JPS6038713A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6038713A JPS6038713A JP14538783A JP14538783A JPS6038713A JP S6038713 A JPS6038713 A JP S6038713A JP 14538783 A JP14538783 A JP 14538783A JP 14538783 A JP14538783 A JP 14538783A JP S6038713 A JPS6038713 A JP S6038713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic layer
- track width
- magnetic
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドに関するものである。この薄膜磁気ヘッドは周波数特
性が優れており、半導体テクノロジーに基づく製造プロ
セスが適用される為、低価格化が可能であるなど種々の
利点を有しており、今後の磁気ヘッドの主流になると考
えられる。
ドに関するものである。この薄膜磁気ヘッドは周波数特
性が優れており、半導体テクノロジーに基づく製造プロ
セスが適用される為、低価格化が可能であるなど種々の
利点を有しており、今後の磁気ヘッドの主流になると考
えられる。
第１図（Ａ）は、この様な薄膜磁気ヘッドの一例である
浮動型タイプの概略斜視図である。第１図において、基
板１１に対して薄膜磁気ヘッドのトランスデー−サー１
５が集積化薄膜技術により形成され絶縁層より成るオー
バーコート層１２が成膜されている。その後、研磨加工
によりオーバーコート層を除去し端子１４を露出させ、
機械加工によるレール状加工および前記トランスデユー
サ−１５の磁気コア部１３が所定のポール・ハイドとな
る様に研磨加工を行ない浮揚面１１が形成されている。
浮動型タイプの概略斜視図である。第１図において、基
板１１に対して薄膜磁気ヘッドのトランスデー−サー１
５が集積化薄膜技術により形成され絶縁層より成るオー
バーコート層１２が成膜されている。その後、研磨加工
によりオーバーコート層を除去し端子１４を露出させ、
機械加工によるレール状加工および前記トランスデユー
サ−１５の磁気コア部１３が所定のポール・ハイドとな
る様に研磨加工を行ない浮揚面１１が形成されている。
ところで、この様な薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにお
いては、以前よりラップアラウンド（Ｗｒａｐａｒｏｕ
ｎｄ）状態の出現が指摘されており、このラップアラウ
ンド状態の出現の抑制が製造プロセス上大きな問題であ
った。
いては、以前よりラップアラウンド（Ｗｒａｐａｒｏｕ
ｎｄ）状態の出現が指摘されており、このラップアラウ
ンド状態の出現の抑制が製造プロセス上大きな問題であ
った。
第１図（Ｂ）（Ｃ）は、第１図（５）に示した薄膜磁気
ヘッドの磁気コア部１３を浮揚面側から見た概略拡大図
であるが、第１図（Ｂ）はラップアラウンド状態の無い
正規の状態を示しており、基板１１に形成された下部磁
性体層１７と上部磁性体層１８の中心線ＣＬが一致して
形成されている。一方、第１図（Ｑは下部磁性体層１７
の中心線ＣＬに対して上部磁性体層１８が、大きくズし
て形成されており、ラップアラウンド状態が出現してい
る。ラップアラウンド状態の生じた上下両磁性体層の端
部では、上下両磁性体層の間に生ずる磁界の方向が、所
定の方向に対しである角度をもった分布となる為、書込
時には、ラップアラウンドの近傍においては記録媒体は
、その運動方向に対して、つまりポールによって前記媒
体が磁化されるべき方向に対しである角度をなして磁化
されることとなる。
ヘッドの磁気コア部１３を浮揚面側から見た概略拡大図
であるが、第１図（Ｂ）はラップアラウンド状態の無い
正規の状態を示しており、基板１１に形成された下部磁
性体層１７と上部磁性体層１８の中心線ＣＬが一致して
形成されている。一方、第１図（Ｑは下部磁性体層１７
の中心線ＣＬに対して上部磁性体層１８が、大きくズし
て形成されており、ラップアラウンド状態が出現してい
る。ラップアラウンド状態の生じた上下両磁性体層の端
部では、上下両磁性体層の間に生ずる磁界の方向が、所
定の方向に対しである角度をもった分布となる為、書込
時には、ラップアラウンドの近傍においては記録媒体は
、その運動方向に対して、つまりポールによって前記媒
体が磁化されるべき方向に対しである角度をなして磁化
されることとなる。
