JPS6038715A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6038715A JPS6038715A JP14712383A JP14712383A JPS6038715A JP S6038715 A JPS6038715 A JP S6038715A JP 14712383 A JP14712383 A JP 14712383A JP 14712383 A JP14712383 A JP 14712383A JP S6038715 A JPS6038715 A JP S6038715A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic
- magnetic head
- transformer
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3113—Details for improving the magnetic domain structure or avoiding the formation or displacement of undesirable magnetic domains
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に記
録効率、再生効率、及び記録再生の周波数特性のすぐれ
た誘導型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
録効率、再生効率、及び記録再生の周波数特性のすぐれ
た誘導型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
従来、銹導型薄膜磁気ヘッドとしては磁気ギヤｙ−１ｔ
＜有する薄膜よシ成る磁芯を基板上に設け、該磁芯に同
じく薄膜より成る巻線を鎖交させた構造のいわゆるリン
グ型ヘッドが知られている。
＜有する薄膜よシ成る磁芯を基板上に設け、該磁芯に同
じく薄膜より成る巻線を鎖交させた構造のいわゆるリン
グ型ヘッドが知られている。
しかしながら、かかる誘導型薄膜磁気ヘッドは電磁変換
効率が悪いために、記録の際には大きな記録電流を必要
とし、再生の際にはその出力が著しく小さいために大き
な増幅を必要とするなどの多くの難点があシ、実用上回
路系への負担が問題となっている。
効率が悪いために、記録の際には大きな記録電流を必要
とし、再生の際にはその出力が著しく小さいために大き
な増幅を必要とするなどの多くの難点があシ、実用上回
路系への負担が問題となっている。
これら問題点の対策として、巻線の巻数を増し記録電流
を小ならしめたり、再生出力を大ならしめたりする試み
がなされている。しかし、薄膜磁気ヘッドの電磁変換効
率は、その磁極形状に強く依存しているため、単に巻線
の巻数を増しても記録電流は必ずしもそれに比例して減
少はせず、また再生出力も同様に必ずしも巻数に比例し
て増大はしない。すなわち、巻線の巻数を増やしただけ
では電値変換特性の向上は期待できない。これは巻線の
巻数を増やしても、増えた分の巻線は磁極と願文する所
が磁気ギャップ部から遠くなり、ギャップ部への磁束伝
達の効率が悪くなるためである。
を小ならしめたり、再生出力を大ならしめたりする試み
がなされている。しかし、薄膜磁気ヘッドの電磁変換効
率は、その磁極形状に強く依存しているため、単に巻線
の巻数を増しても記録電流は必ずしもそれに比例して減
少はせず、また再生出力も同様に必ずしも巻数に比例し
て増大はしない。すなわち、巻線の巻数を増やしただけ
では電値変換特性の向上は期待できない。これは巻線の
巻数を増やしても、増えた分の巻線は磁極と願文する所
が磁気ギャップ部から遠くなり、ギャップ部への磁束伝
達の効率が悪くなるためである。
この問題を解決する一つの手段として薄膜磁極先端付近
に巻線し、できるだけ効率の良いヘッド構造とし、同時
に同一基板上に薄膜トランスを別に形成して記録可成の
効率向上を図った薄膜磁気ヘッドが考えられている。（
たとえば特開昭ｊざ−ｔざ２１０号及び同３ｇ−３７１
３／号公報ｆｚど） 上記薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップを有する薄膜より
成る磁極の該磁気ギャップ近傍にて該磁極と鎖交する１
回巻きあるいは２回程度の少数回巻きの閉じた巻線が施
され、がっ該１回巻きあるいは少数回巻きの閉じた巻線
は薄膜トランスに鎖交して、該薄膜トランスの一次巻線
を構成し、該薄膜トランスの二次側には、上記閉じた巻
線よりも巻数の多い多政巻きの巻線が施され、かつ該薄
膜トランスが薄膜磁気ヘッドと同一の基板上に設けられ
た構成である。
に巻線し、できるだけ効率の良いヘッド構造とし、同時
に同一基板上に薄膜トランスを別に形成して記録可成の
効率向上を図った薄膜磁気ヘッドが考えられている。（
たとえば特開昭ｊざ−ｔざ２１０号及び同３ｇ−３７１
