JPS60107717A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS60107717A JPS60107717A JP21558583A JP21558583A JPS60107717A JP S60107717 A JPS60107717 A JP S60107717A JP 21558583 A JP21558583 A JP 21558583A JP 21558583 A JP21558583 A JP 21558583A JP S60107717 A JPS60107717 A JP S60107717A
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- Japan
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- magnetic layer
- magnetic material
- material layer
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。
ドに関するものである。
薄膜磁気ヘッドは周波数特性が優れており、半導体テク
ノロジーに基づく製造プロセスが適用される為、低価格
化が可能であるなど種々の利点を有しておシ、今後の磁
気へ、ドの主流になると考えられる。第１図体）は、こ
の様な薄膜磁気ヘッドの概略斜視図である。第１図（４
）において、１１はヘッドに浮揚動作を与えるスライダ
ー、１２は薄膜トランスデユーサ−１５ＴＩ−保護する
保護膜。
ノロジーに基づく製造プロセスが適用される為、低価格
化が可能であるなど種々の利点を有しておシ、今後の磁
気へ、ドの主流になると考えられる。第１図体）は、こ
の様な薄膜磁気ヘッドの概略斜視図である。第１図（４
）において、１１はヘッドに浮揚動作を与えるスライダ
ー、１２は薄膜トランスデユーサ−１５ＴＩ−保護する
保護膜。
五３は浮揚面１６に露出する薄膜トランスデユーサ−１
５の上部および下部磁性体層の端面である。又、１４は
薄膜トランスデユーサ−１５と回路系を接続する為の端
子部である。
５の上部および下部磁性体層の端面である。又、１４は
薄膜トランスデユーサ−１５と回路系を接続する為の端
子部である。
ところで、前述した如き薄膜磁気へ、ドの製造プセセス
においては、以前よシラップアラウンド（Ｗｒａｐａｒ
ｏｕｎｄ ）状態の出現が指摘されておシ、このラップ
アラウンド状態の出現の抑制が製造プロセス上大きな問
題であった。
においては、以前よシラップアラウンド（Ｗｒａｐａｒ
ｏｕｎｄ ）状態の出現が指摘されておシ、このラップ
アラウンド状態の出現の抑制が製造プロセス上大きな問
題であった。
第１図（Ｂ） 、 （Ｃ）は第１図回申の上部磁性体層
および下部磁性体層の端面１３の概略拡大図であるが、
第１図（Ｂ）はう、プアラウンド状態の無い正規な状態
を示しておシ、下部磁性体層１７と上部磁性体層１８の
中心ｆｉＩＣＬが一致して形成されてｂる。
および下部磁性体層の端面１３の概略拡大図であるが、
第１図（Ｂ）はう、プアラウンド状態の無い正規な状態
を示しておシ、下部磁性体層１７と上部磁性体層１８の
中心ｆｉＩＣＬが一致して形成されてｂる。
一方、第１図（Ｃ）は下部磁性体層１７の中心線ＣＬに
対して上部磁性体層１８が大きくズして形成されており
、ラップアラウンド状態が出現している。
対して上部磁性体層１８が大きくズして形成されており
、ラップアラウンド状態が出現している。
ラップアラウンド状態の生じた上・下部磁性体層の１８
．１７端部では、前記内磁性体層の間に生ずる磁界の方
向が、所定の方向に対しである角度をもった分布となる
為、書込み時には、ラップアラウンド部の近傍において
は、記録媒体は、その運動方向に対して、つまシポール
によって前記媒体が磁化されるべき方向に対しである角
度をなして磁化されることとなる。又、読出し動作中、
