JPS6216290A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS6216290A JPS6216290A JP60155368A JP15536885A JPS6216290A JP S6216290 A JPS6216290 A JP S6216290A JP 60155368 A JP60155368 A JP 60155368A JP 15536885 A JP15536885 A JP 15536885A JP S6216290 A JPS6216290 A JP S6216290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- transferring
- bubble
- ion implantation
- valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
磁気バブルメモリ素子であって、バブル転送路を軟磁性
薄膜パターンとイオン注入パターンとを組合わせて形成
することにより、微小パターンにおけるバブル転送特性
の改善を可能とする。
薄膜パターンとイオン注入パターンとを組合わせて形成
することにより、微小パターンにおけるバブル転送特性
の改善を可能とする。
本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられる磁気バ
ブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えばそ
のバブル転送路を改良した磁気バブルメモリ素子に関す
るものである。
ブルメモリ素子に関するもので、さらに詳しく言えばそ
のバブル転送路を改良した磁気バブルメモリ素子に関す
るものである。
磁気バブルメモリ装置は、例えばガドリニウム・ガリウ
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いハ
ーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパターンを
行列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル
発生器により情報に従って発生させたバブル転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を１”、ない場合
をＯ”として情報を記憶させるようになっている。
ム・ガーネットの単結晶基板の上に液相エピタキシャル
成長法により磁性ガーネットの薄膜（磁気バブル結晶）
を形成し、その上にパーマロイ等の軟磁性薄膜を用いハ
ーフディスク型又は非対称シェブロン型等のパターンを
行列させたバブル転送路を形成したものであり、バブル
発生器により情報に従って発生させたバブル転送路に導
き、そのパターンにバブルがある場合を１”、ない場合
をＯ”として情報を記憶させるようになっている。
このような磁気バブルメモリ装置においては最近の情報
量の増加や機器の小型化などにより記憶密度の高密度化
が要求されている。このためバブル転送パターンの微細
化が進められている。
量の増加や機器の小型化などにより記憶密度の高密度化
が要求されている。このためバブル転送パターンの微細
化が進められている。
上記の如くメモリ素子の高密度化により転送パターンを
微細化すると、駆動磁界によるパターンの磁化が困難と
なり転送特性が劣化するという問題があった。また軟磁
性パターンの大きさに対しバブルが小さいと第６図の如
くバブル１がパターン２の中で伸び易く誤動作を起し易
いという問題があった。
微細化すると、駆動磁界によるパターンの磁化が困難と
なり転送特性が劣化するという問題があった。また軟磁
性パターンの大きさに対しバブルが小さいと第６図の如
くバブル１がパターン２の中で伸び易く誤動作を起し易
いという問題があった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、イオ
ン注入パターンと軟磁性薄膜パターンとを組合わせて転
送路を形成し、特性劣化及びバブルの誤動作を防止した
磁気バブルメモリ素子を提供することを目的としている
。
ン注入パターンと軟磁性薄膜パターンとを組合わせて転
送路を形成し、特性劣化及びバブルの誤動作を防止した
磁気バブルメモリ素子を提供することを目的としている
。
第１図は本発明の磁気バブルメモリ素子におけるバブル
転送路の原理を説明するための図である。
転送路の原理を説明するための図である。
第１図において、１１はバブル結晶に他の部分と異なる
条件でイオン注入して形成したイオン注入パターン、１
２は該イオン注入パターンの上に形成した軟磁性薄膜パ
ターンである。この軟磁性薄膜パターン１２は、イオン
注入パターン１１より大きく、且つ中央部がイオン注入
パターンと同じ幅にくびれでいる。
条件でイオン注入して形成したイオン注入パターン、１
２は該イオン注入パターンの上に形成した軟磁性薄膜パ
ターンである。この軟磁性薄膜パターン１２は、イオン
注入パターン１１より大きく、且つ中央部がイオン注入
パターンと同じ幅にくびれでいる。
従って１つの軟磁性薄膜パターン１２がイオン注入パタ
ーン７と組合わさって上下に２つの転送パターン１２ａ
、１２ｂに分かれ、これらの転送パターンによって往路
Ａと復路Ｂの転送路が構成される。
ーン７と組合わさって上下に２つの転送パターン１２ａ
、１２ｂに分かれ、これらの転送パターンによって往路
Ａと復路Ｂの転送路が構成される。
イオン注入パターン１１はバブル磁区が同一転送パター
ン上で周回しない為の障壁として機能する。また軟磁性
薄膜パターン１２は上下２つのパターンがつながった格
好となっているため、その反磁界が小さく磁化され易い
為バブル転送特性が改良される。
ン上で周回しない為の障壁として機能する。また軟磁性
薄膜パターン１２は上下２つのパターンがつながった格
好となっているため、その反磁界が小さく磁化され易い
為バブル転送特性が改良される。
第２図は本発明の第１の実施例を示す図である。
同図において１１はバブル結晶にイオン注入して形成し
た短冊杖のイオン注入パターン、工２はその上に形成し
た軟磁性薄膜パターンであり、中央部がイオン注入パタ
ーン１１の幅より狭くなっていて２つの転送パターン１
２ａ、１２ｂが構成されている。