また、読出し動作中、仮にヘッドが、所定トラック位置
により、わずかにズした場合、十分な再生出力を得るこ
とが困難になるという欠点があった。
により、わずかにズした場合、十分な再生出力を得るこ
とが困難になるという欠点があった。
前述のラップアラウンド状態を回避する為、従来第２図
に示した如く、下部磁性体層２２のトラック幅ＷＬに対
して上部磁性体層２３のトラック幅Ｗｕが△Ｗだけ小さ
く々る様に考慮して設計されてい磁性体層３２の幅ＷＬ
よりも小さくしても、上部、下部磁性体層の重ね重せの
許容範囲は、高々±△Ｗであり、との△Ｗは実効トラッ
ク幅を有効に確保する為には、最大でも２μｍが限度で
ある。
に示した如く、下部磁性体層２２のトラック幅ＷＬに対
して上部磁性体層２３のトラック幅Ｗｕが△Ｗだけ小さ
く々る様に考慮して設計されてい磁性体層３２の幅ＷＬ
よりも小さくしても、上部、下部磁性体層の重ね重せの
許容範囲は、高々±△Ｗであり、との△Ｗは実効トラッ
ク幅を有効に確保する為には、最大でも２μｍが限度で
ある。
特に、近年の高密度記録用の狭トラツク幅薄膜磁気ヘッ
ド（例えば、トラック幅Ｗ−ＩＱ１１ｍ程度）において
は事実上△Ｗは１μｍ以下とせざるをえず以上述べてき
た様な従来の構成では、ラップアラウンド状態出現の根
本的な解決とはならず、歩留り低下は避けがたいもので
あった。
ド（例えば、トラック幅Ｗ−ＩＱ１１ｍ程度）において
は事実上△Ｗは１μｍ以下とせざるをえず以上述べてき
た様な従来の構成では、ラップアラウンド状態出現の根
本的な解決とはならず、歩留り低下は避けがたいもので
あった。
本発明は以上の点に鑑み、ラップアラウンド状態の出現
を回避して歩留りを向上させた薄膜磁気ヘッドを提供す
るものである。
を回避して歩留りを向上させた薄膜磁気ヘッドを提供す
るものである。
本発明によれば、軟磁性体より成る上部磁性体層と下部
磁性体層の間に導体より成るコイルを挾んで成る薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、集積化簿膜化技術により
所定トラック幅Ｗｏより十分に大きなトラック＄ＭＷを
有する下部磁性体層を形成する工程、該下部磁性体１響
上に所定トラック幅ＷＯｆ：有する上部磁性体層を絶縁
層とコイルを介して形成する工程、前記上部磁性体層上
に八っているフォトレジストパターンをマスク材トシて
イオン注入を行ない、前記ド部磁性体層の不要な領域を
非磁性化あるいは、磁気特性を劣化させ所定のトラック
幅Ｗｏを有する下部磁性体層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が得られる。
磁性体層の間に導体より成るコイルを挾んで成る薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、集積化簿膜化技術により
所定トラック幅Ｗｏより十分に大きなトラック＄ＭＷを
有する下部磁性体層を形成する工程、該下部磁性体１響
上に所定トラック幅ＷＯｆ：有する上部磁性体層を絶縁
層とコイルを介して形成する工程、前記上部磁性体層上
に八っているフォトレジストパターンをマスク材トシて
イオン注入を行ない、前記ド部磁性体層の不要な領域を
非磁性化あるいは、磁気特性を劣化させ所定のトラック
幅Ｗｏを有する下部磁性体層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法が得られる。
以下、第３図ｆｔ参照しながら本発明の詳細な説明する
。第３回置において、基板３１に軟磁性体材料より成る
下部磁性体層３２を集積化薄膜技術を用いて形成する。
。第３回置において、基板３１に軟磁性体材料より成る
下部磁性体層３２を集積化薄膜技術を用いて形成する。
このとき前記磁性体層３２のトラック幅Ｗは、所望の分
解能に応じて決定された所定のトラック幅Ｗｏに比較し
て、十分に大きく形成される。
解能に応じて決定された所定のトラック幅Ｗｏに比較し
て、十分に大きく形成される。
その後、所定のプロセスに従って、ギャップ層コイル等
を形成し、最後に上部磁性体層となる軟磁性膜を形膜す
る。
を形成し、最後に上部磁性体層となる軟磁性膜を形膜す
る。
ついで、第３図（Ｂ）に示した様に、上部磁性体層形成
の為の７オトレジストパターン３５を形成し、エツチン
グを行ない、前記軟磁性膜を上部磁性体層３４と成し、
更に、エツチングを継続し、ギャップ層を成す絶縁層３
３の部分までオーバーエツチングを行なう。ここで、前
記フォトレジストパターン３５は所望の分解能に応じて
決定された所定のトラック幅Ｗｏを有しており、従って
、上部磁性体層３４のトラック幅はＷＯとなる。
