JPS60117475A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS60117475A JPS60117475A JP58224102A JP22410283A JPS60117475A JP S60117475 A JPS60117475 A JP S60117475A JP 58224102 A JP58224102 A JP 58224102A JP 22410283 A JP22410283 A JP 22410283A JP S60117475 A JPS60117475 A JP S60117475A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- magnetic
- bubble
- diameter
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わシ、特にマイナル
ープ部の磁気バブル転送バイアス磁界マージン向上に好
適な磁気バブルメモリ素子に関するものである。
ープ部の磁気バブル転送バイアス磁界マージン向上に好
適な磁気バブルメモリ素子に関するものである。
磁気バブルメモリ素子の高集積、高密度化に伴なって磁
気バブル転送路をパーマロイパターンテ形成するパーマ
ロイ形素子においては、パターン周期りが８μおから６
μお以下の寸法へ縮／Ｊ％される傾向にある。また、パ
ターン周期りの縮小に伴力い、下記の式（１）の関係か
ら、 Ｌ＝４ｄ −―・・・・・・＠（１） 磁気バブル径ｄも比例して縮小され、その大きさｄは２
μｍ以下となっている。この結果、磁気バブルの出力低
下を防止するため、磁気バブルの背の高さｈは一般的に
ｈ≧０．８ｄであった。
気バブル転送路をパーマロイパターンテ形成するパーマ
ロイ形素子においては、パターン周期りが８μおから６
μお以下の寸法へ縮／Ｊ％される傾向にある。また、パ
ターン周期りの縮小に伴力い、下記の式（１）の関係か
ら、 Ｌ＝４ｄ −―・・・・・・＠（１） 磁気バブル径ｄも比例して縮小され、その大きさｄは２
μｍ以下となっている。この結果、磁気バブルの出力低
下を防止するため、磁気バブルの背の高さｈは一般的に
ｈ≧０．８ｄであった。
しかしながら、このように構成される磁気バブルメモリ
素子は、パーマロイパターン、磁気バブル径の縮小によ
）、以下に示すような問題点が発生する。すムわち、 α）パーマロイパターンの縮小化による磁気バブル駆動
力の低下によシ、転送マージンが減少する。
素子は、パーマロイパターン、磁気バブル径の縮小によ
）、以下に示すような問題点が発生する。すムわち、 α）パーマロイパターンの縮小化による磁気バブル駆動
力の低下によシ、転送マージンが減少する。
バブル転送舎も転磁界）−１ｉｚｍ、ｉｎが増大する。
ｄエ σｙ ／ ％＆、” ｅ ｅ ｍ １１ ＠ ＠
＠ ＩＩ １１ （２）ただし、σＷ： 磁壁エネル
ギー密度 Ｍｓ： 飽和磁化 〔発明の目的〕 したがって本発明は前述した従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、マイナルー
プ部の磁気バブル転送バイアス磁界マージンを向上させ
た高密度形磁気バブルメモリ素子を提供することＫある
。
＠ ＩＩ １１ （２）ただし、σＷ： 磁壁エネル
ギー密度 Ｍｓ： 飽和磁化 〔発明の目的〕 したがって本発明は前述した従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであシ、その目的とするところは、マイナルー
プ部の磁気バブル転送バイアス磁界マージンを向上させ
た高密度形磁気バブルメモリ素子を提供することＫある
。
このような目的を達成するために本発明による磁気バブ
ルメモリ素子は、径が２μｍ以下の磁気バブルを用いる
場合、磁気二（プル径ｄと背の高さｈをｈ／ｄ ＜ ０
．８の関係をもたせるとともに、異常バブル抑制用イオ
ンインブタチージョン層のイオンドーズ量を規正したも
のである。
ルメモリ素子は、径が２μｍ以下の磁気バブルを用いる
場合、磁気二（プル径ｄと背の高さｈをｈ／ｄ ＜ ０
．８の関係をもたせるとともに、異常バブル抑制用イオ
ンインブタチージョン層のイオンドーズ量を規正したも
のである。
次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
前述したようにパーマロイパターンの微小化時、磁気バ
ブル相互間の干渉による磁気バブル転送特性低下を防止
するため、磁気バブル径ｄが縮小されるが、この時の問
