JPS58125289A - 磁気バブル素子 - Google Patents
磁気バブル素子Info
- Publication number
- JPS58125289A JPS58125289A JP57007602A JP760282A JPS58125289A JP S58125289 A JPS58125289 A JP S58125289A JP 57007602 A JP57007602 A JP 57007602A JP 760282 A JP760282 A JP 760282A JP S58125289 A JPS58125289 A JP S58125289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer path
- transfer
- ion implantation
- magnetic
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
- G11C19/0891—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders using hybrid structure, e.g. ion doped layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン打込みにより形成する転送路とパーマ
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）に代表される軟磁性体によシ形
成される転送路が１チツプ内に共存する磁気バブル素子
（以下複合素子と呼ぶ）の両転送路の接続部に関するも
のである。
ロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）に代表される軟磁性体によシ形
成される転送路が１チツプ内に共存する磁気バブル素子
（以下複合素子と呼ぶ）の両転送路の接続部に関するも
のである。
磁気バブル素子の磁気バブル転送路としてはパーマロイ
で形成された転送路が広く用−られている。しかし、こ
の糧の転送路による周期４μｍ以下の高密度転送路は、
転送マージンが小さく実用性がない。一方、周期４μｍ
以下の高密度転送路としてはイオン打込みにより形成し
次イオ／打込み転送路が有利であることが知られている
。イオン打込み転送路は、第１図に示すように磁気バブ
ル薄膜１の上に金属あるいはホトレジストにより無間隙
バタン２ｔ−形成し、Ｎ ｅ＊ 、 Ｈ，＊ などの
イオンを磁気バブル薄膜の表面に打込み面内磁化層を形
成する。イオン打込み転送路は無間隙である次めにバタ
ン形成が容易であり、駆動磁界も小さくてすむ九めに高
密度転送路として適している。
で形成された転送路が広く用−られている。しかし、こ
の糧の転送路による周期４μｍ以下の高密度転送路は、
転送マージンが小さく実用性がない。一方、周期４μｍ
以下の高密度転送路としてはイオン打込みにより形成し
次イオ／打込み転送路が有利であることが知られている
。イオン打込み転送路は、第１図に示すように磁気バブ
ル薄膜１の上に金属あるいはホトレジストにより無間隙
バタン２ｔ−形成し、Ｎ ｅ＊ 、 Ｈ，＊ などの
イオンを磁気バブル薄膜の表面に打込み面内磁化層を形
成する。イオン打込み転送路は無間隙である次めにバタ
ン形成が容易であり、駆動磁界も小さくてすむ九めに高
密度転送路として適している。
しかし、磁気バブル素子として必要なトランス７アゲー
ト、レプリケートゲートなどの機能部の動作マージンが
不十分であったり、まったく動作しなかったシし、実用
には至っていない。このような機能部は従来から広く用
いられているパーマロイ転送路において十分な動作マー
ジンを持っている。
ト、レプリケートゲートなどの機能部の動作マージンが
不十分であったり、まったく動作しなかったシし、実用
には至っていない。このような機能部は従来から広く用
いられているパーマロイ転送路において十分な動作マー
ジンを持っている。
そこで、高密度化が必要な記憶部はイオン打込み転送路
を用いて形成し、機能部はパーマロイ転送路を用いて形
成すれば両者の特長を生かした磁気バブル素子が得られ
る。
を用いて形成し、機能部はパーマロイ転送路を用いて形
成すれば両者の特長を生かした磁気バブル素子が得られ
る。
このような複合形の磁気バブル素子では、パーマロイ転
送路のパーマロイ素片から出る磁束はイオン打込みによ
り形成された市内磁化層を通シやすい。そこでパーマロ
イ転送路の転送マージンは面内磁化層によシ狭められて
しまう。そこでこ扛を防止するため複合素子では軟磁性
体の下の磁気バブル薄膜にはイオン打込み転送路形成用
のイオン打込みとは異なり、深くイオン打込みするか、
低密度のもしくは面内方向歪の小さいようなイオン打込
みを行なうと良い。典型的にはハードバブル抑制に必要