の為の７オトレジストパターン３５を形成し、エツチン
グを行ない、前記軟磁性膜を上部磁性体層３４と成し、
更に、エツチングを継続し、ギャップ層を成す絶縁層３
３の部分までオーバーエツチングを行なう。ここで、前
記フォトレジストパターン３５は所望の分解能に応じて
決定された所定のトラック幅Ｗｏを有しており、従って
、上部磁性体層３４のトラック幅はＷＯとなる。
次に、第３図（ｑに示した様に紬記フォトレジストパタ
ーン３５を剥離せずに基板３１全面にわたってイオン注
入を行なう。この際、下部磁性体層３℃うち上部磁性体
層３４と重ならない領域３６．つまり、所定のトラック
幅ＷＯ以外の部分にのみイオンが臥され、非磁性化ない
しは磁気特性が劣化することとなり（第３図（Ｃ）にお
いて３６で示された領域）、結果とし、てトラック幅Ｗ
ｏを有する下部磁性体層３７が形成されることどなる。
ーン３５を剥離せずに基板３１全面にわたってイオン注
入を行なう。この際、下部磁性体層３℃うち上部磁性体
層３４と重ならない領域３６．つまり、所定のトラック
幅ＷＯ以外の部分にのみイオンが臥され、非磁性化ない
しは磁気特性が劣化することとなり（第３図（Ｃ）にお
いて３６で示された領域）、結果とし、てトラック幅Ｗ
ｏを有する下部磁性体層３７が形成されることどなる。
この場合、上部磁性体ａ！３４はフメトレジストパター
ン３５により、イオン注入時に被覆されてｔハる為、磁
気特性の劣化は全く問題がい。
ン３５により、イオン注入時に被覆されてｔハる為、磁
気特性の劣化は全く問題がい。
以上述べてきた薄ｌ！α磁気ヘッドにむいては、所定の
トラック幅Ｗｏに比軸し７て十分大きたトラッ、り幅ｗ
３有する下部磁性体、川に対して上部磁性体層を重りで
形成する為、−ヒ下両磁性体層の位置ズレは事実土兄り
えず、父、上部磁性体層形成用の７オトレジストパター
ンをマスクとしてイオン泊三人により下部磁性体層の不
要部全非磁性化ないしは磁気特性の劣化を起させて、前
記に部磁性体層に合せて下部磁性体層のトラック幅が決
定される為上−ド両磁性体層のトランク幅を殆ど同じと
することが出き、かつ、前記ヒ下両磁性体層の中心線が
一致して形成されるなど、１６１１Ｊ！磁気ヘツドの製
造プロセス−ト、４ＨＭめて大きな利点を有した薄膜磁
気ヘッドの製造方法と々っている。
トラック幅Ｗｏに比軸し７て十分大きたトラッ、り幅ｗ
３有する下部磁性体、川に対して上部磁性体層を重りで
形成する為、−ヒ下両磁性体層の位置ズレは事実土兄り
えず、父、上部磁性体層形成用の７オトレジストパター
ンをマスクとしてイオン泊三人により下部磁性体層の不
要部全非磁性化ないしは磁気特性の劣化を起させて、前
記に部磁性体層に合せて下部磁性体層のトラック幅が決
定される為上−ド両磁性体層のトランク幅を殆ど同じと
することが出き、かつ、前記ヒ下両磁性体層の中心線が
一致して形成されるなど、１６１１Ｊ！磁気ヘツドの製
造プロセス−ト、４ＨＭめて大きな利点を有した薄膜磁
気ヘッドの製造方法と々っている。
尚、以上の説明にお・ハて、注入されるイオンは１（、
Ｈｅ、 Ｎｅ、 ａ Ａｒ等であり、現在の汎用イオン
注入装置においてる・ま、例えば、被イオン注入層とｔ
。
Ｈｅ、 Ｎｅ、 ａ Ａｒ等であり、現在の汎用イオン
注入装置においてる・ま、例えば、被イオン注入層とｔ
。
てＮｉＦｃ合金、注入されるイオンをＢとすると、注入
深さは１μｍ程度である。従って、現状においては下部
磁性体層の厚みは１μｍ辺下が融ましいつしう・し２、
将来より高性能な汎用イオン注入装置が一般化（、た場
合は、更に厚い下部磁性体層に対１７ても本発明が有効
であることは明らかでａろ。
深さは１μｍ程度である。従って、現状においては下部
磁性体層の厚みは１μｍ辺下が融ましいつしう・し２、
将来より高性能な汎用イオン注入装置が一般化（、た場
合は、更に厚い下部磁性体層に対１７ても本発明が有効
であることは明らかでａろ。
７＾１図（１〜）は浮動型薄膜楓、気ヘッドの概略１内
視図であり、第１図！１３１（Ｃ）はラップアラウンド
状態のないヘット−及びあるヘッドの浮揚面側がらみプ
こ概略模式図、第２図は従来のう、ブアラウンド状態対
策を示すＣ！ε略模式図、；４’ｇ ３図ｆＡ）（Ｂｌ
（Ｃ）ｉｔ本水元ヲ説。 明するためのξ１略嘆弐図である。 図にむいて、１１．２１３１・・・・・・・基板、１２
・・−・・・・オーバーコート層、１３・・・・・・・
・磁気フ’７部、１４・・・・・・・・・・端子部、１
５・・・・・・・・・・・・トランスデユーサ−１１６
・・・・・・・・・・第１図（Ａ） ＋１ 第１図 （Ｂ）（り 第、２図
視図であり、第１図！１３１（Ｃ）はラップアラウンド