題点は４πＭ、 （飽和磁束密度）の増大である。この
解決策としては、磁気バブル形状を変えて磁気パズルか
らの反磁界により下記０）式に示すように実効的な４π
Ｍ、を減少させることが出来る。
ブル相互間の干渉による磁気バブル転送特性低下を防止
するため、磁気バブル径ｄが縮小されるが、この時の問
題点は４πＭ、 （飽和磁束密度）の増大である。この
解決策としては、磁気バブル形状を変えて磁気パズルか
らの反磁界により下記０）式に示すように実効的な４π
Ｍ、を減少させることが出来る。
＊
４πＭｓ＝４πＭｇ （Ｉ Ｎ ） ＊ ｅ ａ ＊
（３）背の高さｈを低くすることにより増加する。すな
わち、ｈ＜０．８ｄの条件を満足する偏平磁気バブルと
することにより、従来のｈ≧０．８ｄの磁気バブルＨｍ
ｍｉｎを１０〜１５％程度低減させることが可能となシ
１磁気バブル転送駆動力を向上できる効果が得られる。
（３）背の高さｈを低くすることにより増加する。すな
わち、ｈ＜０．８ｄの条件を満足する偏平磁気バブルと
することにより、従来のｈ≧０．８ｄの磁気バブルＨｍ
ｍｉｎを１０〜１５％程度低減させることが可能となシ
１磁気バブル転送駆動力を向上できる効果が得られる。
また、出力特性は磁気バブル径ｄに大スマージンは従来
と大差がないことが明らかとな１、異常バブル抑制用イ
オンインプラチージョン層 の条件を磁気バブル転送特性向上の観点からドーズ量を
ｌＸｌ０Ｎ、／−以下とすることにより、磁気バブル転
送バイアス磁界マージンを向上させることができた。
と大差がないことが明らかとな１、異常バブル抑制用イ
オンインプラチージョン層 の条件を磁気バブル転送特性向上の観点からドーズ量を
ｌＸｌ０Ｎ、／−以下とすることにより、磁気バブル転
送バイアス磁界マージンを向上させることができた。
第１図は従来から用いられていた磁気バブルメモリ素子
のマイナループ部の要部断面構成図である。同図におい
て、１はＧ、Ｇ、Ｇ、（ガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット）基板、２は磁気バブル媒体となる磁気バブル磁
性膜％２ａは磁気バブル、３は磁性膜２０表面に打込ま
れて異常バブルの発生を抑制するイオンインプラチージ
ョン層、４は乙 イオンインプラチージョン層３上に５ｔ（ｈ 、高分子
樹脂などによ多形成されたスペーサ層、５はスペーサ層
４上に導電体にょ多形成されて電気信号等を導通するコ
ンダクタパターン層、６はスペーサ層４．コンダクタパ
ターン層５上に５ｌＯｓ、高分子樹脂などによ多形成さ
れた絶縁層、７は絶縁層６上にパーマロイ等で形成され
たマイナループ部の磁気バブル転送用パーマロイパター
フ層テする。
のマイナループ部の要部断面構成図である。同図におい
て、１はＧ、Ｇ、Ｇ、（ガドリニウム・ガリウム・ガー
ネット）基板、２は磁気バブル媒体となる磁気バブル磁
性膜％２ａは磁気バブル、３は磁性膜２０表面に打込ま
れて異常バブルの発生を抑制するイオンインプラチージ
ョン層、４は乙 イオンインプラチージョン層３上に５ｔ（ｈ 、高分子
樹脂などによ多形成されたスペーサ層、５はスペーサ層
４上に導電体にょ多形成されて電気信号等を導通するコ
ンダクタパターン層、６はスペーサ層４．コンダクタパ
ターン層５上に５ｌＯｓ、高分子樹脂などによ多形成さ
れた絶縁層、７は絶縁層６上にパーマロイ等で形成され
たマイナループ部の磁気バブル転送用パーマロイパター
フ層テする。
このような構成において、従来の磁気バブル２ａは、直
径なｄ、その背の高さをｈとしたとき、ｈ＞０．８の関
係を有して形成されていた。また、イ第２図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子）−例を示すマイナループ部
の要部断面構成図であり、第１図と同一部分は同一符号
を付し、その説明は省略する。同図において、第１図と
異なる点は−磁気バブル磁性膜２は磁気バブル２＆′が
ｈく０．８ｄの関係を満足する偏平磁気バブルを形成す
るような膜厚を有して形成されている。また、イオ乙 ンインプラテーション層３にはＮｅ イオンが１×１Ｏ
Ｎｅ／ｃＩＩｉ以下のドーズ量でドーズされて異常バブ
ル抑制膜が形成されている。
径なｄ、その背の高さをｈとしたとき、ｈ＞０．８の関
係を有して形成されていた。また、イ第２図は本発明に
よる磁気バブルメモリ素子）−例を示すマイナループ部
の要部断面構成図であり、第１図と同一部分は同一符号
を付し、その説明は省略する。同図において、第１図と
異なる点は−磁気バブル磁性膜２は磁気バブル２＆′が