仮にへ、ドが所定トラ、り位置よシ、わずかにズした場
合、十分な再生出力を得ることが困難になると込う欠点
があった。
．１７端部では、前記内磁性体層の間に生ずる磁界の方
向が、所定の方向に対しである角度をもった分布となる
為、書込み時には、ラップアラウンド部の近傍において
は、記録媒体は、その運動方向に対して、つまシポール
によって前記媒体が磁化されるべき方向に対しである角
度をなして磁化されることとなる。又、読出し動作中、
仮にへ、ドが所定トラ、り位置よシ、わずかにズした場
合、十分な再生出力を得ることが困難になると込う欠点
があった。
前述のラップアラウンド状態を回避する為、従来第２図
に示した如く、下部磁性体層２２のトラック幅ＷＬに対
して、上部磁性体層２３のトラック幅Ｗ７が２ΔＷだけ
小さくなる様に考慮して設計されていた。
に示した如く、下部磁性体層２２のトラック幅ＷＬに対
して、上部磁性体層２３のトラック幅Ｗ７が２ΔＷだけ
小さくなる様に考慮して設計されていた。
しかしながら、上部磁性体層２３０幅ｗＶを、下部磁性
体層２２０幅ＷＬよシも小さくしても、上部。
体層２２０幅ＷＬよシも小さくしても、上部。
下部磁性体層の重ね合せの許容範囲は、高々±ΔＷであ
υ、このΔＷは実効トラック幅を有効に確保する為には
、最大でも２μｍが限度である。特に近年の高密度記録
用の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッド（例えばトラック幅ｗ
＝ｉｏμｍ程度）においては事笑上ΔＷは１μｍ以下に
せざるをえず、以上述べてきた様な従来の構成では、ラ
ップアラウンド状態出現の根本的な解決とはならず歩留
シの低下は避かたいものであった。
υ、このΔＷは実効トラック幅を有効に確保する為には
、最大でも２μｍが限度である。特に近年の高密度記録
用の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッド（例えばトラック幅ｗ
＝ｉｏμｍ程度）においては事笑上ΔＷは１μｍ以下に
せざるをえず、以上述べてきた様な従来の構成では、ラ
ップアラウンド状態出現の根本的な解決とはならず歩留
シの低下は避かたいものであった。
本発明は以上の点に鑑み、う、プアラウンド状態の出現
を回避して歩留ｂｔｌ−向上させた薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
を回避して歩留ｂｔｌ−向上させた薄膜磁気ヘッドを提
供するものである。
本発明によれば、軟磁性体よ構成る上部磁性体層と下部
磁性体層との間に、導体より成るコイルを挾んで成る薄
膜トランスデー−サーとヘッド浮上動作金与えるスライ
ダーとから成る薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにおいて
、集積化薄膜技術を用いて所定トラ、り暢Ｗ。よシ十分
に大きなトラ。
磁性体層との間に、導体より成るコイルを挾んで成る薄
膜トランスデー−サーとヘッド浮上動作金与えるスライ
ダーとから成る薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにおいて
、集積化薄膜技術を用いて所定トラ、り暢Ｗ。よシ十分
に大きなトラ。
り幅Ｗ、を有する擬似下部磁性体層を形成する工程。
所定トラ、り幅Ｗ０より十分に大きく、しかもＷ、＞Ｗ
２なる関係を有するトラ、り暢Ｗ、なる擬似上部磁性体
層を形成する工程、薄膜トランスデー−サー形成後、所
定のボールハイトラ得る為のスライダー浮揚面の研摩金
光了した後、浮＠面に露出した前記擬似下部磁性体層お
よび＆領土部磁性体層の端面上に、幅Ｗ。なる有機物な
いしは金属のパターンを形成する工程、前記パターンを
マスク材として浮揚面全面にイオン注入を行なう工程と
を含むことを４！＋徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
が得られる。
２なる関係を有するトラ、り暢Ｗ、なる擬似上部磁性体