なだけのイオン打込みだけを行うと良い。
送路のパーマロイ素片から出る磁束はイオン打込みによ
り形成された市内磁化層を通シやすい。そこでパーマロ
イ転送路の転送マージンは面内磁化層によシ狭められて
しまう。そこでこ扛を防止するため複合素子では軟磁性
体の下の磁気バブル薄膜にはイオン打込み転送路形成用
のイオン打込みとは異なり、深くイオン打込みするか、
低密度のもしくは面内方向歪の小さいようなイオン打込
みを行なうと良い。典型的にはハードバブル抑制に必要
なだけのイオン打込みだけを行うと良い。
このような素子において問題となるのは転送路形成用イ
オン打込み領域とそ・９他の領域との境界である。第２
図は境界部断面を示し、１１は磁気バブル材料層、１３
は磁気バブル、１４はイオン打込みによる面内磁化層、
１５は絶縁層、１６はパーマロイ素片である。境界部で
は、第２図のように磁気バブル１３の高さが異なり、イ
オン打込みによシ形成した面内磁化層４の厚さも異なる
九め、その部分で磁気バブルの転送が阻害される。
オン打込み領域とそ・９他の領域との境界である。第２
図は境界部断面を示し、１１は磁気バブル材料層、１３
は磁気バブル、１４はイオン打込みによる面内磁化層、
１５は絶縁層、１６はパーマロイ素片である。境界部で
は、第２図のように磁気バブル１３の高さが異なり、イ
オン打込みによシ形成した面内磁化層４の厚さも異なる
九め、その部分で磁気バブルの転送が阻害される。
例えば、第３図はイオン打込転送側２３からパーマロイ
転送路２４にバブルを転送させる接続部を示すが、この
ような部分において、転送路形成のためのイオン打込み
部２１にはＮａ３を５ｏｌｃｅｖ。
転送路２４にバブルを転送させる接続部を示すが、この
ような部分において、転送路形成のためのイオン打込み
部２１にはＮａ３を５ｏｌｃｅｖ。
１×１０１４イオン／ｃｍ”、Ｎｅ”を１４０ ｋｌ’
。
。
２Ｘ １０１４イオン／ｃｍ” 、Ｈ，” ｆ８０ｋ
ｅＶ＋４Ｘ１０”イオン／ｃｍ”それぞれ打込み、その
他の部分には単にＮｅ０を５０ｋｅＶ、ｌＸ１０”４オ
ン／ｃｍ”打込んだ場合、イオン打込み転送路、接続部
、パーマロイ転送路のそ扛ぞれのバイアス磁界マージン
は第４図のようになる。このように、境界部では大きく
転送マージンが劣化してしまう。
ｅＶ＋４Ｘ１０”イオン／ｃｍ”それぞれ打込み、その
他の部分には単にＮｅ０を５０ｋｅＶ、ｌＸ１０”４オ
ン／ｃｍ”打込んだ場合、イオン打込み転送路、接続部
、パーマロイ転送路のそ扛ぞれのバイアス磁界マージン
は第４図のようになる。このように、境界部では大きく
転送マージンが劣化してしまう。
ところが、境界部９転送マージンは磁気バブル転送方向
に対する境界線の方向、すなわち第３図形状などを同一
にしてθを変えた場合、第５のよ＾ うに接続部の転送のバイアス磁界マージンは変化する。
に対する境界線の方向、すなわち第３図形状などを同一
にしてθを変えた場合、第５のよ＾ うに接続部の転送のバイアス磁界マージンは変化する。
このように、境界部の角度θが９０°以下になると転送
マージンが大きくなる。したがって、イオン打込み条件
が異なる領域の境界は、磁気く（プルの進行に対して９
０’以下でおることが望ましい。なお、ここではイオン
打込み転送路には数珠状パｐ７ （Ｃｏｎｔｉｇｎｏｎ
ｓ ｄｉｓｋ ｐａｔｔｅｒｎ ）を、パーマロイ転送
路にはビカツクス（ｐｉｃｋａｘ ）バタンを用いたが
、どのような形状の転送パタンの組み合わせでも同じで
ある。
マージンが大きくなる。したがって、イオン打込み条件
が異なる領域の境界は、磁気く（プルの進行に対して９
０’以下でおることが望ましい。なお、ここではイオン
打込み転送路には数珠状パｐ７ （Ｃｏｎｔｉｇｎｏｎ
ｓ ｄｉｓｋ ｐａｔｔｅｒｎ ）を、パーマロイ転送
路にはビカツクス（ｐｉｃｋａｘ ）バタンを用いたが
、どのような形状の転送パタンの組み合わせでも同じで
ある。
第１図はイオン打込み転送路形成の説明図、第２図はイ
オン打込み転送路とパーマロイ転送路の接続部の断面構
造図、第３図はイオン打込み転送路とパーマロイ転送路
の接続部の平面図、第４図は接続部の転送マージン図、
第５図は、イオン打込み条件の異なる領域の境界線が磁
気バブル転送方向と成す角θに対する転送マージンの関
係図である。 １１・・・磁気バブル材料層、１３・・・磁気バブル、
１４・・・イオン打込みによる面内磁化層、１５・・・
絶縁層、１６・・・パーマロイ素片、２３・・・イオン
打込第１図 ￥：Ｊ ３ 図 皐４図
オン打込み転送路とパーマロイ転送路の接続部の断面構
造図、第３図はイオン打込み転送路とパーマロイ転送路
の接続部の平面図、第４図は接続部の転送マージン図、
第５図は、イオン打込み条件の異なる領域の境界線が磁
気バブル転送方向と成す角θに対する転送マージンの関
係図である。 １１・・・磁気バブル材料層、１３・・・磁気バブル、
