル１５′はマ
イナーループ１０に沿って転送され、他方のバブル１５
′は強磁性薄膜パターン１４を経てメジャーラインに転
送されることになる。

このように動作する本実施例は、伸長したバブルを強磁
性薄膜パターン１３によって切断するため、従来に比し
てバブルの切断が容易となる。なおバブルが存在できな
いように加工した結晶領域は、溝又は過剰イオン注入の
代りに強磁性パターンを積み上げ、バイアス磁界による
磁化を利用してバブルを反撥するようにしても良い。

第６図は本発明によるイオン注入バブルメモリ素子にお
けるレプリケータの他の実施例を示す図である。同図に
おいて前実施例と同一部分は同一符号な付して示した。

本実施例が前実施例と異なるところは、コンダクタパタ
ーン１１の形状？若干変え、マイナーループ１０との接
続部全マイナーループ１０のカスブ１０ｂに変えたこと
である。なお本実施例の動作は略前実施例と同様であり
、効果は全く同様である。

（７）発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明のイオン注入バブ
ルメモリ素子はそのレプリケータをバブルが存在し得な
いように加工された結晶領域と強磁性体の組合わせによ
シ構成したものでありバブルの分割能力を向上し、その
動作全確実にするといった効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はイオン注入バブルメモＩＪ　ｉ子を
説明するための図、第３図は本発明によるイオン注入バ
ブルメモリ素子におけるレプリケータを説明するための
図、第４図は本発明によるイオン注入バブルメモリ素子
におけるレプリケータの動作？説明するための図、第５
図はそのコンダクタパターンに印加する電流波形図、第
６図は他の実施例を示す図である。 図面において、１０はマイナーループ、１１はコンダク
タパターン、１２はバブルが存在できないように加工さ
れた結晶領域、１３及び１４は強磁性薄膜パターン、１
５．１５’、ｉ５”はバブルをそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　　青　　木　　　　　朗 弁理士　　西　　舘　　和　　之 弁理士　　内　　１）　幸　　男 弁理士　　山　　口　　昭　　之 第３図 ４ １ に人に１ 一； ２

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、　磁気バブル用結晶に対し、バブルの駆動パターン
   となる領域を除く該結晶の全面にイオン注入層を形成し
   て、該駆動パターンをバブル転送路とし、該パズル転送
   路により情報のバブルを転送するメジャーラインと、該
   バブルを記憶する複数個のマイナーループを構成し、且
   つマイナーループに記憶されたバブルを分割して一方の
   バブルを該マイナーループに残し、他方のバブルをメジ
   ャーラインに転送するためのレプリケータが構成された
   イオン注入磁気バブルメモリ素子において、前記レプリ
   ケータは、マイナーループを転送されるバブル全伸長す
   るための導体パターンと、伸長されたバブルを切断する
   ため前記導体パターンの途中にあって、バブルが存在で
   きないように加工された結晶領域と、該領域に対向して
   設けられた強磁性体膜とによって構成されたことを特徴
   とするイオン注入バブルメモリ素子。