層を形成する工程、薄膜トランスデー−サー形成後、所
定のボールハイトラ得る為のスライダー浮揚面の研摩金
光了した後、浮＠面に露出した前記擬似下部磁性体層お
よび＆領土部磁性体層の端面上に、幅Ｗ。なる有機物な
いしは金属のパターンを形成する工程、前記パターンを
マスク材として浮揚面全面にイオン注入を行なう工程と
を含むことを４！＋徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
が得られる。
以下、本発明の実施例について１図面を錠前しながら説
明する。第３図は本発明の実施例を示す図面である。
明する。第３図は本発明の実施例を示す図面である。
先ず、基板上にＮｉＦｅ 、 ＣｏＺｒ等の軟磁性体を
スパッタリング法、メッキ法等によ構成膜し、その後フ
ォトリソグラフィー技術および、工、チング技術を用い
て擬似下部磁性体層３１を形成する。
スパッタリング法、メッキ法等によ構成膜し、その後フ
ォトリソグラフィー技術および、工、チング技術を用い
て擬似下部磁性体層３１を形成する。
ここで前記擬似下部磁性体層３１のトラック幅Ｗ。
は、第３図（４）に示した様に所定の分解能に応じて決
定されたトラック幅Ｗ。よシも十分大きく形成でれる。
定されたトラック幅Ｗ。よシも十分大きく形成でれる。
その後、ギャップとなる絶縁層５コイル３２、段差解消
層３３が順次形成される（８ｇ３図（Ｂ））ついで、第
３図（Ｃ）に示した様に擬似下部磁性体層３１と同様な
集積化薄膜技術を用いて擬似上部磁性体層３４全形成す
る。ここで、前記擬似上部磁性体層３４のトラック幅Ｗ
、は、擬似下部磁性体層３１のトラ、り幅Ｗ１．所定の
トラ、り幅Ｗ０に対してＷ、 ） Ｗ、 ） ｗｏなる
関係を満たす様に形成されている。
層３３が順次形成される（８ｇ３図（Ｂ））ついで、第
３図（Ｃ）に示した様に擬似下部磁性体層３１と同様な
集積化薄膜技術を用いて擬似上部磁性体層３４全形成す
る。ここで、前記擬似上部磁性体層３４のトラック幅Ｗ
、は、擬似下部磁性体層３１のトラ、り幅Ｗ１．所定の
トラ、り幅Ｗ０に対してＷ、 ） Ｗ、 ） ｗｏなる
関係を満たす様に形成されている。
その後、端子および保護膜等が形成され、薄膜トランス
ジユーサーとして完成する。ついで、ダイシングソー等
による切断、溝加工が施こされ、史に、所定のボール・
ハイドを得る為に浮揚面の研磨作業が行なわれ、第１図
囚に示した如き薄膜磁気へ、ドが完成する。
ジユーサーとして完成する。ついで、ダイシングソー等
による切断、溝加工が施こされ、史に、所定のボール・
ハイドを得る為に浮揚面の研磨作業が行なわれ、第１図
囚に示した如き薄膜磁気へ、ドが完成する。
その後、前述した浮揚面に露出した擬似下部画性体層３
１．擬似上部磁性体層３２の端面を被覆する様に幅Ｗ０
の有機物ないしは金属のパターンを形成する。この状態
を第３１切に示す。
１．擬似上部磁性体層３２の端面を被覆する様に幅Ｗ０
の有機物ないしは金属のパターンを形成する。この状態
を第３１切に示す。
第３図（ロ）は、浮揚面の擬似下部磁性体層３１゜擬似
上部磁性体層３４の端面の露出している付近の概略拡大
図であるが、端面上に前述の如く幅Ｗ０なるパターン３
７が形成されている。ここでパターン３７の杓料社フォ
トレジスト等の有機物あるいはＴｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金
属ないしは、この両者の積層体である。
上部磁性体層３４の端面の露出している付近の概略拡大
図であるが、端面上に前述の如く幅Ｗ０なるパターン３
７が形成されている。ここでパターン３７の杓料社フォ
トレジスト等の有機物あるいはＴｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金
属ないしは、この両者の積層体である。
その後、浮揚面全面に、イオン注入を行ない前記パター
ン３７に被覆されていない擬似下部磁性体層３１．擬似