３／号公報ｆｚど） 上記薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップを有する薄膜より
成る磁極の該磁気ギャップ近傍にて該磁極と鎖交する１
回巻きあるいは２回程度の少数回巻きの閉じた巻線が施
され、がっ該１回巻きあるいは少数回巻きの閉じた巻線
は薄膜トランスに鎖交して、該薄膜トランスの一次巻線
を構成し、該薄膜トランスの二次側には、上記閉じた巻
線よりも巻数の多い多政巻きの巻線が施され、かつ該薄
膜トランスが薄膜磁気ヘッドと同一の基板上に設けられ
た構成である。
しかしながら、本発明者らは単に同一基板上に薄膜トラ
ンスを基けるだけでは、十分な記録再生効率が得られな
いことを見い出した。すなわち、かかる構成の薄膜磁気
ヘッドは、薄膜磁気ヘッド磁極薄膜の透磁率の周波数依
存性を考慮することによって初めて十分な記録再生効率
を得ることが可能であることが可能であることを見い出
した。
ンスを基けるだけでは、十分な記録再生効率が得られな
いことを見い出した。すなわち、かかる構成の薄膜磁気
ヘッドは、薄膜磁気ヘッド磁極薄膜の透磁率の周波数依
存性を考慮することによって初めて十分な記録再生効率
を得ることが可能であることが可能であることを見い出
した。
第１図は、薄膜磁気ヘッド磁極に用いられる軟磁性薄膜
（膜厚３μη２）の透磁率の周波数依存性を示したグラ
フである。第１図に示されるように磁化容易軸方向（図
中Ａ）の透磁率は高周波数になるに従って小さくなる。
（膜厚３μη２）の透磁率の周波数依存性を示したグラ
フである。第１図に示されるように磁化容易軸方向（図
中Ａ）の透磁率は高周波数になるに従って小さくなる。
これは、記録再生周波数が高くなればなる程、効率が著
しく悪くなることを意味する。一方、磁化困難軸方向（
図中Ｂ）の透磁率は、周波数に依らず安定で、記録再生
効率の向上に適した高透磁率を保持している。
しく悪くなることを意味する。一方、磁化困難軸方向（
図中Ｂ）の透磁率は、周波数に依らず安定で、記録再生
効率の向上に適した高透磁率を保持している。
上記測定データかられかる辿り、前記従来の薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、該薄膜磁気ヘッド磁極材料の透４Ａ軍
の周波数特性を考慮しない限り、その効率は信号の周波
数に依存して変化してしまい、特に中高周波数域でのμ
磁変換効率の低減を避けることができなかった。
ッドにおいては、該薄膜磁気ヘッド磁極材料の透４Ａ軍
の周波数特性を考慮しない限り、その効率は信号の周波
数に依存して変化してしまい、特に中高周波数域でのμ
磁変換効率の低減を避けることができなかった。
そこで本発明は、これらの問題点を鑑み、薄膜トランス
を同一基板上に有する薄膜磁気ヘッドにおいて、該薄膜
磁気へ゛ラドの磁極薄膜の磁化容易軸を記録再生トラッ
クの幅方向にそろえることで中、高周波数域においても
記録再生の磁化方向に対し、安定した高い透磁率及び小
さい抗ａ率をもつ薄膜磁気ヘッドを作成し、さらに該薄
膜磁気ヘッドの磁極薄膜の磁化容易軸及び薄膜トランス
の磁芯薄膜の磁化容易軸の方向が、それぞれ該磁極薄膜
及び該磁芯薄膜にほぼ直角に鎖元する巻線の方向と平行
になるように薄膜磁気ヘッド及び薄膜トランスを作成す
ることにより、薄）換トランスの効率も含めた記録再生
効率が優れているのみならず、バルクハウゼン雑音とし
て知られている雑音の発生がなく、かつ周波数応答性の
良好なγ’＋Ｗ Ｍ’Ａ磁メ（ヘッドを得ることが可能
となった。
を同一基板上に有する薄膜磁気ヘッドにおいて、該薄膜
磁気へ゛ラドの磁極薄膜の磁化容易軸を記録再生トラッ
クの幅方向にそろえることで中、高周波数域においても
記録再生の磁化方向に対し、安定した高い透磁率及び小
さい抗ａ率をもつ薄膜磁気ヘッドを作成し、さらに該薄
膜磁気ヘッドの磁極薄膜の磁化容易軸及び薄膜トランス
の磁芯薄膜の磁化容易軸の方向が、それぞれ該磁極薄膜
及び該磁芯薄膜にほぼ直角に鎖元する巻線の方向と平行
になるように薄膜磁気ヘッド及び薄膜トランスを作成す
ることにより、薄）換トランスの効率も含めた記録再生
効率が優れているのみならず、バルクハウゼン雑音とし
て知られている雑音の発生がなく、かつ周波数応答性の
良好なγ’＋Ｗ Ｍ’Ａ磁メ（ヘッドを得ることが可能
となった。
本発明を図面を用いてさらに詳しく説明する。
本発明の薄膜磁気ヘッドの裏作工程の一実施例を＠２図
〜第ｊ図に示す。第２図に示したように、非磁性基板／
としてザコアイア清板を用い、その上に薄膜磁気ヘッド
の下部磁極及びｌｆＪ痕トシトランス芯用の磁性薄膜と
してコμｍの膜厚の一軸異方性をＭするＮｉ−Ｆｅ合金
膜を例えば磁場中スパッタ法にて形成し、次いでフォト
エツチング法によシ、該磁化容易軸方向≠と薄膜磁気ヘ
ッドの磁極のトラック幅方向が一致する様に下部磁極λ
を設け、同時に該磁化容易軸方向≠と薄膜トランスの磁
芯の幅方向とが一致する様に薄膜トランスの下部磁芯３
を形成する。次いで、この上に７゜コμ〃ｌの膜）ｖの