ｈく０．８ｄの関係を満足する偏平磁気バブルを形成す
るような膜厚を有して形成されている。また、イオ乙 ンインプラテーション層３にはＮｅ イオンが１×１Ｏ
Ｎｅ／ｃＩＩｉ以下のドーズ量でドーズされて異常バブ
ル抑制膜が形成されている。
第３図は前述したｈ ＜ ０．８ｄの関係を有する偏平
磁気バブル２ａ′を用いた磁気バブルメモリ素子の、乙 イオンインプラチージョンドーズ量を変えた場合の磁気
バブル転送バイアス磁界マージンΔＨａ特性を示したも
のであυ、この場合、Ｎｅ イオンをドーズする加速電
圧は異常バブル抑制効果のある５０〜８０に、Ｖの範囲
で行ない、回転磁界ｉは約５５δｅの条件で測定した。
磁気バブル２ａ′を用いた磁気バブルメモリ素子の、乙 イオンインプラチージョンドーズ量を変えた場合の磁気
バブル転送バイアス磁界マージンΔＨａ特性を示したも
のであυ、この場合、Ｎｅ イオンをドーズする加速電
圧は異常バブル抑制効果のある５０〜８０に、Ｖの範囲
で行ない、回転磁界ｉは約５５δｅの条件で測定した。
同図におい′て、Ｎｅ＋イオンドーズ量が２Ｘ１０ Ｎ
ｅ／（’ｄの点Ａで示す従来素子に比較してｘｘｘＯＮ
ｅ／−以下とする領域Ｂにおいて磁気バブル転送バイア
スマージンΔＨＢを向上させることができた。この場合
、Ｎ６＋イオンドーズ量がＩ Ｘ １０ Ｎｅ ７６４
未満とすると、異常バブル抑制効果が得られ表いため、
ｌＸ１０”〜 １×１ＯＮｅ１０Ｔ！の範囲のドーズ量
とし、ｄ≦２μｍ。
ｅ／（’ｄの点Ａで示す従来素子に比較してｘｘｘＯＮ
ｅ／−以下とする領域Ｂにおいて磁気バブル転送バイア
スマージンΔＨＢを向上させることができた。この場合
、Ｎ６＋イオンドーズ量がＩ Ｘ １０ Ｎｅ ７６４
未満とすると、異常バブル抑制効果が得られ表いため、
ｌＸ１０”〜 １×１ＯＮｅ１０Ｔ！の範囲のドーズ量
とし、ｄ≦２μｍ。
ｈ≦０．８ｄの偏平磁気バブル２ａ を用いることによ
シ、約１００６程度の磁気バブル転送バイアス磁界マー
ジンΔＨ１を向上させることができた。
シ、約１００６程度の磁気バブル転送バイアス磁界マー
ジンΔＨ１を向上させることができた。
以上の実施例においては、Ｎｅ についてであったが、
Ｎｅ に代えてＨｍ またはＨでも全く同様の効果が得
られている。
Ｎｅ に代えてＨｍ またはＨでも全く同様の効果が得
られている。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブル転送駆
動力が増加するので、磁気バブル転送バイアス磁界マー
ジンを向上でき、高密度形磁気バブルメモリ素子が実現
可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
動力が増加するので、磁気バブル転送バイアス磁界マー
ジンを向上でき、高密度形磁気バブルメモリ素子が実現
可能となるなどの極めて優れた効果が得られる。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子のマイナループ部
の要部断面構成図、第２図は本発明による磁気バブルメ
モリ素子のマイナループ部の要部乙 断面構成図、第３図はイオンインプラチージョンドーズ
量に対する磁気バブル転送バイアス磁界マージンΔＨＨ
の関係を示す図である。 １１１・−・Ｇ、Ｇ、Ｇ、基板、２・・拳・磁気バブル
磁性膜、２ａ ・・・・磁気バブル、３・・・・乙 イオンインプラチージョン層、４・・・・スペーサ層、
５ｅ・・・コンダクタパターン層、６・φΦ・絶ａ層、
ｙ・・・・パーマロイパターン層。 城 憾 図 Ｃ） 城 ω；
の要部断面構成図、第２図は本発明による磁気バブルメ
モリ素子のマイナループ部の要部乙 断面構成図、第３図はイオンインプラチージョンドーズ
量に対する磁気バブル転送バイアス磁界マージンΔＨＨ
の関係を示す図である。 １１１・−・Ｇ、Ｇ、Ｇ、基板、２・・拳・磁気バブル
磁性膜、２ａ ・・・・磁気バブル、３・・・・乙 イオンインプラチージョン層、４・・・・スペーサ層、
５ｅ・・・コンダクタパターン層、６・φΦ・絶ａ層、
ｙ・・・・パーマロイパターン層。 城 憾 図 Ｃ） 城 ω；
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 乙 磁気バブル磁性膜の表面にイオンインプラチーと ジョン層を形成しさらにこのイオンインプラチージョン
層上にコンダクタパターン層、磁気バフル転送用パター
ン層を設け、径が２μｍ以下の磁気バブルを用いた高密
度形磁気バブルメモリ素子にお乙 いて、前記イオンインプラチージョン層のイオンドーズ