上部磁性体層３２の領域を非磁性化ないしは磁気特性を
劣化させる。その後、前記パターン３．７を剥離する。
ン３７に被覆されていない擬似下部磁性体層３１．擬似
上部磁性体層３２の領域を非磁性化ないしは磁気特性を
劣化させる。その後、前記パターン３．７を剥離する。
第３図（６）は、この様な状態を示している。ここで、
破線で囲まれた以外の領域はイオン注入がなされておシ
、従って前述した様に、磁性体の磁気特性が劣化ないし
は非磁性化されておシ、実効的にトラ、り幅Ｗ０の上・
下部磁性体層が形成されることとなる。ここで、イオン
注入されるイオンはＨ＊ Ｈｌ ＊ Ｈ・、Ｂ、Ｃ等で
あるが、注入深さは約０．５μｍ以上である為、現在の
汎用イオン注入装置ではＨ”＊ 耐、 ｈ：イオンが適
当で、注入量は例えばＨｅで２ Ｘ １０”個／ｃＩＡ
、Ｈ，で６ Ｘ １０”個／−程度である。しかし、将
来よシ高性能な汎用イオン注入装置が一般化した場合は
ＨＩＨ２，Ｈｅよシも重いイオンを注入しても良い事は
勿論であシ、この場合に注入量は前述の値よりも小さな
値で良い。
破線で囲まれた以外の領域はイオン注入がなされておシ
、従って前述した様に、磁性体の磁気特性が劣化ないし
は非磁性化されておシ、実効的にトラ、り幅Ｗ０の上・
下部磁性体層が形成されることとなる。ここで、イオン
注入されるイオンはＨ＊ Ｈｌ ＊ Ｈ・、Ｂ、Ｃ等で
あるが、注入深さは約０．５μｍ以上である為、現在の
汎用イオン注入装置ではＨ”＊ 耐、 ｈ：イオンが適
当で、注入量は例えばＨｅで２ Ｘ １０”個／ｃＩＡ
、Ｈ，で６ Ｘ １０”個／−程度である。しかし、将
来よシ高性能な汎用イオン注入装置が一般化した場合は
ＨＩＨ２，Ｈｅよシも重いイオンを注入しても良い事は
勿論であシ、この場合に注入量は前述の値よりも小さな
値で良い。
以上述べてきた薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、
所定のトラ、り幅Ｗ０に対して十分大きなトラック幅Ｗ
ｓ 、Ｗｔ （Ｗｓ ＞ Ｗｔ ）を有する擬似下部磁
性体層、擬似上部磁性体層を形成し、浮揚面の研磨加工
完了後、浮揚面に露出した前述の擬似上・下部磁性体層
の端面上に幅Ｗ０のパターン金形成し、このパターンを
マスク材としてイオン注入を行ない、パターンに被覆さ
れていない前記＆領土・下部磁性体層の端面を非磁性化
ないしは磁気特性を劣化させ、所定トラ、り幅Ｗ。ｔ−
共に有する上部・下部陶磁性体層を有するラップアラウ
ンド状態の無い薄膜磁気ヘッドを実現出来る為、薄膜磁
気ヘッドの製造プロセス上極めて大きな利点を有してい
ると言える。
所定のトラ、り幅Ｗ０に対して十分大きなトラック幅Ｗ
ｓ 、Ｗｔ （Ｗｓ ＞ Ｗｔ ）を有する擬似下部磁
性体層、擬似上部磁性体層を形成し、浮揚面の研磨加工
完了後、浮揚面に露出した前述の擬似上・下部磁性体層
の端面上に幅Ｗ０のパターン金形成し、このパターンを
マスク材としてイオン注入を行ない、パターンに被覆さ
れていない前記＆領土・下部磁性体層の端面を非磁性化
ないしは磁気特性を劣化させ、所定トラ、り幅Ｗ。ｔ−
共に有する上部・下部陶磁性体層を有するラップアラウ
ンド状態の無い薄膜磁気ヘッドを実現出来る為、薄膜磁
気ヘッドの製造プロセス上極めて大きな利点を有してい
ると言える。
第１図（４）は薄膜磁気ヘッドの概略斜祝図、第１図（
Ｂ） 、 （Ｃ）はう、プアラウンド状態を説明する図
である。 第２図は従来のう、プアラウラド状態防止例を示す図で
あ）、 第３図（４）〜（ト）ンは本発明の詳細な説明する図で
ある。 １１・・・スライダー、 １２，２４．３６・・・保護
膜、１３・・・上・下磁性体層の端面。 １４・・・端子部、 １５・・・薄膜トランスデー−サ
ー、１６．２１，３５・・・浮揚面、 １７．２２・・・下部磁性体層、 １８．２３・・・上部磁性体層、 ３１・・・擬似下部磁性体層、 ３２・・・コイル、 ３３・・・段差肩消層、３４・・