二酸化珪素層を絶縁層としてス・ｔツタ−法にて設けさ
らにその上に巻線用の導体として＠を／μｙｎの膜厚に
スパッター法にて設ける。
〜第ｊ図に示す。第２図に示したように、非磁性基板／
としてザコアイア清板を用い、その上に薄膜磁気ヘッド
の下部磁極及びｌｆＪ痕トシトランス芯用の磁性薄膜と
してコμｍの膜厚の一軸異方性をＭするＮｉ−Ｆｅ合金
膜を例えば磁場中スパッタ法にて形成し、次いでフォト
エツチング法によシ、該磁化容易軸方向≠と薄膜磁気ヘ
ッドの磁極のトラック幅方向が一致する様に下部磁極λ
を設け、同時に該磁化容易軸方向≠と薄膜トランスの磁
芯の幅方向とが一致する様に薄膜トランスの下部磁芯３
を形成する。次いで、この上に７゜コμ〃ｌの膜）ｖの
二酸化珪素層を絶縁層としてス・ｔツタ−法にて設けさ
らにその上に巻線用の導体として＠を／μｙｎの膜厚に
スパッター法にて設ける。
次いで該銅のスパッター膜をフォトエツチング法により
、第３図に示すように、＃膜トランスの一次巻線となる
閉じた導体Ｓを薄膜磁気ヘッドの磁極及び該薄膜トラン
スの磁芯の磁化容易軸の方向に平行に鎖交するように形
成し、薄膜トランスの二次巻線となる導体６を該薄膜ト
ランスの磁芯の磁化容易軸方向に平行に鎖交するように
形成する。
、第３図に示すように、＃膜トランスの一次巻線となる
閉じた導体Ｓを薄膜磁気ヘッドの磁極及び該薄膜トラン
スの磁芯の磁化容易軸の方向に平行に鎖交するように形
成し、薄膜トランスの二次巻線となる導体６を該薄膜ト
ランスの磁芯の磁化容易軸方向に平行に鎖交するように
形成する。
次いでその上に１．２μｍのＭ厚の二酸化珪素層を絶縁
ノーとして、スパッター法にて設けた後、磁気ギャップ
部を形成するためにフォトエツチング法にて薄膜磁気ヘ
ッドの磁極の先端部の近傍、すなわち第ψ図点線７の部
分の二層の二酸化珪素膜を除去する。次いでスパッター
法にて膜厚Ｏ，ダμ〃ｚの二酸化珪素層を設け、磁気ギ
ャップ層とする。次いで、第グ図に示すように薄膜磁気
ヘッドの上部磁極と下部磁極を接続させるための開孔ざ
及び薄膜トランスの上部磁芯と下部磁芯とを接続させる
だめの開孔り、Ｉθを三層より成る二酸化珪素の層に形
成する。次に薄膜磁気ヘッドの上部磁極と薄膜トランス
の上部磁芯を形成するための磁性薄膜として２μｍ膜厚
の一軸異方Ｉ生を有するＮｉ−Ｆｅ合金膜を例えば磁場
中スパッタ法にて該薄膜磁気ヘッドの下部磁極及び該薄
膜トランスの下部磁芯の幅方向、すなわち該下部磁極及
び該下部磁芯の磁化容易軸方向に磁場を与えながら形成
したのち、フォトエツチング法にてそれぞれ磁化容易軸
が巻線ｊ及び巻線６と平行な薄膜磁気ヘッドの上部磁極
／／及び薄膜トランスの上部磁芯ｌコを形成する。
ノーとして、スパッター法にて設けた後、磁気ギャップ
部を形成するためにフォトエツチング法にて薄膜磁気ヘ
ッドの磁極の先端部の近傍、すなわち第ψ図点線７の部
分の二層の二酸化珪素膜を除去する。次いでスパッター
法にて膜厚Ｏ，ダμ〃ｚの二酸化珪素層を設け、磁気ギ
ャップ層とする。次いで、第グ図に示すように薄膜磁気
ヘッドの上部磁極と下部磁極を接続させるための開孔ざ
及び薄膜トランスの上部磁芯と下部磁芯とを接続させる
だめの開孔り、Ｉθを三層より成る二酸化珪素の層に形
成する。次に薄膜磁気ヘッドの上部磁極と薄膜トランス
の上部磁芯を形成するための磁性薄膜として２μｍ膜厚
の一軸異方Ｉ生を有するＮｉ−Ｆｅ合金膜を例えば磁場
中スパッタ法にて該薄膜磁気ヘッドの下部磁極及び該薄
膜トランスの下部磁芯の幅方向、すなわち該下部磁極及
び該下部磁芯の磁化容易軸方向に磁場を与えながら形成
したのち、フォトエツチング法にてそれぞれ磁化容易軸
が巻線ｊ及び巻線６と平行な薄膜磁気ヘッドの上部磁極
／／及び薄膜トランスの上部磁芯ｌコを形成する。
さらに絶縁層として二酸化珪素層をスパッタ法にて１μ
ｍの膜厚に形成したのち、薄膜トランスの巻線導体と接
続するための開孔１３及び点線で示した引出線の接続部
のための開孔／４ｃを二酸化珪素層ｉに形成する。次い
で第５図に示すように導体として１．２μｍ膜厚の銅の
薄膜をスノでツタ法にて形成し、フォトエツチング法に
より薄膜トランスの二次巻線の引出線／ｊｆを形成する
。以上の如くして薄膜磁気ヘッドと同一基板上に設けら
れた磁芯の幅方向、すなわち該磁芯と鎖交する巻線に平
行な方向に磁化容易軸を持った磁芯より成る薄膜トラン
スに接続され、磁極の幅方向、すなわち該磁極と鎖交す
る巻線に平行な方向に磁化容易軸を持った磁極よ構成る
薄膜磁気ヘッドが形成される。最後に基板上に形成され
た複数個の薄膜トランスと一体化した薄膜磁気ヘッドを
ダイシングソーによって切り出し、適当な研磨を行ない
、薄膜トランスの二次巻線の引出線に配線を施して仕上
げられる。
ｍの膜厚に形成したのち、薄膜トランスの巻線導体と接
続するための開孔１３及び点線で示した引出線の接続部
のための開孔／４ｃを二酸化珪素層ｉに形成する。次い
で第５図に示すように導体として１．２μｍ膜厚の銅の
薄膜をスノでツタ法にて形成し、フォトエツチング法に