量をＩ Ｘ １０”〜Ｉ Ｘ １０”／ｃｒｌの範囲と
し、磁気バブル径をｄ、背の高さをｈとしたとき、ｈ／
ｄ≦０．８に設定したことを特徴とする磁気バブルメモ
リ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224102A JPS60117475A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224102A JPS60117475A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117475A true JPS60117475A (ja) | 1985-06-24 |
Family
ID=16808570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224102A Pending JPS60117475A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117475A (ja) |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224102A patent/JPS60117475A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1068830A (en) | Ion implanted bubble propagation structure | |
| JPS57170510A (en) | Method of ion implantation | |
| US4476152A (en) | Method for production of magnetic bubble memory device | |
| JPS60117475A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| US4525808A (en) | Hybrid magnetic bubble memory device | |
| US4532180A (en) | Garnet film for ion-implanted magnetic bubble device | |
| JPS58125289A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| US4343038A (en) | Magnetic bubble domain structure | |
| JPS5972696A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5846793B2 (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS5930290A (ja) | 磁気バブル素子用磁性薄膜 | |
| JPS5867006A (ja) | 積層垂直磁化膜 | |
| JPS6284486A (ja) | 複合型磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS6029997A (ja) | 磁気バブル転送路 | |
| JPS6248316B2 (ja) | ||
| JPS62107494A (ja) | イオン打込み磁気バブル素子 | |
| JPS58108086A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JPS5987805A (ja) | 磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 | |
| JPS6187296A (ja) | イオン注入バブルデバイスの製造方法 | |
| JPS60140587A (ja) | イオン打込み方式磁気バブル素子用ガ−ネツト膜 | |
| JPS60145592A (ja) | 磁気バブル素子 | |
| JPS6136316B2 (ja) | ||
| JPS59223989A (ja) | 複合型磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS5990283A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS59127292A (ja) | イオン打込み型磁気バブルメモリ素子 |