た短冊杖のイオン注入パターン、工２はその上に形成し
た軟磁性薄膜パターンであり、中央部がイオン注入パタ
ーン１１の幅より狭くなっていて２つの転送パターン１
２ａ、１２ｂが構成されている。
このように構成された本実施例は第１図で説明したと同
様にバブル転送特性が改良される。また各パターンの形
状が単純であるため転送パターンの微細化が容易である
。
様にバブル転送特性が改良される。また各パターンの形
状が単純であるため転送パターンの微細化が容易である
。
通常磁気バブルメモリ素子はハードバブル抑制のために
素子全面（バブル結晶表面）にイオン注入が行なわれて
いるが、本実施例においてはイオン注入パターン１１が
それにプラスしてイオン注入ドーズ量を多くしたり、イ
オン注入層を深くして形成されている。
素子全面（バブル結晶表面）にイオン注入が行なわれて
いるが、本実施例においてはイオン注入パターン１１が
それにプラスしてイオン注入ドーズ量を多くしたり、イ
オン注入層を深くして形成されている。
第３図は本発明の第２の実施例を示す図である。
本実施例が前実施例と異なるところは、上記と同様のイ
オン注入パターン１１の幅が狭くなり、軟磁性薄膜パタ
ーン１２の中央部の幅をイオン注入パターン１１の幅よ
り大としたことである。なお本実施例の効果は前実施例
と同様である。
オン注入パターン１１の幅が狭くなり、軟磁性薄膜パタ
ーン１２の中央部の幅をイオン注入パターン１１の幅よ
り大としたことである。なお本実施例の効果は前実施例
と同様である。
第４図は本発明の第３の実施例を示す図である。
同図において、１１はバブル結晶に形成した上記と同様
のイオン注入パターン、１２はその上に形成したハーフ
ディスク形の軟磁性薄膜パターンである。
のイオン注入パターン、１２はその上に形成したハーフ
ディスク形の軟磁性薄膜パターンである。
本実施例は、ハーフディスク形の軟磁性薄膜パターン１
２のバブルを転送する部分１２ａの幅Ｗをイオン注入パ
ターン１１により狭くすることができるので第６図で説
明したようなバブルが伸びて誤動作する不具合を防止す
ることができる。
２のバブルを転送する部分１２ａの幅Ｗをイオン注入パ
ターン１１により狭くすることができるので第６図で説
明したようなバブルが伸びて誤動作する不具合を防止す
ることができる。
第５図は本発明の第４の実施例を示す図である。
本実施例は機能ゲートに用いられるピカクスパターンに
イオン注入パターンを組み合わせたものであり、１１は
上記と同様のイオン注入パターン、１３は軟磁性薄膜の
とカフスパターン、１４はヘアピン状コンダクタパター
ンである。本実施例は前実施例と同様にバブルの伸びす
ぎによる誤動作を防止することができる。
イオン注入パターンを組み合わせたものであり、１１は
上記と同様のイオン注入パターン、１３は軟磁性薄膜の
とカフスパターン、１４はヘアピン状コンダクタパター
ンである。本実施例は前実施例と同様にバブルの伸びす
ぎによる誤動作を防止することができる。
以上述べてきたように、本発明によれば、イオン注入パ
ターンと軟磁性薄膜パターンを組合わせることにより、
微細パターンにおけるバブル転送特性を改良することが
でき、実用的には極めて有用である。
ターンと軟磁性薄膜パターンを組合わせることにより、
微細パターンにおけるバブル転送特性を改良することが
でき、実用的には極めて有用である。
第１図は本発明の磁気バブルメモリ素子のバブル転送路
の原理説明図、 第２図は本発明の第１の実施例を示す図、第３図は本発
明の第２の実施例を示す図、第４図は本発明の第３の実
施例を示す図、第５図は本発明の第４の実施例を示す図
、第６図は従来のバブル転送パターンの不具合を説明す
るための図である。 第１図乃至第５図において、 １１はイオン注入パターン、 １２は軟磁性薄膜パターン、 １３はピカクスパターン、 １４はコンダクタパターンである。
の原理説明図、 第２図は本発明の第１の実施例を示す図、第３図は本発
明の第２の実施例を示す図、第４図は本発明の第３の実
施例を示す図、第５図は本発明の第４の実施例を示す図
、第６図は従来のバブル転送パターンの不具合を説明す
るための図である。 第１図乃至第５図において、 １１はイオン注入パターン、 １２は軟磁性薄膜パターン、 １３はピカクスパターン、 １４はコンダクタパターンである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブル結晶に局部的に他の部分と異なる条件で
イオン注入によって形成したイオン注入パターン（１１
）と、その上に該イオン注入パターン（１１）と組合わ
せる様に形成した軟磁性薄膜パターン（１２）とにより
往路・復路のバブル転送路（Ａ、Ｂ）を構成したことを
特徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２、上記一部のイオン注入ドーズ量を他の部分より多く
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
バブルメモリ素子。 ３、上記一部のイオン注入層の深さを他の部分より深く
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155368A JPS6216290A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155368A JPS6216290A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216290A true JPS6216290A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15604397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155368A Pending JPS6216290A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6216290A (ja) |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60155368A patent/JPS6216290A/ja active Pending
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