より薄膜トランスの二次巻線の引出線／ｊｆを形成する
。以上の如くして薄膜磁気ヘッドと同一基板上に設けら
れた磁芯の幅方向、すなわち該磁芯と鎖交する巻線に平
行な方向に磁化容易軸を持った磁芯より成る薄膜トラン
スに接続され、磁極の幅方向、すなわち該磁極と鎖交す
る巻線に平行な方向に磁化容易軸を持った磁極よ構成る
薄膜磁気ヘッドが形成される。最後に基板上に形成され
た複数個の薄膜トランスと一体化した薄膜磁気ヘッドを
ダイシングソーによって切り出し、適当な研磨を行ない
、薄膜トランスの二次巻線の引出線に配線を施して仕上
げられる。
以上、本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を説明したが
、本発明は上記に用いた材料、構造あるいは製作方法に
限定されるものではない。また、磁性薄膜への一軸方性
の付与方法は、磁場中ス、ｅツタ法に限定されるもので
なく、あらゆる−軸異方性の付与手段が有効に利用され
る。
、本発明は上記に用いた材料、構造あるいは製作方法に
限定されるものではない。また、磁性薄膜への一軸方性
の付与方法は、磁場中ス、ｅツタ法に限定されるもので
なく、あらゆる−軸異方性の付与手段が有効に利用され
る。
また、第５図に２いて、薄膜磁気ヘッドの磁極の磁化容
易軸方向と薄膜トランスの磁芯の磁化容易方向とが平行
な構成の例を示したが、このような構成に限定されるも
のでなく、第を図に示したように薄膜磁気ヘッドの磁極
薄膜の磁化容易軸方向と薄膜トランスの磁芯薄膜の磁化
容易軸とが直角（或いは他の任意の角度）を成す位置関
係でもよく、薄膜磁気ヘッドの磁極薄膜の磁化容易！１
１１ｊと薄膜トラ７スの磁芯薄膜の磁化容易軸がそれぞ
れ鎖交する巻線の方向と平行である位置関係にあれば同
様の効果をもたらすことは明らかである。さらに、以上
の説明においてはシフグルトラックの薄膜磁気ヘッドの
例を用いたが、もちろんこれに限定されるものではない
。従来の誘尋型薄膜磁気ヘッドの構造においては、マル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドを構成する場合、隣接トラ
ック間の間とんとなく、巻線の巻数が限定されるため、
著しく効率の悪いマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドしか
得られていなかった。第７図に本発明の方法による２チ
ヤンネル薄膜磁気ヘツドの一例を示したが、でのように
本発明の薄膜磁気ヘッドの作成方法によれば、従来公知
のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの作成技術によるも
のよシもさらに記録効率、再生効率がすぐれ、かつ低雑
音で応答性が良好な高密度マルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドが有効に得られる。
易軸方向と薄膜トランスの磁芯の磁化容易方向とが平行
な構成の例を示したが、このような構成に限定されるも
のでなく、第を図に示したように薄膜磁気ヘッドの磁極
薄膜の磁化容易軸方向と薄膜トランスの磁芯薄膜の磁化
容易軸とが直角（或いは他の任意の角度）を成す位置関
係でもよく、薄膜磁気ヘッドの磁極薄膜の磁化容易！１
１１ｊと薄膜トラ７スの磁芯薄膜の磁化容易軸がそれぞ
れ鎖交する巻線の方向と平行である位置関係にあれば同
様の効果をもたらすことは明らかである。さらに、以上
の説明においてはシフグルトラックの薄膜磁気ヘッドの
例を用いたが、もちろんこれに限定されるものではない
。従来の誘尋型薄膜磁気ヘッドの構造においては、マル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドを構成する場合、隣接トラ
ック間の間とんとなく、巻線の巻数が限定されるため、
著しく効率の悪いマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドしか
得られていなかった。第７図に本発明の方法による２チ
ヤンネル薄膜磁気ヘツドの一例を示したが、でのように
本発明の薄膜磁気ヘッドの作成方法によれば、従来公知
のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの作成技術によるも
のよシもさらに記録効率、再生効率がすぐれ、かつ低雑
音で応答性が良好な高密度マルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドが有効に得られる。
第１図は軟磁性薄膜の透磁率の周波数依存性を示したグ
ラフである。第λ図〜第ｊ図は、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製作工程の一実施例を示した図である。第６図は本
発明の他の実施例、第７図は本発明によるλチャンネル
薄膜磁気ヘッドの一実施例を示した図である。 ／・・・基板、λ・・・薄膜磁気ヘッドの下部磁極、３