状態のないヘット−及びあるヘッドの浮揚面側がらみプ
こ概略模式図、第２図は従来のう、ブアラウンド状態対
策を示すＣ！ε略模式図、；４’ｇ ３図ｆＡ）（Ｂｌ
（Ｃ）ｉｔ本水元ヲ説。 明するためのξ１略嘆弐図である。 図にむいて、１１．２１３１・・・・・・・基板、１２
・・−・・・・オーバーコート層、１３・・・・・・・
・磁気フ’７部、１４・・・・・・・・・・端子部、１
５・・・・・・・・・・・・トランスデユーサ−１１６
・・・・・・・・・・第１図（Ａ） ＋１ 第１図 （Ｂ）（り 第、２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 軟磁性体より成る上部磁性体層と下部磁性体層の間に導
体より成るコイルを挾んで成る薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、所定トラック幅Ｗ。 より十分に大きなトラック幅Ｗを有する下部磁性体層を
形成する工程、該下部磁性体層上に所定トラック幅Ｗｏ
を有する上部磁性体層を絶縁層とフィルを介し、て形成
する工程、前記上部磁性体層上に残っているフォトレジ
ストパターンをマスク材とじてイオン注入を行ない、前
記下部磁性体層の不要な領域を非磁性化ある−は、磁気
特性を劣化させ所定のトラック幅ＷＯを有する下部磁性
体層を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538783A JPS6038713A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14538783A JPS6038713A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038713A true JPS6038713A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15384067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14538783A Pending JPS6038713A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038713A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302408A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPS647558U (ja) * | 1987-07-02 | 1989-01-17 | ||
| US6788496B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Narrow top pole of a write element |
| JP2014063546A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 高周波アシスト磁気記録ヘッド、その製造方法、これを用いた磁気ヘッドアッセンブリ、及び磁気記録再生装置 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14538783A patent/JPS6038713A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63302408A (ja) * | 1987-06-02 | 1988-12-09 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| JPS647558U (ja) * | 1987-07-02 | 1989-01-17 | ||
| JPH0545494Y2 (ja) * | 1987-07-02 | 1993-11-19 | ||
| US6788496B2 (en) | 2001-08-22 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Narrow top pole of a write element |
| JP2014063546A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Toshiba Corp | 高周波アシスト磁気記録ヘッド、その製造方法、これを用いた磁気ヘッドアッセンブリ、及び磁気記録再生装置 |
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