・擬似上部磁性体層、 ３７・・・パターン オ １ 図 （Ａ） １１ オ １ 図 （Ｂ） （Ｃ） ＣＬ Ｃ１ １２図 第３図 （Ａ） ス１ （Ｂ） η 第３図 （Ｄ） 一
Ｂ） 、 （Ｃ）はう、プアラウンド状態を説明する図
である。 第２図は従来のう、プアラウラド状態防止例を示す図で
あ）、 第３図（４）〜（ト）ンは本発明の詳細な説明する図で
ある。 １１・・・スライダー、 １２，２４．３６・・・保護
膜、１３・・・上・下磁性体層の端面。 １４・・・端子部、 １５・・・薄膜トランスデー−サ
ー、１６．２１，３５・・・浮揚面、 １７．２２・・・下部磁性体層、 １８．２３・・・上部磁性体層、 ３１・・・擬似下部磁性体層、 ３２・・・コイル、 ３３・・・段差肩消層、３４・・
・擬似上部磁性体層、 ３７・・・パターン オ １ 図 （Ａ） １１ オ １ 図 （Ｂ） （Ｃ） ＣＬ Ｃ１ １２図 第３図 （Ａ） ス１ （Ｂ） η 第３図 （Ｄ） 一
Claims (1)
- 軟磁性体よシ成る上部磁性体層と下部磁性体層との間に
、導体よシ成るコイルを挾んで成る薄膜トランスデユー
サ−とヘッドに４４浮上動作を与えるスライダーとから
成る薄膜磁気へ、ドの製造方法において、集積化薄膜技
術を用いて所定トラ、り幅Ｗ０より十分大きなトラック
幅Ｗ、を有する擬似下部磁性体層を形成する工程、所定
トラック幅Ｗ０より十分に大きく、しかもＷｌ＞ Ｗｔ
なる関係を有するトラ、り幅Ｗ、なる擬似上部磁性体層
管形成する工程、薄膜トランスデエーサー形成後、所定
のポールハイドを得る為のスライダー浮揚面の研磨を完
了した後、浮揚面に露出した前記擬似下部磁性体層およ
び擬似上部磁性体層の端面上に、輻Ｗｏなる有機物ない
しは金属のパターンを形成する工程、前記パターンをマ
スク材として浮揚面全面にイオン注入を行なう工程とを
含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21558583A JPS60107717A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21558583A JPS60107717A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107717A true JPS60107717A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16674867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21558583A Pending JPS60107717A (ja) | 1983-11-16 | 1983-11-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751599A (en) * | 1984-08-06 | 1988-06-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin-film magnetic head with a coil conductor having a plurality of turns of different widths |
-
1983
- 1983-11-16 JP JP21558583A patent/JPS60107717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4751599A (en) * | 1984-08-06 | 1988-06-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Thin-film magnetic head with a coil conductor having a plurality of turns of different widths |
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