・・・薄膜トランスの下部磁芯、ｑ・・・磁化容易軸を
示次巻綜となる導体、７．ｔ、り、１０．／３．／≠・
・・開孔、／／・・−薄膜磁気ヘッドの上部磁極、ｌコ
・・・薄膜トランスの上部磁芯 特許出願人 富士写具フィルム株式会社第 １ 図 局疲数（Ｈｚ） □□□ 区 ■ト 慨鵬 手続補正書 昭和５１年２月７日 冒 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和ｓｒ年 特願第１≠７１２３号２
、発明の名称 薄膜磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 件 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称（５２
０）富士写真フィルム株式会社４、補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 （１）第３頁λ行目の 「記録再成」 を 「記録再生」 と補正する。 （２）第≠頁λ行目の 「が可能であること」 を 削除する。 （３） 第ｊ頁７行目の 「鎖光」 を 「鎖交」 二補正する。 （４） 第１頁３行目の 「２′」を ｊ除する。 （５）第り頁１行目の 「−軸方性」 を 「−軸異方性」 と補正する。 （６）第３頁１７行目の 「基ける」 を 「設ける」 と補正する。
ラフである。第λ図〜第ｊ図は、本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製作工程の一実施例を示した図である。第６図は本
発明の他の実施例、第７図は本発明によるλチャンネル
薄膜磁気ヘッドの一実施例を示した図である。 ／・・・基板、λ・・・薄膜磁気ヘッドの下部磁極、３
・・・薄膜トランスの下部磁芯、ｑ・・・磁化容易軸を
示次巻綜となる導体、７．ｔ、り、１０．／３．／≠・
・・開孔、／／・・−薄膜磁気ヘッドの上部磁極、ｌコ
・・・薄膜トランスの上部磁芯 特許出願人 富士写具フィルム株式会社第 １ 図 局疲数（Ｈｚ） □□□ 区 ■ト 慨鵬 手続補正書 昭和５１年２月７日 冒 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和ｓｒ年 特願第１≠７１２３号２
、発明の名称 薄膜磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 件 所 神奈川県南足柄市中沼２１０番地名 称（５２
０）富士写真フィルム株式会社４、補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
補正する。 （１）第３頁λ行目の 「記録再成」 を 「記録再生」 と補正する。 （２）第≠頁λ行目の 「が可能であること」 を 削除する。 （３） 第ｊ頁７行目の 「鎖光」 を 「鎖交」 二補正する。 （４） 第１頁３行目の 「２′」を ｊ除する。 （５）第り頁１行目の 「−軸方性」 を 「−軸異方性」 と補正する。 （６）第３頁１７行目の 「基ける」 を 「設ける」 と補正する。
Claims (1)
- 薄膜トランスを介して入出力端子に接続されている誘導
型薄膜磁気ヘッドにおいて、該薄膜磁気ヘッドと該薄膜
トランスとが同一基板上に設けられ、該薄膜磁気ヘッド
の磁極薄膜の磁化容易軸及び該薄膜トランスの磁芯薄膜
の磁化容易軸がそれぞれ鎖交する巻線の方向と平行であ
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14712383A JPS6038715A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14712383A JPS6038715A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038715A true JPS6038715A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15423058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14712383A Pending JPS6038715A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038715A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933795A (en) * | 1987-12-07 | 1990-06-12 | Fujitsu America, Inc. | Floppy disc read and write head having two separate read and write cores for multiple track density and recording frequencies |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP14712383A patent/JPS6038715A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4933795A (en) * | 1987-12-07 | 1990-06-12 | Fujitsu America, Inc. | Floppy disc read and write head having two separate read and write cores for multiple track density and recording frequencies |
| EP0714090A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-29 | Thomson-Csf | Tête magnétique d'enregistrement/lecture et procédé de réalisation |
| FR2727555A1 (fr) * | 1994-11-25 | 1996-05-31 | Thomson Csf | Tete magnetique d'enregistrement/lecture et son procede de realisation |
| US5671106A (en) * | 1994-11-25 | 1997-09-23 | Thomson-Csf | Matrix magnetic recording/reading head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11110717A (ja) | 薄膜単磁極ヘッド | |
| JPS61240422A (ja) | ステツプアツプ型磁気ヘツド | |
| JPS6038715A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS60175208A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0630130B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH0237513A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS61194620A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6333206B2 (ja) | ||
| JPH05242429A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01159816A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH03263603A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0664703B2 (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS61229209A (ja) | 垂直磁気ヘッド | |
| JPS5873011A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP3033043U (ja) | 磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気ディスク装置 | |
| JP2685836B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS61144709A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH01224908A (ja) | 垂直記録用薄膜滋気ヘッド | |
| JPH02128312A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS6271016A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6355708A (ja) | 垂直磁気ヘツド | |
| JPS62109211A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS63273206A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS58137124A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPH0337815A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッドとその製造方法 |