１４・・・イオン打込みによる面内磁化層、１５・・・
絶縁層、１６・・・パーマロイ素片、２３・・・イオン
打込第１図 ￥：Ｊ ３ 図 皐４図
Claims (1)
- 選択的に他の領域とは異なる条件のイオン打込みを行な
って形成する第１の転送路と、軟磁性体により形成する
第２の転送路が１チツプ内に共存する磁気バブル素子に
おいて、前記第１．第２の転送路の接続部における前記
のイオン打込みを行なう領域と、他の領域との境界線が
磁気バブルの転送方向に対して９０’以下の角度をなし
ていることを特徴とする磁気バブル素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007602A JPS58125289A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007602A JPS58125289A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125289A true JPS58125289A (ja) | 1983-07-26 |
Family
ID=11670343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007602A Pending JPS58125289A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 磁気バブル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125289A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4559617A (en) * | 1983-08-03 | 1985-12-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| US4578775A (en) * | 1982-06-16 | 1986-03-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| US4601013A (en) * | 1981-12-18 | 1986-07-15 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| FR2587823A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulles magnetiques |
| FR2593956A1 (fr) * | 1986-02-05 | 1987-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Memoire a bulles magnetiques en technologie hybride |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007602A patent/JPS58125289A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4601013A (en) * | 1981-12-18 | 1986-07-15 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| US4578775A (en) * | 1982-06-16 | 1986-03-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| US4559617A (en) * | 1983-08-03 | 1985-12-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| FR2587823A1 (fr) * | 1985-09-20 | 1987-03-27 | Hitachi Ltd | Dispositif de memoire a bulles magnetiques |
| US4745578A (en) * | 1985-09-20 | 1988-05-17 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
| FR2593956A1 (fr) * | 1986-02-05 | 1987-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Memoire a bulles magnetiques en technologie hybride |
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